JPH11260147A - 導電ペースト及びセラミック電子部品 - Google Patents
導電ペースト及びセラミック電子部品Info
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- JPH11260147A JPH11260147A JP6338998A JP6338998A JPH11260147A JP H11260147 A JPH11260147 A JP H11260147A JP 6338998 A JP6338998 A JP 6338998A JP 6338998 A JP6338998 A JP 6338998A JP H11260147 A JPH11260147 A JP H11260147A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック電子部品の外部電極を形成するた
めの導電ペーストであって、焼き付けに際し電子部品素
体に加わる収縮応力を低減することができ、かつ緻密性
に優れており、外表面にメッキ層を形成したとしてもメ
ッキ液の侵入を抑制することができる導電ペーストを得
る。 【解決手段】 固形分と、有機バインダ樹脂と、溶剤と
を含み、上記固形分１００重量％が、ガラスフリット４
〜６重量％、ＳｉＯ2 粉末０．５〜３重量％、及びセラ
ミック粉末０．５〜３重量％及び残部の金属粉末により
構成されている、導電ペースト。
めの導電ペーストであって、焼き付けに際し電子部品素
体に加わる収縮応力を低減することができ、かつ緻密性
に優れており、外表面にメッキ層を形成したとしてもメ
ッキ液の侵入を抑制することができる導電ペーストを得
る。 【解決手段】 固形分と、有機バインダ樹脂と、溶剤と
を含み、上記固形分１００重量％が、ガラスフリット４
〜６重量％、ＳｉＯ2 粉末０．５〜３重量％、及びセラ
ミック粉末０．５〜３重量％及び残部の金属粉末により
構成されている、導電ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層コンデ
ンサなどのセラミック電子部品の外部電極を形成するの
に用いられる導電ペースト及び該導電ペーストを用いて
電極が形成されたセラミック電子部品に関する。
ンサなどのセラミック電子部品の外部電極を形成するの
に用いられる導電ペースト及び該導電ペーストを用いて
電極が形成されたセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサなどのセラミ
ック電子部品においては、外部との接続のために、外部
電極が形成されている。この種の外部電極は、通常、導
電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されて
いる。導電ペーストは、金属粉末と、ガラスフリット
と、有機バインダ樹脂とを含む。また、ペースト状とす
るために、適宜の溶剤が用いられている。
ック電子部品においては、外部との接続のために、外部
電極が形成されている。この種の外部電極は、通常、導
電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されて
いる。導電ペーストは、金属粉末と、ガラスフリット
と、有機バインダ樹脂とを含む。また、ペースト状とす
るために、適宜の溶剤が用いられている。
【０００３】さらに、例えばＡｇ粉末を含む導電ペース
トを用いて外部電極を形成した場合、実装時に半田食わ
れを引き起こすおそれがある。そこで、半田食われを防
止するために、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形
成された電極層の外表面にＮｉなどからなるメッキ層を
形成し、さらに半田付け性を高めるためにその外側にＳ
ｎや半田などからなるメッキ層を形成する方法が広く用
いられている。
トを用いて外部電極を形成した場合、実装時に半田食わ
れを引き起こすおそれがある。そこで、半田食われを防
止するために、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形
成された電極層の外表面にＮｉなどからなるメッキ層を
形成し、さらに半田付け性を高めるためにその外側にＳ
ｎや半田などからなるメッキ層を形成する方法が広く用
いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】セラミックスを用いて
構成された電子部品素体の外表面に、上記導電ペースト
を塗布し、焼き付けることにより外部電極を形成した場
合、焼き付けに際し外部電極の収縮応力により電子部品
素体を構成しているセラミックスにクラックが生じ、耐
湿性が低下するという問題があった。そこで、クラック
を抑制するために、より低い温度で導電ペーストの焼き
付けを行う方法も提案されている。
構成された電子部品素体の外表面に、上記導電ペースト
を塗布し、焼き付けることにより外部電極を形成した場
合、焼き付けに際し外部電極の収縮応力により電子部品
素体を構成しているセラミックスにクラックが生じ、耐
湿性が低下するという問題があった。そこで、クラック
を抑制するために、より低い温度で導電ペーストの焼き
付けを行う方法も提案されている。
【０００５】しかしながら、塗布された導電ペーストを
低温で焼き付けた場合には、形成される電極膜の緻密性
が十分でなく、外部電極によるシール性が損なわれるこ
とがあった。特に、導電ペーストの塗布・焼き付けによ
り形成された電極層の外表面に前述した各種メッキ層を
形成する場合、導電ペーストを焼き付けることにより形
成された電極層が緻密でない場合、メッキ液が該電極層
を通過し、セラミックスよりなる電子部品素体内に侵入
することがあった。
低温で焼き付けた場合には、形成される電極膜の緻密性
が十分でなく、外部電極によるシール性が損なわれるこ
とがあった。特に、導電ペーストの塗布・焼き付けによ
り形成された電極層の外表面に前述した各種メッキ層を
形成する場合、導電ペーストを焼き付けることにより形
成された電極層が緻密でない場合、メッキ液が該電極層
を通過し、セラミックスよりなる電子部品素体内に侵入
することがあった。
【０００６】メッキ液が電子部品素体内に侵入すると、
セラミック電子部品特性の劣化を引き起こす。例えば、
積層セラミックコンデンサでは、メッキ液の侵入によ
り、絶縁抵抗（ＩＲ）が低下することになる。
セラミック電子部品特性の劣化を引き起こす。例えば、
積層セラミックコンデンサでは、メッキ液の侵入によ
り、絶縁抵抗（ＩＲ）が低下することになる。
【０００７】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、塗布後、焼き付けることにより十分緻密であ
り、従ってシール性に優れた電極膜を形成することがで
きると共に、焼き付けに際しセラミックスよりなる電子
部品素体におけるクラックの発生を確実に防止すること
ができる導電ペーストを提供することにある。
を解消し、塗布後、焼き付けることにより十分緻密であ
り、従ってシール性に優れた電極膜を形成することがで
きると共に、焼き付けに際しセラミックスよりなる電子
部品素体におけるクラックの発生を確実に防止すること
ができる導電ペーストを提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、導電ペーストの塗布
・焼き付けにより形成された外部電極を有するセラミッ
ク電子部品であって、外部電極が緻密であり、シール性
に優れており、かつセラミックスよりなる電子部品素体
においてクラックが存在しない、従って信頼性に優れた
電子部品を提供することにある。
・焼き付けにより形成された外部電極を有するセラミッ
ク電子部品であって、外部電極が緻密であり、シール性
に優れており、かつセラミックスよりなる電子部品素体
においてクラックが存在しない、従って信頼性に優れた
電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、セラミック電子部品の外部電極を形成するための導
電ペーストであって、固形分が、ガラスフリット４〜６
重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜３重量％、及びセラミック粉
末０．５〜３重量％及び残部の金属粉末により構成され
ていることを特徴とする。
は、セラミック電子部品の外部電極を形成するための導
電ペーストであって、固形分が、ガラスフリット４〜６
重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜３重量％、及びセラミック粉
末０．５〜３重量％及び残部の金属粉末により構成され
ていることを特徴とする。
【００１０】請求項２に記載の発明に係る電子部品は、
セラミックスを用いて構成された電子部品素体と、前記
電子部品素体の外表面に、請求項１に記載の導電ペース
トを塗布・焼き付けることにより形成された外部電極と
を備えることを特徴とする。
セラミックスを用いて構成された電子部品素体と、前記
電子部品素体の外表面に、請求項１に記載の導電ペース
トを塗布・焼き付けることにより形成された外部電極と
を備えることを特徴とする。
【００１１】請求項３では、上記電子部品素体を構成す
るセラミックスと同じセラミックスにより、導電ペース
ト中のセラミック粉末が構成されている。請求項４に記
載の発明では、前記外部電極の外表面に、メッキ層がさ
らに形成されている。
るセラミックスと同じセラミックスにより、導電ペース
ト中のセラミック粉末が構成されている。請求項４に記
載の発明では、前記外部電極の外表面に、メッキ層がさ
らに形成されている。
【００１２】以下、本発明の詳細を説明する。本発明に
係る導電ペーストは、セラミック電子部品の外部電極を
形成するのに用いられる。この導電ペーストでは、固形
分１００重量％が、ガラスフリット４〜６重量％、Ｓｉ
Ｏ2 ０．５〜３重量％、セラミック粉末０．５〜３重量
％を含み、固形分の残部が金属により構成されている。
係る導電ペーストは、セラミック電子部品の外部電極を
形成するのに用いられる。この導電ペーストでは、固形
分１００重量％が、ガラスフリット４〜６重量％、Ｓｉ
Ｏ2 ０．５〜３重量％、セラミック粉末０．５〜３重量
％を含み、固形分の残部が金属により構成されている。
【００１３】導電ペーストは、電子部品素体の外表面へ
の塗布を容易とするためにペースト状とされており、従
って上記固形分の他、有機バインダ樹脂及び溶剤が通常
用いられる。この有機バインダ樹脂としては、特に限定
されず、適宜の有機溶剤が用いられる。また、有機溶剤
を用いる必要も必ずしもなく、水を用いてもよい。
の塗布を容易とするためにペースト状とされており、従
って上記固形分の他、有機バインダ樹脂及び溶剤が通常
用いられる。この有機バインダ樹脂としては、特に限定
されず、適宜の有機溶剤が用いられる。また、有機溶剤
を用いる必要も必ずしもなく、水を用いてもよい。
【００１４】また、上記固形分を構成するガラスフリッ
トについても、その材料については特に限定されず、Ｂ
−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ系ガラスなどを
適宜用いることができる。
トについても、その材料については特に限定されず、Ｂ
−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ系ガラスなどを
適宜用いることができる。
【００１５】上記セラミック粉末についても、特に限定
されず、ＢａＴｉＯ3 、ＴｉＯ2 などのセラミック粉末
を用いることができる。好ましくは、上記セラミック粉
末については、対象とするセラミック電子部品の電子部
品素体を構成するのに用いられているセラミックスと同
じ種類のセラミック粉末が用いられ、それによって外部
電極焼き付け時に電子部品素体に加わる収縮応力の低減
をより効果的に図ることができる。
されず、ＢａＴｉＯ3 、ＴｉＯ2 などのセラミック粉末
を用いることができる。好ましくは、上記セラミック粉
末については、対象とするセラミック電子部品の電子部
品素体を構成するのに用いられているセラミックスと同
じ種類のセラミック粉末が用いられ、それによって外部
電極焼き付け時に電子部品素体に加わる収縮応力の低減
をより効果的に図ることができる。
【００１６】本発明に係る導電ペーストでは、上記のよ
うに、固形分１００重量％のうち、ガラスフリットは４
〜６重量％の割合で含有されている。ガラスフリットの
含有割合が４重量％未満の場合には、焼き付けにより形
成された外部電極の緻密性が損なわれ、シール性が低下
する。６重量％を超えた場合には、外部電極焼き付け時
の電子部品素体に加わる収縮応力が大きくなったり、外
部電極の外側表面にメッキ層を形成した場合のメッキ膜
の付着性が低下したりする。
うに、固形分１００重量％のうち、ガラスフリットは４
〜６重量％の割合で含有されている。ガラスフリットの
含有割合が４重量％未満の場合には、焼き付けにより形
成された外部電極の緻密性が損なわれ、シール性が低下
する。６重量％を超えた場合には、外部電極焼き付け時
の電子部品素体に加わる収縮応力が大きくなったり、外
部電極の外側表面にメッキ層を形成した場合のメッキ膜
の付着性が低下したりする。
【００１７】ＳｉＯ2 は、上記のように０．５〜３重量
％の割合で含有されている。ＳｉＯ 2 は、ガラスフリッ
トに溶け込み、ガラス成分の耐化学性を高めるように作
用する。従って、ＳｉＯ2 を配合することにより、導電
ペーストの塗布・焼き付けにより形成された電極膜上に
メッキ層を形成した場合、メッキ液によるガラスの溶解
を抑制することができ、外部電極のシール性が高められ
る。ＳｉＯ2 の配合割合が０．５重量％未満の場合に
は、このようなＳｉＯ2 を用いたことによる効果が十分
に得られず、メッキ液によるガラスの溶融により電極膜
のシール性が低下し、例えば積層コンデンサの場合、絶
縁抵抗が低下する。他方、ＳｉＯ2 の配合割合が３重量
％を超えると、外表面にメッキ層を形成した場合、メッ
キ膜の付着性が低下する。
％の割合で含有されている。ＳｉＯ 2 は、ガラスフリッ
トに溶け込み、ガラス成分の耐化学性を高めるように作
用する。従って、ＳｉＯ2 を配合することにより、導電
ペーストの塗布・焼き付けにより形成された電極膜上に
メッキ層を形成した場合、メッキ液によるガラスの溶解
を抑制することができ、外部電極のシール性が高められ
る。ＳｉＯ2 の配合割合が０．５重量％未満の場合に
は、このようなＳｉＯ2 を用いたことによる効果が十分
に得られず、メッキ液によるガラスの溶融により電極膜
のシール性が低下し、例えば積層コンデンサの場合、絶
縁抵抗が低下する。他方、ＳｉＯ2 の配合割合が３重量
％を超えると、外表面にメッキ層を形成した場合、メッ
キ膜の付着性が低下する。
【００１８】セラミック粉末は、導電ペーストの固形分
のうち、０．５〜３重量％の割合で用いられる。このセ
ラミック粉末は、導電ペーストの塗布・焼き付けに際し
ての収縮を抑制するように作用し、それによってセラミ
ックスを用いて構成された電子部品素体におけるクラッ
クの発生を防止するように作用する。
のうち、０．５〜３重量％の割合で用いられる。このセ
ラミック粉末は、導電ペーストの塗布・焼き付けに際し
ての収縮を抑制するように作用し、それによってセラミ
ックスを用いて構成された電子部品素体におけるクラッ
クの発生を防止するように作用する。
【００１９】また、ガラスはセラミックスとの濡れ性が
高く、従って、上記セラミック粉末の添加により、ガラ
スフリットを構成しているガラス成分が外部電極内に確
実に捕捉され、それによって外部電極のシール性を高め
ることができる。
高く、従って、上記セラミック粉末の添加により、ガラ
スフリットを構成しているガラス成分が外部電極内に確
実に捕捉され、それによって外部電極のシール性を高め
ることができる。
【００２０】セラミック粉末の添加割合が０．５重量％
未満の場合には、セラミック粉末の添加によるこのよう
な効果が得られず、焼き付けに際し電子部品素体におい
てクラックが生じ易くなり、かつ電極のシール性が低下
し、３重量％を超えると、外表面にメッキ法によりメッ
キ層を形成した場合のメッキ膜の付着性が低下し、絶縁
抵抗の低下などを引き起こす。
未満の場合には、セラミック粉末の添加によるこのよう
な効果が得られず、焼き付けに際し電子部品素体におい
てクラックが生じ易くなり、かつ電極のシール性が低下
し、３重量％を超えると、外表面にメッキ法によりメッ
キ層を形成した場合のメッキ膜の付着性が低下し、絶縁
抵抗の低下などを引き起こす。
【００２１】従って、本発明に係る導電ペーストでは、
上記ＳｉＯ2 及びセラミック粉末の添加により、外部電
極焼き付け時に電子部品素体に加わる収縮応力を低減す
ることができ、電子部品素体におけるクラック発生を抑
制することが可能とされており、さらに、シール性に優
れた緻密な外部電極を形成することが可能とされてい
る。
上記ＳｉＯ2 及びセラミック粉末の添加により、外部電
極焼き付け時に電子部品素体に加わる収縮応力を低減す
ることができ、電子部品素体におけるクラック発生を抑
制することが可能とされており、さらに、シール性に優
れた緻密な外部電極を形成することが可能とされてい
る。
【００２２】導電ペーストに用いられる金属粉末につい
ては、特に限定されず、従来よりセラミック電子部品の
外部電極の形成に際し用いられている適宜の金属を用い
ることができる。例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを用いることができる。
ては、特に限定されず、従来よりセラミック電子部品の
外部電極の形成に際し用いられている適宜の金属を用い
ることができる。例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを用いることができる。
【００２３】なお、上記固形分と、有機バインダ樹脂及
び溶剤の配合割合については、導電ペーストを電子部品
素体の外表面に塗布し、焼き付け得る限り、特に限定さ
れない。通常、固形分１００重量部に対し、有機バイン
ダ樹脂１０〜４０重量部を混合し、溶剤を用いて適宜の
粘度となるように粘度を調整し、導電ペーストとされ
る。
び溶剤の配合割合については、導電ペーストを電子部品
素体の外表面に塗布し、焼き付け得る限り、特に限定さ
れない。通常、固形分１００重量部に対し、有機バイン
ダ樹脂１０〜４０重量部を混合し、溶剤を用いて適宜の
粘度となるように粘度を調整し、導電ペーストとされ
る。
【００２４】請求項２に記載の発明に係る電子部品は、
セラミックスを用いて構成された電子部品素体の外表面
に、本発明に係る導電ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とにより外部電極を形成した構造を有する。この場合、
セラミックスを用いて構成された電子部品素体について
は、特に限定されず、様々なセラミック電子部品を構成
するのに用いられる適宜の電子部品素体を用いることが
できる。このような様々な電子部品の例としては、上述
した積層セラミックコンデンサの他、セラミックスを用
いたサーミスタ、バリスタ、ＬＣ複合素子、圧電共振
子、セラミック多層基板など任意である。また、上記電
子部品素体は、複数の内部電極がセラミックスを介して
重なり合うように配置された積層型のものに限定され
ず、内部電極を有するものでなくともよい。
セラミックスを用いて構成された電子部品素体の外表面
に、本発明に係る導電ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とにより外部電極を形成した構造を有する。この場合、
セラミックスを用いて構成された電子部品素体について
は、特に限定されず、様々なセラミック電子部品を構成
するのに用いられる適宜の電子部品素体を用いることが
できる。このような様々な電子部品の例としては、上述
した積層セラミックコンデンサの他、セラミックスを用
いたサーミスタ、バリスタ、ＬＣ複合素子、圧電共振
子、セラミック多層基板など任意である。また、上記電
子部品素体は、複数の内部電極がセラミックスを介して
重なり合うように配置された積層型のものに限定され
ず、内部電極を有するものでなくともよい。
【００２５】また、好ましくは、外部電極を構成するの
に用いられる導電ペースト中のセラミック粉末として
は、電子部品素体を構成しているセラミックスと同じ種
類のものが用いられる。このように、導電ペースト中の
セラミック粉末を、電子部品素体を構成しているセラミ
ックスと同一とすることにより、導電ペーストの焼き付
けに際して電子部品素体に加わる収縮応力をより一層効
果的に低減することができる。
に用いられる導電ペースト中のセラミック粉末として
は、電子部品素体を構成しているセラミックスと同じ種
類のものが用いられる。このように、導電ペースト中の
セラミック粉末を、電子部品素体を構成しているセラミ
ックスと同一とすることにより、導電ペーストの焼き付
けに際して電子部品素体に加わる収縮応力をより一層効
果的に低減することができる。
【００２６】また、上記電子部品においては、導電ペー
ストの塗布・焼き付けにより構成された外部電極の外表
面にさらにメッキ層が形成されてもよい。すなわち、上
述した従来技術のように、導電ペーストの塗布・焼き付
けにより形成された電極膜上に、さらに、Ｎｉメッキ
層、Ｓｎメッキ層などの１層以上のメッキ層を形成して
もよい。この場合、湿式メッキでメッキ層の形成を行っ
たとしても、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成
された外部電極が十分緻密であり、シール性に優れてい
るため、メッキ液の電子部品素体内への侵入を確実に防
止することができる。
ストの塗布・焼き付けにより構成された外部電極の外表
面にさらにメッキ層が形成されてもよい。すなわち、上
述した従来技術のように、導電ペーストの塗布・焼き付
けにより形成された電極膜上に、さらに、Ｎｉメッキ
層、Ｓｎメッキ層などの１層以上のメッキ層を形成して
もよい。この場合、湿式メッキでメッキ層の形成を行っ
たとしても、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成
された外部電極が十分緻密であり、シール性に優れてい
るため、メッキ液の電子部品素体内への侵入を確実に防
止することができる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の非限定的な実施例を挙げるこ
とにより、本発明を明らかにする。
とにより、本発明を明らかにする。
【００２８】（実験例１）チタン酸バリウム系セラミッ
クスよりなり、パラジウムよりなる内部電極が複数層積
層されており、１．０×０．５×０．５ｍｍの寸法のセ
ラミック素体に、後述の各導電ペーストを塗布し、７８
０℃の温度で焼き付けることにより、外部電極を形成
し、さらに、外部電極の外表面に、Ｎｉメッキ層及びＳ
ｎメッキ層を湿式メッキ法により形成し、図１に略図的
に断面図で示す積層コンデンサ１を得た。
クスよりなり、パラジウムよりなる内部電極が複数層積
層されており、１．０×０．５×０．５ｍｍの寸法のセ
ラミック素体に、後述の各導電ペーストを塗布し、７８
０℃の温度で焼き付けることにより、外部電極を形成
し、さらに、外部電極の外表面に、Ｎｉメッキ層及びＳ
ｎメッキ層を湿式メッキ法により形成し、図１に略図的
に断面図で示す積層コンデンサ１を得た。
【００２９】積層コンデンサ１においては、セラミック
焼結体２内に、内部電極３ａ〜３ｄがセラミック層を介
して積層されている。セラミック焼結体２の端面２ａ
に、内部電極３ａ，３ｃが引き出されており、端面２ａ
と対向し合う他方の端面２ｂに内部電極３ｂ，３ｄが引
き出されている。端面２ａ，２ｂ上に、上述した工程に
より、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された
外部電極４，５がそれぞれ形成されており、外部電極
４，５の外表面に、さらに、Ｎｉメッキ層６ａ，６ｂ及
びＳｎメッキ層７ａ，７ｂが形成されている。
焼結体２内に、内部電極３ａ〜３ｄがセラミック層を介
して積層されている。セラミック焼結体２の端面２ａ
に、内部電極３ａ，３ｃが引き出されており、端面２ａ
と対向し合う他方の端面２ｂに内部電極３ｂ，３ｄが引
き出されている。端面２ａ，２ｂ上に、上述した工程に
より、導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された
外部電極４，５がそれぞれ形成されており、外部電極
４，５の外表面に、さらに、Ｎｉメッキ層６ａ，６ｂ及
びＳｎメッキ層７ａ，７ｂが形成されている。
【００３０】上記導電ペーストとしては、下記の表１に
示すように固形分が配合されたものを用いた。なお、導
電ペーストにおける固形分と、固形分以外の成分（有機
バインダ樹脂及び有機溶剤の合計）とは、重量比で７
２：２８との割合で配合した。また、各固形分におい
て、表１に示す数値は、固形分全体を１００重量％とし
た場合の割合であり、表１に示されていない残りの部分
は、金属粉末としてのＡｇ粉末が配合されている。例え
ば、試料番号１では、固形分のうち、５重量％がガラス
フリットであり、残りの９５重量％がＡｇ粉末である。
また、ガラスフリットとしては、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラ
スからなり、平均粒径３μｍであるものを用い、ＳｉＯ
2 粉末としては、平均粒径１μｍのものを、セラミック
粉末としては、酸化チタンからなり、平均粒径０．６μ
ｍのものを用いた。
示すように固形分が配合されたものを用いた。なお、導
電ペーストにおける固形分と、固形分以外の成分（有機
バインダ樹脂及び有機溶剤の合計）とは、重量比で７
２：２８との割合で配合した。また、各固形分におい
て、表１に示す数値は、固形分全体を１００重量％とし
た場合の割合であり、表１に示されていない残りの部分
は、金属粉末としてのＡｇ粉末が配合されている。例え
ば、試料番号１では、固形分のうち、５重量％がガラス
フリットであり、残りの９５重量％がＡｇ粉末である。
また、ガラスフリットとしては、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラ
スからなり、平均粒径３μｍであるものを用い、ＳｉＯ
2 粉末としては、平均粒径１μｍのものを、セラミック
粉末としては、酸化チタンからなり、平均粒径０．６μ
ｍのものを用いた。
【００３１】上記のようにして、表１に示した試料番号
１〜４の各外部電極が形成された積層コンデンサにつ
き、クラックの発生の有無及び絶縁抵抗（ＩＲ）の
劣化について以下の要領で評価した。
１〜４の各外部電極が形成された積層コンデンサにつ
き、クラックの発生の有無及び絶縁抵抗（ＩＲ）の
劣化について以下の要領で評価した。
【００３２】クラックの発生の有無…得られた積層コ
ンデンサを研磨し、光学顕微鏡を用いて、セラミック焼
結体表面にクラックが発生しているか否かを確認した。
表１に示すクラック発生の有無の評価は、１００個の積
層コンデンサについてクラック発生の有無を評価した場
合に、クラックが発生していた積層コンデンサの数を表
す。
ンデンサを研磨し、光学顕微鏡を用いて、セラミック焼
結体表面にクラックが発生しているか否かを確認した。
表１に示すクラック発生の有無の評価は、１００個の積
層コンデンサについてクラック発生の有無を評価した場
合に、クラックが発生していた積層コンデンサの数を表
す。
【００３３】絶縁抵抗の劣化…上記積層コンデンサを
得るにあたり、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ層を形成す
る前に絶縁抵抗を測定し、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ
層を形成した後に再度絶縁抵抗を測定し、メッキ前の絶
縁抵抗に対し、抵抗値が１桁以上低下した場合を絶縁抵
抗不良とし、下記の表１においては、１０００個の積層
コンデンサにおける絶縁抵抗不良と判断された積層コン
デンサの数を示した。
得るにあたり、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ層を形成す
る前に絶縁抵抗を測定し、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ
層を形成した後に再度絶縁抵抗を測定し、メッキ前の絶
縁抵抗に対し、抵抗値が１桁以上低下した場合を絶縁抵
抗不良とし、下記の表１においては、１０００個の積層
コンデンサにおける絶縁抵抗不良と判断された積層コン
デンサの数を示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】試料番号１〜４では、いずれもガラスフリ
ットが５重量％用いられているが、ＳｉＯ2 及びセラミ
ック粉末を用いていない試料番号１では、ＳｉＯ2 が添
加されていないためか、絶縁抵抗の劣化が多くみられ、
導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された電極膜
のシール性が十分でないことがわかる。また、セラミッ
ク粉末を添加していないためか、焼き付けに際しての電
極膜の収縮を抑制することが十分でなく、従って、セラ
ミック焼結体においてクラックがかなりの割合で発生し
ていた。
ットが５重量％用いられているが、ＳｉＯ2 及びセラミ
ック粉末を用いていない試料番号１では、ＳｉＯ2 が添
加されていないためか、絶縁抵抗の劣化が多くみられ、
導電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された電極膜
のシール性が十分でないことがわかる。また、セラミッ
ク粉末を添加していないためか、焼き付けに際しての電
極膜の収縮を抑制することが十分でなく、従って、セラ
ミック焼結体においてクラックがかなりの割合で発生し
ていた。
【００３６】また、試料番号２では、セラミック粉末を
用いておらず、同じく、電極膜の焼き付けに際しての収
縮抑制が不十分であったためか、いくつかの積層コンデ
ンサにおいて、セラミック焼結体にクラックが認められ
た。また、絶縁抵抗の劣化も、１０００個あたり、１個
の積層コンデンサで認められた。
用いておらず、同じく、電極膜の焼き付けに際しての収
縮抑制が不十分であったためか、いくつかの積層コンデ
ンサにおいて、セラミック焼結体にクラックが認められ
た。また、絶縁抵抗の劣化も、１０００個あたり、１個
の積層コンデンサで認められた。
【００３７】試料番号３では、ＳｉＯ2 粉末を用いてい
ないためか、絶縁抵抗の劣化が１０００個中１０個の積
層コンデンサで認められた。これに対して、試料番号４
では、固形分のうち、ガラスフリットが５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 粉末が１重量％、セラミック粉末が１重量％含有さ
れているためか、クラックの発生が全ての積層コンデン
サで認められず、絶縁抵抗の劣化不良も認められなかっ
た。そこで、ガラスフリット、セラミック粉末及びＳｉ
Ｏ2 粉末の配合割合による影響を調べるために、以下の
実験例２〜４を行った。
ないためか、絶縁抵抗の劣化が１０００個中１０個の積
層コンデンサで認められた。これに対して、試料番号４
では、固形分のうち、ガラスフリットが５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 粉末が１重量％、セラミック粉末が１重量％含有さ
れているためか、クラックの発生が全ての積層コンデン
サで認められず、絶縁抵抗の劣化不良も認められなかっ
た。そこで、ガラスフリット、セラミック粉末及びＳｉ
Ｏ2 粉末の配合割合による影響を調べるために、以下の
実験例２〜４を行った。
【００３８】（実験例２）実験例２では、ＳｉＯ2 の配
合割合を１重量％、並びにセラミック粉末の配合割合を
１重量％と固定し、ガラスフリットの含有割合を下記の
表２の試料番号５〜９に示すように変化させたことを除
いては、実験例１と同様にして積層コンデンサを作製
し、かつ評価した。結果を下記の表２に示す。
合割合を１重量％、並びにセラミック粉末の配合割合を
１重量％と固定し、ガラスフリットの含有割合を下記の
表２の試料番号５〜９に示すように変化させたことを除
いては、実験例１と同様にして積層コンデンサを作製
し、かつ評価した。結果を下記の表２に示す。
【００３９】
【表２】
【００４０】表２から明らかなように、ガラスフリット
の配合割合が３重量％の場合には、１０００個あたり１
０個の積層コンデンサで絶縁抵抗の不良が認められ、７
重量％の場合には、１０％の積層コンデンサにおいてク
ラックの発生が認められた。従って、ガラスフリットの
含有割合は、４〜６重量％とすることが望ましいことが
わかる。
の配合割合が３重量％の場合には、１０００個あたり１
０個の積層コンデンサで絶縁抵抗の不良が認められ、７
重量％の場合には、１０％の積層コンデンサにおいてク
ラックの発生が認められた。従って、ガラスフリットの
含有割合は、４〜６重量％とすることが望ましいことが
わかる。
【００４１】（実験例３）ガラスフリットの含有割合を
５重量％、ＳｉＯ2 粉末の含有割合を１重量％に固定
し、セラミック粉末の配合割合を下記の表３の試料番号
１０〜１４に示すように変化させたことを除いては、実
験例１と同様にして積層コンデンサを得、かつ評価し
た。結果を下記の表３に示す。
５重量％、ＳｉＯ2 粉末の含有割合を１重量％に固定
し、セラミック粉末の配合割合を下記の表３の試料番号
１０〜１４に示すように変化させたことを除いては、実
験例１と同様にして積層コンデンサを得、かつ評価し
た。結果を下記の表３に示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３から明らかなように、セラミック粉末
の配合割合が０．３重量％の場合には、セラミック焼結
体におけるクラックが２０％の積層コンデンサが認めら
れ、絶縁抵抗不良と判断された積層コンデンサも１００
０個あたり１８個認められた。また、セラミック粉末の
配合割合が３重量％を超える５重量％とした場合には
（試料番号１４）では、絶縁抵抗の不良が１０００個あ
たり１０個の積層コンデンサで認められた。これは、セ
ラミック粉末の配合割合が多くなりすぎたため、外側に
形成されたメッキ膜の付着性が低下したためと考えられ
る。従って、セラミック粉末の配合割合は、０．５〜３
重量％の範囲とすることが望ましいことがわかる。
の配合割合が０．３重量％の場合には、セラミック焼結
体におけるクラックが２０％の積層コンデンサが認めら
れ、絶縁抵抗不良と判断された積層コンデンサも１００
０個あたり１８個認められた。また、セラミック粉末の
配合割合が３重量％を超える５重量％とした場合には
（試料番号１４）では、絶縁抵抗の不良が１０００個あ
たり１０個の積層コンデンサで認められた。これは、セ
ラミック粉末の配合割合が多くなりすぎたため、外側に
形成されたメッキ膜の付着性が低下したためと考えられ
る。従って、セラミック粉末の配合割合は、０．５〜３
重量％の範囲とすることが望ましいことがわかる。
【００４４】（実験例４）ガラスフリットの含有割合を
５重量％及びセラミック粉末の含有割合を１重量％と固
定し、ＳｉＯ2 粉末の配合割合を下記の表４の試料番号
１５〜１９に示すように変化させたことを除いては、実
験例１と同様にして各積層コンデンサを得、かつ評価し
た。結果を下記の表４に示す。
５重量％及びセラミック粉末の含有割合を１重量％と固
定し、ＳｉＯ2 粉末の配合割合を下記の表４の試料番号
１５〜１９に示すように変化させたことを除いては、実
験例１と同様にして各積層コンデンサを得、かつ評価し
た。結果を下記の表４に示す。
【００４５】
【表４】
【００４６】表４から明らかなように、ＳｉＯ2 粉末の
配合割合が０．３重量％の場合には、１００個あたり１
９個の積層コンデンサにおいてクラックの発生が認めら
れ、１０００個あたり１３個の積層コンデンサが絶縁抵
抗不良であった。従って、ＳｉＯ2 粉末を固形分中０．
５重量％以上配合することが望ましいことがわかる。
配合割合が０．３重量％の場合には、１００個あたり１
９個の積層コンデンサにおいてクラックの発生が認めら
れ、１０００個あたり１３個の積層コンデンサが絶縁抵
抗不良であった。従って、ＳｉＯ2 粉末を固形分中０．
５重量％以上配合することが望ましいことがわかる。
【００４７】他方、ＳｉＯ2 粉末の配合割合が４重量％
の場合には、クラックの発生は認められず、絶縁抵抗の
劣化も認められなかった。しかしながら、下地のＮｉメ
ッキ厚が規格値以下であるため、ＳｉＯ2 粉末の配合割
合は、０．５〜３重量％の範囲とすることが望ましいこ
とがわかる。
の場合には、クラックの発生は認められず、絶縁抵抗の
劣化も認められなかった。しかしながら、下地のＮｉメ
ッキ厚が規格値以下であるため、ＳｉＯ2 粉末の配合割
合は、０．５〜３重量％の範囲とすることが望ましいこ
とがわかる。
【００４８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る導電ペース
トでは、金属粉末以外に含有される固形分として、ガラ
スフリット４〜６重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜３重量部及
びセラミック粉末０．５〜３重量％が用いられている。
従って、ＳｉＯ2 が上記特定の割合で配合されているの
で、ガラス成分の耐化学性が高められ、外表面にメッキ
層を形成したとしても、メッキ液によるガラス成分の溶
解が抑制され、例えば絶縁抵抗不良などの電子部品の特
性の劣化を抑制することができる。
トでは、金属粉末以外に含有される固形分として、ガラ
スフリット４〜６重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜３重量部及
びセラミック粉末０．５〜３重量％が用いられている。
従って、ＳｉＯ2 が上記特定の割合で配合されているの
で、ガラス成分の耐化学性が高められ、外表面にメッキ
層を形成したとしても、メッキ液によるガラス成分の溶
解が抑制され、例えば絶縁抵抗不良などの電子部品の特
性の劣化を抑制することができる。
【００４９】また、セラミック粉末が上記特定の割合で
配合されているので、焼き付けに際しての電極膜の収縮
を抑制することができ、それによってセラミックを用い
て構成された電子部品素体におけるクラックの発生を抑
制することができる。加えて、上記セラミック粉末は、
ガラス成分に対する濡れ性に優れているため、ガラス成
分を電極膜内部に保持するように作用し、それによって
緻密な電極膜を形成することができる。
配合されているので、焼き付けに際しての電極膜の収縮
を抑制することができ、それによってセラミックを用い
て構成された電子部品素体におけるクラックの発生を抑
制することができる。加えて、上記セラミック粉末は、
ガラス成分に対する濡れ性に優れているため、ガラス成
分を電極膜内部に保持するように作用し、それによって
緻密な電極膜を形成することができる。
【００５０】従って、本発明に係る導電ペーストを用い
て、セラミック電子部品の外部電極を形成した場合、緻
密であり、外表面にメッキ層を形成した場合に、メッキ
液による電子部品の特性の劣化が生じ難く、信頼性に優
れた、請求項２に記載の発明に係る電子部品を提供する
ことが可能となる。
て、セラミック電子部品の外部電極を形成した場合、緻
密であり、外表面にメッキ層を形成した場合に、メッキ
液による電子部品の特性の劣化が生じ難く、信頼性に優
れた、請求項２に記載の発明に係る電子部品を提供する
ことが可能となる。
【００５１】また、請求項３に記載のように、外部電極
の外表面にメッキ層が形成されている電子部品では、導
電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された外部電極
が上記特定の組成を有し、従ってメッキ液に対するシー
ル性に優れているため、メッキ液の侵入に起因する特性
の劣化が生じ難い電子部品を提供することができる。
の外表面にメッキ層が形成されている電子部品では、導
電ペーストの塗布・焼き付けにより形成された外部電極
が上記特定の組成を有し、従ってメッキ液に対するシー
ル性に優れているため、メッキ液の侵入に起因する特性
の劣化が生じ難い電子部品を提供することができる。
【００５２】請求項４に記載の発明では、セラミック粉
末が、電子部品素体を構成しているセラミック粉末と同
一セラミック材料により構成されているので、焼き付け
に際しての外部電極の電子部品素体に与える収縮応力を
低減することができる。
末が、電子部品素体を構成しているセラミック粉末と同
一セラミック材料により構成されているので、焼き付け
に際しての外部電極の電子部品素体に与える収縮応力を
低減することができる。
【図１】実験例１で作製される積層コンデンサの構造を
略図的に説明するための断面図。
略図的に説明するための断面図。
１…電子部品としての積層コンデンサ ２…電子部品素体としてのセラミック焼結体 ４，５…外部電極 ６ａ，６ｂ…Ｎｉメッキ層 ７ａ，７ｂ…Ｓｎメッキ層
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック電子部品の外部電極を形成す
るための導電ペーストであって、 固形分が、ガラスフリット４〜６重量％、ＳｉＯ2 ０．
５〜３重量％、セラミック粉末０．５〜３重量％及び残
部の金属粉末により構成されていることを特徴とする、
導電ペースト。 - 【請求項２】 セラミックスを用いて構成された電子部
品素体と、 前記電子部品素体の外表面に、請求項１に記載の導電ペ
ーストを塗布・焼き付けることにより形成された外部電
極とを備えることを特徴とする、電子部品。 - 【請求項３】 前記セラミック粉末が、電子部品素体を
構成するセラミックスと同じセラミックスよりなる、請
求項２に記載の電子部品。 - 【請求項４】 前記外部電極の外表面に、メッキ層がさ
らに形成されている、請求項２または３に記載の電子部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06338998A JP3548775B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 導電ペースト及びセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06338998A JP3548775B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 導電ペースト及びセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260147A true JPH11260147A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3548775B2 JP3548775B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=13227909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06338998A Expired - Lifetime JP3548775B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 導電ペースト及びセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3548775B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1383361A2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Copper paste, wiring board using the same, and production method of wiring board |
| JP2004128470A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| EP1383362A3 (en) * | 2002-07-17 | 2006-01-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
| JP2006128608A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 電子部品とその製造方法およびこれを用いたチップ抵抗器、フェライトコア並びにインダクタ |
| JP2007317896A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| US20130009515A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste composition for internal electrodes and multilayer ceramic electronic component including the same |
| JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US20180162780A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
| KR20190019117A (ko) * | 2019-02-19 | 2019-02-26 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP06338998A patent/JP3548775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1383361A2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Copper paste, wiring board using the same, and production method of wiring board |
| EP1383361A3 (en) * | 2002-07-17 | 2006-01-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Copper paste, wiring board using the same, and production method of wiring board |
| EP1383362A3 (en) * | 2002-07-17 | 2006-01-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
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| JP2006128608A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 電子部品とその製造方法およびこれを用いたチップ抵抗器、フェライトコア並びにインダクタ |
| JP2007317896A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| US20130009515A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste composition for internal electrodes and multilayer ceramic electronic component including the same |
| JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US20180162780A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
| US10475581B2 (en) * | 2016-12-13 | 2019-11-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
| KR20190019117A (ko) * | 2019-02-19 | 2019-02-26 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3548775B2 (ja) | 2004-07-28 |
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