JPH05151839A - 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 - Google Patents
導電膜及び低反射導電膜の製造方法Info
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- JPH05151839A JPH05151839A JP33998591A JP33998591A JPH05151839A JP H05151839 A JPH05151839 A JP H05151839A JP 33998591 A JP33998591 A JP 33998591A JP 33998591 A JP33998591 A JP 33998591A JP H05151839 A JPH05151839 A JP H05151839A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｒｕ化合物と、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元素の化合物のうち少な
くとも１種とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱
して導電膜を形成する。この導電膜上に、Ｓｉアルコキ
シド等を含む液を塗布後加熱して、導電膜より低屈折率
の膜を形成して、２層からなる低反射導電膜を形成す
る。 【効果】真空を必要とする大がかりな装置を用いずに、
効率良く優れた低反射導電膜を形成できる。
ｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元素の化合物のうち少な
くとも１種とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱
して導電膜を形成する。この導電膜上に、Ｓｉアルコキ
シド等を含む液を塗布後加熱して、導電膜より低屈折率
の膜を形成して、２層からなる低反射導電膜を形成す
る。 【効果】真空を必要とする大がかりな装置を用いずに、
効率良く優れた低反射導電膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はブラウン管パネル等のガ
ラス基体表面に塗布される導電膜及び低反射導電膜に関
するものである。
ラス基体表面に塗布される導電膜及び低反射導電膜に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するため起動
時、或いは終了時に該表面に静電気が誘発される。この
静電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下
を引き起こしたり、或いは直接触れた際軽い電気ショッ
クによる不快感を生ずることが多い。
時、或いは終了時に該表面に静電気が誘発される。この
静電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下
を引き起こしたり、或いは直接触れた際軽い電気ショッ
クによる不快感を生ずることが多い。
【０００３】従来、上述の事柄を防止するためにブラウ
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
【０００４】また近年、電磁波ノイズによる電子機器へ
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
【０００５】また低反射膜のコーティング法は、従来よ
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。
【０００６】従来の方法は例えば特開昭６１−１１８９
３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる
ために表面に微細な凹凸を有するＳｉＯ2層を付着させ
たり、フッ酸により表面をエッチングして凹凸を設ける
等の方法がとられてきた。しかし、これらの方法は、外
部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低
反射層を設ける手法でないため、反射率の低減には限界
があり、またブラウン管などにおいては、解像度を低下
させる原因ともなっていた。
３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる
ために表面に微細な凹凸を有するＳｉＯ2層を付着させ
たり、フッ酸により表面をエッチングして凹凸を設ける
等の方法がとられてきた。しかし、これらの方法は、外
部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低
反射層を設ける手法でないため、反射率の低減には限界
があり、またブラウン管などにおいては、解像度を低下
させる原因ともなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術が有
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理が可能な高特性の低反射導電膜を新規に提供す
ることを目的とするものである。
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理が可能な高特性の低反射導電膜を新規に提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、Ｒｕ化合物と、Ｔｌ、
Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元
素の化合物の内少なくとも１種とを含む塗布液を基体上
に塗布した後、加熱することにより導電膜を形成するこ
とを特徴とする導電膜の製造方法を提供するものであ
る。
解決すべくなされたものであり、Ｒｕ化合物と、Ｔｌ、
Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元
素の化合物の内少なくとも１種とを含む塗布液を基体上
に塗布した後、加熱することにより導電膜を形成するこ
とを特徴とする導電膜の製造方法を提供するものであ
る。
【０００９】本発明において用いる塗布液は、Ｒｕ化合
物と、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土
類元素の各元素の化合物の内少なくとも１種とを含むこ
とが必須である。
物と、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土
類元素の各元素の化合物の内少なくとも１種とを含むこ
とが必須である。
【００１０】本発明に用いるＲｕ化合物としては特に限
定されるものではないが、塩化ルテニウム等のルテニウ
ム塩や、キレート配位子等が配位した錯体等が挙げられ
る。例えば塩化ルテニウム、β−ジケトンまたはケトエ
ステルと錯体を形成するＲｕ、そのＲｕの塩、ルテニウ
ムレッド、ヘキサアンミンルテニウム(III) 塩、ペンタ
アンミン（二窒素）ルテニウム（II）塩、クロロペンタ
アンミンルテニウム (III)塩、ｃｉｓ−ジクロロテトラ
アンミンルテニウム(III) 塩化物−水和物、トリス（エ
チレンジアミン）ルテニウム（II）塩、酢酸ルテニウ
ム、臭化ルテニウム、フッ化ルテニウム、及びその加水
分解物のうち少なくとも１種が何れも好ましく使用可能
である。
定されるものではないが、塩化ルテニウム等のルテニウ
ム塩や、キレート配位子等が配位した錯体等が挙げられ
る。例えば塩化ルテニウム、β−ジケトンまたはケトエ
ステルと錯体を形成するＲｕ、そのＲｕの塩、ルテニウ
ムレッド、ヘキサアンミンルテニウム(III) 塩、ペンタ
アンミン（二窒素）ルテニウム（II）塩、クロロペンタ
アンミンルテニウム (III)塩、ｃｉｓ−ジクロロテトラ
アンミンルテニウム(III) 塩化物−水和物、トリス（エ
チレンジアミン）ルテニウム（II）塩、酢酸ルテニウ
ム、臭化ルテニウム、フッ化ルテニウム、及びその加水
分解物のうち少なくとも１種が何れも好ましく使用可能
である。
【００１１】またＴｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、及び希土類元素の各元素の化合物としても特に限定
されるものではなく塩化物、硝酸塩等の塩類、或いは有
機金属化合物、アルコキシド、キレート錯体等が好まし
く採用可能である。
ａ、及び希土類元素の各元素の化合物としても特に限定
されるものではなく塩化物、硝酸塩等の塩類、或いは有
機金属化合物、アルコキシド、キレート錯体等が好まし
く採用可能である。
【００１２】更にＲｕ化合物と、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃ
ｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元素の化合物との
混合比は、金属元素のモル比で２：１〜１：２であるこ
とが好ましく、特に１：１であれば化学量論に合った安
定な化合物となるので好ましい。
ｄ、Ｓｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元素の化合物との
混合比は、金属元素のモル比で２：１〜１：２であるこ
とが好ましく、特に１：１であれば化学量論に合った安
定な化合物となるので好ましい。
【００１３】塗布液の溶媒としては、水かつ／又は有機
溶媒が挙げられる。親水性有機溶媒としてはメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等アルコー
ル類、エチルセロソルブ等エーテル類が任意に使用でき
る。
溶媒が挙げられる。親水性有機溶媒としてはメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等アルコー
ル類、エチルセロソルブ等エーテル類が任意に使用でき
る。
【００１４】また本発明において用いる塗布液には膜の
付着強度及び硬度を向上させるためにバインダーとし
て、Ｓｉ（ＯＲ1 ）y ・（Ｒ2 ）4-y （ｙ＝３又は４、
Ｒ1 及びＲ2 はアルキル基）等のＳｉ化合物またはその
加水分解物を含有する溶液を添加することも可能であ
る。その際加水分解の触媒としてはＨＣｌ、ＨＮＯ3 、
ＣＨ3 ＣＯＯＨ等を用いることができる。
付着強度及び硬度を向上させるためにバインダーとし
て、Ｓｉ（ＯＲ1 ）y ・（Ｒ2 ）4-y （ｙ＝３又は４、
Ｒ1 及びＲ2 はアルキル基）等のＳｉ化合物またはその
加水分解物を含有する溶液を添加することも可能であ
る。その際加水分解の触媒としてはＨＣｌ、ＨＮＯ3 、
ＣＨ3 ＣＯＯＨ等を用いることができる。
【００１５】さらに基体との濡れ性を向上させるために
種々の界面活性剤を添加することもできる。またさらに
はＴｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ａｌ化合物、Ｓｎ化合物等
を混合することもできる。Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｎ、の
各化合物としては、アルコキシド、金属塩及び、それら
の加水分解物等、何れも使用可能である。
種々の界面活性剤を添加することもできる。またさらに
はＴｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ａｌ化合物、Ｓｎ化合物等
を混合することもできる。Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｎ、の
各化合物としては、アルコキシド、金属塩及び、それら
の加水分解物等、何れも使用可能である。
【００１６】塗布液にはＳｉ化合物Ｓｉ（ＯＲ1 ）y ・
（Ｒ2 ）4-y は任意の比で混合することができるが、導
電性の発現、膜強度を考慮に入れると、その混合比はＲ
ｕＯ2 ／ＳｉＯ2 換算で１／６から１０／１まで混合す
ることが好ましい。さらに好ましくは１／４から３／１
にするとよい。
（Ｒ2 ）4-y は任意の比で混合することができるが、導
電性の発現、膜強度を考慮に入れると、その混合比はＲ
ｕＯ2 ／ＳｉＯ2 換算で１／６から１０／１まで混合す
ることが好ましい。さらに好ましくは１／４から３／１
にするとよい。
【００１７】また液中の固形分含量は０．０５〜１０ｗ
ｔ％含まれることができるがさらに好ましくは０．３〜
５．０ｗｔ％にするとよい。液の濃度が高くなると液の
保存安定性が悪くなる。また液の濃度が低いと膜厚がう
すくなり、表面抵抗値が充分に小さくならない。従っ
て、この範囲の濃度が好ましい。
ｔ％含まれることができるがさらに好ましくは０．３〜
５．０ｗｔ％にするとよい。液の濃度が高くなると液の
保存安定性が悪くなる。また液の濃度が低いと膜厚がう
すくなり、表面抵抗値が充分に小さくならない。従っ
て、この範囲の濃度が好ましい。
【００１８】かかる塗布液の基体上への塗布方法として
は従来使用してきた方法、即ちスピンコート、ディップ
コート、スプレーコート法等が好適に使用できる。ま
た、スプレーコートして表面に凹凸を形成し防眩効果も
併せて付与してもよく、その場合、導電膜となった本発
明品の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよ
い。
は従来使用してきた方法、即ちスピンコート、ディップ
コート、スプレーコート法等が好適に使用できる。ま
た、スプレーコートして表面に凹凸を形成し防眩効果も
併せて付与してもよく、その場合、導電膜となった本発
明品の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよ
い。
【００１９】本発明においては、光の干渉を利用して低
反射導電膜を形成することができる。例えば基体がガラ
ス（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上
に、ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．
２３となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を
低減できる。
反射導電膜を形成することができる。例えば基体がガラ
ス（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上
に、ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．
２３となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を
低減できる。
【００２０】かかる２層からなる低反射導電膜の最外層
の低屈折率膜としてはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液や、Ｓｉ
アルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる少なくとも
１種よりなる溶液を用いて形成する。屈折率の面からみ
ると該材料のうちＭｇＦ2 が最も低く反射率低減のため
にはＭｇＦ2ゾルを含む溶液を用いることが好ましい
が、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分とす
る膜が好ましい。
の低屈折率膜としてはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液や、Ｓｉ
アルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる少なくとも
１種よりなる溶液を用いて形成する。屈折率の面からみ
ると該材料のうちＭｇＦ2 が最も低く反射率低減のため
にはＭｇＦ2ゾルを含む溶液を用いることが好ましい
が、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分とす
る膜が好ましい。
【００２１】かかる低屈折率膜形成用のＳｉアルコキシ
ドを含む溶液としては種々の液が使用可能であるが、Ｓ
ｉ（ＯＲ1 ）m （Ｒ2 ）n （ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、
Ｒ1、Ｒ2 ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示されるＳｉ
アルコキシドあるいは部分加水分解物を含む液が挙げら
れる。例えば、シリコンエトキシド、シリコンメトキシ
ド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシドの
モノマーあるいは重合体が好ましく使用可能である。
ドを含む溶液としては種々の液が使用可能であるが、Ｓ
ｉ（ＯＲ1 ）m （Ｒ2 ）n （ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、
Ｒ1、Ｒ2 ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示されるＳｉ
アルコキシドあるいは部分加水分解物を含む液が挙げら
れる。例えば、シリコンエトキシド、シリコンメトキシ
ド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブトキシドの
モノマーあるいは重合体が好ましく使用可能である。
【００２２】シリコンアルコキシドはアルコール、エス
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、また前
記溶液に塩酸、硝酸、酢酸、フッ酸あるいはアンモニア
水溶液を添加して加水分解して用いることもできる。ま
た前記Ｓｉアルコキシドは溶媒に対して、１〜３０ｗｔ
％含まれていることが好ましい。干渉効果による低反射
性を発現させるためには膜厚のコントロールが重要にな
るが、上述の塗布方法で低反射性を発現させる膜厚を得
るにはこの範囲の濃度が好ましい。
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、また前
記溶液に塩酸、硝酸、酢酸、フッ酸あるいはアンモニア
水溶液を添加して加水分解して用いることもできる。ま
た前記Ｓｉアルコキシドは溶媒に対して、１〜３０ｗｔ
％含まれていることが好ましい。干渉効果による低反射
性を発現させるためには膜厚のコントロールが重要にな
るが、上述の塗布方法で低反射性を発現させる膜厚を得
るにはこの範囲の濃度が好ましい。
【００２３】この低屈折率膜形成用溶液には膜の強度向
上のためにバインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ等のア
ルコキシドや、これらの部分加水分解物を添加して、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１種、また
は２種以上の複合物をＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 と同時に析出
させてもよい。あるいは、基体との濡れ性をあげるため
に界面活性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤
としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム、アルキルエーテル硫酸エステル等が挙げられる。
上のためにバインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ等のア
ルコキシドや、これらの部分加水分解物を添加して、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１種、また
は２種以上の複合物をＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 と同時に析出
させてもよい。あるいは、基体との濡れ性をあげるため
に界面活性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤
としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム、アルキルエーテル硫酸エステル等が挙げられる。
【００２４】本発明の低反射導電膜の製造方法は、多層
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
【００２５】本発明の導電膜を形成する基体としてはブ
ラウン管パネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、
クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴあるいはＬＣＤ等の表
示装置の前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用
いることができる。
ラウン管パネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、
クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴあるいはＬＣＤ等の表
示装置の前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用
いることができる。
【００２６】本発明におけるＲｕ化合物を含む塗布液は
それ自体で基体上への塗布液として供し得るため、低沸
点の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥の均一な膜が得
られるが、高沸点溶媒を用いた場合或いは膜の強度を向
上させたい場合、塗布した基板を加熱する。加熱温度の
上限は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化
点によって決定される。この点も考慮すると好ましい温
度範囲は１００〜５００℃である。
それ自体で基体上への塗布液として供し得るため、低沸
点の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥の均一な膜が得
られるが、高沸点溶媒を用いた場合或いは膜の強度を向
上させたい場合、塗布した基板を加熱する。加熱温度の
上限は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化
点によって決定される。この点も考慮すると好ましい温
度範囲は１００〜５００℃である。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ更に説明を行う
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例にて、得られた膜の評価方法は次の通
りである。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例にて、得られた膜の評価方法は次の通
りである。
【００２８】１）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）により膜表面の表
面抵抗値を測定した。
面抵抗値を測定した。
【００２９】２）耐擦傷性 １ｋｇ荷重下で（ＬＩＯＮ製５０−５０）で膜表面を２
００回往復後、その表面の傷の付きを目視で判断した。
評価基準は以下の通りとした。 ○：傷が全くつかない △：傷が多少つく ×：一部に膜剥離が生じる
００回往復後、その表面の傷の付きを目視で判断した。
評価基準は以下の通りとした。 ○：傷が全くつかない △：傷が多少つく ×：一部に膜剥離が生じる
【００３０】３）鉛筆硬度 １ｋｇ荷重下において、鉛筆で膜表面を走査しその後目
視により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬
度と判断した。 ４）視感反射率 ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器により多層膜４
００〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
視により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬
度と判断した。 ４）視感反射率 ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器により多層膜４
００〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
【００３１】［実施例１］ＲｕＣｌ3 ・ｎＨ2 Ｏ及びＢ
ｉ（ＮＯ3 ）・５Ｈ2 ＯをＲｕ：Ｂｉモル比で１：１と
なるようにエタノールに溶かし、液濃度をＢｉ2 Ｒｕ2
Ｏ7 換算で３重量％となるように調整した。この液をＡ
液とする。ケイ酸エチルをエタノールに溶かし、ＨＣｌ
水溶液を添加して加水分解し、ＳｉＯ2 換算で３重量％
となるようにした。この溶液をＢ液とする。Ｔｉ（Ｃ5
Ｈ7 Ｏ2 ）2 （ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエタノールに溶かし塩
酸水溶液で加水分解し、この液をＣ液とした。
ｉ（ＮＯ3 ）・５Ｈ2 ＯをＲｕ：Ｂｉモル比で１：１と
なるようにエタノールに溶かし、液濃度をＢｉ2 Ｒｕ2
Ｏ7 換算で３重量％となるように調整した。この液をＡ
液とする。ケイ酸エチルをエタノールに溶かし、ＨＣｌ
水溶液を添加して加水分解し、ＳｉＯ2 換算で３重量％
となるようにした。この溶液をＢ液とする。Ｔｉ（Ｃ5
Ｈ7 Ｏ2 ）2 （ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエタノールに溶かし塩
酸水溶液で加水分解し、この液をＣ液とした。
【００３２】ＲｕＯ2 とＴｉＯ2 とＳｉＯ2 を種々の比
になるようにＡ液、Ｂ液、Ｃ液を混合した溶液を直径７
０ｍｍのガラス板表面に２０００ｒｐｍの回転速度で５
秒間スピンコート法で塗布し、その後４５０℃で１０分
加熱した。更にこの膜の上にＢ液を１５００ｒｐｍの回
転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４５０
℃で１０分加熱した。結果を表１に示す。なお、表１中
の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示す。
になるようにＡ液、Ｂ液、Ｃ液を混合した溶液を直径７
０ｍｍのガラス板表面に２０００ｒｐｍの回転速度で５
秒間スピンコート法で塗布し、その後４５０℃で１０分
加熱した。更にこの膜の上にＢ液を１５００ｒｐｍの回
転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４５０
℃で１０分加熱した。結果を表１に示す。なお、表１中
の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】［実施例２］ＳｎＣｌ4 ・ｎＨ2 ＯをＳｎ
Ｏ2 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした
溶液をＤ液とする。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更
した以外は実施例１と同様に行った。結果を表２に示
す。なお、表２中の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分
中の割合を示す。
Ｏ2 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした
溶液をＤ液とする。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更
した以外は実施例１と同様に行った。結果を表２に示
す。なお、表２中の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分
中の割合を示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】［実施例３］ＺｒＣｌ4 をＺｒＯ2 換算で
３重量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液
とする。実施例１におけるＣ液をＥ液に変更した以外は
実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。なお、表
３中の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示
す。
３重量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液
とする。実施例１におけるＣ液をＥ液に変更した以外は
実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。なお、表
３中の各成分の割合（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示
す。
【００３７】
【表３】
【００３８】［実施例４］Ａｌ（ＯＣ3 Ｈ7 ）2 （Ｃ6
Ｈ10Ｏ3 ）をＡｌ2 Ｏ3 換算で３重量％となるようにエ
タノールに溶かした溶液をＦ液とする。実施例１におけ
るＣ液をＦ液に変更した以外は実施例１と同様に行っ
た。結果を表４に示す。なお、表４中の各成分の割合
（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示す。
Ｈ10Ｏ3 ）をＡｌ2 Ｏ3 換算で３重量％となるようにエ
タノールに溶かした溶液をＦ液とする。実施例１におけ
るＣ液をＦ液に変更した以外は実施例１と同様に行っ
た。結果を表４に示す。なお、表４中の各成分の割合
（ｗｔ％）は、固形分中の割合を示す。
【００３９】
【表４】
【００４０】［実施例５］ＲｕＣｌ3 ・ｎＨ2 Ｏ及び表
５に示した金属化合物をＲｕ：Ｍｅ（Ｍｅ：金属）モル
比で１：１となるようにエタノールに溶かし、液濃度を
Ｍｅ2 Ｒｕ2 Ｏ7（Ｍｅ：金属）換算で３重量％となる
ように調整した。この液をＪ液とする。ケイ酸エチルを
エタノールに溶かし、ＨＣｌ水溶液で加水分解し、Ｓｉ
Ｏ2 換算で３重量％となるようにした。この溶液をＫ液
とする。Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ 2）2 （ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエ
タノールに溶かし塩酸水溶液で加水分解し、この液をＬ
液とした。
５に示した金属化合物をＲｕ：Ｍｅ（Ｍｅ：金属）モル
比で１：１となるようにエタノールに溶かし、液濃度を
Ｍｅ2 Ｒｕ2 Ｏ7（Ｍｅ：金属）換算で３重量％となる
ように調整した。この液をＪ液とする。ケイ酸エチルを
エタノールに溶かし、ＨＣｌ水溶液で加水分解し、Ｓｉ
Ｏ2 換算で３重量％となるようにした。この溶液をＫ液
とする。Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ 2）2 （ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエ
タノールに溶かし塩酸水溶液で加水分解し、この液をＬ
液とした。
【００４１】Ｒｕ2 Ｍｅ2 Ｏ7 とＴｉＯ2 とＳｉＯ2 が
６：３：１の比になるようにＪ液、Ｋ液、Ｌ液を混合し
た溶液を直径７０ｍｍのガラス板表面に２０００ｒｐｍ
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４
５０℃で１０分加熱した。更にこの膜の上にＢ液を１５
００ｒｐｍの回転速度で５秒間スピンコート法で塗布
し、その後４５０℃で１０分加熱した。結果を表５に示
す。
６：３：１の比になるようにＪ液、Ｋ液、Ｌ液を混合し
た溶液を直径７０ｍｍのガラス板表面に２０００ｒｐｍ
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４
５０℃で１０分加熱した。更にこの膜の上にＢ液を１５
００ｒｐｍの回転速度で５秒間スピンコート法で塗布
し、その後４５０℃で１０分加熱した。結果を表５に示
す。
【００４２】
【表５】
【００４３】［比較例］平均粒径６０ÅのＳｎＯ2 をサ
ンドミルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間加
熱解膠した後、ケイ酸エチルを加水分解しエタノールに
ＳｉＯ2 換算で３重量％添加した溶液をＳｎＯ2 とＳｉ
Ｏ2 ＝２／１ｗｔ比になるように調製し、直径７０ｍｍ
のガラス板表面に７５０ｒｐｍの回転速度で５秒間スピ
ンコート法で塗布し、その後４５０℃で１０分加熱し
た。
ンドミルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間加
熱解膠した後、ケイ酸エチルを加水分解しエタノールに
ＳｉＯ2 換算で３重量％添加した溶液をＳｎＯ2 とＳｉ
Ｏ2 ＝２／１ｗｔ比になるように調製し、直径７０ｍｍ
のガラス板表面に７５０ｒｐｍの回転速度で５秒間スピ
ンコート法で塗布し、その後４５０℃で１０分加熱し
た。
【００４４】さらにこの膜の上にＢ液を１５００ｒｐｍ
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、４５０℃
で１０分加熱した。このコート膜の表面抵抗値は１×１
０8（Ω／□）、膜強度は×、鉛筆硬度はＨＢ、視感反
射率は０．８％であった。
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、４５０℃
で１０分加熱した。このコート膜の表面抵抗値は１×１
０8（Ω／□）、膜強度は×、鉛筆硬度はＨＢ、視感反
射率は０．８％であった。
【００４５】
【発明の効果】本発明によればスプレーまたはスピンコ
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた低反射導電膜を提供することが可
能となる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴの
パネルフェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、
量産も可能であるため工業的価値は非常に高い。
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた低反射導電膜を提供することが可
能となる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴの
パネルフェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、
量産も可能であるため工業的価値は非常に高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 9/20 7161−5Ｅ (72)発明者 阿部 啓介 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 久保田 恵子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】Ｒｕ化合物と、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、
Ｓｒ、Ｂａ、及び希土類元素の各元素の化合物の内少な
くとも１種とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱
することにより導電膜を形成することを特徴とする導電
膜の製造方法。 - 【請求項２】塗布液が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｎ
の各元素の化合物の内少なくとも１種を含むことを特徴
とする請求項１の導電膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は２の製造方法によって導電膜
を形成し、その上に、かかる導電膜より低屈折率を有す
る膜を形成することにより、２層からなる低反射導電膜
を製造することを特徴とする低反射導電膜の製造方法。 - 【請求項４】請求項３の製造方法によって得られた低反
射導電膜。 - 【請求項５】請求項３の製造方法によってガラス基体上
に低反射導電膜を形成したガラス物品。 - 【請求項６】請求項３の製造方法によってブラウン管表
面に低反射導電膜を形成したブラウン管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33998591A JPH05151839A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33998591A JPH05151839A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151839A true JPH05151839A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18332645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33998591A Withdrawn JPH05151839A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05151839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005162914A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線遮断膜、紫外線遮断用金属酸化物粒子および紫外線遮断材料形成用組成物 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP33998591A patent/JPH05151839A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005162914A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線遮断膜、紫外線遮断用金属酸化物粒子および紫外線遮断材料形成用組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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