JPH1012481A - 導電性ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
導電性ペースト及びセラミック電子部品の製造方法Info
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- JPH1012481A JPH1012481A JP16303296A JP16303296A JPH1012481A JP H1012481 A JPH1012481 A JP H1012481A JP 16303296 A JP16303296 A JP 16303296A JP 16303296 A JP16303296 A JP 16303296A JP H1012481 A JPH1012481 A JP H1012481A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部電極の焼付け時にくっ付き不良が発生し
にくい導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部
品の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 金属粉末とガラスフリットを含んだ導電
ペーストに、前記金属粉末より高融点の金属添加物を１
〜１０ｗｔ％を入れて、その導電性ペーストを、セラミ
ック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結開始温度より
低い温度で、かつ、前記金属粉末の焼成温度で、焼き付
けすることを特徴とする。
にくい導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部
品の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 金属粉末とガラスフリットを含んだ導電
ペーストに、前記金属粉末より高融点の金属添加物を１
〜１０ｗｔ％を入れて、その導電性ペーストを、セラミ
ック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結開始温度より
低い温度で、かつ、前記金属粉末の焼成温度で、焼き付
けすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、導電性ペースト
およびその導電性ペーストを用いたセラミック電子部品
の製造方法に関し、特に、セラミック電子部品に電極を
形成する工程を改良するものである。
およびその導電性ペーストを用いたセラミック電子部品
の製造方法に関し、特に、セラミック電子部品に電極を
形成する工程を改良するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック電子部品の電極を形成
するにあたっては、導電ペーストをセラミック素子の端
部に塗布した後、焼き付けして行われる。導電ペースト
としては、ＡｇやＡｇ／Ｐｄ合金などの金属粉末を有機
ビヒクルやガラスフリットなどと調合したものが使用さ
れる。
するにあたっては、導電ペーストをセラミック素子の端
部に塗布した後、焼き付けして行われる。導電ペースト
としては、ＡｇやＡｇ／Ｐｄ合金などの金属粉末を有機
ビヒクルやガラスフリットなどと調合したものが使用さ
れる。
【０００３】ところが、上記のような導電ペーストを用
いてセラミック電子部品の電極を形成する方法において
は、電極の焼き付け形成時に、電極の外表面に前記導電
ペーストに含まれるガラスフリットのガラス成分が滲み
出して、電極同士、あるいは電極とセラミック匣とのく
っ付き不良が発生しやすい問題がある。
いてセラミック電子部品の電極を形成する方法において
は、電極の焼き付け形成時に、電極の外表面に前記導電
ペーストに含まれるガラスフリットのガラス成分が滲み
出して、電極同士、あるいは電極とセラミック匣とのく
っ付き不良が発生しやすい問題がある。
【０００４】そこで、電極の焼き付け形成時に、くっ付
き不良が発生しないように、導電ペーストが塗布された
セラミック素子に、アルミナ粉末やジルコニア粉末など
の無機粉末を適量、まぶすことが行われる。
き不良が発生しないように、導電ペーストが塗布された
セラミック素子に、アルミナ粉末やジルコニア粉末など
の無機粉末を適量、まぶすことが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなセラミック電子部品の製造方法では、電極焼き付
け時の量産性を上げるために、セラミック匣の中に入れ
るセラミック素子のチャージ量を上げると、電極に対す
る無機粉末の付着量を均一にコントロールできなくな
り、付着する無機粉末にバラツキが発生する。このた
め、無機粉末が少量に付着してしまうものがでて、電極
焼き付け時に、くっ付き不良が発生する。また、このよ
うな方法では、アルミナ粉末やジルコニア粉末などをま
ぶしたり、そのまぶしたアルミナ粉末やジルコニア粉末
を除去するために、ふるいにかけたりする工程が必要と
なり、製造コストが高くなる。更に、その際に発生する
粉塵によって作業環境が悪くなるという問題が起こる。
ようなセラミック電子部品の製造方法では、電極焼き付
け時の量産性を上げるために、セラミック匣の中に入れ
るセラミック素子のチャージ量を上げると、電極に対す
る無機粉末の付着量を均一にコントロールできなくな
り、付着する無機粉末にバラツキが発生する。このた
め、無機粉末が少量に付着してしまうものがでて、電極
焼き付け時に、くっ付き不良が発生する。また、このよ
うな方法では、アルミナ粉末やジルコニア粉末などをま
ぶしたり、そのまぶしたアルミナ粉末やジルコニア粉末
を除去するために、ふるいにかけたりする工程が必要と
なり、製造コストが高くなる。更に、その際に発生する
粉塵によって作業環境が悪くなるという問題が起こる。
【０００６】本発明は、上記の問題を解決すべくなされ
たものであって、電極の焼き付け時にくっ付き不良が発
生しにくい導電ペースト及びそれを用いたセラミック電
子部品の製造方法を提供することを目的とする。
たものであって、電極の焼き付け時にくっ付き不良が発
生しにくい導電ペースト及びそれを用いたセラミック電
子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するため手段】上記目的を達成するため、
本発明は、金属粉末とガラスフリットを含む導電ペース
トであって、前記金属粉末より高融点の金属添加物を１
〜１０ｗｔ％含んでいることを特徴とする導電性ペース
トである。また、本発明は、金属粉末とガラスフリット
を含んだ導電ペーストに、前記金属粉末より高融点の金
属添加物を１〜１０ｗｔ％を入れて、その導電性ペース
トを、セラミック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結
開始温度より低い温度で、かつ、前記金属粉末の焼結温
度で、焼き付けすることを特徴とするセラミック電子部
品の製造方法である。この本発明によれば、金属粉末よ
り高融点のＮｉ添加物を含んだ導電性ペーストをセラミ
ック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結開始温度より
低い金属粉末の焼結温度で焼き付けることによって、前
記金属添加物の粒子近傍のある前記金属粉末の焼結が抑
えられて、金属粉末の粒子と粒子の間に隙間が生じる。
このため、導電性ペーストに含まれるガラスフリットの
ガラス成分が、前記隙間の間に満たされて、電極の外表
面に滲み出るのを防止することができる。
本発明は、金属粉末とガラスフリットを含む導電ペース
トであって、前記金属粉末より高融点の金属添加物を１
〜１０ｗｔ％含んでいることを特徴とする導電性ペース
トである。また、本発明は、金属粉末とガラスフリット
を含んだ導電ペーストに、前記金属粉末より高融点の金
属添加物を１〜１０ｗｔ％を入れて、その導電性ペース
トを、セラミック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結
開始温度より低い温度で、かつ、前記金属粉末の焼結温
度で、焼き付けすることを特徴とするセラミック電子部
品の製造方法である。この本発明によれば、金属粉末よ
り高融点のＮｉ添加物を含んだ導電性ペーストをセラミ
ック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結開始温度より
低い金属粉末の焼結温度で焼き付けることによって、前
記金属添加物の粒子近傍のある前記金属粉末の焼結が抑
えられて、金属粉末の粒子と粒子の間に隙間が生じる。
このため、導電性ペーストに含まれるガラスフリットの
ガラス成分が、前記隙間の間に満たされて、電極の外表
面に滲み出るのを防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
【０００９】本発明の導電ペーストは、Ａｇ粉末と、前
記Ａｇ粉末より高融点の金属添加物、例えばＮｉと、ガ
ラスフリットとを有機ビヒクルに分散させて調合したも
ので、前記Ｎｉが１〜１０ｗｔ％含まれているものであ
る。
記Ａｇ粉末より高融点の金属添加物、例えばＮｉと、ガ
ラスフリットとを有機ビヒクルに分散させて調合したも
ので、前記Ｎｉが１〜１０ｗｔ％含まれているものであ
る。
【００１０】上記導電ペーストを使用して、電子部品の
セラミック素子に電極を形成する時には、焼成されたセ
ラミック素子を用意し、このセラミック素子に前記導電
ペーストを塗布して乾燥し、その後、セラミック匣の中
に入れ、Ｎｉ添加物の焼結開始温度約９００℃より低
い、Ａｇ粉末の焼結温度７００〜８５０℃の間の所定の
焼結温度で焼き付けして行われる。
セラミック素子に電極を形成する時には、焼成されたセ
ラミック素子を用意し、このセラミック素子に前記導電
ペーストを塗布して乾燥し、その後、セラミック匣の中
に入れ、Ｎｉ添加物の焼結開始温度約９００℃より低
い、Ａｇ粉末の焼結温度７００〜８５０℃の間の所定の
焼結温度で焼き付けして行われる。
【００１１】この場合、Ａｇ粉末より高融点のＮｉ添加
物を含んだ導電性ペーストをセラミック素子に塗布し、
前記Ｎｉ添加物の焼結開始温度より低いＡｇ粉末の焼結
温度で焼き付けることによって、前記金属添加物の粒子
近傍のある前記金属粉末の焼結が抑えられて、金属粉末
の粒子と粒子の間に隙間が生じる。このため、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットのガラス成分が、前記
隙間の間に満たされて、電極の外表面に滲み出るのを防
止することができる。
物を含んだ導電性ペーストをセラミック素子に塗布し、
前記Ｎｉ添加物の焼結開始温度より低いＡｇ粉末の焼結
温度で焼き付けることによって、前記金属添加物の粒子
近傍のある前記金属粉末の焼結が抑えられて、金属粉末
の粒子と粒子の間に隙間が生じる。このため、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットのガラス成分が、前記
隙間の間に満たされて、電極の外表面に滲み出るのを防
止することができる。
【００１２】このように本発明のセラミック電子部品の
製造方法によれば、電極の焼き付けの際に、電極の外表
面にガラス成分を滲み出さないようにしているため、ガ
ラス成分によるくっ付き不良の発生を防止することがで
きる。つまり、導電ペーストが塗布されたセラミック素
子のチャージ量を上げてセラミック匣の中で焼き付けし
ても、電極同士や、電極とセラミック匣とのくっ付きの
発生を防止することができる。
製造方法によれば、電極の焼き付けの際に、電極の外表
面にガラス成分を滲み出さないようにしているため、ガ
ラス成分によるくっ付き不良の発生を防止することがで
きる。つまり、導電ペーストが塗布されたセラミック素
子のチャージ量を上げてセラミック匣の中で焼き付けし
ても、電極同士や、電極とセラミック匣とのくっ付きの
発生を防止することができる。
【００１３】よって、従来のように無機粉末をセラミッ
ク素子にまぶす必要がない。
ク素子にまぶす必要がない。
【００１４】次に、本発明の効果を確認するために、以
下の実験を行った。まず、Ａｇ粉末と、前記Ａｇ粉末よ
り高融点のＮｉ添加物と、ガラスフリットとを有機ビヒ
クルに分散させて調合したもので、前記Ｎｉ添加物を
０、０．５、１、１０、１５ｗｔ％含んだ各導電性ペー
ストを作製した。
下の実験を行った。まず、Ａｇ粉末と、前記Ａｇ粉末よ
り高融点のＮｉ添加物と、ガラスフリットとを有機ビヒ
クルに分散させて調合したもので、前記Ｎｉ添加物を
０、０．５、１、１０、１５ｗｔ％含んだ各導電性ペー
ストを作製した。
【００１５】次に、外形寸法がＬ寸２．０ｍｍ、Ｗ寸
１．２５ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍからなり、静電容量が１
００ｎＦになる積層セラミックコンデンサのセラミック
素子を用意し、このセラミック素子の両端部に、上記各
導電性ペーストを塗布、乾燥し、それぞれの導電ペース
トが塗布されたセラミック素子を各８０００個作製し
た。その後、各８０００個のこれらのセラミック素子の
それぞれを、アルミナ匣の中にランダムに堆積して入
れ、Ｎｉ添加物の焼結開始温度より低い、Ａｇ粉末の焼
結温度８００℃で焼き付けして積層セラミックコンデン
サを作製した。このようにして作製して得られた各積層
セラミックコンデンサの、外部電極同士や、外部電極と
アルミナ匣とのくっ付き不良の発生率および静電容量を
調べた結果が、表１に示されている。Ｎｉ添加物を含有
しない導電ペーストが塗布された、セラミック素子をア
ルミナ粉末でまぶし、焼成して得られた積層セラミック
コンデンサの比較例を試料Ｎｏ．１に示す。
１．２５ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍからなり、静電容量が１
００ｎＦになる積層セラミックコンデンサのセラミック
素子を用意し、このセラミック素子の両端部に、上記各
導電性ペーストを塗布、乾燥し、それぞれの導電ペース
トが塗布されたセラミック素子を各８０００個作製し
た。その後、各８０００個のこれらのセラミック素子の
それぞれを、アルミナ匣の中にランダムに堆積して入
れ、Ｎｉ添加物の焼結開始温度より低い、Ａｇ粉末の焼
結温度８００℃で焼き付けして積層セラミックコンデン
サを作製した。このようにして作製して得られた各積層
セラミックコンデンサの、外部電極同士や、外部電極と
アルミナ匣とのくっ付き不良の発生率および静電容量を
調べた結果が、表１に示されている。Ｎｉ添加物を含有
しない導電ペーストが塗布された、セラミック素子をア
ルミナ粉末でまぶし、焼成して得られた積層セラミック
コンデンサの比較例を試料Ｎｏ．１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１からわかるように、上記の試料Ｎｏ．
１や、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含有率が
０、０．５ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎｏ．
２、３は、外部電極同士のくっ付き不良が１．０〜５．
５％、外部電極と匣とのくっ付き不良率が０．５〜１．
０％であるが、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含
有率が１〜１５ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎ
ｏ．４〜６は、外部電極同士のくっ付き不良や外部電極
とアルミナ匣とのくっ付き不良がそれぞれ０％である。
したがって、Ｎｉ添加物の含有率が１〜１５ｗｔ％の導
電ペーストは、くっ付き不良が発生しなくなる。
１や、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含有率が
０、０．５ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎｏ．
２、３は、外部電極同士のくっ付き不良が１．０〜５．
５％、外部電極と匣とのくっ付き不良率が０．５〜１．
０％であるが、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含
有率が１〜１５ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎ
ｏ．４〜６は、外部電極同士のくっ付き不良や外部電極
とアルミナ匣とのくっ付き不良がそれぞれ０％である。
したがって、Ｎｉ添加物の含有率が１〜１５ｗｔ％の導
電ペーストは、くっ付き不良が発生しなくなる。
【００１８】しかしながら、上記試料Ｎｏ．４〜６のう
ち、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含有率が１、
１０ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎｏ．４、５
は、静電容量が１０１、１０２ｎＦ得られているが、Ｎ
ｉ添加物の含有率が１５ｗｔ％のものを用いて得られた
試料Ｎｏ．６は、静電容量が８０ｎＦと約２０％小さく
なっている。これは、Ｎｉ添加物の含有率が大きいと、
積層セラミックコンデンサの外部電極と内部電極とのコ
ンタクトが阻害されるためと思われる。
ち、導電ペーストに含有するＮｉ添加物の含有率が１、
１０ｗｔ％のものを用いて得られた試料Ｎｏ．４、５
は、静電容量が１０１、１０２ｎＦ得られているが、Ｎ
ｉ添加物の含有率が１５ｗｔ％のものを用いて得られた
試料Ｎｏ．６は、静電容量が８０ｎＦと約２０％小さく
なっている。これは、Ｎｉ添加物の含有率が大きいと、
積層セラミックコンデンサの外部電極と内部電極とのコ
ンタクトが阻害されるためと思われる。
【００１９】したがって、導電ペーストのＮｉ添加物の
含有率は、１〜１０ｗｔ％の範囲内でなければならな
い。
含有率は、１〜１０ｗｔ％の範囲内でなければならな
い。
【００２０】以上の実験の結果から、Ｎｉ添加物を１〜
１０ｗｔ％含んだ導電ペーストを用いてセラミック電子
部品（積層セラミックコンデンサ）に外部電極を形成し
たものは、所望の静電容量がとれて、くっ付き不良を無
くせることがわかる。
１０ｗｔ％含んだ導電ペーストを用いてセラミック電子
部品（積層セラミックコンデンサ）に外部電極を形成し
たものは、所望の静電容量がとれて、くっ付き不良を無
くせることがわかる。
【００２１】なお、本発明の導電性ペーストの金属粉末
の成分は、Ａｇに限るものでなくＡｇ／Ｐｄ合金などや
その他の貴金属や卑金属であってもよく、また、この導
電性ペーストの金属添加物は、Ｎｉに限るものでなくＦ
ｅなど、導電ペーストの金属粉末より高融点のその他の
金属であってもよい。
の成分は、Ａｇに限るものでなくＡｇ／Ｐｄ合金などや
その他の貴金属や卑金属であってもよく、また、この導
電性ペーストの金属添加物は、Ｎｉに限るものでなくＦ
ｅなど、導電ペーストの金属粉末より高融点のその他の
金属であってもよい。
【００２２】また、上記実施例では、積層セラミックコ
ンデンサの製造過程に本発明を適用したものを示した
が、積層ＬＣフイルタや積層インダクタ、単板のセラミ
ックコンデンサなど他のセラミック電子部品の製造にも
適用することができる。
ンデンサの製造過程に本発明を適用したものを示した
が、積層ＬＣフイルタや積層インダクタ、単板のセラミ
ックコンデンサなど他のセラミック電子部品の製造にも
適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、アルミ
ナ粉末やジルコニア粉末などの無機粉末をまぶさない
で、導電ペーストを塗布したセラミック素子をセラミッ
ク匣に入れて焼き付けしても、電極同士のくっ付き不良
や電極とセラミック匣とのくっ付き不良の発生を無くす
ことができる。このため、電極焼き付け時にセラミック
匣へのチャージ量を多くしても、くっ付き不良率を低減
することができて、量産性を上げることができると共
に、アルミナ粉末やジルコニア粉末などをまぶしたり、
除去したりする工程を無くせるので、製造コストを下げ
ることができ、更に、その工程の粉塵の発生を無くすこ
とができて作業環境を改善することができる。
ナ粉末やジルコニア粉末などの無機粉末をまぶさない
で、導電ペーストを塗布したセラミック素子をセラミッ
ク匣に入れて焼き付けしても、電極同士のくっ付き不良
や電極とセラミック匣とのくっ付き不良の発生を無くす
ことができる。このため、電極焼き付け時にセラミック
匣へのチャージ量を多くしても、くっ付き不良率を低減
することができて、量産性を上げることができると共
に、アルミナ粉末やジルコニア粉末などをまぶしたり、
除去したりする工程を無くせるので、製造コストを下げ
ることができ、更に、その工程の粉塵の発生を無くすこ
とができて作業環境を改善することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットを含む導電ペ
ーストであって、前記金属粉末より高融点の金属添加物
を１〜１０ｗｔ％含んでいることを特徴とする導電性ペ
ースト。 - 【請求項２】 金属粉末とガラスフリットを含んだ導電
ペーストに、前記金属粉末より高融点の金属添加物を１
〜１０ｗｔ％を入れて、その導電性ペーストを、セラミ
ック素子に塗布し、前記金属添加物の焼結開始温度より
低い温度で、かつ、前記金属粉末の焼成温度で、焼き付
けすることを特徴とするセラミック電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16303296A JPH1012481A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 導電性ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16303296A JPH1012481A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 導電性ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012481A true JPH1012481A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15765896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16303296A Pending JPH1012481A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 導電性ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012481A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424516B2 (en) | 2000-05-31 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic electronic component |
| JP2015070172A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| KR20190011678A (ko) | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| KR20200009020A (ko) | 2017-05-26 | 2020-01-29 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도체 형성용 조성물과 그 제조 방법, 도체와 그 제조 방법, 칩 저항기 |
| KR20200016847A (ko) | 2017-05-26 | 2020-02-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16303296A patent/JPH1012481A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424516B2 (en) | 2000-05-31 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic electronic component |
| KR100433950B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2004-06-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도전성 페이스트 및 세라믹 전자 부품 |
| JP2015070172A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| KR20200009020A (ko) | 2017-05-26 | 2020-01-29 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도체 형성용 조성물과 그 제조 방법, 도체와 그 제조 방법, 칩 저항기 |
| KR20200016847A (ko) | 2017-05-26 | 2020-02-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기 |
| KR20190011678A (ko) | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| US10861649B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-12-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method of producing a ceramic electronic component |
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