JPH10115662A - 半導体集積論理回路のテスト回路 - Google Patents

半導体集積論理回路のテスト回路

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JPH10115662A
JPH10115662A JP8289156A JP28915696A JPH10115662A JP H10115662 A JPH10115662 A JP H10115662A JP 8289156 A JP8289156 A JP 8289156A JP 28915696 A JP28915696 A JP 28915696A JP H10115662 A JPH10115662 A JP H10115662A
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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Abstract

(57)【要約】 【課題】3−ステートバッファまたは双方向バッファの
状態を制御するコントロール信号を生成する回路をテス
トすることを可能とする半導体集積論理回路の提供。 【解決手段】内部論理回路からのデータ信号出力を一の
入力端に接続し出力を3−ステート出力バッファのデー
タ入力端に接続する第1のセレクタ回路と3−ステート
出力バッファのコントロール信号を生成する内部制御論
理回路の出力に一の入力端に接続し出力を3−ステート
出力バッファの出力制御端に接続する第2のセレクタ回
路とを備え、第1のセレクタ回路の他の入力端は第2の
セレクタ回路の一の入力端に接続される内部制御論理回
路の出力が接続され、第2のセレクタ回路の他の入力端
は3−ステート出力バッファを出力モードとする論理レ
ベルに接続され、第1、第2のセレクタの切り換え信号
は共通の切り換え信号に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積論理回
路装置に関し、特にハイレベル、ロウレベルの論理出力
の他にハイインピーダンス状態をとる3−ステート(ト
ライステート)バッファもしくは双方向(入出力)バッ
ファの状態を制御するコントロール信号を作成する論理
回路のテストを容易化する半導体集積論理回路装置のテ
スト回路に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来技術として、例えば特開昭
63−70175号公報には、3−ステート素子を動作
モード(ハイレベル又はロウレベルの論理レベルを出力
するモード)とハイインピーダンス状態の2つのモード
に切替制御するコントロール信号を生成する論理回路
に、常にハイレベル又はロウレベルになる故障が存在す
るとき、上記モードの切替えが行われなくなるが、当該
故障を検査装置で検出可能とする検査方法として、出力
期待値に3−ステート素子の出力のハイインピーダンス
状態を設けた検査方法が提案されている。
【0003】また、例えば特開昭63−295980号
公報には、半導体集積回路の入出力回路の入出力バッフ
ァ部分と内部回路部分との接続を電気的に分離し、且
つ、分離された入出力バッファ部分と別の入出力バッフ
ァ部分とを電気的に接続することにより、内部回路を動
作させずに、入出力バッファ部分の故障を独立して検査
することを可能とした入出力回路の構成が提案されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】3−ステート素子に出
力状態を制御するコントロール信号を生成する論理回路
の検査に関する上記した従来技術は、下記記載の問題点
を有している。
【0005】(1)第1の問題点は、被検査回路もしく
は被試験素子(Device Under Test)のハイインピー
ダンス状態を検査する検査装置は、一般に、使用される
ことが少ない、ということである。
【0006】その理由は、被検査回路のハイインピーダ
ンス状態を検査する手法は複雑であり、その結果、検査
装置が高価とされている、ことによる。また、ハイイン
ピーダンス状態を試験する機能を有する検査装置におい
ても、3−ステートバッファの出力端子のハイインピー
ダンス状態の検査は、機能(ファンクショナル)テスト
において、該出力端子をハイレベル側にプルアップした
際に論理ハイレベルとなるか、ロウレベル側にプルダウ
ンした際に論理ロウレベルになるかを検査してハイイン
ピーダンス状態にあることを検査するものであり、通常
2回のテストが行われる。
【0007】(2)第2の問題点は、3−ステートバッ
ファのコントロールそのものをテストすることは可能と
されているものの、コントロール信号に接続された論理
回路をテストすることはできない、ということである。
【0008】その理由は、例えば上記特開昭63−29
5980号公報のように、3−ステートバッファの入力
に他の信号を入力してテストすることはできても、その
前段の回路(コントロール信号を生成する論理回路)の
動作は検査できないためである。
【0009】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものであって、その目的は、3−ステートバッ
ファもしくは双方向バッファの状態を制御するコントロ
ール信号を生成する回路をテストすることを可能とする
半導体集積論理回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体集積論理回路は、出力ハイレベル、
出力ロウレベル、出力ハイインピーダンスの3つの状態
をとる3−ステート出力バッファを有する半導体集積論
理回路において、内部論理回路からのデータ信号出力を
一の入力端に接続し、出力を前記3−ステート出力バッ
ファのデータ入力端に接続する第1のセレクタ回路と、
前記3−ステート出力バッファのコントロール信号を生
成する内部制御論理回路の出力に一の入力端に接続し、
出力を前記3−ステート出力バッファの出力制御端に接
続する第2のセレクタ回路と、を備え、前記第1のセレ
クタ回路の他の入力端には、前記第2のセレクタ回路の
前記一の入力端に接続される前記内部制御論理回路の出
力が接続され、前記第2のセレクタ回路の他の入力端
は、前記3−ステート出力バッファを出力モードとする
論理レベルに接続され、前記第1、及び前記第2のセレ
クタの切り換え制御端は、共通の切り換え信号に接続さ
れている、ことを特徴とする。
【0011】本発明においては、切り換え信号によっ
て、コントロール信号が3−ステートのコントロールに
かかわったり、データとして出力に出たりする。このこ
とから、3−ステートのコントロール信号を外部から知
ることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0013】図1は、本発明の実施の形態の構成の一例
を示す図である。図1を参照すると、この実施の形態に
おいて、3−ステートバッファ1の出力は出力端子2に
接続され、3−ステートバッファ1の入力データ信号8
は第1のセレクタ4の出力から供給され、3−ステート
バッファ1の出力制御端子に入力されるコントロール信
号7は第2のセレクタ3の出力から供給されている。ま
た、第2のセレクタ3と第1のセレクタ4において入力
を切換選択するための切り換え制御信号は、テスト切り
換え信号5に接続されている。
【0014】さらに、第1のセレクタ4のノーマル側は
内部データ信号9に接続され、テスト側はコントロール
回路6の出力端に接続され、第2のセレクタ3のノーマ
ル側はコントロール回路6の出力端に接続され、テスト
側はハイレベルに接続されている。
【0015】次に、この実施の形態について図1と、動
作を一覧にして示す図2を参照して詳細に説明する。な
お、図2において、内部データ信号の「X」は“H”/
“L”のどちらでもよいこと(Don't Care)を示してい
る。
【0016】図1において、ノーマルモード動作時に
は、第1のセレクタ4は内部データ信号9を3−ステー
トバッファ1の入力端子に出力し、第2のセレクタ3は
コントロール回路6の出力信号を3−ステートバッファ
1の出力制御端子に出力する。このため、図2に示すよ
うに、コントロール回路6の出力が“H”レベルの場合
には、3−ステートバッファ1の出力制御端子に入力さ
れるコントロール信号7は“H”レベルとされ、このた
め3−ステートバッファ1は出力イネーブル状態とさ
れ、内部データ信号9が、そのまま出力端子2に出力さ
れる。また、コントロール回路6の出力が“L”レベル
の場合、3−ステートバッファ1の出力制御端子に入力
されるコントロール信号7は“L”レベルとされ、内部
データ信号9の値にかかわらず、3−ステートバッファ
1の出力はHiz(ハイインピーダンス)になる。
【0017】一方、テスト切り換え信号5をテストモー
ドにすると、第1のセレクタ4はテスト側入力を選択
し、コントロール回路6の出力信号を3−ステートバッ
ファ1の入力端子に出力し、また第2のセレクタ3は
“H”(ハイレベル)入力を選択してコントロール信号
7を“H”レベルとし、3−ステートバッファ1が出力
イネーブル状態とされ、図2に示すように、内部データ
信号9の値にかかわらず、コントロール回路6の出力の
値が3−ステートバッファ1から出力端子2に出力され
る。
【0018】次に、上記した本発明の実施の形態を更に
詳細に説明すべく、一実施例として、コントロール回路
6をLSIテスタ等の検査装置でテストする場合につい
て説明する。
【0019】図1において、コントロール回路6が正し
く動作しているかどうかのテストは、コントロール回路
6の出力が“H”レベルになる場合は、出力端子2に、
内部データ信号9が出力されるため、予め、このような
状態になるように、テストパターンを作成しておき、出
力端子2を検査すればよい。
【0020】一方、コントロール回路6の出力信号が
“L”レベルの場合には、出力端子2はHiz(ハイイ
ンピーダンス)となるので、一般の検査装置では検査し
ない。このため、コントロール回路6が故障して出力信
号“H”レベルを常に出力しているものとすると、出力
端子2には、内部データ信号9がそのまま出力される
が、検査装置は、この場合(Hiz状態の場合)、出力
端子2の値を検査していないので、コントロール回路6
が“L”レベルであるべきところが“H”レベルが出力
されている、ということを検査できない。
【0021】これに対して、本実施例においては、例え
ばコントロール回路6の出力が“H”レベルであるべき
ところが、コントロール回路6が故障し、“L”レベル
を出力していることを知るには、図2に示すように、テ
スト切り換え信号5をテスト側にすることにより、コン
トロール回路6の値が出力端子2に出力されるため、こ
れを出力期待値の“H”レベルと比較することにより、
直接に、コントロール回路6のテストを行っていること
と等価となる。また、コントロール回路6が“L”レベ
ルを出力すべきところが、故障して“H”レベルを出力
している場合にも、テスト切り換え信号5をテスト側と
して、コントロール回路6の出力を直接に検査すること
ができる。
【0022】図3は、本発明の第2の実施の形態の構成
を示す。
【0023】図2を参照すると、この実施の形態は、図
1にて示した3−ステートバッファを双方向バッファに
適用したものである。すなわち、3−ステート出力バッ
ファ11−aの出力端に入力バッファ11−bの入力端
を接続して入出力端子12に接続してなる双方向バッフ
ァ11の3−ステートバッファに対して、図1に示した
回路構成を設けたものである。3−ステートバッファが
双方向バッファにおいても、テスト切替信号15によっ
てコントロール回路16の出力を入出力端子に出力する
ことができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
3−ステートや双方向バッファをコントロールする回路
の動作が正しいかどうかを検査することができる。
【0025】その理由は、コントロールする回路の値を
簡単な回路で出力に出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の構成を示す図である。
【図2】本発明の実施の形態の動作を表す図である。
【図3】本発明の別の実施の形態の構成を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 3−ステートバッファ 2、12 出力 3、13、4、14 セレクタ 5、14 テスト切り換え信号 6、16 コントロール回路 7、17 コントロール信号 8、18 データ信号 9、19 内部データ信号 10、20 ハイレベル 11 双方向バッファ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】出力ハイレベル、出力ロウレベル、出力ハ
    イインピーダンスの3つの状態をとる3−ステート出力
    バッファを有する半導体集積論理回路において、 内部論理回路からのデータ信号出力を一の入力端に接続
    し、出力を前記3−ステート出力バッファのデータ入力
    端に接続する第1のセレクタ回路と、 前記3−ステート出力バッファのコントロール信号を生
    成する内部制御論理回路の出力に一の入力端に接続し、
    出力を前記3−ステート出力バッファの出力制御端に接
    続する第2のセレクタ回路と、 を備え、 前記第1のセレクタ回路の他の入力端には、前記第2の
    セレクタ回路の前記一の入力端に接続される前記内部制
    御論理回路の出力が接続され、 前記第2のセレクタ回路の他の入力端は、前記3−ステ
    ート出力バッファを出力モードとする論理レベルに接続
    され、 前記第1、及び前記第2のセレクタの切り換え制御端
    は、共通の切り換え信号に接続されている、ことを特徴
    とする半導体集積論理回路。
  2. 【請求項2】前記3−ステート出力バッファの出力端
    に、入力バッファの入力端が接続され、双方向バッファ
    構成とされてなることを特徴とする請求項1記載の半導
    体集積論理回路。
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