JPH08143337A - 電界シールド用透明導電膜 - Google Patents
電界シールド用透明導電膜Info
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- JPH08143337A JPH08143337A JP30822894A JP30822894A JPH08143337A JP H08143337 A JPH08143337 A JP H08143337A JP 30822894 A JP30822894 A JP 30822894A JP 30822894 A JP30822894 A JP 30822894A JP H08143337 A JPH08143337 A JP H08143337A
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- film
- layer
- ito
- dispersed
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/44—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
- C03C2217/45—Inorganic continuous phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
- C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
- C03C2217/475—Inorganic materials
- C03C2217/476—Tin oxide or doped tin oxide
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温成膜および低膜厚で、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）の電界シールド効果に十分な低い表面抵抗の膜を得
ること。 【構成】 ガラス基板上に少なくとも２層がＩＴＯ分散
シリケート層および高導電性酸化物分散シリケート層を
有し、最上層がオーバーコートシリケート膜である３層
以上の多層膜を形成する。ＩＴＯ分散シリケート層は、
インジウム錫酸化物超微粒子とシリケートを主成分とす
るガラスマトリックスとから実質的に構成され、高導電
性酸化物分散シリケート層は、三酸化レニウム超微粒子
と二酸化ルテニウム超微粒子のうちの１以上、およびシ
リケートを主成分とするガラスマトリックスとから構成
されている。
Ｔ）の電界シールド効果に十分な低い表面抵抗の膜を得
ること。 【構成】 ガラス基板上に少なくとも２層がＩＴＯ分散
シリケート層および高導電性酸化物分散シリケート層を
有し、最上層がオーバーコートシリケート膜である３層
以上の多層膜を形成する。ＩＴＯ分散シリケート層は、
インジウム錫酸化物超微粒子とシリケートを主成分とす
るガラスマトリックスとから実質的に構成され、高導電
性酸化物分散シリケート層は、三酸化レニウム超微粒子
と二酸化ルテニウム超微粒子のうちの１以上、およびシ
リケートを主成分とするガラスマトリックスとから構成
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器のディスプレ
イやＴＶのブラウン管等の陰極線管の前面ガラスに電界
シールド効果を付与するための透明導電膜に関する。
イやＴＶのブラウン管等の陰極線管の前面ガラスに電界
シールド効果を付与するための透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビゲーム機やパーソナルコンピュー
ター、ワープロ等においては、表示画面が見やすく、視
覚疲労を感じさせないことのほかに、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）表面の帯電によるホコリの付着や手が触れた時の電
撃ショック等がないことが要求される。さらにこれに加
えて最近では、ＣＲＴから発生する低周波電磁波の人体
に対する悪影響が懸念されており、このような電磁波が
外部に漏洩しないＣＲＴが望まれている。
ター、ワープロ等においては、表示画面が見やすく、視
覚疲労を感じさせないことのほかに、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）表面の帯電によるホコリの付着や手が触れた時の電
撃ショック等がないことが要求される。さらにこれに加
えて最近では、ＣＲＴから発生する低周波電磁波の人体
に対する悪影響が懸念されており、このような電磁波が
外部に漏洩しないＣＲＴが望まれている。
【０００３】電磁波は、偏向コイルやフライバックトラ
ンスから発生し、ＴＶの大型化に伴って益々大きな電磁
波が周囲に洩れる傾向にある。磁界の漏洩は、偏向コイ
ルの形状を変える等の工夫で大部分を防止することがで
きる。一方、電界の漏洩に対しては、ＣＲＴ前面ガラス
表面に導電性の透明被膜を形成することにより防止でき
る。この方法は、近年帯電防止のためにとられてきた対
策と原理的には同一である。ただし、この場合の導電性
被膜の導電性は、帯電防止用に形成されていた導電性被
膜の導電性よりもはるかに高い値が求められ、帯電防止
には表面抵抗で１０８Ω／□程度で十分とされている
が、漏洩電界を防ぐためには少なくとも１０６Ω／□以
下、好ましくは１０２〜１０３Ω／□台の低抵抗の透明
膜を形成する必要がある。
ンスから発生し、ＴＶの大型化に伴って益々大きな電磁
波が周囲に洩れる傾向にある。磁界の漏洩は、偏向コイ
ルの形状を変える等の工夫で大部分を防止することがで
きる。一方、電界の漏洩に対しては、ＣＲＴ前面ガラス
表面に導電性の透明被膜を形成することにより防止でき
る。この方法は、近年帯電防止のためにとられてきた対
策と原理的には同一である。ただし、この場合の導電性
被膜の導電性は、帯電防止用に形成されていた導電性被
膜の導電性よりもはるかに高い値が求められ、帯電防止
には表面抵抗で１０８Ω／□程度で十分とされている
が、漏洩電界を防ぐためには少なくとも１０６Ω／□以
下、好ましくは１０２〜１０３Ω／□台の低抵抗の透明
膜を形成する必要がある。
【０００４】上記の要求に対応するため、従来より真空
蒸着やスパッタ法等により透明導電膜を形成する方法が
いくつか提案されているが、その中でも低コストで低い
表面抵抗を実現できるものとして、極微細なインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ粉末）をアルキルシリケートの結合剤
と共に塗布液中に分散したインクを、ＣＲＴ前面ガラス
に塗布、乾燥後、２００℃以下の温度で焼成する方法が
ある。この方法によれば、膜厚に応じて１０３〜１０５
Ω／□の表面抵抗値が得られる上に、真空蒸着やスパッ
タ法等の他の透明導電膜形成方法に比べてはるかに簡便
であって製造コストも低く、ＣＲＴ完成球に処置可能な
電界シールドへの対応として極めて有利な方法である。
蒸着やスパッタ法等により透明導電膜を形成する方法が
いくつか提案されているが、その中でも低コストで低い
表面抵抗を実現できるものとして、極微細なインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ粉末）をアルキルシリケートの結合剤
と共に塗布液中に分散したインクを、ＣＲＴ前面ガラス
に塗布、乾燥後、２００℃以下の温度で焼成する方法が
ある。この方法によれば、膜厚に応じて１０３〜１０５
Ω／□の表面抵抗値が得られる上に、真空蒸着やスパッ
タ法等の他の透明導電膜形成方法に比べてはるかに簡便
であって製造コストも低く、ＣＲＴ完成球に処置可能な
電界シールドへの対応として極めて有利な方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法はスパッタ法や蒸着法等に比べると、得られる表面抵
抗値においてやや劣ることが欠点としてあげられる。電
界シールド効果を高めるには、表面抵抗値が低いほど効
果的であり、前記インク法を用いて可及的に抵抗値を下
げることが工業的価値を高めることになる。導電性を担
うＩＴＯ微粒子は、添加する錫の量や還元して生ずる欠
損酸素の量に応じてある程度粉の抵抗値を下げることが
できる。また、ＩＴＯ微粒子の分散性を上げて膜中のＩ
ＴＯ充填密度を高くするほど膜の抵抗値は下げられる。
法はスパッタ法や蒸着法等に比べると、得られる表面抵
抗値においてやや劣ることが欠点としてあげられる。電
界シールド効果を高めるには、表面抵抗値が低いほど効
果的であり、前記インク法を用いて可及的に抵抗値を下
げることが工業的価値を高めることになる。導電性を担
うＩＴＯ微粒子は、添加する錫の量や還元して生ずる欠
損酸素の量に応じてある程度粉の抵抗値を下げることが
できる。また、ＩＴＯ微粒子の分散性を上げて膜中のＩ
ＴＯ充填密度を高くするほど膜の抵抗値は下げられる。
【０００６】しかしながら、膜厚を厚くすると膜に曇り
（ヘイズ）が生じて解像度が低下するという難点が生
じ、また焼成温度に関しては、ＣＲＴ完成球に成膜する
ため実質的に２００℃以下の温度に制約される。従っ
て、膜厚や最大焼成温度を増加させずに、またＩＴＯの
高透明性を生かしつつ表面抵抗を下げることが望まれて
いる。
（ヘイズ）が生じて解像度が低下するという難点が生
じ、また焼成温度に関しては、ＣＲＴ完成球に成膜する
ため実質的に２００℃以下の温度に制約される。従っ
て、膜厚や最大焼成温度を増加させずに、またＩＴＯの
高透明性を生かしつつ表面抵抗を下げることが望まれて
いる。
【０００７】本発明は、従来のこのような実状に鑑みて
なされたもので、低温成膜および低膜厚で、ＣＲＴの電
界シールド効果に十分な低い表面抵抗の膜を提供しよう
とするものである。
なされたもので、低温成膜および低膜厚で、ＣＲＴの電
界シールド効果に十分な低い表面抵抗の膜を提供しよう
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に積層してなる３層以上の多層膜からなり、そのうち少
なくとも２層がＩＴＯ分散シリケート層および高導電性
酸化物分散シリケート層であり、最上層がオーバーコー
トシリケート膜である電界シールド用透明導電膜であっ
て、前記ＩＴＯ分散シリケート層がインジウム錫酸化物
超微粒子とシリケートを主成分とするガラスマトリック
スとから実質的に構成され、前記高導電性酸化物分散シ
リケート層が、三酸化レニウム超微粒子と二酸化ルテニ
ウム超微粒子のうちの１以上、およびシリケートを主成
分とするガラスマトリックスとから実質的に構成されて
いる電界シールド用透明導電膜を要旨とするものであ
る。
に積層してなる３層以上の多層膜からなり、そのうち少
なくとも２層がＩＴＯ分散シリケート層および高導電性
酸化物分散シリケート層であり、最上層がオーバーコー
トシリケート膜である電界シールド用透明導電膜であっ
て、前記ＩＴＯ分散シリケート層がインジウム錫酸化物
超微粒子とシリケートを主成分とするガラスマトリック
スとから実質的に構成され、前記高導電性酸化物分散シ
リケート層が、三酸化レニウム超微粒子と二酸化ルテニ
ウム超微粒子のうちの１以上、およびシリケートを主成
分とするガラスマトリックスとから実質的に構成されて
いる電界シールド用透明導電膜を要旨とするものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明における多層膜は、具体的には例えば、
ＩＴＯ分散シリケート層ーＲｅＯ３分散シリケート層ー
オーバーコートシリケート膜の積層からなる３層膜、
［ＲｅＯ３＋ＲｕＯ２］分散シリケート層ーＩＴＯ分散
シリケート層ーオーバーコートシリケート膜の積層から
なる３層膜、ＲｕＯ２分散シリケート層ーシリケート層
ーＩＴＯ分散シリケート層ーオーバーコートシリケート
膜の積層からなる４層膜等があり、３層以上で構成され
るものすべてを含むものである。このように、ＩＴＯを
用いた電界シールド用コーティング膜に、ＲｅＯ３やＲ
ｕＯ２等の高導電性の微粒子が分散したシリケート層を
並列的に導入することによって、多層膜全体の表面抵抗
が顕著に低下する。
ＩＴＯ分散シリケート層ーＲｅＯ３分散シリケート層ー
オーバーコートシリケート膜の積層からなる３層膜、
［ＲｅＯ３＋ＲｕＯ２］分散シリケート層ーＩＴＯ分散
シリケート層ーオーバーコートシリケート膜の積層から
なる３層膜、ＲｕＯ２分散シリケート層ーシリケート層
ーＩＴＯ分散シリケート層ーオーバーコートシリケート
膜の積層からなる４層膜等があり、３層以上で構成され
るものすべてを含むものである。このように、ＩＴＯを
用いた電界シールド用コーティング膜に、ＲｅＯ３やＲ
ｕＯ２等の高導電性の微粒子が分散したシリケート層を
並列的に導入することによって、多層膜全体の表面抵抗
が顕著に低下する。
【００１０】また、本発明において、最上層にオーバー
コートシリケート膜を成膜する理由は、膜強度の補強と
低反射効果の付与にある。すなわち、ＩＴＯ分散シリケ
ート膜や高導電性酸化物分散シリケート膜の屈折率は、
基板となるＣＲＴフェイスパネルの屈折率よりも大きい
ので、例えばＩＴＯ膜の上面にシリケートのような屈折
率の低い膜を被せると、屈折率と膜厚が制御された条件
により１層目の反射波と２層目の反射波の間に破壊的干
渉が起こって反射率が低下し、反射による眩しさを抑え
た見えやすい画面のＣＲＴになる。屈折率の大と小の膜
が交互に並ぶ層数がおくなるほど一般的に低反射効果が
向上する。オーバーコートを施す主目的は内層の保護で
あるが、このように反射効果を備えた多層膜に設計する
と、電界シールド効果に加えて低コスト高付加価値のＣ
ＲＴとなり、工業的価値が大きい。
コートシリケート膜を成膜する理由は、膜強度の補強と
低反射効果の付与にある。すなわち、ＩＴＯ分散シリケ
ート膜や高導電性酸化物分散シリケート膜の屈折率は、
基板となるＣＲＴフェイスパネルの屈折率よりも大きい
ので、例えばＩＴＯ膜の上面にシリケートのような屈折
率の低い膜を被せると、屈折率と膜厚が制御された条件
により１層目の反射波と２層目の反射波の間に破壊的干
渉が起こって反射率が低下し、反射による眩しさを抑え
た見えやすい画面のＣＲＴになる。屈折率の大と小の膜
が交互に並ぶ層数がおくなるほど一般的に低反射効果が
向上する。オーバーコートを施す主目的は内層の保護で
あるが、このように反射効果を備えた多層膜に設計する
と、電界シールド効果に加えて低コスト高付加価値のＣ
ＲＴとなり、工業的価値が大きい。
【００１１】また、本発明の多層膜を構成するＩＴＯ分
散シリケート層において、透明導電性微粒子としては、
ＩＴＯの一部を、アンチモン添加酸化錫（ＡＴＯ）、ア
ルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素添加酸化イ
ンジウム、フッ素添加酸化錫、フッ素添加酸化亜鉛、フ
ッ素添加ＩＴＯ、フッ素添加ＡＴＯ等で代替されてもよ
い。これらの代替物質は、すべて透明で導電性を有する
物質であり、またフッ素添加はキャリア濃度を上げて導
電性改善を意図してなされるものである。
散シリケート層において、透明導電性微粒子としては、
ＩＴＯの一部を、アンチモン添加酸化錫（ＡＴＯ）、ア
ルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素添加酸化イ
ンジウム、フッ素添加酸化錫、フッ素添加酸化亜鉛、フ
ッ素添加ＩＴＯ、フッ素添加ＡＴＯ等で代替されてもよ
い。これらの代替物質は、すべて透明で導電性を有する
物質であり、またフッ素添加はキャリア濃度を上げて導
電性改善を意図してなされるものである。
【００１２】高導電性酸化物分散シリケート層を構成す
るＲｅＯ３やＲｕＯ２等の微粒子は、圧粉抵抗において
ＩＴＯやＡＴＯ等よりもさらに２〜３桁抵抗値が低く、
したがってＲｅＯ３やＲｕＯ２の分散した膜は、ＩＴＯ
微粒子の分散した膜よりも高い導電性を持つ。また、Ｉ
ＴＯ分散シリケート層には、ＲｅＯ３または／およびＲ
ｕＯ２が、高導電性酸化物分散シリケート層にはＩＴＯ
が、それぞれ少量混在しても支障はない。
るＲｅＯ３やＲｕＯ２等の微粒子は、圧粉抵抗において
ＩＴＯやＡＴＯ等よりもさらに２〜３桁抵抗値が低く、
したがってＲｅＯ３やＲｕＯ２の分散した膜は、ＩＴＯ
微粒子の分散した膜よりも高い導電性を持つ。また、Ｉ
ＴＯ分散シリケート層には、ＲｅＯ３または／およびＲ
ｕＯ２が、高導電性酸化物分散シリケート層にはＩＴＯ
が、それぞれ少量混在しても支障はない。
【００１３】本発明におけるシリケートとは、ポリシロ
キサン結合によって構成される化合物を言い、シラノー
ル（ＳｉーＯＨ）の脱水縮重合によって得られる。シロ
キサン結合のＳｉの一部は、屈折率調整や強度補強のた
めにＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等で置換することもできる。ま
た、コントラスト向上のために有機色素が添加されたも
のであってもよい。
キサン結合によって構成される化合物を言い、シラノー
ル（ＳｉーＯＨ）の脱水縮重合によって得られる。シロ
キサン結合のＳｉの一部は、屈折率調整や強度補強のた
めにＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等で置換することもできる。ま
た、コントラスト向上のために有機色素が添加されたも
のであってもよい。
【００１４】本発明の膜を作製する方法としては、上記
の導電性微粒子およびシリケート溶液を適当な溶媒中に
分散したインクを基板上に塗布、乾燥し、これを繰返す
ことによって多層塗布膜とし、最終的に２００℃以下の
温度で焼成する方法を用いることができる。
の導電性微粒子およびシリケート溶液を適当な溶媒中に
分散したインクを基板上に塗布、乾燥し、これを繰返す
ことによって多層塗布膜とし、最終的に２００℃以下の
温度で焼成する方法を用いることができる。
【００１５】ここで、インクを構成するシリケート溶液
は、オルトアルキルシリケートあるいはこれを加水分解
してある程度脱水縮重合を進行させたものを主成分とす
る溶液である。アルキルシリケート部分加水分解重合物
としては、オルトアルキルシリケートに水や酸触媒を加
えて加水分解し脱水縮重合を進行させたもの、またはす
でに４〜５量体まで加水分解縮重合を進行させた市販の
アルキルシリケート溶液をさらに加水分解と脱水縮重合
を進行させたもの等を用いることができる。縮重合が進
行すると、溶液の粘度が上昇し最終的には固化するの
で、溶液の縮重合度合いは溶液が基板に塗布できる粘度
以下のところで用いるが、縮重合の度合いはそれ以下の
レベルであれば特に限定されない。アルキルシリケート
部分加水分解重合物は、膜塗布後の焼成加熱時に縮重合
反応がほぼ完結して、硬いシリケートになる。
は、オルトアルキルシリケートあるいはこれを加水分解
してある程度脱水縮重合を進行させたものを主成分とす
る溶液である。アルキルシリケート部分加水分解重合物
としては、オルトアルキルシリケートに水や酸触媒を加
えて加水分解し脱水縮重合を進行させたもの、またはす
でに４〜５量体まで加水分解縮重合を進行させた市販の
アルキルシリケート溶液をさらに加水分解と脱水縮重合
を進行させたもの等を用いることができる。縮重合が進
行すると、溶液の粘度が上昇し最終的には固化するの
で、溶液の縮重合度合いは溶液が基板に塗布できる粘度
以下のところで用いるが、縮重合の度合いはそれ以下の
レベルであれば特に限定されない。アルキルシリケート
部分加水分解重合物は、膜塗布後の焼成加熱時に縮重合
反応がほぼ完結して、硬いシリケートになる。
【００１６】また、インクの塗布方法は、スピンコート
法が一般的であるが、スプレーコート法やディップコー
ト法等、インクを平坦にかつ薄く均一に塗布できる方法
であれば特に限定されない。焼成温度は、ＣＲＴ完成球
の限界加熱温度を考慮し通常２００℃以下で行うが、そ
れ以上でも勿論焼成可能であり、また表面抵抗値は焼成
温度が高いほど低下する傾向にあるが、焼成温度が約３
００℃を超えるとＩＴＯの再酸化等のため抵抗値は上昇
傾向になる。
法が一般的であるが、スプレーコート法やディップコー
ト法等、インクを平坦にかつ薄く均一に塗布できる方法
であれば特に限定されない。焼成温度は、ＣＲＴ完成球
の限界加熱温度を考慮し通常２００℃以下で行うが、そ
れ以上でも勿論焼成可能であり、また表面抵抗値は焼成
温度が高いほど低下する傾向にあるが、焼成温度が約３
００℃を超えるとＩＴＯの再酸化等のため抵抗値は上昇
傾向になる。
【００１７】
実施例１ ＲｅＯ３超微粉（平均粒径３５ｎｍ、住友金属鉱山株式
会社製）１５ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン（ＮＭ
Ｐ）２０ｇ、４ーヒドロキシー４ーメチルー２ーペンタ
ノン（ジアセトンアルコール）６５ｇをボールミル混合
して作製したＲｅＯ３分散液と、ＩＴＯ超微粉（平均粒
径２０ｎｍ、住友金属鉱山株式会社製）１５ｇ、ＮＭＰ
２０ｇ、ジアセトンアルコール６５ｇをボールミル混合
して作製したＩＴＯ分散液に、それぞれエチルシリケー
ト溶液（多摩化学工業株式会社製）５０ｇ、エタノール
３４ｇ、５％塩酸水溶液８ｇ、蒸留水５ｇで調整したエ
チルシリケート溶液５０ｇおよびエタノール５００ｇを
混合し、ＩＴＯシリケートインクおよびＲｅＯ３シリケ
ートインク各６５０ｇを作製した。
会社製）１５ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン（ＮＭ
Ｐ）２０ｇ、４ーヒドロキシー４ーメチルー２ーペンタ
ノン（ジアセトンアルコール）６５ｇをボールミル混合
して作製したＲｅＯ３分散液と、ＩＴＯ超微粉（平均粒
径２０ｎｍ、住友金属鉱山株式会社製）１５ｇ、ＮＭＰ
２０ｇ、ジアセトンアルコール６５ｇをボールミル混合
して作製したＩＴＯ分散液に、それぞれエチルシリケー
ト溶液（多摩化学工業株式会社製）５０ｇ、エタノール
３４ｇ、５％塩酸水溶液８ｇ、蒸留水５ｇで調整したエ
チルシリケート溶液５０ｇおよびエタノール５００ｇを
混合し、ＩＴＯシリケートインクおよびＲｅＯ３シリケ
ートインク各６５０ｇを作製した。
【００１８】次に、１５０ｒｐｍで回転する２００×１
５０×３ｍｍの板ガラス基板上に、上記ＲｅＯ３シリケ
ートインク１０ｇをビーカから滴下し、そのまま１０分
放置後、続いてＩＴＯシリケートインク１０ｇを同様に
ビーカから滴下し、そのまま１０分放置し、さらにシリ
ケートインク１０ｇをビーカから滴下して１分放置後、
回転を停止した。このようにして３層膜のスピンコート
を行った板ガラスを、大気中において焼成温度１８０℃
で１時間焼成して３層積層膜を得た。
５０×３ｍｍの板ガラス基板上に、上記ＲｅＯ３シリケ
ートインク１０ｇをビーカから滴下し、そのまま１０分
放置後、続いてＩＴＯシリケートインク１０ｇを同様に
ビーカから滴下し、そのまま１０分放置し、さらにシリ
ケートインク１０ｇをビーカから滴下して１分放置後、
回転を停止した。このようにして３層膜のスピンコート
を行った板ガラスを、大気中において焼成温度１８０℃
で１時間焼成して３層積層膜を得た。
【００１９】実施例２ 高導電性酸化物シリケート層として、ＲｅＯ３に替えて
ＲｕＯ２微粒子を用いた以外は実施例１と同様にして３
層積層膜を得た。
ＲｕＯ２微粒子を用いた以外は実施例１と同様にして３
層積層膜を得た。
【００２０】実施例３ ＩＴＯ分散シリケート層とＲｅＯ３分散シリケート層の
成膜順序を逆にした以外は、実施例１と同様にして３層
積層膜を得た。
成膜順序を逆にした以外は、実施例１と同様にして３層
積層膜を得た。
【００２１】実施例４ 実施例１と同じ要領でＩＴＯシリケートインク、ＲｅＯ
３シリケートインクおよびシリケートインクを調整し、
１５０ｒｐｍで回転する２００×１５０×３ｍｍの板ガ
ラス基板上にＩＴＯシリケートインク１０ｇを滴下し、
回転させたたま１０分放置後、シリケートインク１０ｇ
を同様に滴下して５分放置し、続いてＲｅＯ３シリケー
トインク１０ｇを同様に滴下して１０分放置し、さらに
シリケートインク１０ｇを同様に滴下して１分放置後、
回転を止めた。このようにして４層膜のスピンコートを
行った板ガラスを、大気中において焼成温度１８０℃で
１時間焼成して４層積層膜を得た。
３シリケートインクおよびシリケートインクを調整し、
１５０ｒｐｍで回転する２００×１５０×３ｍｍの板ガ
ラス基板上にＩＴＯシリケートインク１０ｇを滴下し、
回転させたたま１０分放置後、シリケートインク１０ｇ
を同様に滴下して５分放置し、続いてＲｅＯ３シリケー
トインク１０ｇを同様に滴下して１０分放置し、さらに
シリケートインク１０ｇを同様に滴下して１分放置後、
回転を止めた。このようにして４層膜のスピンコートを
行った板ガラスを、大気中において焼成温度１８０℃で
１時間焼成して４層積層膜を得た。
【００２２】実施例５ 焼成温度を２５０℃とした以外は、実施例２と同様にし
て３層積層膜を作製した。
て３層積層膜を作製した。
【００２３】実施例６ 焼成温度を２５０℃とした以外は、実施例４と同様にし
て３層積層膜を作製した。
て３層積層膜を作製した。
【００２４】比較例１ 実施例１と同じ要領でＩＴＯシリケートインクおよびシ
リケートインクを調整し、１８０ｒｐｍで回転する２０
０×１５０×３ｍｍの板ガラス基板上にＩＴＯシリケー
トインク１０ｇを滴下し、回転させたたま１０分放置
後、シリケートインク１０ｇを同様に滴下して１分放置
後、回転を止めた。このようにしてＲｅＯ３シリケート
層を形成しない他は、実施例１と全く同様にして得た２
層積層膜のスピンコートを行った板ガラスを、大気中に
おいて焼成温度１８０℃で１時間焼成して２層積層膜を
得た。
リケートインクを調整し、１８０ｒｐｍで回転する２０
０×１５０×３ｍｍの板ガラス基板上にＩＴＯシリケー
トインク１０ｇを滴下し、回転させたたま１０分放置
後、シリケートインク１０ｇを同様に滴下して１分放置
後、回転を止めた。このようにしてＲｅＯ３シリケート
層を形成しない他は、実施例１と全く同様にして得た２
層積層膜のスピンコートを行った板ガラスを、大気中に
おいて焼成温度１８０℃で１時間焼成して２層積層膜を
得た。
【００２５】比較例２ 最上層のオーバーコートシリケート膜を成膜しなかった
他は、実施例１と全く同様にして２層積層膜を得た。
他は、実施例１と全く同様にして２層積層膜を得た。
【００２６】以上の実施例１〜６および比較例１、２で
得られた膜の表面抵抗値、ヘイズ値、膜厚、最小反射
率、鉛筆硬度の測定結果をまとめて表１に示す。なお、
膜の表面抵抗は、三菱油化株式会社製の表面抵抗計ロレ
スタＭＣＰーＴ２００を用いて測定した。また、ヘイズ
値は、村上色彩技術研究所製ヘイズメーターＨＲー２０
０を用いて測定した。全膜厚は、膜の２ケ所を基板間で
削り取って東京精密株式会社製表面粗さ計ＳＵＲＦＣＯ
Ｍー７５０Ａを用いて測定し、反射率は島津製作所製分
光光度計を用いて測定した。鉛筆硬度は東洋精機製作所
製鉛筆引っ掻き塗膜硬さ試験機を用いて荷重１ｋｇで引
っ掻き傷を入れた目視で評価した。
得られた膜の表面抵抗値、ヘイズ値、膜厚、最小反射
率、鉛筆硬度の測定結果をまとめて表１に示す。なお、
膜の表面抵抗は、三菱油化株式会社製の表面抵抗計ロレ
スタＭＣＰーＴ２００を用いて測定した。また、ヘイズ
値は、村上色彩技術研究所製ヘイズメーターＨＲー２０
０を用いて測定した。全膜厚は、膜の２ケ所を基板間で
削り取って東京精密株式会社製表面粗さ計ＳＵＲＦＣＯ
Ｍー７５０Ａを用いて測定し、反射率は島津製作所製分
光光度計を用いて測定した。鉛筆硬度は東洋精機製作所
製鉛筆引っ掻き塗膜硬さ試験機を用いて荷重１ｋｇで引
っ掻き傷を入れた目視で評価した。
【００２７】表１の結果より、実施例１〜３の３層積層
膜は、表面抵抗値が０．８〜４．３×１０３Ω／□とな
り、電界シールド効果に十分な低抵抗が得られ、またヘ
イズ値や最小反射率も低い。また、実施例４の４層積層
膜は、表面抵抗値が６．３×１０３Ω／□と顕著に低く
なった上、ヘイズ値も０．３％と低くなり、さらに最小
反射率も０．４％と顕著に低下した。さらに、実施例５
および実施例６の３層積層膜は、それぞれ抵抗値が６×
１０２Ω／□、５×１０２Ω／□と極小値を示した。
膜は、表面抵抗値が０．８〜４．３×１０３Ω／□とな
り、電界シールド効果に十分な低抵抗が得られ、またヘ
イズ値や最小反射率も低い。また、実施例４の４層積層
膜は、表面抵抗値が６．３×１０３Ω／□と顕著に低く
なった上、ヘイズ値も０．３％と低くなり、さらに最小
反射率も０．４％と顕著に低下した。さらに、実施例５
および実施例６の３層積層膜は、それぞれ抵抗値が６×
１０２Ω／□、５×１０２Ω／□と極小値を示した。
【００２８】一方、比較例１の２層積層膜の場合、表面
抵抗値はＲｅＯ３シリケート層を入れた場合に比べて１
桁以上高い値を示した。また、比較例２の２層積層膜の
場合、抵抗値は低いものの、ヘイズ値が上昇した他、鉛
筆硬度が通常の７〜９Ｈに比べて２Ｈという低い値とな
った。また、低反射設計になっていないので、最小反射
率は決められなかった。
抵抗値はＲｅＯ３シリケート層を入れた場合に比べて１
桁以上高い値を示した。また、比較例２の２層積層膜の
場合、抵抗値は低いものの、ヘイズ値が上昇した他、鉛
筆硬度が通常の７〜９Ｈに比べて２Ｈという低い値とな
った。また、低反射設計になっていないので、最小反射
率は決められなかった。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明は高導電性
のＲｅＯ３やＲｕＯ２を分散したシリケート層をＩＴＯ
シリケート層に並列的に導入したことにより、ヘイズ値
や反射率等の光学特性を悪化させることなく膜の導電性
を著しく向上させることができる。また、２００℃以下
の焼成温度でも電界シールド効果に十分な導電性を得る
ことができ、さらに３００℃以下の温度に上げることに
よりこれを上回る導電性も期待できる。したがって、本
発明の多層膜をＣＲＴ前面ガラスに形成することによ
り、電界シールド効果に必要な低い表面抵抗を、低コス
ト、低温度焼成で得ることが可能である。
のＲｅＯ３やＲｕＯ２を分散したシリケート層をＩＴＯ
シリケート層に並列的に導入したことにより、ヘイズ値
や反射率等の光学特性を悪化させることなく膜の導電性
を著しく向上させることができる。また、２００℃以下
の焼成温度でも電界シールド効果に十分な導電性を得る
ことができ、さらに３００℃以下の温度に上げることに
よりこれを上回る導電性も期待できる。したがって、本
発明の多層膜をＣＲＴ前面ガラスに形成することによ
り、電界シールド効果に必要な低い表面抵抗を、低コス
ト、低温度焼成で得ることが可能である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板上に積層してなる３層以上の
多層膜からなり、そのうち少なくとも２層がＩＴＯ分散
シリケート層および高導電性酸化物分散シリケート層で
あり、最上層がオーバーコートシリケート膜である電界
シールド用透明導電膜であって、前記ＩＴＯ分散シリケ
ート層がインジウム錫酸化物超微粒子とシリケートを主
成分とするガラスマトリックスとから実質的に構成さ
れ、前記高導電性酸化物分散シリケート層が、三酸化レ
ニウム超微粒子と二酸化ルテニウム超微粒子のうちの１
以上、およびシリケートを主成分とするガラスマトリッ
クスとから実質的に構成されていることを特徴とする電
界シールド用透明導電膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30822894A JPH08143337A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電界シールド用透明導電膜 |
| EP19950305882 EP0713240B1 (en) | 1994-11-17 | 1995-08-23 | Transparent conductor film for electric field shielding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30822894A JPH08143337A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電界シールド用透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08143337A true JPH08143337A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17978476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30822894A Pending JPH08143337A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電界シールド用透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08143337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1082716C (zh) * | 1996-10-09 | 2002-04-10 | 东芝株式会社 | 导电性防反射膜及阴极射线管 |
-
1994
- 1994-11-17 JP JP30822894A patent/JPH08143337A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1082716C (zh) * | 1996-10-09 | 2002-04-10 | 东芝株式会社 | 导电性防反射膜及阴极射线管 |
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