JPH1012676A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH1012676A
JPH1012676A JP8159686A JP15968696A JPH1012676A JP H1012676 A JPH1012676 A JP H1012676A JP 8159686 A JP8159686 A JP 8159686A JP 15968696 A JP15968696 A JP 15968696A JP H1012676 A JPH1012676 A JP H1012676A
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貴之 奥友
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正文 竹内
Masaru Fukuoka
大 福岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 TABテープとスティフナーとを熱圧着する
際、十分な圧力が加わらない箇所で密着不良が生じる。
その後、加熱工程を経ると、密着不良箇所上のTABテ
ープが湾曲され、はんだボールの平坦性が悪化してい
た。 【解決手段】 TABテープにおいて、パッド11やリ
ード12が設置されていない接着剤14上にダミーの銅
箔パターン13を設け、その上に被覆されるソルダーレ
ジストの上面を均一にすることにより、熱圧着する際に
圧力が均一に加えられるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多ピンの半導体装
置に関するもので、特にテープタイプのBGAに用いら
れるTABテープに係わる。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の3層構造のTABテープ
の上面図を示す。図4は、図3に示したTABテープの
断面図である。図3及び図4に示したTABテープは、
例えばポリイミドからなる樹脂テープ35と、この樹脂
テープ上に塗布された接着剤34と、この接着剤上に形
成された銅箔パターン31、32より構成される。銅箔
パターンは、はんだボールを付けるパッド31と、この
パッド31と半導体チップとを接続するリード32より
なる。さらに、銅箔パターン31、32を保護するた
め、ソルダーレジスト33がTABテープの銅箔側の面
の全面に塗布されている。銅箔パターンの膜厚が例えば
18μmであるとすると、銅箔パターン31、32上に
塗布されたソルダーレジスト33の上面と接着剤34上
に直接塗布されたソルダーレジスト33の上面との高低
差は、18μmある。
【0003】その後、スティフナーにTABテープのポ
リイミド側の面が接着される。図5は、BGAテープに
使用されるスティフナーである。このスティフナーは、
金属板52と、この金属板52上に塗布された接着剤5
1よりなる。
【0004】図6は、図4に示したTABテープと図5
に示したスティフナーとを熱圧着する工程を示す。以
下、図4、図5と同一の構成要素には同一の符号を付
し、説明を省略する。図6に示したように、治工具6
1、62を用いて、上下からTABテープとスティフナ
ーを挟む。続いて、熱を加えつつ、治工具61、62か
らTABテープとスティフナーに圧力を加え、接着剤5
1により両者を接着させる。
【0005】その後、図7に示すように、TABテープ
74に半導体チップ72を接合し、半導体チップ72を
ポッティング樹脂71で封止し、TABテープ74のパ
ッドにはんだボール75を付ける。図7は、そうして形
成されたBGAテープの断面図を示す。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図6に示し
たTABテープとスティフナーとを熱圧着する工程にお
いて、ソルダーレジスト33の凹凸が大きいため、上下
の治工具61、62からの圧力はソルダーレジストの大
きな凹部63に加わらない。そのため、凹部63の下部
の接着剤51に圧力が伝わらず、図8に示すように密着
不良81が生じる。
【0007】その後、接着材のキュア工程あるいはリフ
ロー工程において加熱されると、その密着不良の箇所で
気泡が生じる。図9は、その段階のBGAテープの断面
図である。その気泡91によりBGAテープが湾曲さ
れ、はんだボール部の平坦性が悪化する。本発明は、上
記課題に鑑み、スティフナーとTABテープの密着を全
面にわたって完全にし、はんだボールの平坦性を向上さ
せることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、樹脂テープと、樹脂テープ上に設置された
パッド、リードからなる銅箔パターンと、銅箔パターン
の相互間に設置されたダミーの銅箔パターンと、銅箔パ
ターン、ダミーの銅箔パターン及びそれら銅箔パターン
の相互間の全面を被覆するソルダーレジストとを具備す
る。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明の実施例の断面図
を示す。図2は、図1の実施例の上面図を示す。図1
は、図2に示す1−1線における断面図である。このB
GAテープは、ポリイミド15と、ポリイミド15上に
塗布された接着剤14と、接着剤14上に形成されたパ
ッド11、リード12よりなる金属、例えば銅箔のパタ
ーンと、ダミーの銅箔パターン10と、それらの銅箔パ
ターン10、11、12を被覆するソルダーレジスト1
3と、ポリイミド15の下面と接着剤16を介して圧着
された金属板17により構成される。
【0010】図1、図2に示したように、本実施例で
は、パッド11やリード12の相互間に存在する広いス
ペースにダミーパターン10が設けられている。このダ
ミーパターン10は、一般にパッド11やリード12と
同時に形成され、ダミーパターン10aのように単独で
配置されたり、ダミーパターン10bのようにパッド1
1と接続されて配置されたり、あるいはグランドライン
と接続されて配置される。
【0011】本実施例において、ダミーパターン10を
設け、接着剤14が直接露出されている部分を最小にし
てから、ソルダーレジスト13を塗布するので、銅箔パ
ターン11、12上に塗布されたソルダーレジスト13
の上面と接着剤14上に直接塗布されたソルダーレジス
ト13の上面との高低差を減らすことができる。例え
ば、銅箔パターン10、11、12の膜厚を18μmと
すると、高低差を3μm以上18μm未満に、より詳細
には7μm以内に抑えることができる。
【0012】そのため、TABテープへのスティフナー
を張り付ける時に接着剤全面に均一に圧力を加えること
ができるようになり、全体の密着性が向上し、気泡が発
生しなくなる。
【0013】また、ダミーパターンを他のリードやパッ
ドに接続すれば、接着剤14とこれらの銅箔パターンと
の接着面積が増えるため、TABテープ15への銅箔の
密着強度が増加する。
【0014】さらに、パッド間に配置されたダミーパタ
ーンをグランドラインと接続すると、隣接するパッド間
のインダクタンスを減らすことができる。上記の実施例
において、TABテープは三層構造であるとして説明し
たが、これに限られるものではなく、樹脂テープと銅箔
パターンからなる二層構造でもよい。また、上記の実施
例において、パターン及びダミーのパターンは銅箔であ
るとしたが、銅箔に限られるものではない。
【0015】
【発明の効果】本発明により、ダミー金属パターンを設
けることで、TABテープとスティフナーを張り付ける
際に圧力が接着剤全面に加わるため、接着剤とTABテ
ープとの密着不足部分がなくなる。
【0016】また、ダミー金属パターンをパッドに接続
することにより、そのパターンと接着剤との接着面積が
増えるため、パッドの接着剤への密着強度を増加させる
ことができる。さらに、ダミーパターンをグランドライ
ンに接続することにより隣接ピン間のインダクタンスを
低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の断面図。
【図2】図1に示した本発明の実施例の上面図。
【図3】従来のTABテープの上面図。
【図4】図3に示したTABテープの断面図。
【図5】BGAテープに使われるスティフナーを表す
図。
【図6】TABテープとスティフナーを熱圧着する工程
を表す図。
【図7】BGAテープの断面図。
【図8】熱圧着後の従来のBGAテープの断面図。
【図9】加熱後の従来のBGAテープの断面図。
【符号の説明】
10…ダミーの銅箔パターン、 11…パッド、 12…リード、 13…ソルダーレジスト、 14…接着剤、 15…ポリイミド、 16…接着剤、 17…金属板。
フロントページの続き (72)発明者 竹内 正文 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 福岡 大 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂テープと、 前記樹脂テープ上に設置されたパッド、リードからなる
    銅箔パターンと、 前記銅箔パターン及び前記銅箔パターン相互間の全面を
    被覆するソルダーレジストとよりなるテープBGAパッ
    ケージ用TABテープであって、 前記銅箔パターン相互間に配置されるとともに、前記ソ
    ルダーレジストによって被覆され、前記ソルダーレジス
    トの高低差を小さくするダミーの銅箔パターンを具備す
    ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記銅箔パターンの厚さと前記銅箔パタ
    ーン上に塗布されたソルダーレジストの厚さの和は、前
    記銅箔パターン相互間に塗布されたソルダーレジストの
    厚さよりも、3μm以上18μm未満の範囲で厚いこと
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記ダミーの銅箔パターンが前記パッド
    またはリードである銅箔パターンに接続されていること
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記ダミーの銅箔パターンが接地されて
    いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 樹脂テープと、 前記樹脂テープ上に設置されたパッド、リードからなる
    第1の銅箔パターンと、 前記銅箔パターン及び前記銅箔パターン相互間の全面を
    被覆するソルダーレジストとよりなるテープBGAパッ
    ケージ用TABテープと、 前記樹脂テープの下部に接着されたスティフナーと、 前記銅箔パターン相互間に配置されるとともに、前記ソ
    ルダーレジストによって被覆され、前記TABテープと
    前記スティフナーとを圧着する際に前記スティフナーに
    均一に圧力が加わるようする第2の銅箔パターンとを具
    備することを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記樹脂テープと前記銅箔パターンとの
    間に接着剤が塗布されていることを特徴とする請求項
    1、6記載の半導体装置。
JP15968696A 1996-06-20 1996-06-20 半導体装置 Expired - Fee Related JP3346985B2 (ja)

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