JPH1012676A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH1012676A
JPH1012676A JP8159686A JP15968696A JPH1012676A JP H1012676 A JPH1012676 A JP H1012676A JP 8159686 A JP8159686 A JP 8159686A JP 15968696 A JP15968696 A JP 15968696A JP H1012676 A JPH1012676 A JP H1012676A
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守彦 池水
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貴之 奥友
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正文 竹内
Masaru Fukuoka
大 福岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＡＢテープとスティフナーとを熱圧着する
際、十分な圧力が加わらない箇所で密着不良が生じる。
その後、加熱工程を経ると、密着不良箇所上のＴＡＢテ
ープが湾曲され、はんだボールの平坦性が悪化してい
た。 【解決手段】 ＴＡＢテープにおいて、パッド１１やリ
ード１２が設置されていない接着剤１４上にダミーの銅
箔パターン１３を設け、その上に被覆されるソルダーレ
ジストの上面を均一にすることにより、熱圧着する際に
圧力が均一に加えられるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多ピンの半導体装
置に関するもので、特にテープタイプのＢＧＡに用いら
れるＴＡＢテープに係わる。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の３層構造のＴＡＢテープ
の上面図を示す。図４は、図３に示したＴＡＢテープの
断面図である。図３及び図４に示したＴＡＢテープは、
例えばポリイミドからなる樹脂テープ３５と、この樹脂
テープ上に塗布された接着剤３４と、この接着剤上に形
成された銅箔パターン３１、３２より構成される。銅箔
パターンは、はんだボールを付けるパッド３１と、この
パッド３１と半導体チップとを接続するリード３２より
なる。さらに、銅箔パターン３１、３２を保護するた
め、ソルダーレジスト３３がＴＡＢテープの銅箔側の面
の全面に塗布されている。銅箔パターンの膜厚が例えば
１８μｍであるとすると、銅箔パターン３１、３２上に
塗布されたソルダーレジスト３３の上面と接着剤３４上
に直接塗布されたソルダーレジスト３３の上面との高低
差は、１８μｍある。
【０００３】その後、スティフナーにＴＡＢテープのポ
リイミド側の面が接着される。図５は、ＢＧＡテープに
使用されるスティフナーである。このスティフナーは、
金属板５２と、この金属板５２上に塗布された接着剤５
１よりなる。
【０００４】図６は、図４に示したＴＡＢテープと図５
に示したスティフナーとを熱圧着する工程を示す。以
下、図４、図５と同一の構成要素には同一の符号を付
し、説明を省略する。図６に示したように、治工具６
１、６２を用いて、上下からＴＡＢテープとスティフナ
ーを挟む。続いて、熱を加えつつ、治工具６１、６２か
らＴＡＢテープとスティフナーに圧力を加え、接着剤５
１により両者を接着させる。
【０００５】その後、図７に示すように、ＴＡＢテープ
７４に半導体チップ７２を接合し、半導体チップ７２を
ポッティング樹脂７１で封止し、ＴＡＢテープ７４のパ
ッドにはんだボール７５を付ける。図７は、そうして形
成されたＢＧＡテープの断面図を示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示し
たＴＡＢテープとスティフナーとを熱圧着する工程にお
いて、ソルダーレジスト３３の凹凸が大きいため、上下
の治工具６１、６２からの圧力はソルダーレジストの大
きな凹部６３に加わらない。そのため、凹部６３の下部
の接着剤５１に圧力が伝わらず、図８に示すように密着
不良８１が生じる。
【０００７】その後、接着材のキュア工程あるいはリフ
ロー工程において加熱されると、その密着不良の箇所で
気泡が生じる。図９は、その段階のＢＧＡテープの断面
図である。その気泡９１によりＢＧＡテープが湾曲さ
れ、はんだボール部の平坦性が悪化する。本発明は、上
記課題に鑑み、スティフナーとＴＡＢテープの密着を全
面にわたって完全にし、はんだボールの平坦性を向上さ
せることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、樹脂テープと、樹脂テープ上に設置された
パッド、リードからなる銅箔パターンと、銅箔パターン
の相互間に設置されたダミーの銅箔パターンと、銅箔パ
ターン、ダミーの銅箔パターン及びそれら銅箔パターン
の相互間の全面を被覆するソルダーレジストとを具備す
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の実施例の断面図
を示す。図２は、図１の実施例の上面図を示す。図１
は、図２に示す１−１線における断面図である。このＢ
ＧＡテープは、ポリイミド１５と、ポリイミド１５上に
塗布された接着剤１４と、接着剤１４上に形成されたパ
ッド１１、リード１２よりなる金属、例えば銅箔のパタ
ーンと、ダミーの銅箔パターン１０と、それらの銅箔パ
ターン１０、１１、１２を被覆するソルダーレジスト１
３と、ポリイミド１５の下面と接着剤１６を介して圧着
された金属板１７により構成される。
【００１０】図１、図２に示したように、本実施例で
は、パッド１１やリード１２の相互間に存在する広いス
ペースにダミーパターン１０が設けられている。このダ
ミーパターン１０は、一般にパッド１１やリード１２と
同時に形成され、ダミーパターン１０ａのように単独で
配置されたり、ダミーパターン１０ｂのようにパッド１
１と接続されて配置されたり、あるいはグランドライン
と接続されて配置される。
【００１１】本実施例において、ダミーパターン１０を
設け、接着剤１４が直接露出されている部分を最小にし
てから、ソルダーレジスト１３を塗布するので、銅箔パ
ターン１１、１２上に塗布されたソルダーレジスト１３
の上面と接着剤１４上に直接塗布されたソルダーレジス
ト１３の上面との高低差を減らすことができる。例え
ば、銅箔パターン１０、１１、１２の膜厚を１８μｍと
すると、高低差を３μｍ以上１８μｍ未満に、より詳細
には７μｍ以内に抑えることができる。
【００１２】そのため、ＴＡＢテープへのスティフナー
を張り付ける時に接着剤全面に均一に圧力を加えること
ができるようになり、全体の密着性が向上し、気泡が発
生しなくなる。
【００１３】また、ダミーパターンを他のリードやパッ
ドに接続すれば、接着剤１４とこれらの銅箔パターンと
の接着面積が増えるため、ＴＡＢテープ１５への銅箔の
密着強度が増加する。
【００１４】さらに、パッド間に配置されたダミーパタ
ーンをグランドラインと接続すると、隣接するパッド間
のインダクタンスを減らすことができる。上記の実施例
において、ＴＡＢテープは三層構造であるとして説明し
たが、これに限られるものではなく、樹脂テープと銅箔
パターンからなる二層構造でもよい。また、上記の実施
例において、パターン及びダミーのパターンは銅箔であ
るとしたが、銅箔に限られるものではない。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、ダミー金属パターンを設
けることで、ＴＡＢテープとスティフナーを張り付ける
際に圧力が接着剤全面に加わるため、接着剤とＴＡＢテ
ープとの密着不足部分がなくなる。
【００１６】また、ダミー金属パターンをパッドに接続
することにより、そのパターンと接着剤との接着面積が
増えるため、パッドの接着剤への密着強度を増加させる
ことができる。さらに、ダミーパターンをグランドライ
ンに接続することにより隣接ピン間のインダクタンスを
低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の断面図。
【図２】図１に示した本発明の実施例の上面図。
【図３】従来のＴＡＢテープの上面図。
【図４】図３に示したＴＡＢテープの断面図。
【図５】ＢＧＡテープに使われるスティフナーを表す
図。
【図６】ＴＡＢテープとスティフナーを熱圧着する工程
を表す図。
【図７】ＢＧＡテープの断面図。
【図８】熱圧着後の従来のＢＧＡテープの断面図。
【図９】加熱後の従来のＢＧＡテープの断面図。
【符号の説明】
１０…ダミーの銅箔パターン、 １１…パッド、 １２…リード、 １３…ソルダーレジスト、 １４…接着剤、 １５…ポリイミド、 １６…接着剤、 １７…金属板。
フロントページの続き (72)発明者 竹内 正文 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 福岡 大 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂テープと、 前記樹脂テープ上に設置されたパッド、リードからなる
    銅箔パターンと、 前記銅箔パターン及び前記銅箔パターン相互間の全面を
    被覆するソルダーレジストとよりなるテープＢＧＡパッ
    ケージ用ＴＡＢテープであって、 前記銅箔パターン相互間に配置されるとともに、前記ソ
    ルダーレジストによって被覆され、前記ソルダーレジス
    トの高低差を小さくするダミーの銅箔パターンを具備す
    ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記銅箔パターンの厚さと前記銅箔パタ
    ーン上に塗布されたソルダーレジストの厚さの和は、前
    記銅箔パターン相互間に塗布されたソルダーレジストの
    厚さよりも、３μｍ以上１８μｍ未満の範囲で厚いこと
    を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記ダミーの銅箔パターンが前記パッド
    またはリードである銅箔パターンに接続されていること
    を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記ダミーの銅箔パターンが接地されて
    いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 樹脂テープと、 前記樹脂テープ上に設置されたパッド、リードからなる
    第１の銅箔パターンと、 前記銅箔パターン及び前記銅箔パターン相互間の全面を
    被覆するソルダーレジストとよりなるテープＢＧＡパッ
    ケージ用ＴＡＢテープと、 前記樹脂テープの下部に接着されたスティフナーと、 前記銅箔パターン相互間に配置されるとともに、前記ソ
    ルダーレジストによって被覆され、前記ＴＡＢテープと
    前記スティフナーとを圧着する際に前記スティフナーに
    均一に圧力が加わるようする第２の銅箔パターンとを具
    備することを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記樹脂テープと前記銅箔パターンとの
    間に接着剤が塗布されていることを特徴とする請求項
    １、６記載の半導体装置。
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