JP2947251B2 - 半導体装置テスト回路 - Google Patents
半導体装置テスト回路Info
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- JP2947251B2 JP2947251B2 JP10020312A JP2031298A JP2947251B2 JP 2947251 B2 JP2947251 B2 JP 2947251B2 JP 10020312 A JP10020312 A JP 10020312A JP 2031298 A JP2031298 A JP 2031298A JP 2947251 B2 JP2947251 B2 JP 2947251B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置テスト
回路に関し、詳しくは、マクロセルを搭載した集積回路
(LSI)のテスト回路の改良に関するものである。
回路に関し、詳しくは、マクロセルを搭載した集積回路
(LSI)のテスト回路の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近来、LSIは大規模化し、複数の既存
LSIをチップに統合する等、複雑な内部構成となり、
LSIの全体機能を検証するテストパターンを設計する
ことは多大の労力と時間を必要とする。そこで、従来の
半導体装置テスト回路では、図3に示すようなテスト方
式を採用している。図3において、1はLSI内部の第
1の内部マクロ、2は同じくLSI内部の第2の内部マ
クロであって、各内部マクロ1、2ごとに、テスト専用
端子を設け、これらテスト専用端子15を使用してテス
ト用入力信号16を入力し、かつテスト用出力信号を取
り出すようになっている。これにより、LSI内部のマ
クロを分割してテストを行うことができるため、テスト
パタン作成の時間が短縮でき、また、テストパタン長を
短くできるという利点がある。
LSIをチップに統合する等、複雑な内部構成となり、
LSIの全体機能を検証するテストパターンを設計する
ことは多大の労力と時間を必要とする。そこで、従来の
半導体装置テスト回路では、図3に示すようなテスト方
式を採用している。図3において、1はLSI内部の第
1の内部マクロ、2は同じくLSI内部の第2の内部マ
クロであって、各内部マクロ1、2ごとに、テスト専用
端子を設け、これらテスト専用端子15を使用してテス
ト用入力信号16を入力し、かつテスト用出力信号を取
り出すようになっている。これにより、LSI内部のマ
クロを分割してテストを行うことができるため、テスト
パタン作成の時間が短縮でき、また、テストパタン長を
短くできるという利点がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のテスト回路で
は、LSIのマクロ単体の検証を行うことができるが、
ノーマル時に接続される信号SIGNが、第1の内部マ
クロ1の出力端子12と第2の内部マクロ2の入力端子
13とに電気的に接続されているか否かの検証を行うこ
とができない。また、接続検証を行う場合は、LSI全
体のノーマルモードでのテストパタンを設計しなければ
ならず、テストパタン設計に多大の労力と時間を必要と
するという問題がある。本発明は上述の点に着目してな
されたもので、LSI内部の各マクロを全て個別でテス
トすることにより、ノーマルモードでのテストパタンを
使用せずに、LSI内部のノーマル時のマクロ間の接続
も同時に検証できるようにした半導体装置テスト回路を
提供することを目的とする。
は、LSIのマクロ単体の検証を行うことができるが、
ノーマル時に接続される信号SIGNが、第1の内部マ
クロ1の出力端子12と第2の内部マクロ2の入力端子
13とに電気的に接続されているか否かの検証を行うこ
とができない。また、接続検証を行う場合は、LSI全
体のノーマルモードでのテストパタンを設計しなければ
ならず、テストパタン設計に多大の労力と時間を必要と
するという問題がある。本発明は上述の点に着目してな
されたもので、LSI内部の各マクロを全て個別でテス
トすることにより、ノーマルモードでのテストパタンを
使用せずに、LSI内部のノーマル時のマクロ間の接続
も同時に検証できるようにした半導体装置テスト回路を
提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するべ
く、本発明は、LSI内部に第1の内部マクロと第2の
内部マクロとが設けられ、該第1の内部マクロと第2の
内部マクロとの接続検証を行う半導体装置テスト回路に
おいて、前記第1の内部マクロの出力端子と第2の内部
マクロの入力端子間に設けられた第1のテストセレクタ
回路および第2のテストセレクタ回路を備え、前記第2
のテストセレクタ回路は、該第2のテストセレクタ回路
に入力されるモード切替え用のテスト信号がLOWレベ
ルかHIGHレベルかに応じ、前記第1の内部マクロの
テストモード時及びノーマルモード時の出力信号と前記
第2の内部マクロのテストモード時のテスト信号のいず
れかを選択して前記第1のテストセレクタ回路へ出力す
るように構成され、前記第1のテストセレクタ回路は、
該第1のテストセレクタ回路に入力されるモード切替え
用のテスト信号がLOWレベルかHIGHレベルかに応
じ、前記第2のテストセレクタ回路から出力される信号
を選択して前記第2の内部マクロに出力するように構成
され、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がH
IGHレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路の
テスト信号がLOWレベルの時に前記第1の内部マクロ
のテストを行い、前記第1のテストセレクタ回路のテス
ト信号がLOWレベルで、かつ前記第2のテストセレク
タ回路のテスト信号がHIGHレベルの時に前記第2の
内部マクロのテストを行い、ノーマル時は前記第1およ
び第2のテストセレクタ回路のテスト信号を共にLOW
レベルとして、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前
記第2の内部マクロ間の接続を検証するようにしたこと
を特徴とする。また、本発明は、LSI内部に第1の内
部マクロと第2の内部マクロとが設けられ、該第1の内
部マクロと第2の内部マクロとの接続検証を行う半導体
装置テスト回路において、前記第1の内部マクロの内部
に第1のテストセレクタ回路を設け、前記第2の内部マ
クロの内部に第2のテストセレクタ回路を設け、この第
2のテストセレクタ回路の出力端と第1のテストセレク
タ回路の入力端間を接続し、前記第2のテストセレクタ
回路は、該第2のテストセレクタ回路に入力されるモー
ド切替え用のテスト信号がLOWレベルかHIGHレベ
ルかに応じ、前記第1の内部マクロのテストモード時及
びノーマルモード時の出力信号と前記第2の内部マクロ
のテストモード時のテスト信号のいずれかを選択して前
記第1のテストセレクタ回路へ出力するように構成さ
れ、前記第1のテストセレクタ回路は、該第1のテスト
セレクタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号
がLOWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第2の
テストセレクタ回路から出力される信号を選択して前記
第2の内部マクロに出力するように構成され、前記第1
のテストセレクタ回路のテスト信号がHIGHレベル
で、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテスト信号が
LOWレベルの時に前記第1の内部マクロのテストを行
い、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がLO
Wレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテス
ト信号がHIGHレベルの時に前記第2の内部マクロの
テストを行い、ノーマル時は前記第1および第2のテス
トセレクタ回路のテスト信号を共にLOWレベルとし
て、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前記第2の内
部マクロ間の接続を検証するようにしたことを特徴とす
る。
く、本発明は、LSI内部に第1の内部マクロと第2の
内部マクロとが設けられ、該第1の内部マクロと第2の
内部マクロとの接続検証を行う半導体装置テスト回路に
おいて、前記第1の内部マクロの出力端子と第2の内部
マクロの入力端子間に設けられた第1のテストセレクタ
回路および第2のテストセレクタ回路を備え、前記第2
のテストセレクタ回路は、該第2のテストセレクタ回路
に入力されるモード切替え用のテスト信号がLOWレベ
ルかHIGHレベルかに応じ、前記第1の内部マクロの
テストモード時及びノーマルモード時の出力信号と前記
第2の内部マクロのテストモード時のテスト信号のいず
れかを選択して前記第1のテストセレクタ回路へ出力す
るように構成され、前記第1のテストセレクタ回路は、
該第1のテストセレクタ回路に入力されるモード切替え
用のテスト信号がLOWレベルかHIGHレベルかに応
じ、前記第2のテストセレクタ回路から出力される信号
を選択して前記第2の内部マクロに出力するように構成
され、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がH
IGHレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路の
テスト信号がLOWレベルの時に前記第1の内部マクロ
のテストを行い、前記第1のテストセレクタ回路のテス
ト信号がLOWレベルで、かつ前記第2のテストセレク
タ回路のテスト信号がHIGHレベルの時に前記第2の
内部マクロのテストを行い、ノーマル時は前記第1およ
び第2のテストセレクタ回路のテスト信号を共にLOW
レベルとして、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前
記第2の内部マクロ間の接続を検証するようにしたこと
を特徴とする。また、本発明は、LSI内部に第1の内
部マクロと第2の内部マクロとが設けられ、該第1の内
部マクロと第2の内部マクロとの接続検証を行う半導体
装置テスト回路において、前記第1の内部マクロの内部
に第1のテストセレクタ回路を設け、前記第2の内部マ
クロの内部に第2のテストセレクタ回路を設け、この第
2のテストセレクタ回路の出力端と第1のテストセレク
タ回路の入力端間を接続し、前記第2のテストセレクタ
回路は、該第2のテストセレクタ回路に入力されるモー
ド切替え用のテスト信号がLOWレベルかHIGHレベ
ルかに応じ、前記第1の内部マクロのテストモード時及
びノーマルモード時の出力信号と前記第2の内部マクロ
のテストモード時のテスト信号のいずれかを選択して前
記第1のテストセレクタ回路へ出力するように構成さ
れ、前記第1のテストセレクタ回路は、該第1のテスト
セレクタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号
がLOWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第2の
テストセレクタ回路から出力される信号を選択して前記
第2の内部マクロに出力するように構成され、前記第1
のテストセレクタ回路のテスト信号がHIGHレベル
で、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテスト信号が
LOWレベルの時に前記第1の内部マクロのテストを行
い、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がLO
Wレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテス
ト信号がHIGHレベルの時に前記第2の内部マクロの
テストを行い、ノーマル時は前記第1および第2のテス
トセレクタ回路のテスト信号を共にLOWレベルとし
て、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前記第2の内
部マクロ間の接続を検証するようにしたことを特徴とす
る。
【0005】本発明の半導体装置テスト回路では、LS
I内部の第1の内部マクロのテストを行うときは、第2
のテストセレクタ回路のテスト信号をHIGHレベル
に、第2のテストセレクタ回路のテスト信号をLOWレ
ベルにして、第1の内部マクロの出力信号が第1のテス
トセレクタ回路に入力されることをモニタすることで検
証できる。また、第1の内部マクロのテストを行うに際
しては、第1のテストセレクタ回路のテスト信号をLO
Wレベルに、第2のテストセレクタ回路のテスト信号を
HIGHレベルにして、第2のテストセレクタ回路から
第1のテストセレクタ回路に入力されるテストモード時
の出力信号を第1の内部マクロに入力されることをモニ
タすることで検証できる。さらに、第1および第2のテ
ストセレクタ回路のテスト信号が共にLOWレベルにす
ることにより、ノーマル時に第1の内部マクロからの出
力信号は第2の内部マクロへの入力信号としてに出力す
ることが検証できる。これにより、LSI内部の各マク
ロを全て個別でテストすることで、ノーマルモードでの
テストパタンを使用せずに、LSI内部のノーマル時の
マクロ間の接続も同時に検証できる。
I内部の第1の内部マクロのテストを行うときは、第2
のテストセレクタ回路のテスト信号をHIGHレベル
に、第2のテストセレクタ回路のテスト信号をLOWレ
ベルにして、第1の内部マクロの出力信号が第1のテス
トセレクタ回路に入力されることをモニタすることで検
証できる。また、第1の内部マクロのテストを行うに際
しては、第1のテストセレクタ回路のテスト信号をLO
Wレベルに、第2のテストセレクタ回路のテスト信号を
HIGHレベルにして、第2のテストセレクタ回路から
第1のテストセレクタ回路に入力されるテストモード時
の出力信号を第1の内部マクロに入力されることをモニ
タすることで検証できる。さらに、第1および第2のテ
ストセレクタ回路のテスト信号が共にLOWレベルにす
ることにより、ノーマル時に第1の内部マクロからの出
力信号は第2の内部マクロへの入力信号としてに出力す
ることが検証できる。これにより、LSI内部の各マク
ロを全て個別でテストすることで、ノーマルモードでの
テストパタンを使用せずに、LSI内部のノーマル時の
マクロ間の接続も同時に検証できる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、図3と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。図1において、1
は第1の内部マクロ、2は第2の内部マクロであって、
ともにLSI内部の小マクロを示している。3は第1の
テストセレクタ回路、4は第2のテストセレクタ回路で
あって、LSIテストモード(LSIテスタ等でLSI
内部動作等を検証するモード)と、ノーマルモード(実
装置等で使用するモード)を切替えるためのセレクタ回
路である。
に基づいて説明する。なお、図3と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。図1において、1
は第1の内部マクロ、2は第2の内部マクロであって、
ともにLSI内部の小マクロを示している。3は第1の
テストセレクタ回路、4は第2のテストセレクタ回路で
あって、LSIテストモード(LSIテスタ等でLSI
内部動作等を検証するモード)と、ノーマルモード(実
装置等で使用するモード)を切替えるためのセレクタ回
路である。
【0007】第1のテストセレクタ回路3は、TEST
5の信号により出力信号を切替えることができる。すな
わち、TEST5の信号がロー(LOW)レベルのとき
は、第1のテストセレクタ回路3のLOW端子Lからの
出力信号であるIN11に第2のテストセレクタ回路4
からの出力信号SIGNの信号を出力し、TEST5の
信号がハイ(HIGH)レベルのときは、第1のテスト
セレクタ回路3のHIGH端子Hからの出力信号OUT
8にSIGN10の信号を出力する。信号IN11は、
第2の内部マクロ2の入力端子13に入力され、OUT
8の信号はLSIテストモードで使用する信号であっ
て、テストモード時にLSIのピンからモニタするよう
になっている。第2のテストセレクタ回路4は、TES
T6の信号によりその入力信号を切替えることができ
る。すなわち、TEST6の信号がローレベルのとき
は、出力端子12から第2のテストセレクタ回路4の端
子Lへの信号OUT9をSIGN10に出力し、TES
T6の信号がハイレベルのときは、第2のテストセレク
タ回路4のHIGH端子Hへの信号IN7をSIGN1
0に出力する。OUT9の信号は、第1の内部マクロ1
の出力端子12から出力され、IN7の信号は、LSI
テストモードで使用する信号で、テストモード時にLS
Iのピンから入力される。
5の信号により出力信号を切替えることができる。すな
わち、TEST5の信号がロー(LOW)レベルのとき
は、第1のテストセレクタ回路3のLOW端子Lからの
出力信号であるIN11に第2のテストセレクタ回路4
からの出力信号SIGNの信号を出力し、TEST5の
信号がハイ(HIGH)レベルのときは、第1のテスト
セレクタ回路3のHIGH端子Hからの出力信号OUT
8にSIGN10の信号を出力する。信号IN11は、
第2の内部マクロ2の入力端子13に入力され、OUT
8の信号はLSIテストモードで使用する信号であっ
て、テストモード時にLSIのピンからモニタするよう
になっている。第2のテストセレクタ回路4は、TES
T6の信号によりその入力信号を切替えることができ
る。すなわち、TEST6の信号がローレベルのとき
は、出力端子12から第2のテストセレクタ回路4の端
子Lへの信号OUT9をSIGN10に出力し、TES
T6の信号がハイレベルのときは、第2のテストセレク
タ回路4のHIGH端子Hへの信号IN7をSIGN1
0に出力する。OUT9の信号は、第1の内部マクロ1
の出力端子12から出力され、IN7の信号は、LSI
テストモードで使用する信号で、テストモード時にLS
Iのピンから入力される。
【0008】TEST5およびTEST6の信号は、各
々LSIのテストモードおよびノーマルモードの切替え
の信号である。すなわち、第1の内部マクロ1をテスト
するときは、TEST5がHIGH、TEST6がLO
Wとなり、また、第2の内部マクロ2をテストするとき
は、TEST5がLOW、TEST6がHIGHとな
り、ノーマルモード時は、TEST5、TEST6が共
にLOWとなる。SIGN10の信号は、第1のテスト
セレクタ回路3の入力端子と第2のテストセレクタ回路
4の出力端子に接続される。以上の半導体装置テスト回
路は、LSI内部の各マクロの入出力端子に全てに接続
し、各マクロのテストは個別で行うものである。
々LSIのテストモードおよびノーマルモードの切替え
の信号である。すなわち、第1の内部マクロ1をテスト
するときは、TEST5がHIGH、TEST6がLO
Wとなり、また、第2の内部マクロ2をテストするとき
は、TEST5がLOW、TEST6がHIGHとな
り、ノーマルモード時は、TEST5、TEST6が共
にLOWとなる。SIGN10の信号は、第1のテスト
セレクタ回路3の入力端子と第2のテストセレクタ回路
4の出力端子に接続される。以上の半導体装置テスト回
路は、LSI内部の各マクロの入出力端子に全てに接続
し、各マクロのテストは個別で行うものである。
【0009】次に、上記第1実施の形態の半導体装置テ
スト回路の信号の流れを具体的に説明する。 (a)テストモード時 第1のテストセレクタ回路3および第2のテストセレク
タ回路4を使用した場合の各マクロの入出力端子からの
信号の流れを、出力端子は第1の内部マクロ1の出力端
子12を使用して、入力端子は第2の内部マクロ2の入
力端子13を使用して説明する。第1の内部マクロ1の
テスト時の出力信号の流れは次の通りである(図1の実
線矢印参照)。この時、TEST5はHIGH、TES
T6はLOWの信号になり、第1の内部マクロ1の出力
端子12から出力されたOUT9の信号は、第2のテス
トセレクタ回路4を介してSIGN10に出力され、S
IGN10は第1のテストセレクタ回路3を介してOU
T8の信号として出力され、LSIのピンからこの信号
OUT8をモニタする。第2の内部マクロ2のテスト時
の入力信号の流れは次の通りである(図1の点線矢印参
照)。この時、TEST5はLOW、TEST6はHI
GHになり、LSIのピンから入力されたテスト信号は
IN7であり、このIN7の信号は第2のテストセレク
タ回路4を介してSIGN10の信号に出力され、SI
GN10は第1のテストセレクタ回路3を介して、信号
IN11に出力され、信号IN11は第2の内部マクロ
2の入力端子13に入力される。
スト回路の信号の流れを具体的に説明する。 (a)テストモード時 第1のテストセレクタ回路3および第2のテストセレク
タ回路4を使用した場合の各マクロの入出力端子からの
信号の流れを、出力端子は第1の内部マクロ1の出力端
子12を使用して、入力端子は第2の内部マクロ2の入
力端子13を使用して説明する。第1の内部マクロ1の
テスト時の出力信号の流れは次の通りである(図1の実
線矢印参照)。この時、TEST5はHIGH、TES
T6はLOWの信号になり、第1の内部マクロ1の出力
端子12から出力されたOUT9の信号は、第2のテス
トセレクタ回路4を介してSIGN10に出力され、S
IGN10は第1のテストセレクタ回路3を介してOU
T8の信号として出力され、LSIのピンからこの信号
OUT8をモニタする。第2の内部マクロ2のテスト時
の入力信号の流れは次の通りである(図1の点線矢印参
照)。この時、TEST5はLOW、TEST6はHI
GHになり、LSIのピンから入力されたテスト信号は
IN7であり、このIN7の信号は第2のテストセレク
タ回路4を介してSIGN10の信号に出力され、SI
GN10は第1のテストセレクタ回路3を介して、信号
IN11に出力され、信号IN11は第2の内部マクロ
2の入力端子13に入力される。
【0010】(b)ノーマルモード時 この場合、信号TEST5と信号TEST6は共にLO
Wとなり、第1の内部マクロ1の出力端子12から出力
されるOUT9の信号は第2のテストセレクタ回路4を
介して信号SIGN10に出力され、信号SIGN10
は第1のテストセレクタ回路3を介して信号IN11に
出力され、信号IN11は第2の内部マクロ2の入力端
子13に入力される(図1の鎖線矢印参照)。
Wとなり、第1の内部マクロ1の出力端子12から出力
されるOUT9の信号は第2のテストセレクタ回路4を
介して信号SIGN10に出力され、信号SIGN10
は第1のテストセレクタ回路3を介して信号IN11に
出力され、信号IN11は第2の内部マクロ2の入力端
子13に入力される(図1の鎖線矢印参照)。
【0011】図2は、本発明の第2実施の形態を示すも
ので、図1の第1実施の形態における第1のテストセレ
クタ回路3と第2のテストセレクタ回路4を、各々第1
の内部マクロ1と第2の内部マクロ2の内部に設けたも
のである。これにより、テストセレクタ回路3、4が内
部マクロ1、2内に統合できると共に、第1実施の形態
の半導体装置テスト回路と同様の機能を果たすことがで
きる。
ので、図1の第1実施の形態における第1のテストセレ
クタ回路3と第2のテストセレクタ回路4を、各々第1
の内部マクロ1と第2の内部マクロ2の内部に設けたも
のである。これにより、テストセレクタ回路3、4が内
部マクロ1、2内に統合できると共に、第1実施の形態
の半導体装置テスト回路と同様の機能を果たすことがで
きる。
【0012】以上のように、本発明の実施の形態におけ
る半導体装置テスト回路では、LSI内部の第1の内部
マクロ1のテストを行うに際し、第2のテストセレクタ
回路4の切替えの信号TEST6をLOWとしてテスト
するため、第2のテストセレクタ回路4はノーマル時
(LOWレベル)に第1の内部マクロ1の出力端子12
からのOUT9の信号がSIGN10に出力されること
が検証でき、第2の内部マクロ2のテストを行うに際
し、第2のテストセレクタ回路4の切替えの信号TES
T5をLOWとしてテストするため、第1のテストセレ
クタ回路3は、ノーマル時SIGN10がIN11に出
力されることが検証でき、TEST5、6の信号が共に
LOWのときには、OUT9はSIGN10の信号に出
力し、SIGN10はIN11の信号に出力することが
検証できる。これにより、LSI内部の各マクロを全て
個別でテストすることにより、ノーマルモードでのテス
トパタンを使用せずに、LSI内部のノーマル時のマク
ロ間の接続も同時に検証できる。
る半導体装置テスト回路では、LSI内部の第1の内部
マクロ1のテストを行うに際し、第2のテストセレクタ
回路4の切替えの信号TEST6をLOWとしてテスト
するため、第2のテストセレクタ回路4はノーマル時
(LOWレベル)に第1の内部マクロ1の出力端子12
からのOUT9の信号がSIGN10に出力されること
が検証でき、第2の内部マクロ2のテストを行うに際
し、第2のテストセレクタ回路4の切替えの信号TES
T5をLOWとしてテストするため、第1のテストセレ
クタ回路3は、ノーマル時SIGN10がIN11に出
力されることが検証でき、TEST5、6の信号が共に
LOWのときには、OUT9はSIGN10の信号に出
力し、SIGN10はIN11の信号に出力することが
検証できる。これにより、LSI内部の各マクロを全て
個別でテストすることにより、ノーマルモードでのテス
トパタンを使用せずに、LSI内部のノーマル時のマク
ロ間の接続も同時に検証できる。
【0013】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、LSI内部の第1および第2の内部マクロを個別に
テストすることにより、第1の内部マクロの出力端子と
第2の内部マクロの入力端子が装置動作モード時(ノー
マル時)に電気的に接続することをLSI全体のテスト
パタンを使用せずに検証することができ、したがって、
テストパタン設計の労力、時間が不要になる。
ば、LSI内部の第1および第2の内部マクロを個別に
テストすることにより、第1の内部マクロの出力端子と
第2の内部マクロの入力端子が装置動作モード時(ノー
マル時)に電気的に接続することをLSI全体のテスト
パタンを使用せずに検証することができ、したがって、
テストパタン設計の労力、時間が不要になる。
【図1】本発明の半導体装置テスト回路の第1実施の形
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
【図2】本発明の半導体装置テスト回路の第2実施の形
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
【図3】従来の半導体装置テスト回路のブロック図であ
る。
る。
1……第1の内部マクロ、2……第2の内部マクロ、3
……第1のテストセレクタ回路、4……第2のテストセ
レクタ回路、12……出力端子、13……入力端子。
……第1のテストセレクタ回路、4……第2のテストセ
レクタ回路、12……出力端子、13……入力端子。
Claims (3)
- 【請求項1】 LSI内部に第1の内部マクロと第2の
内部マクロとが設けられ、該第1の内部マクロと第2の
内部マクロとの接続検証を行う半導体装置テスト回路に
おいて、 前記第1の内部マクロの出力端子と第2の内部マクロの
入力端子間に設けられた第1のテストセレクタ回路およ
び第2のテストセレクタ回路を備え、前記第2のテストセレクタ回路は、該第2のテストセレ
クタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号がL
OWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第1の内部
マクロのテストモード時及びノーマルモード時の出力信
号と前記第2の内部マクロのテストモード時のテスト信
号のいずれかを選択して前記第1のテストセレクタ回路
へ出力するように構成され、 前記第1のテストセレクタ回路は、該第1のテストセレ
クタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号がL
OWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第2のテス
トセレクタ回路から出力される信号を選択して前記第2
の内部マクロに出力するように構成され、 前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がHIGH
レベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテスト
信号がLOWレベルの時に前記第1の内部マクロのテス
トを行い、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号
がLOWレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路
のテスト信号がHIGHレベルの時に前記第2の内部マ
クロのテストを行い、ノーマル時は前記第1および第2
のテストセレクタ回路のテスト信号を共にLOWレベル
として、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前記第2
の内部マクロ間の接続を検証するようにしたことを特徴
とする半導体装置テスト回路。 - 【請求項2】 前記第2のテストセレクタ回路は、前記
第1の内部マクロからの出力信号を受けるLOW端子、
及び前記第2の内部マクロのテストモード時のテスト信
号を受けるHIGH端子を有し、前記LOW端子は前記
第1の内部マクロの出力端子に接続され、前記HIGH
端子には第2の内部マクロのテストモード時にLSIの
ピンからのテスト信号が入力され、前記第1のテストセ
レクタ回路は、前記第2の内部マクロのテストモード及
びノーマルモード時に第1のテ ストセレクタ回路で選択
された信号を出力するLOW端子、及び前記第1の内部
マクロのテストモード時に第1のテストセレクタ回路で
選択された信号を出力するHIGH端子を有し、前記L
OW端子は第2の内部マクロの入力端子に接続され、前
記HIGH端子からの信号は前記第1の内部マクロのモ
ニタ用LSIのピンへ出力されるようになっていること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置テスト回路。 - 【請求項3】 LSI内部に第1の内部マクロと第2の
内部マクロとが設けられ、該第1の内部マクロと第2の
内部マクロとの接続検証を行う半導体装置テスト回路に
おいて、 前記第1の内部マクロの内部に第1のテストセレクタ回
路を設け、前記第2の内部マクロの内部に第2のテスト
セレクタ回路を設け、この第2のテストセレクタ回路の
出力端と第1のテストセレクタ回路の入力端間を接続
し、 前記第2のテストセレクタ回路は、該第2のテストセレ
クタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号がL
OWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第1の内部
マクロのテストモード時及びノーマルモード時の出力信
号と前記第2の内部マクロのテストモード時のテスト信
号のいずれかを選択して前記第1のテストセレクタ回路
へ出力するように構成され、 前記第1のテストセレクタ回路は、該第1のテストセレ
クタ回路に入力されるモード切替え用のテスト信号がL
OWレベルかHIGHレベルかに応じ、前記第2のテス
トセレクタ回路から出力される信号を選択して前記第2
の内部マクロに出力するように構成され、 前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号がHIGH
レベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路のテスト
信号がLOWレベルの時に前記第1の内部マクロのテス
トを行い、前記第1のテストセレクタ回路のテスト信号
がLOWレベルで、かつ前記第2のテストセレクタ回路
のテスト信号がHIGHレベルの時に前記第2の内部マ
クロのテストを行い、ノーマル時は前記第1および第2
のテストセレクタ回路のテスト信号を共にLOWレベル
として、ノーマル時の前記第1の内部マクロと前記第2
の内部マクロ間の接続を検証するようにしたことを特徴
とする半導体装置テスト回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10020312A JP2947251B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置テスト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10020312A JP2947251B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置テスト回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11202031A JPH11202031A (ja) | 1999-07-30 |
JP2947251B2 true JP2947251B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=12023630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10020312A Expired - Fee Related JP2947251B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置テスト回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2947251B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3459799B2 (ja) | 1999-10-19 | 2003-10-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | テスト回路およびテスト回路生成装置、テスト回路生成方法およびその記録媒体 |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP10020312A patent/JP2947251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11202031A (ja) | 1999-07-30 |
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