JPH10114548A - 陰極線管 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＥＦ防止に有効な表面抵抗の低い反射防止
膜を備え、高輝度で製造コストの低い陰極線管を提供す
る。 【解決手段】 本発明の陰極線管においては、銀または
銀化合物の超微粒子などの導電性金属微粒子からなる導
電層の直上に、還元性物質および／または導電性金属の
配位・安定化剤を含有するシリカ等の層が設けられてい
る。導電性金属の配位・安定化剤は、導電層に含有させ
ることも可能である。還元性物質としては、ＮａＢ
Ｈ4 、ＬｉＡｌＨ4 等が挙げられ、配位・安定化剤とし
ては、キレート化剤、フタロシアニン類等が挙げられ
る。
膜を備え、高輝度で製造コストの低い陰極線管を提供す
る。 【解決手段】 本発明の陰極線管においては、銀または
銀化合物の超微粒子などの導電性金属微粒子からなる導
電層の直上に、還元性物質および／または導電性金属の
配位・安定化剤を含有するシリカ等の層が設けられてい
る。導電性金属の配位・安定化剤は、導電層に含有させ
ることも可能である。還元性物質としては、ＮａＢ
Ｈ4 、ＬｉＡｌＨ4 等が挙げられ、配位・安定化剤とし
ては、キレート化剤、フタロシアニン類等が挙げられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェースプレート
の前面パネル（フェースパネル）の外表面に、反射防止
膜として機能しかつＡＥＦ（Alternating electric fie
ld）を防止する導電膜を有する陰極線管に関する。
の前面パネル（フェースパネル）の外表面に、反射防止
膜として機能しかつＡＥＦ（Alternating electric fie
ld）を防止する導電膜を有する陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＶブラウン管やコンピューター
のディスプレイ管のような陰極線管では、内部の電子銃
と偏向ヨーク付近から発生した電磁波が漏洩して、周辺
の電子機器や人体に悪影響を与えることが懸念されてい
る。
のディスプレイ管のような陰極線管では、内部の電子銃
と偏向ヨーク付近から発生した電磁波が漏洩して、周辺
の電子機器や人体に悪影響を与えることが懸念されてい
る。
【０００３】そのため、このような電磁波（電場）の漏
洩を防止するために、陰極線管のフェースパネルの表面
抵抗値を下げることが必要とされている。すなわち、特
開昭61-118932号、特開昭 61-118946号、特開昭 63-160
140号公報などには、フェースパネルの帯電防止を行な
うための種々の表面処理方法が開示されており、これら
の方法で漏洩電場（ＡＥＦ）を防止することが考えられ
る。
洩を防止するために、陰極線管のフェースパネルの表面
抵抗値を下げることが必要とされている。すなわち、特
開昭61-118932号、特開昭 61-118946号、特開昭 63-160
140号公報などには、フェースパネルの帯電防止を行な
うための種々の表面処理方法が開示されており、これら
の方法で漏洩電場（ＡＥＦ）を防止することが考えられ
る。
【０００４】しかしながら、これらの方法で得られる表
面処理膜の表面抵抗値は 1×1011Ω／□以上であり、帯
電防止のみを目的とする場合には十分であるが、ＡＥＦ
防止を達成するには、表面抵抗値を 5×102 Ω／□以下
とさらに低くする必要があった。
面処理膜の表面抵抗値は 1×1011Ω／□以上であり、帯
電防止のみを目的とする場合には十分であるが、ＡＥＦ
防止を達成するには、表面抵抗値を 5×102 Ω／□以下
とさらに低くする必要があった。
【０００５】従来から、表面抵抗値の低い透明導電膜を
形成する方法として、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング法のような気相方法があり、例えば特開平1-242769
号公報に、スパッタリング法による低抵抗透明導電膜の
形成方法が開示されている。しかしこのような方法で
は、大型の装置を必要とするため設備投資額が大きくな
り、かつ大量生産に向かないという問題があった。
形成する方法として、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング法のような気相方法があり、例えば特開平1-242769
号公報に、スパッタリング法による低抵抗透明導電膜の
形成方法が開示されている。しかしこのような方法で
は、大型の装置を必要とするため設備投資額が大きくな
り、かつ大量生産に向かないという問題があった。
【０００６】また、導電膜の形成方法としては、ＡＴＯ
やＩＴＯのような導電性酸化物の微粒子または導電性金
属の微粒子を分散させた液を塗布し、塗膜を乾燥硬化乃
至焼成する塗布法（ウェット法）がある。そして、反射
防止機能を備えた表面処理膜では、各層の膜厚は設計波
長の 1/4（ 1/4λ）で決まるため、比抵抗の大きい導電
性酸化物の微粒子では、得られる導電性に限界があり、
比抵抗の小さい導電性金属の微粒子を用いることによ
り、ＡＥＦ防止に有効な導電膜が形成されることが知ら
れている。
やＩＴＯのような導電性酸化物の微粒子または導電性金
属の微粒子を分散させた液を塗布し、塗膜を乾燥硬化乃
至焼成する塗布法（ウェット法）がある。そして、反射
防止機能を備えた表面処理膜では、各層の膜厚は設計波
長の 1/4（ 1/4λ）で決まるため、比抵抗の大きい導電
性酸化物の微粒子では、得られる導電性に限界があり、
比抵抗の小さい導電性金属の微粒子を用いることによ
り、ＡＥＦ防止に有効な導電膜が形成されることが知ら
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に金属微
粒子膜は薄膜であっても可視光域に吸収を持つため、膜
厚が厚くなると光の透過率が低下し、陰極線管において
輝度が低下するという問題があった。
粒子膜は薄膜であっても可視光域に吸収を持つため、膜
厚が厚くなると光の透過率が低下し、陰極線管において
輝度が低下するという問題があった。
【０００８】また、金属微粒子膜では、比抵抗に相当す
る低い表面抵抗が得られれば、輝度がそれほど低下する
ことなく、ＡＥＦ防止に十分な導電性を得ることができ
るが、成膜時に金属微粒子の一部が酸化されたり、ある
いは一部が金属イオンのままで存在し、そのため十分に
低い表面抵抗を得ることができなかった。
る低い表面抵抗が得られれば、輝度がそれほど低下する
ことなく、ＡＥＦ防止に十分な導電性を得ることができ
るが、成膜時に金属微粒子の一部が酸化されたり、ある
いは一部が金属イオンのままで存在し、そのため十分に
低い表面抵抗を得ることができなかった。
【０００９】このように、スパッタリング法のようなド
ライプロセスにより形成された導電膜では、コスト的に
問題があり、また従来からの塗布法による形成では、Ａ
ＥＦ防止に有効な高い導電性を有する表面処理膜を得る
ことができなかった。
ライプロセスにより形成された導電膜では、コスト的に
問題があり、また従来からの塗布法による形成では、Ａ
ＥＦ防止に有効な高い導電性を有する表面処理膜を得る
ことができなかった。
【００１０】本発明は、これらの問題を解決するために
なされたもので、ＡＥＦ防止に有効な表面抵抗の低い反
射防止膜を備え、高輝度で製造コストの低い陰極線管を
提供することを目的とする。
なされたもので、ＡＥＦ防止に有効な表面抵抗の低い反
射防止膜を備え、高輝度で製造コストの低い陰極線管を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管は、フ
ェースプレートの前面パネルの外表面に、少なくとも１
層の導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積
層による反射防止膜を有する陰極線管において、前記導
電層が、導電性金属またはその化合物の微粒子から構成
され、かつこの導電層の直上に、還元性物質を含有する
層を設けたことを特徴とする。
ェースプレートの前面パネルの外表面に、少なくとも１
層の導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積
層による反射防止膜を有する陰極線管において、前記導
電層が、導電性金属またはその化合物の微粒子から構成
され、かつこの導電層の直上に、還元性物質を含有する
層を設けたことを特徴とする。
【００１２】本発明の第２の発明の陰極線管は、フェー
スプレートの前面パネルの外表面に、少なくとも１層の
導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積層に
よる反射防止膜を有する陰極線管において、前記導電層
が、導電性金属またはその化合物の微粒子から構成さ
れ、かつこの導電層またはその直上の層が、前記導電性
金属またはその化合物に配位して安定させる物質を含有
することを特徴とする。
スプレートの前面パネルの外表面に、少なくとも１層の
導電層を有し、かつ該導電層を含めた２層以上の積層に
よる反射防止膜を有する陰極線管において、前記導電層
が、導電性金属またはその化合物の微粒子から構成さ
れ、かつこの導電層またはその直上の層が、前記導電性
金属またはその化合物に配位して安定させる物質を含有
することを特徴とする。
【００１３】本発明において、導電層を構成する導電性
金属またはその化合物の微粒子としては、銀または銀化
合物の超微粒子を使用することが望ましい。ここで銀化
合物としては、例えば酸化銀、硝酸銀、酢酸銀、安息香
酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クロム酸
銀、クエン酸銀、シクロヘキサン酪酸銀等が挙げられ、
これらの化合物と銀単体の超微粒子の中から、１種また
は２種以上を選択して使用することができる。また、こ
のような銀または銀化合物の超微粒子の大きさは、粒径
が 200nm以下であることが望ましい。粒径が 200nmを越
えるものの使用は、膜の光透過率が著しく低下するばか
りでなく、粒子により光の散乱が生じるため、膜が曇り
解像度低下が生じるなどの理由で好ましくない。さら
に、このような導電性金属またはその化合物の微粒子か
らなる導電層の厚さには特に制限がないが、透明性を満
足させる範囲にすることが望ましい。
金属またはその化合物の微粒子としては、銀または銀化
合物の超微粒子を使用することが望ましい。ここで銀化
合物としては、例えば酸化銀、硝酸銀、酢酸銀、安息香
酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クロム酸
銀、クエン酸銀、シクロヘキサン酪酸銀等が挙げられ、
これらの化合物と銀単体の超微粒子の中から、１種また
は２種以上を選択して使用することができる。また、こ
のような銀または銀化合物の超微粒子の大きさは、粒径
が 200nm以下であることが望ましい。粒径が 200nmを越
えるものの使用は、膜の光透過率が著しく低下するばか
りでなく、粒子により光の散乱が生じるため、膜が曇り
解像度低下が生じるなどの理由で好ましくない。さら
に、このような導電性金属またはその化合物の微粒子か
らなる導電層の厚さには特に制限がないが、透明性を満
足させる範囲にすることが望ましい。
【００１４】本発明の第１の発明において、還元性物質
としては、例えばＮａＢＨ4 、ＬｉＡｌＨ4 、ＬｉＢＨ
4 、ＳｎＣｌ2 等を使用することができる。これらのう
ちで、ＮａＢＨ4 、ＬｉＢＨ4 の使用が特に好ましい。
これらの還元性物質は、導電層に含まれる金属イオンや
金属酸化物を還元して金属にする働きをするため、還元
性物質を含む層を導電層の直上に設けることにより、導
電層中で比抵抗の低い導電性金属単体の純度が上がり、
導電性の向上が達成される。
としては、例えばＮａＢＨ4 、ＬｉＡｌＨ4 、ＬｉＢＨ
4 、ＳｎＣｌ2 等を使用することができる。これらのう
ちで、ＮａＢＨ4 、ＬｉＢＨ4 の使用が特に好ましい。
これらの還元性物質は、導電層に含まれる金属イオンや
金属酸化物を還元して金属にする働きをするため、還元
性物質を含む層を導電層の直上に設けることにより、導
電層中で比抵抗の低い導電性金属単体の純度が上がり、
導電性の向上が達成される。
【００１５】このような還元性物質の含有量は、下層の
導電層を構成する導電性金属またはその化合物の含有量
に対して、 0.1〜 100モル％の割合とすることが望まし
い。還元性物質の含有量が 0.1モル％より少ないと、還
元効果が現れず、逆に 100モル％より多いと、還元性が
強くなり過ぎて、導電性金属等の膜構造が壊れてしま
い、かえって導電性が低下して好ましくない。
導電層を構成する導電性金属またはその化合物の含有量
に対して、 0.1〜 100モル％の割合とすることが望まし
い。還元性物質の含有量が 0.1モル％より少ないと、還
元効果が現れず、逆に 100モル％より多いと、還元性が
強くなり過ぎて、導電性金属等の膜構造が壊れてしま
い、かえって導電性が低下して好ましくない。
【００１６】本発明の第２の発明において、導電性金属
またはその化合物に配位して安定させる物質としては、
例えばエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、アセ
チルアセトン、ジアセトンアルコール、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、
アンモニア水、フタロシアニン等のキレート化剤、β−
ジケトン類、アミン類、フタロシアニン類等が挙げられ
る。これらの物質は、導電層を構成する導電性金属また
はその化合物に配位してイオン状態で安定化させ、その
結果導電性金属等の酸化を抑え、抵抗を低く安定化させ
る働きをする。したがって、これらの配位・安定化剤を
導電層に直接添加して含有させるか、あるいは配位・安
定化剤を含む層を導電層の直上に設けることにより、低
抵抗化すなわち導電性の向上がなされる。このような配
位・安定化剤の含有量は、下層の導電層を構成する導電
性金属またはその化合物の含有量に対して、 0.1〜 100
モル％の割合とすることが望ましい。配位・安定化剤の
含有量が 0.1モル％より少ないと、添加による導電性向
上の効果が現れず、逆に 100モル％より多いと、導電性
金属またはその化合物の全量が金属イオンの状態で安定
化されてしまうため、かえって導電性が低下して好まし
くない。さらに、このような配位・安定化剤は、前記し
た還元性物質と併用することもできる。すなわち、導電
層に配位・安定化剤を添加して含有させるとともに、そ
の直上に還元性物質を含有する層を設けることができ、
また、導電層の直上の層に、還元性物質と配位・安定化
剤とをともに含有させることも可能である。
またはその化合物に配位して安定させる物質としては、
例えばエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、アセ
チルアセトン、ジアセトンアルコール、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、
アンモニア水、フタロシアニン等のキレート化剤、β−
ジケトン類、アミン類、フタロシアニン類等が挙げられ
る。これらの物質は、導電層を構成する導電性金属また
はその化合物に配位してイオン状態で安定化させ、その
結果導電性金属等の酸化を抑え、抵抗を低く安定化させ
る働きをする。したがって、これらの配位・安定化剤を
導電層に直接添加して含有させるか、あるいは配位・安
定化剤を含む層を導電層の直上に設けることにより、低
抵抗化すなわち導電性の向上がなされる。このような配
位・安定化剤の含有量は、下層の導電層を構成する導電
性金属またはその化合物の含有量に対して、 0.1〜 100
モル％の割合とすることが望ましい。配位・安定化剤の
含有量が 0.1モル％より少ないと、添加による導電性向
上の効果が現れず、逆に 100モル％より多いと、導電性
金属またはその化合物の全量が金属イオンの状態で安定
化されてしまうため、かえって導電性が低下して好まし
くない。さらに、このような配位・安定化剤は、前記し
た還元性物質と併用することもできる。すなわち、導電
層に配位・安定化剤を添加して含有させるとともに、そ
の直上に還元性物質を含有する層を設けることができ、
また、導電層の直上の層に、還元性物質と配位・安定化
剤とをともに含有させることも可能である。
【００１７】本発明においては、前記した導電性金属ま
たはその化合物の微粒子からなる導電層を高屈折率層
（屈折率 2以上）とし、その上に屈折率が 2以下の低屈
折率の上層を設けることにより、反射防止膜が形成され
ており、低屈折率の上層としては、ＳｉＯ2 を主成分と
する層（シリカ層）を用いることが望ましい。そして、
このような低屈折率を有する上層に、前記した還元性物
質および／または配位・安定化剤が含有される。
たはその化合物の微粒子からなる導電層を高屈折率層
（屈折率 2以上）とし、その上に屈折率が 2以下の低屈
折率の上層を設けることにより、反射防止膜が形成され
ており、低屈折率の上層としては、ＳｉＯ2 を主成分と
する層（シリカ層）を用いることが望ましい。そして、
このような低屈折率を有する上層に、前記した還元性物
質および／または配位・安定化剤が含有される。
【００１８】ここで、導電性金属等の微粒子からなる導
電層の直上にシリカ層を設けることで、導電性をさらに
向上させることができる。すなわち、導電性金属等の微
粒子層においては、金属微粒子同士の接触が不十分であ
るが、その上にシリカ層を形成し、これら２層を焼成す
ることにより、上層のシリカのゲルが高密度化する過程
で、下層の金属微粒子層も高密度化する。そのため、金
属微粒子が相互に十分に接触するようになり、その結果
高い導電性が得られるようになる。
電層の直上にシリカ層を設けることで、導電性をさらに
向上させることができる。すなわち、導電性金属等の微
粒子層においては、金属微粒子同士の接触が不十分であ
るが、その上にシリカ層を形成し、これら２層を焼成す
ることにより、上層のシリカのゲルが高密度化する過程
で、下層の金属微粒子層も高密度化する。そのため、金
属微粒子が相互に十分に接触するようになり、その結果
高い導電性が得られるようになる。
【００１９】本発明の陰極線管を製造するには、まず前
記した導電性金属またはその化合物の微粒子を含み、さ
らに必要に応じて配位・安定化剤を含む溶液を、陰極線
管のフェースパネルの外表面に、例えばスピンコート
法、スプレー法、浸漬法等を用いて塗布・乾燥すること
により、導電性金属またはその化合物の微粒子からなる
下塗布層を形成した後、その上に、シリケート溶液に還
元性物質等を添加混合した塗布液を同様な方法で塗布・
乾燥し、次いで上下の塗布層を同時に焼成する方法が採
られる。こうして陰極線管において、導電性金属単体の
純度が高いうえに、金属微粒子が相互に十分に接触し、
ＡＥＦ防止に有効な高いレベルの導電性を有する反射防
止膜が得られる。
記した導電性金属またはその化合物の微粒子を含み、さ
らに必要に応じて配位・安定化剤を含む溶液を、陰極線
管のフェースパネルの外表面に、例えばスピンコート
法、スプレー法、浸漬法等を用いて塗布・乾燥すること
により、導電性金属またはその化合物の微粒子からなる
下塗布層を形成した後、その上に、シリケート溶液に還
元性物質等を添加混合した塗布液を同様な方法で塗布・
乾燥し、次いで上下の塗布層を同時に焼成する方法が採
られる。こうして陰極線管において、導電性金属単体の
純度が高いうえに、金属微粒子が相互に十分に接触し、
ＡＥＦ防止に有効な高いレベルの導電性を有する反射防
止膜が得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、具体的に実施例を挙げて本
発明をさらに詳しく説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではない。
発明をさらに詳しく説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではない。
【００２１】実施例１、２ まず、Ａｇ2 Ｏ、ＡｇＮＯ3 、ＡｇＣｌ等の銀化合物の
微粒子0.5gを水100gに溶解し、種々の濃度の下層用塗布
液を調製した。また、メチルシリケート 8重量部、硝酸
0.03重量部、エタノ一ル 500重量部および水15重量部を
混合したシリケート溶液100gに対して、還元性物質であ
るＮａＢＨ4 またはＬｉＡｌＨ4 を、それぞれ0.01重量
％の割合で添加混合し、ＮａＢＨ4 を含有する上層用塗
布液ＡとＬｉＡｌＨ4 を含有する上層用塗布液Ｂをそれ
ぞれ調製した。
微粒子0.5gを水100gに溶解し、種々の濃度の下層用塗布
液を調製した。また、メチルシリケート 8重量部、硝酸
0.03重量部、エタノ一ル 500重量部および水15重量部を
混合したシリケート溶液100gに対して、還元性物質であ
るＮａＢＨ4 またはＬｉＡｌＨ4 を、それぞれ0.01重量
％の割合で添加混合し、ＮａＢＨ4 を含有する上層用塗
布液ＡとＬｉＡｌＨ4 を含有する上層用塗布液Ｂをそれ
ぞれ調製した。
【００２２】次に、組立て終了後の 6インチ車載パネル
の外表面を酸化セリウムによりバフ研磨し、ゴミ、ほこ
り、油分等を除去した後、前記した各種濃度の下層用塗
布液を、それぞれスピンコート法により塗布し、種々の
膜厚に成膜した。塗布条件は、パネル（塗布面）温度が
45℃、回転速度が液注入時80rpm-5sec、液振りきり（成
膜）時 150rpm- 80secとした。次いで、こうして形成さ
れた下層塗膜の上に、実施例１では上層用塗布液Ａを、
実施例２では上層用塗布液Ｂを、それぞれスピンコート
法により液注入時80rpm-5sec、液振りきり時 150rpm- 8
0secの条件で塗布し成膜した後、上下層を 210℃の温度
で30分間焼成した。
の外表面を酸化セリウムによりバフ研磨し、ゴミ、ほこ
り、油分等を除去した後、前記した各種濃度の下層用塗
布液を、それぞれスピンコート法により塗布し、種々の
膜厚に成膜した。塗布条件は、パネル（塗布面）温度が
45℃、回転速度が液注入時80rpm-5sec、液振りきり（成
膜）時 150rpm- 80secとした。次いで、こうして形成さ
れた下層塗膜の上に、実施例１では上層用塗布液Ａを、
実施例２では上層用塗布液Ｂを、それぞれスピンコート
法により液注入時80rpm-5sec、液振りきり時 150rpm- 8
0secの条件で塗布し成膜した後、上下層を 210℃の温度
で30分間焼成した。
【００２３】また比較例として、還元性物質を含まない
シリケート溶液を上層用塗布液とし、これを実施例と同
様に下層塗膜の上にスピンコート法により塗布し成膜し
た後、実施例と同様に上下層を同時に焼成した。
シリケート溶液を上層用塗布液とし、これを実施例と同
様に下層塗膜の上にスピンコート法により塗布し成膜し
た後、実施例と同様に上下層を同時に焼成した。
【００２４】次いで、実施例１、２および比較例でそれ
ぞれ得られた表面処理膜について、光（白色光）の透過
率と表面抵抗値とをそれぞれ測定した。なお、表面抵抗
値は、 Loresta IP MCP-T250（油化電子社製）を使用し
て測定した。これらの測定結果を、透過率と表面抵抗値
との関係を表すグラフとして、図１に示す。
ぞれ得られた表面処理膜について、光（白色光）の透過
率と表面抵抗値とをそれぞれ測定した。なお、表面抵抗
値は、 Loresta IP MCP-T250（油化電子社製）を使用し
て測定した。これらの測定結果を、透過率と表面抵抗値
との関係を表すグラフとして、図１に示す。
【００２５】この図１から、上層用塗布液に還元性物質
であるＮａＢＨ4 またはＬｉＡｌＨ4 を添加し、銀化合
物の微粒子からなる下層塗膜の上に、これらの還元性物
質を含むシリカ層を形成した実施例１、２の表面処理膜
では、上層にこれらの還元性物質を含有しない比較例の
表面処理膜に比べて、高い透明性が得られる広い透過率
範囲で、表面抵抗値が大幅に低下しており、ＡＥＦ防止
に有効な低い表面抵抗値を有することがわかる。
であるＮａＢＨ4 またはＬｉＡｌＨ4 を添加し、銀化合
物の微粒子からなる下層塗膜の上に、これらの還元性物
質を含むシリカ層を形成した実施例１、２の表面処理膜
では、上層にこれらの還元性物質を含有しない比較例の
表面処理膜に比べて、高い透明性が得られる広い透過率
範囲で、表面抵抗値が大幅に低下しており、ＡＥＦ防止
に有効な低い表面抵抗値を有することがわかる。
【００２６】実施例３、４ まず、メチルシリケート 8重量部、硝酸0.03重量部、エ
タノ一ル 500重量部および水15重量部を混合したシリケ
ート溶液100gに対して、配位・安定化剤としてジエタノ
ールアミン（ＤＥＡ）または3%アンモニア水を、それぞ
れ0.01〜0.05重量％の割合で添加混合し、ＤＥＡを含有
する上層用塗布液Ｃとアンモニアを含有する上層用塗布
液Ｄとをそれぞれ調製した。
タノ一ル 500重量部および水15重量部を混合したシリケ
ート溶液100gに対して、配位・安定化剤としてジエタノ
ールアミン（ＤＥＡ）または3%アンモニア水を、それぞ
れ0.01〜0.05重量％の割合で添加混合し、ＤＥＡを含有
する上層用塗布液Ｃとアンモニアを含有する上層用塗布
液Ｄとをそれぞれ調製した。
【００２７】次に、実施例１と同様に 6インチ車載パネ
ル外表面に形成した下層塗膜の上に、実施例３では上層
用塗布液Ｃを、実施例４では上層用塗布液Ｄを、それぞ
れ実施例１と同様にスピンコート法により塗布し成膜し
た後、上下層を 210℃の温度で30分間焼成した。
ル外表面に形成した下層塗膜の上に、実施例３では上層
用塗布液Ｃを、実施例４では上層用塗布液Ｄを、それぞ
れ実施例１と同様にスピンコート法により塗布し成膜し
た後、上下層を 210℃の温度で30分間焼成した。
【００２８】次いで、実施例３、４でそれぞれ得られた
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ実施例１と同様にして測定した。これらの測定結果
を、前記した比較例についての測定結果とともに、図２
に示す。
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ実施例１と同様にして測定した。これらの測定結果
を、前記した比較例についての測定結果とともに、図２
に示す。
【００２９】図２から、上層用塗布液に銀の配位・安定
化剤であるＤＥＡまたはアンモニアを添加し、銀化合物
の微粒子からなる下層塗膜の上に、これらの安定化剤を
含む上層を形成した実施例３、４の表面処理膜では、上
層にこれらの安定化剤を含有しない比較例の表面処理膜
に比べて、高い透明性が得られる広い透過率範囲で、表
面抵抗値が大幅に低下しており、ＡＥＦ防止に有効な低
い表面抵抗値を有することがわかる。
化剤であるＤＥＡまたはアンモニアを添加し、銀化合物
の微粒子からなる下層塗膜の上に、これらの安定化剤を
含む上層を形成した実施例３、４の表面処理膜では、上
層にこれらの安定化剤を含有しない比較例の表面処理膜
に比べて、高い透明性が得られる広い透過率範囲で、表
面抵抗値が大幅に低下しており、ＡＥＦ防止に有効な低
い表面抵抗値を有することがわかる。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ＴＶブラウン管やコンピューターのディスプ
レイ管のような陰極線管において、電磁波シールド膜に
要求される性能を満足させる透明導電膜が得られ、ＡＥ
Ｆ防止を有効に達成することができる。
によれば、ＴＶブラウン管やコンピューターのディスプ
レイ管のような陰極線管において、電磁波シールド膜に
要求される性能を満足させる透明導電膜が得られ、ＡＥ
Ｆ防止を有効に達成することができる。
【００３１】また、塗布法（ウェット法）という簡便で
効率的な方法を用いて、従来の塗布法では得られなかっ
た安定した低い表面抵抗値、高コントラストを有する透
明導電膜を、安価に形成することができ、高性能の陰極
線管を得ることができる。
効率的な方法を用いて、従来の塗布法では得られなかっ
た安定した低い表面抵抗値、高コントラストを有する透
明導電膜を、安価に形成することができ、高性能の陰極
線管を得ることができる。
【図１】実施例１、２および比較例でそれぞれ得られた
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ測定した結果を示すグラフ。
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ測定した結果を示すグラフ。
【図２】実施例３、４および比較例でそれぞれ得られた
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ測定した結果を示すグラフ。
表面処理膜について、光の透過率と表面抵抗値とをそれ
ぞれ測定した結果を示すグラフ。
Claims (4)
- 【請求項１】 フェースプレートの前面パネルの外表面
に、少なくとも１層の導電層を有し、かつ該導電層を含
めた２層以上の積層による反射防止膜を有する陰極線管
において、 前記導電層が、導電性金属またはその化合物の微粒子か
ら構成され、かつこの導電層の直上に、還元性物質を含
有する層を設けたことを特徴とする陰極線管。 - 【請求項２】 前記導電層または前記還元性物質を含有
する層が、前記導電性金属またはその化合物に配位して
安定させる物質を含有することを特徴とする請求項１記
載の陰極線管。 - 【請求項３】 フェースプレートの前面パネルの外表面
に、少なくとも１層の導電層を有し、かつ該導電層を含
めた２層以上の積層による反射防止膜を有する陰極線管
において、 前記導電層が、導電性金属またはその化合物の微粒子か
ら構成され、かつこの導電層またはその直上の層が、前
記導電性金属またはその化合物に配位して安定させる物
質を含有することを特徴とする陰極線管。 - 【請求項４】 前記導電性金属が銀であることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１項記載の陰極線管。
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|---|---|---|---|
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| TW086114703A TW350963B (en) | 1996-10-09 | 1997-10-07 | Conductive reflection film and the cathode ray tube |
| US08/947,104 US5962966A (en) | 1996-10-09 | 1997-10-08 | Conductive anti-reflection film for cathode ray tube |
| DE69721684T DE69721684T2 (de) | 1996-10-09 | 1997-10-08 | Herstellung einer leitenden Antireflektionsschicht und einer Kathodenstrahlröhre |
| MYPI97004722A MY120956A (en) | 1996-10-09 | 1997-10-08 | Conductive anti-reflection film and cathode ray tube |
| KR1019970052668A KR100253066B1 (ko) | 1996-10-09 | 1997-10-08 | 도전성 반사방지막 및 음극선관 |
| EP97307936A EP0836216B1 (en) | 1996-10-09 | 1997-10-08 | Manufacture of a conductive anti-reflection film and of a cathode ray tube |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JPH10114548A true JPH10114548A (ja) | 1998-05-06 |
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| EP (1) | EP0836216B1 (ja) |
| JP (1) | JP3884110B2 (ja) |
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| KR20100065658A (ko) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치 |
| WO2015099501A1 (ko) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 주식회사 포스코 | 발색 처리된 기재 및 이를 위한 기재의 발색 처리방법 |
| CN105989988B (zh) * | 2015-02-11 | 2018-10-30 | 华为技术有限公司 | 一种一体成型电感 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0644455B2 (ja) * | 1984-03-17 | 1994-06-08 | ソニー株式会社 | 陰極線管 |
| JPH0740464B2 (ja) * | 1984-11-14 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | ブラウン管の製造方法 |
| JPS61118932A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-06 | Hitachi Ltd | ブラウン管の製造方法 |
| JPS61248212A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| US4663685A (en) * | 1985-08-15 | 1987-05-05 | International Business Machines | Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias |
| JPH088080B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-01-29 | 株式会社東芝 | 陰極線管及び陰極線管の製造方法 |
| JP2625841B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1997-07-02 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜の製造方法、ターゲット材料及びタブレット材料 |
| KR900702556A (ko) * | 1988-08-08 | 1990-12-07 | 기시다 기요사꾸 | 브라운관용 패널 |
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| JPH03205607A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-09-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
| JPH03296907A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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