JPH05132341A - 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 - Google Patents
導電膜及び低反射導電膜の製造方法Info
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- JPH05132341A JPH05132341A JP32149591A JP32149591A JPH05132341A JP H05132341 A JPH05132341 A JP H05132341A JP 32149591 A JP32149591 A JP 32149591A JP 32149591 A JP32149591 A JP 32149591A JP H05132341 A JPH05132341 A JP H05132341A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ルテニウム化合物と、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｓｎ等の化合物を含む塗布液をガラス基体上に塗
布、加熱して導電膜を形成する。さらにその上に低屈折
率膜を形成し、低反射導電膜を形成する。 【効果】大面積にわたり、効率よく優れた低反射導電膜
を形成できる。
ｌ、Ｓｎ等の化合物を含む塗布液をガラス基体上に塗
布、加熱して導電膜を形成する。さらにその上に低屈折
率膜を形成し、低反射導電膜を形成する。 【効果】大面積にわたり、効率よく優れた低反射導電膜
を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はブラウン管パネル等のガ
ラス基体表面に塗布される低反射導電膜に関するもので
ある。
ラス基体表面に塗布される低反射導電膜に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するため起動
時、或は終了時に該表面に静電気が誘発される。この静
電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下を
引き起こしたり、或は直接触れた際軽い電気ショックに
よる不快感を生ずることが多い。
時、或は終了時に該表面に静電気が誘発される。この静
電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下を
引き起こしたり、或は直接触れた際軽い電気ショックに
よる不快感を生ずることが多い。
【０００３】従来、上述の事柄を防止するためにブラウ
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が，この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が，この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
【０００４】また近年、電磁波ノイズによる電子機器へ
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に過電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電解強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に過電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電解強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
【０００５】また低反射膜のコーティング法は、従来よ
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。
【０００６】従来の方法は例えば特開昭６１−１１８９
３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる
ために表面に微細な凹凸を有するSiO2層を付着させた
り、フッ酸により表面をエッチングして凹凸を設ける等
の方法がとられてきた。しかし、これらの方法は、外部
光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反
射層を設ける手法でないため、反射率の低減には限界が
あり、又ブラウン管などにおいては、解像度を低下させ
る原因ともなっていた。
３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる
ために表面に微細な凹凸を有するSiO2層を付着させた
り、フッ酸により表面をエッチングして凹凸を設ける等
の方法がとられてきた。しかし、これらの方法は、外部
光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反
射層を設ける手法でないため、反射率の低減には限界が
あり、又ブラウン管などにおいては、解像度を低下させ
る原因ともなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術が有
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理が可能な高特性の低反射導電膜を新規に提供す
ることを目的とする。
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理が可能な高特性の低反射導電膜を新規に提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、特にブラウン管のフェ
イス面等のガラス基体に被着された酸化ルテニウムを含
む導電膜を基体側に、更にこの膜より低屈折率を有する
膜を空気側に配した、２層からなる高性能低反射導電
膜、及びブラウン管のフェイス面等のガラス基体に、ル
テニウム化合物と、水かつ／または有機溶媒からなる液
に、Si化合物、Ti化合物、Zr化合物、Al化合物、Sn化合
物のうち少なくとも１種を加えた溶液を塗布し、１００
〜５００℃で加熱して導電膜を形成し、その上に低屈折
率膜を形成することを特徴とするブラウン管等のガラス
基体の低反射導電膜の製造方法を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、特にブラウン管のフェ
イス面等のガラス基体に被着された酸化ルテニウムを含
む導電膜を基体側に、更にこの膜より低屈折率を有する
膜を空気側に配した、２層からなる高性能低反射導電
膜、及びブラウン管のフェイス面等のガラス基体に、ル
テニウム化合物と、水かつ／または有機溶媒からなる液
に、Si化合物、Ti化合物、Zr化合物、Al化合物、Sn化合
物のうち少なくとも１種を加えた溶液を塗布し、１００
〜５００℃で加熱して導電膜を形成し、その上に低屈折
率膜を形成することを特徴とするブラウン管等のガラス
基体の低反射導電膜の製造方法を提供するものである。
【０００９】本発明に用いるルテニウム化合物としては
塩化ルテニウム、β−ジケトンまたはケトエステルと錯
体を形成するＲｕ、そのＲｕの塩、ルテニウムレッド、
ヘキサアンミンルテニウム (III)塩、ペンタアンミン
（二窒素）ルテニウム (II) 塩、クロロペンタアンミン
ルテニウム (III)塩、cis-ジクロロテトラアンミンルテ
ニウム (III)塩化物−水和物、トリス（エチレンジアミ
ン）ルテニウム (II) 塩、酢酸ルテニウム、臭化ルテニ
ウム、フッ化ルテニウム、及びその加水分解物のうち少
なくとも１種の何れも使用可能である。親水性有機溶媒
としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール等アルコール類、エチルセロソルブ等エーテル類
が任意に使用できる。
塩化ルテニウム、β−ジケトンまたはケトエステルと錯
体を形成するＲｕ、そのＲｕの塩、ルテニウムレッド、
ヘキサアンミンルテニウム (III)塩、ペンタアンミン
（二窒素）ルテニウム (II) 塩、クロロペンタアンミン
ルテニウム (III)塩、cis-ジクロロテトラアンミンルテ
ニウム (III)塩化物−水和物、トリス（エチレンジアミ
ン）ルテニウム (II) 塩、酢酸ルテニウム、臭化ルテニ
ウム、フッ化ルテニウム、及びその加水分解物のうち少
なくとも１種の何れも使用可能である。親水性有機溶媒
としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール等アルコール類、エチルセロソルブ等エーテル類
が任意に使用できる。
【００１０】また本発明に於て用いるルテニウム化合物
を含む塗布液には膜の付着強度及び硬度を向上させるた
めにバインダーとしてSi(OR)y・R'(4-y) （ｙ＝３、４、
Ｒ、Ｒ’：アルキル基）等のケイ素化合物またはそれを
加水分解した溶液を添加することも可能である。その際
加水分解の触媒としてはHCl 、HNO3、CH3COOH 等を用い
ることができる。さらに基体との濡れ性を向上させるた
めに種々の界面活性剤を添加することもできる。
を含む塗布液には膜の付着強度及び硬度を向上させるた
めにバインダーとしてSi(OR)y・R'(4-y) （ｙ＝３、４、
Ｒ、Ｒ’：アルキル基）等のケイ素化合物またはそれを
加水分解した溶液を添加することも可能である。その際
加水分解の触媒としてはHCl 、HNO3、CH3COOH 等を用い
ることができる。さらに基体との濡れ性を向上させるた
めに種々の界面活性剤を添加することもできる。
【００１１】またさらにはTi化合物、Zr化合物、Al化合
物、Sn化合物等を添加して導電膜の屈折率を高くするこ
ともできる。Ti、Zr、Al、Sn、の各化合物としては、加
熱により、各々、TiO2、ZrO2、Al2O3 、SnO2となるよう
なアルコキシド、金属塩及び、それらの加水分解物等、
何れも使用可能である。
物、Sn化合物等を添加して導電膜の屈折率を高くするこ
ともできる。Ti、Zr、Al、Sn、の各化合物としては、加
熱により、各々、TiO2、ZrO2、Al2O3 、SnO2となるよう
なアルコキシド、金属塩及び、それらの加水分解物等、
何れも使用可能である。
【００１２】ルテニウム化合物とケイ素化合物Si(OR)y・
R'(4-y) は任意の比で混合することができるが、導電性
の発現、膜強度を考慮に入れると、その混合比はRuO2／
SiO2換算で１／６から１０／１まで混合することが好ま
しい。さらに好ましくは１／４から３／１にするとよ
い。
R'(4-y) は任意の比で混合することができるが、導電性
の発現、膜強度を考慮に入れると、その混合比はRuO2／
SiO2換算で１／６から１０／１まで混合することが好ま
しい。さらに好ましくは１／４から３／１にするとよ
い。
【００１３】また液中の固形分含量は０．０５〜１０wt
％含まれることができるがさらに好ましくは０．３〜
５．０wt％にするとよい。上記で合成した塗布液の基体
上への塗布方法としては従来使用してきた方法、即ちス
ピンコート、ディップコート、スプレーコート法等が好
適に使用できる。また、スプレーコートして表面に凹凸
を形成し防眩効果も併せて付与してもよく、その場合導
電膜となった本発明品の上にシリカ被膜等のハードコー
トを設けてもよい。
％含まれることができるがさらに好ましくは０．３〜
５．０wt％にするとよい。上記で合成した塗布液の基体
上への塗布方法としては従来使用してきた方法、即ちス
ピンコート、ディップコート、スプレーコート法等が好
適に使用できる。また、スプレーコートして表面に凹凸
を形成し防眩効果も併せて付与してもよく、その場合導
電膜となった本発明品の上にシリカ被膜等のハードコー
トを設けてもよい。
【００１４】本発明においては、導電膜の上に低屈折率
膜を形成することによって、光の干渉を利用して低反射
導電膜を形成することができる。例えば基体がガラス
（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上に、
ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．２３
となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を低減
できる。
膜を形成することによって、光の干渉を利用して低反射
導電膜を形成することができる。例えば基体がガラス
（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上に、
ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．２３
となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を低減
できる。
【００１５】かかる２層からなる低反射導電膜の低屈折
率膜としてはMgF2ゾルを含む溶液や、Siアルコキシドを
含む溶液のうちから選ばれる少なくとも１種よりなる溶
液を用いて形成する。屈折率の面からみると該材料のう
ちMgF2が最も低く反射率低減のためにはMgF2ゾルを含む
溶液を用いることが好ましいが、膜の硬度や耐擦傷性の
点ではSiO2を主成分とする膜が好ましい。
率膜としてはMgF2ゾルを含む溶液や、Siアルコキシドを
含む溶液のうちから選ばれる少なくとも１種よりなる溶
液を用いて形成する。屈折率の面からみると該材料のう
ちMgF2が最も低く反射率低減のためにはMgF2ゾルを含む
溶液を用いることが好ましいが、膜の硬度や耐擦傷性の
点ではSiO2を主成分とする膜が好ましい。
【００１６】かかる低屈折率膜形成用のSiアルコキシド
を含む溶液としては種々の物が使用可能であるが、Si(O
R)mR'n（ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ，Ｒ’＝Ｃ1 〜Ｃ
4 のアルキル基）で示されるSiアルコキシドあるいは部
分加水分解物を含む液が挙げられる。例えば、シリコン
エトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポ
キシド、シリコンブトキシドのモノマーあるいは重合体
が好ましく使用可能である。
を含む溶液としては種々の物が使用可能であるが、Si(O
R)mR'n（ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ，Ｒ’＝Ｃ1 〜Ｃ
4 のアルキル基）で示されるSiアルコキシドあるいは部
分加水分解物を含む液が挙げられる。例えば、シリコン
エトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポ
キシド、シリコンブトキシドのモノマーあるいは重合体
が好ましく使用可能である。
【００１７】シリコンアルコキシドはアルコール、エス
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、又前記
溶液に塩酸、硝酸、酢酸、フッ酸あるいはアンモニア水
溶液を添加して加水分解して用いることもできる。又前
記Siアルコキシドは溶媒に対して、１〜３０ｗｔ％含ま
れていることが好ましい。
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、又前記
溶液に塩酸、硝酸、酢酸、フッ酸あるいはアンモニア水
溶液を添加して加水分解して用いることもできる。又前
記Siアルコキシドは溶媒に対して、１〜３０ｗｔ％含ま
れていることが好ましい。
【００１８】又この溶液には膜の強度向上のためにバイ
ンダーとして、Zr、Ti、Al等のアルコキシドや、これら
の部分加水分解物を添加して、ZrO2、TiO2、Al2O3 の少
なくとも一種、または２種以上の複合物をMgF2、SiO2と
同時に析出させてもよい。あるいは又、基体との濡れ性
を挙げるために界面活性剤を添加してもよい。添加され
る界面活性剤としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン
酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステル等が挙げ
られる。
ンダーとして、Zr、Ti、Al等のアルコキシドや、これら
の部分加水分解物を添加して、ZrO2、TiO2、Al2O3 の少
なくとも一種、または２種以上の複合物をMgF2、SiO2と
同時に析出させてもよい。あるいは又、基体との濡れ性
を挙げるために界面活性剤を添加してもよい。添加され
る界面活性剤としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン
酸ナトリウム、アルキルエーテル硫酸エステル等が挙げ
られる。
【００１９】本発明の低反射導電膜の製造方法は、多層
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
【００２０】本発明の導電膜及び低反射導電膜を形成す
る基体としてはブラウン管パネル、複写機用ガラス板、
計算機用パネル、クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴ或は
ＬＣＤ等の表示装置の前面板等の各種ガラス、プラスチ
ック基板を用いることができる。
る基体としてはブラウン管パネル、複写機用ガラス板、
計算機用パネル、クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴ或は
ＬＣＤ等の表示装置の前面板等の各種ガラス、プラスチ
ック基板を用いることができる。
【００２１】本発明におけるＲｕ化合物を含む溶液はそ
れ自体で基体上への塗布液として供し得るため、低沸点
の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥の均一な膜が得ら
れるが、高沸点溶媒を用いた場合或は膜の強度を向上さ
せたい場合、塗布した基板を加熱する。加熱温度の上限
は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点に
よって決定される。この点も考慮すると好ましい温度範
囲は１００〜５００℃である。
れ自体で基体上への塗布液として供し得るため、低沸点
の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥の均一な膜が得ら
れるが、高沸点溶媒を用いた場合或は膜の強度を向上さ
せたい場合、塗布した基板を加熱する。加熱温度の上限
は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点に
よって決定される。この点も考慮すると好ましい温度範
囲は１００〜５００℃である。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ更に説明を行う
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例に於て、得られた膜の評価方法は次の
通りである。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例に於て、得られた膜の評価方法は次の
通りである。
【００２３】１）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）により膜表面の表
面抵抗値を測定した。 ２）耐擦傷性 １kg荷重下で（LION製50−50）で膜表面を200回往復
後、その表面の傷の付きを目視で判断した。
面抵抗値を測定した。 ２）耐擦傷性 １kg荷重下で（LION製50−50）で膜表面を200回往復
後、その表面の傷の付きを目視で判断した。
【００２４】評価基準は以下の通りとした。 ○：傷が全くつかない △：傷が多少つく ×：一部に膜剥離が生じる
【００２５】３）鉛筆硬度 １kg荷重下において、鉛筆で膜表面を走査しその後目視
により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度
と判断した。 ４）視感反射率 GAMMA 分光反射率スペクトル測定器により多層膜400 〜
700nm での視感反射率を測定した。
により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度
と判断した。 ４）視感反射率 GAMMA 分光反射率スペクトル測定器により多層膜400 〜
700nm での視感反射率を測定した。
【００２６】［実施例１］RuCl3・nH2Oをエタノールに溶
かし、液濃度をRuO2換算で３重量％となるように調製し
た。この液をＡ液とする。けい酸エチルをエタノールに
溶かし、HCl 水溶液で加水分解し、SiO2換算で３重量％
となるようにした。この溶液をＢ液とする。Ti(C5H7O2)
2(OC3H7)2 をエタノールに溶かし塩酸水溶液で加水分解
し、この液をＣ液とした。
かし、液濃度をRuO2換算で３重量％となるように調製し
た。この液をＡ液とする。けい酸エチルをエタノールに
溶かし、HCl 水溶液で加水分解し、SiO2換算で３重量％
となるようにした。この溶液をＢ液とする。Ti(C5H7O2)
2(OC3H7)2 をエタノールに溶かし塩酸水溶液で加水分解
し、この液をＣ液とした。
【００２７】RuO2とTiO2とSiO2を種々の比になるように
Ａ液、Ｂ液、Ｃ液を混合した塗布液を70ｍｍφガラス板
表面に2000RPM の回転速度で５秒間スピンコート法で塗
布し、その後４５０℃で１０分加熱した。更にこの膜の
上にＢ液を1500RPM の回転速度で５秒間スピンコート法
で塗布し、その後４５０℃で１０分加熱した。各塗布液
中の各成分の固形分濃度、及び、Ｂ液による低屈折率膜
を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表１に示
す。
Ａ液、Ｂ液、Ｃ液を混合した塗布液を70ｍｍφガラス板
表面に2000RPM の回転速度で５秒間スピンコート法で塗
布し、その後４５０℃で１０分加熱した。更にこの膜の
上にＢ液を1500RPM の回転速度で５秒間スピンコート法
で塗布し、その後４５０℃で１０分加熱した。各塗布液
中の各成分の固形分濃度、及び、Ｂ液による低屈折率膜
を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表１に示
す。
【００２８】
【表１】
【００２９】［実施例２］SnCl4・nH2OをSnO2換算で３重
量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＤ液とす
る。実施例１におけるＡ液をＤ液に変更する以外は実施
例１と同様に行った。結果を表２に示す。
量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＤ液とす
る。実施例１におけるＡ液をＤ液に変更する以外は実施
例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】［実施例３］ZrCl4 をZrO2換算で３重量％
となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液とする。
実施例１におけるＡ液をＥ液に変更する以外は実施例１
と同様に行った。結果を表３に示す。
となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液とする。
実施例１におけるＡ液をＥ液に変更する以外は実施例１
と同様に行った。結果を表３に示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】［実施例４］Al(OC3H7)2(C6H10O3) をAl2O
3 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした溶
液をＥ液とする。実施例１におけるＡ液をＦ液に変更す
る以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
3 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした溶
液をＥ液とする。実施例１におけるＡ液をＦ液に変更す
る以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
【００３４】
【表４】
【００３５】［比較例］平均粒径60ÅのSnO2をサンドミ
ルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間加熱解膠
した後、けい酸エチルを加水分解しエタノールにSiO2換
算で３重量％添加した溶液をSnO2とSiO2＝２／１ｗｔ比
になるように調製し、７０ｍｍφガラス板表面に750RPM
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４
５０℃で１０分加熱した。さらにこの膜の上にＢ液を15
00RPM の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、４
５０℃で１０分加熱した。このコート膜の表面抵抗値は
１×108 （Ω／□）で、膜強度は×、鉛筆硬度はＨＢ、
視感反射率は０．８％であった。
ルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間加熱解膠
した後、けい酸エチルを加水分解しエタノールにSiO2換
算で３重量％添加した溶液をSnO2とSiO2＝２／１ｗｔ比
になるように調製し、７０ｍｍφガラス板表面に750RPM
の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後４
５０℃で１０分加熱した。さらにこの膜の上にＢ液を15
00RPM の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、４
５０℃で１０分加熱した。このコート膜の表面抵抗値は
１×108 （Ω／□）で、膜強度は×、鉛筆硬度はＨＢ、
視感反射率は０．８％であった。
【００３６】
【発明の効果】本発明によればスプレーまたはスピンコ
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた低反射導電膜を提供することが可
能となる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴの
パネルフェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、
量産も可能であるため工業的価値は非常に高い。
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた低反射導電膜を提供することが可
能となる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴの
パネルフェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、
量産も可能であるため工業的価値は非常に高い。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】また近年、電磁波ノイズによる電子機器へ
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】［実施例２］SnCl4・nH2OをSnO2換算で３重
量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＤ液とす
る。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更する以外は実施
例１と同様に行った。結果を表２に示す。
量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＤ液とす
る。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更する以外は実施
例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】［実施例３］ZrCl4 をZrO2換算で３重量％
となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液とする。
実施例１におけるＣ液をＥ液に変更する以外は実施例１
と同様に行った。結果を表３に示す。
となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液とする。
実施例１におけるＣ液をＥ液に変更する以外は実施例１
と同様に行った。結果を表３に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】［実施例４］Al(OC3H7)2(C6H10O3) をAl2O
3 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした溶
液をＥ液とする。実施例１におけるＣ液をＦ液に変更す
る以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
3 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした溶
液をＥ液とする。実施例１におけるＣ液をＦ液に変更す
る以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹宮 聡 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 阿部 啓介 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】ルテニウム化合物と、その他の金属化合物
とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することを
特徴とする、酸化ルテニウムを含む導電膜の製造方法。 - 【請求項２】ルテニウム化合物以外の金属化合物が、加
熱により、それぞれ、SiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3 、SnO2
となるＳｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔｉ化合物、Ａｌ化合
物、Ｓｎ化合物のうち少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の製造方法によって得
られた導電膜の上に、かかる導電膜より低屈折率の膜を
形成してなることを特徴とする低反射導電膜の製造方
法。 - 【請求項４】請求項３記載の製造方法によって得られた
低反射導電膜。 - 【請求項５】請求項３記載の製造方法によってガラス基
体上に低反射導電膜を形成したガラス物品。 - 【請求項６】請求項３記載の製造方法によってブラウン
管表面に低反射導電膜を形成したブラウン管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32149591A JPH05132341A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32149591A JPH05132341A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132341A true JPH05132341A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18133197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32149591A Withdrawn JPH05132341A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 導電膜及び低反射導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853869A (en) * | 1995-08-23 | 1998-12-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductor film for electric field shielding |
| JP2009283451A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-12-03 | Kao Corp | 導電膜形成用塗布剤 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP32149591A patent/JPH05132341A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853869A (en) * | 1995-08-23 | 1998-12-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductor film for electric field shielding |
| JP2009283451A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-12-03 | Kao Corp | 導電膜形成用塗布剤 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |