JPH05190091A - 導電膜及び低反射導電膜及びその製造方法 - Google Patents
導電膜及び低反射導電膜及びその製造方法Info
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- JPH05190091A JPH05190091A JP2442692A JP2442692A JPH05190091A JP H05190091 A JPH05190091 A JP H05190091A JP 2442692 A JP2442692 A JP 2442692A JP 2442692 A JP2442692 A JP 2442692A JP H05190091 A JPH05190091 A JP H05190091A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】導電性酸化ルテニウム粉末を分散したゾルを含
む塗布液を基体上に塗布、加熱して導電膜を形成する。
その上に、Ｓｉアルコキシドを含む液を塗布、加熱して
低屈折率膜を形成し、２層からなる低反射導電膜を製造
する。 【効果】ＰＶＤ法のように真空を要する大掛かりな設備
を必要とせず、生産性良く低反射導電膜を製造できる。
む塗布液を基体上に塗布、加熱して導電膜を形成する。
その上に、Ｓｉアルコキシドを含む液を塗布、加熱して
低屈折率膜を形成し、２層からなる低反射導電膜を製造
する。 【効果】ＰＶＤ法のように真空を要する大掛かりな設備
を必要とせず、生産性良く低反射導電膜を製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はブラウン管パネル等のガ
ラス基体表面に塗布される導電膜及び低反射導電膜に関
するものである。
ラス基体表面に塗布される導電膜及び低反射導電膜に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するため起動
時、或は終了時に該表面に静電気が誘発される。この静
電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下を
引き起こしたり、或は直接触れた際軽い電気ショックに
よる不快感を生ずることが多い。
時、或は終了時に該表面に静電気が誘発される。この静
電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低下を
引き起こしたり、或は直接触れた際軽い電気ショックに
よる不快感を生ずることが多い。
【０００３】従来、上述の事柄を防止するためにブラウ
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば特開昭６３−７６２４７号記載の通
り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化
物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこの
方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管を
高温加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じた
り、寸法精度が低下する等の問題があった。また、導電
層に用いる材料としては酸化スズが最も一般的である
が、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠点があ
った。
【０００４】また近年、電磁波ノイズによる電子機器へ
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚ガンの恐
れ、低周波電磁界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その
他Ｘ線、紫外線などによる害が各国で問題視されてい
る。この場合、導電性塗膜の存在により、導電性塗膜に
電磁波が当たると、塗膜中に渦電流を誘導して、この作
用で電磁波を反射する。しかしこのためには高い電界強
度に耐え得る金属並の電気特性の良導電性が必要である
が、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難であ
った。
【０００５】また低反射膜のコーティング法は、従来よ
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。 従来の方法は例えば
特開昭６１−１１８９３１号記載の如くブラウン管表面
に防眩効果をもたせるために表面に微細な凹凸を有する
SiO2層を付着させたり、弗酸により表面をエッチングし
て凹凸を設ける等の方法がとられてきた。しかし、これ
らの方法は、外部光を散乱させるノングレア処理と呼ば
れ、本質的に低反射層を設ける手法でないため、反射率
の低減には限界があり、またブラウン管などにおいて
は、解像度を低減させる原因ともなっていた。
り光学的機器においては言うまでもなく、民生用機器特
にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関
し数多くの検討がなされてきた。 従来の方法は例えば
特開昭６１−１１８９３１号記載の如くブラウン管表面
に防眩効果をもたせるために表面に微細な凹凸を有する
SiO2層を付着させたり、弗酸により表面をエッチングし
て凹凸を設ける等の方法がとられてきた。しかし、これ
らの方法は、外部光を散乱させるノングレア処理と呼ば
れ、本質的に低反射層を設ける手法でないため、反射率
の低減には限界があり、またブラウン管などにおいて
は、解像度を低減させる原因ともなっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術が有
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理により形成が可能な高特性導電膜及び低反射導
電膜を新規に提供することを目的とするものである。
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理により形成が可能な高特性導電膜及び低反射導
電膜を新規に提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、ブラウン管のフェイス
面等のガラス基体に被着された導電膜、及び導電膜を少
なくとも１層含む低反射導電膜であって、かかる導電膜
の製造方法として、導電性酸化ルテニウム微粒子が分散
したゾルを含む塗布液を基体上に塗布した後加熱して酸
化ルテニウムを主成分とする導電膜を形成することを特
徴とする導電膜の製造方法を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、ブラウン管のフェイス
面等のガラス基体に被着された導電膜、及び導電膜を少
なくとも１層含む低反射導電膜であって、かかる導電膜
の製造方法として、導電性酸化ルテニウム微粒子が分散
したゾルを含む塗布液を基体上に塗布した後加熱して酸
化ルテニウムを主成分とする導電膜を形成することを特
徴とする導電膜の製造方法を提供するものである。
【０００８】本発明に用いられる導電性酸化ルテニウム
微粒子は、例えば、塩化ルテニウム等のルテニウム塩を
ＰＨ２から１０の範囲で加水分解し、得られた沈澱を乾
燥し、３００℃〜６００℃の範囲で焼成して得るのが好
ましい。焼成温度としては低温における焼成ではアモル
ファスであり、十分な導電性が得られないことがあるた
め好ましくなく、また高温で焼成をすると粒成長するた
め塗膜化したときのヘーズの原因になりやすい。従って
この温度範囲が好ましい。
微粒子は、例えば、塩化ルテニウム等のルテニウム塩を
ＰＨ２から１０の範囲で加水分解し、得られた沈澱を乾
燥し、３００℃〜６００℃の範囲で焼成して得るのが好
ましい。焼成温度としては低温における焼成ではアモル
ファスであり、十分な導電性が得られないことがあるた
め好ましくなく、また高温で焼成をすると粒成長するた
め塗膜化したときのヘーズの原因になりやすい。従って
この温度範囲が好ましい。
【０００９】導電性酸化ルテニウムの粉末は、あまり大
きいと分散しにくくなるため、平均粒径が１０００Å以
下となっていることが好ましい。特に５０〜５００Å程
度であることが好ましい。
きいと分散しにくくなるため、平均粒径が１０００Å以
下となっていることが好ましい。特に５０〜５００Å程
度であることが好ましい。
【００１０】かかる酸化ルテニウム微粒子の粉末は均一
に水等に分散させることが重要である。分散する際に
は、溶液と粉末の接触を容易ならしめるため撹拌を行う
ことが望ましい。この場合、コロイドミル、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキサー等の市販の粉砕器を用い
ることができる。また分散させる際には、２０〜２００
℃の範囲で加熱することもできる。溶液の沸点以上で撹
拌する場合には加圧して液層が保持できるようにする。
このようにして酸化ルテニウムがコロイド粒子として分
散した水性ゾルが得られる。
に水等に分散させることが重要である。分散する際に
は、溶液と粉末の接触を容易ならしめるため撹拌を行う
ことが望ましい。この場合、コロイドミル、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキサー等の市販の粉砕器を用い
ることができる。また分散させる際には、２０〜２００
℃の範囲で加熱することもできる。溶液の沸点以上で撹
拌する場合には加圧して液層が保持できるようにする。
このようにして酸化ルテニウムがコロイド粒子として分
散した水性ゾルが得られる。
【００１１】本発明における水性ゾルはそのまま塗布液
として用いることもできるが基体に対する塗布性を増す
ために有機溶媒に分散または置換して用いることも可能
である。親水性有機溶媒としてはメタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール等アルコール類、エチル
セロソルブ等エーテル類が任意に使用できる。
として用いることもできるが基体に対する塗布性を増す
ために有機溶媒に分散または置換して用いることも可能
である。親水性有機溶媒としてはメタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール等アルコール類、エチル
セロソルブ等エーテル類が任意に使用できる。
【００１２】また本発明において用いる酸化ルテニウム
を含む塗布液には膜の付着強度及び硬度を向上させるた
めにバインダーとしてＳｉ（ＯＲ）y ・Ｒ´4-y （ｙ＝
３、４、Ｒ，Ｒ´：アルキル基）等のケイ素化合物を添
加することも可能である。さらに基体との濡れ性を向上
させるために種種の界面活性剤を添加することもでき
る。またさらには、加熱によりそれぞれＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 となるＴｉ化合物、Ｚｒ化
合物、Ａｌ化合物、及びＳｎ化合物のうち少なくとも１
種を混合し、任意の屈折率の膜を得ることもできる。
を含む塗布液には膜の付着強度及び硬度を向上させるた
めにバインダーとしてＳｉ（ＯＲ）y ・Ｒ´4-y （ｙ＝
３、４、Ｒ，Ｒ´：アルキル基）等のケイ素化合物を添
加することも可能である。さらに基体との濡れ性を向上
させるために種種の界面活性剤を添加することもでき
る。またさらには、加熱によりそれぞれＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 となるＴｉ化合物、Ｚｒ化
合物、Ａｌ化合物、及びＳｎ化合物のうち少なくとも１
種を混合し、任意の屈折率の膜を得ることもできる。
【００１３】導電性酸化ルテニウムＲｕＯ2 とケイ素化
合物Ｓｉ（ＯＲ）y ・Ｒ´4-y は任意の比で混合できる
が、導電性の発現、膜強度を考慮に入れるとＲｕＯ2 ／
ＳｉＯ2 換算で１／６から１０／１まで混合することが
好ましい。更に好ましくは１／４から５／１にするとよ
い。また液中の固形分含量は０．０５〜１０ｗｔ％含ま
れることができるがさらに好ましくは０．３〜５．０ｗ
ｔ％にするとよい。固形分含量があまり小さいと膜が薄
くなるため十分な膜の導電性が得られず、またあまり大
きいと塗布液の保存安定性が悪くなるためかかる固形分
含量が好ましい。
合物Ｓｉ（ＯＲ）y ・Ｒ´4-y は任意の比で混合できる
が、導電性の発現、膜強度を考慮に入れるとＲｕＯ2 ／
ＳｉＯ2 換算で１／６から１０／１まで混合することが
好ましい。更に好ましくは１／４から５／１にするとよ
い。また液中の固形分含量は０．０５〜１０ｗｔ％含ま
れることができるがさらに好ましくは０．３〜５．０ｗ
ｔ％にするとよい。固形分含量があまり小さいと膜が薄
くなるため十分な膜の導電性が得られず、またあまり大
きいと塗布液の保存安定性が悪くなるためかかる固形分
含量が好ましい。
【００１４】上記で合成した塗布液の基体上への塗布方
法としては、スピンコート、ディップコート、スプレー
コート法等が好適に使用できる。また、スプレーコート
して表面に凹凸を形成し防眩効果も併せて付与してもよ
く、またその上にシリカ被膜等のハードコートを設けて
もよい。さらには、本発明の導電膜はスピンコート、ス
プレーコートいずれかの方法で形成し、その上に上にＳ
ｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコートして、表面
に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコートを設けて
もよい。
法としては、スピンコート、ディップコート、スプレー
コート法等が好適に使用できる。また、スプレーコート
して表面に凹凸を形成し防眩効果も併せて付与してもよ
く、またその上にシリカ被膜等のハードコートを設けて
もよい。さらには、本発明の導電膜はスピンコート、ス
プレーコートいずれかの方法で形成し、その上に上にＳ
ｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコートして、表面
に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコートを設けて
もよい。
【００１５】本発明における酸化ルテニウムゾルを含む
塗布液はそれ自体で基体上への塗布液として供し得るた
め、低沸点の溶媒を用いた場合、室温での乾燥の均一な
酸化ルテニウム膜が得られるが、高沸点溶媒を用いた場
合或は膜の強度を向上させたい場合、塗布した基板を加
熱する。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プ
ラスチック等の軟化点によって決定される。この点も考
慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃である。
塗布液はそれ自体で基体上への塗布液として供し得るた
め、低沸点の溶媒を用いた場合、室温での乾燥の均一な
酸化ルテニウム膜が得られるが、高沸点溶媒を用いた場
合或は膜の強度を向上させたい場合、塗布した基板を加
熱する。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プ
ラスチック等の軟化点によって決定される。この点も考
慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃である。
【００１６】本発明においては、光の干渉を利用して低
反射導電膜を形成することができる。例えば基体がガラ
ス（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上
に、ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．
２３となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を
低減できる。
反射導電膜を形成することができる。例えば基体がガラ
ス（屈折率ｎ＝１．５２）の場合、上記の導電膜の上
に、ｎ（導電膜）／ｎ（低屈折率膜）の比の値が約１．
２３となるような低屈折率膜を形成すると最も反射率を
低減できる。
【００１７】かかる２層からなる低反射導電膜の最外層
の低屈折率膜としてはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液や、Ｓｉ
アルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる少なくとも
１種よりなる溶液を用いて形成する。屈折率の面からみ
ると該材料のうちＭｇＦ2 が最も低く反射率低減のため
にはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いることが好ましい
が、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分とす
る膜が好ましい。
の低屈折率膜としてはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液や、Ｓｉ
アルコキシドを含む溶液のうちから選ばれる少なくとも
１種よりなる溶液を用いて形成する。屈折率の面からみ
ると該材料のうちＭｇＦ2 が最も低く反射率低減のため
にはＭｇＦ2 ゾルを含む溶液を用いることが好ましい
が、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ2 を主成分とす
る膜が好ましい。
【００１８】かかる低屈折率膜形成用のSiアルコキシド
を含む溶液としては種々の物が使用可能であるが、Ｓｉ
（ＯＲ）m Ｒ' n （ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ，Ｒ’
＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示されるSiアルコキシド
或は部分加水分解物を含む液が挙げられる。例えば、シ
リコンエトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソ
プロポキシド、シリコンブトキシドのモノマー或は重合
体が好ましく使用可能である。
を含む溶液としては種々の物が使用可能であるが、Ｓｉ
（ＯＲ）m Ｒ' n （ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ，Ｒ’
＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示されるSiアルコキシド
或は部分加水分解物を含む液が挙げられる。例えば、シ
リコンエトキシド、シリコンメトキシド、シリコンイソ
プロポキシド、シリコンブトキシドのモノマー或は重合
体が好ましく使用可能である。
【００１９】シリコンアルコキシドはアルコール、エス
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、また前
記溶液に塩酸、硝酸、酢酸、弗酸或はアンモニア水溶液
を添加して加水分解して用いることもできる。また前記
Ｓｉアルコキシドは溶媒に対して、３０ｗｔ％以下含ま
れていることが好ましい。固形分含量があまり大きいと
保存安定性が悪いためかかる固形分含量が好ましい。
テル、エーテル等に溶解して用いることもでき、また前
記溶液に塩酸、硝酸、酢酸、弗酸或はアンモニア水溶液
を添加して加水分解して用いることもできる。また前記
Ｓｉアルコキシドは溶媒に対して、３０ｗｔ％以下含ま
れていることが好ましい。固形分含量があまり大きいと
保存安定性が悪いためかかる固形分含量が好ましい。
【００２０】また、この溶液には膜の強度向上のために
バインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ等のアルコ
キシドや、これらの部分加水分解物を添加して、ＺｒＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１
種、または２種以上の複合物をＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 と同
時に析出させてもよい。
バインダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ等のアルコ
キシドや、これらの部分加水分解物を添加して、ＺｒＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１
種、または２種以上の複合物をＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 と同
時に析出させてもよい。
【００２１】或はまた、基体との濡れ性を上げるために
界面活性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤と
しては、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、
アルキルエーテル硫酸エステル等が上げられる。
界面活性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤と
しては、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、
アルキルエーテル硫酸エステル等が上げられる。
【００２２】本発明の低反射導電膜の製造方法は、多層
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
干渉効果による低反射の導電膜にも応用できる。反射防
止性能を有する多層の低反射膜の構成としては、反射防
止したい波長をλとして基体側より、高屈折率層−低屈
折率層を光学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反
射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低
反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率
層−低屈折率層で形成した４層の低反射膜等が典型的な
例として知られている。
【００２３】本発明の導電膜を形成する基体としてはブ
ラウン管パネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、
クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴ或はＬＣＤ等の表示装
置の前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用いる
ことができる。
ラウン管パネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、
クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴ或はＬＣＤ等の表示装
置の前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用いる
ことができる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ更に説明を行う
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例に於て、得られた膜の評価方法は次の
通りである。 １）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）により膜表面の表
面抵抗値を測定した。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の
実施例及び比較例に於て、得られた膜の評価方法は次の
通りである。 １）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）により膜表面の表
面抵抗値を測定した。
【００２５】２）耐擦傷性 １ｋｇ荷重下で（ＬＩＯＮ製５０−５０）で膜表面を50
回往復後、その表面の傷の付きを目視で判断した。評価
基準は以下の通りとした。 ○：傷が全くつかない △：傷が多少つく ×：一部に膜剥離が生じる
回往復後、その表面の傷の付きを目視で判断した。評価
基準は以下の通りとした。 ○：傷が全くつかない △：傷が多少つく ×：一部に膜剥離が生じる
【００２６】３）鉛筆硬度 １ｋｇ荷重下において、鉛筆で膜表面を走査しその後目
視により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬
度と判断した。 ４）視感反射率 ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器により多層膜４
００〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
視により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬
度と判断した。 ４）視感反射率 ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器により多層膜４
００〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
【００２７】［実施例１］塩化ルテニウム水溶液をＰＨ
３の水溶液中で、アンモニア水でＰＨ３に保ちながら沈
澱析出させた。この沈澱を乾燥後、４００℃で焼成する
と、平均１次粒径３００ÅのＲｕＯ2 微粒子が得られ
た。このＲｕＯ2 微粒子を水中でサンドミルで４時間粉
砕した後、９０℃で１時間加熱解膠した。この液をＡ液
とする。
３の水溶液中で、アンモニア水でＰＨ３に保ちながら沈
澱析出させた。この沈澱を乾燥後、４００℃で焼成する
と、平均１次粒径３００ÅのＲｕＯ2 微粒子が得られ
た。このＲｕＯ2 微粒子を水中でサンドミルで４時間粉
砕した後、９０℃で１時間加熱解膠した。この液をＡ液
とする。
【００２８】ケイ酸エチルをエタノールに溶かし塩酸水
溶液で加水分解しＳｉＯ2 換算で３重量％となるように
調製した。この溶液をＢ液とする。Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ
2 ) 2（ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエタノールに溶解し、塩酸水
溶液で加水分解しＴｉＯ2 換算で３重量％となるように
調製した。この液をＣ液とする。
溶液で加水分解しＳｉＯ2 換算で３重量％となるように
調製した。この溶液をＢ液とする。Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ
2 ) 2（ＯＣ3 Ｈ7 ）2 をエタノールに溶解し、塩酸水
溶液で加水分解しＴｉＯ2 換算で３重量％となるように
調製した。この液をＣ液とする。
【００２９】ＲｕＯ2 ／ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 が種々の比
になるようにＡ液とＢ液とＣ液を混合した溶液を７０ｍ
ｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、その後２
００℃で３０分加熱した。各液中の各成分の固形分濃
度、及び膜特性を表１に示す。
になるようにＡ液とＢ液とＣ液を混合した溶液を７０ｍ
ｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、その後２
００℃で３０分加熱した。各液中の各成分の固形分濃
度、及び膜特性を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】［実施例２］実施例１で調製した塗布液を
７０ｍｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、６
０℃で乾燥した後、その上にＢ液をスピンコート法で塗
布しその後２００℃で３０分加熱した。各塗布液中の各
成分の固形分濃度、及び上層にＢ液によって低屈折率膜
を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表２に示
す。
７０ｍｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、６
０℃で乾燥した後、その上にＢ液をスピンコート法で塗
布しその後２００℃で３０分加熱した。各塗布液中の各
成分の固形分濃度、及び上層にＢ液によって低屈折率膜
を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表２に示
す。
【００３２】
【表２】
【００３３】［実施例３］ＳｎＣｌ4 ・ｎＨ2 ＯをＳｎ
Ｏ2 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした
溶液をＤ液とする。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更
する以外は実施例１と同様に液の調製を行い、実施例２
と同様に塗膜焼成した。各塗布液中の各成分の固形分濃
度、及び上層にＢ液によって低屈折率膜を形成した２層
からなる低反射導電膜の特性を表３に示す。
Ｏ2 換算で３重量％となるようにエタノールに溶かした
溶液をＤ液とする。実施例１におけるＣ液をＤ液に変更
する以外は実施例１と同様に液の調製を行い、実施例２
と同様に塗膜焼成した。各塗布液中の各成分の固形分濃
度、及び上層にＢ液によって低屈折率膜を形成した２層
からなる低反射導電膜の特性を表３に示す。
【００３４】
【表３】
【００３５】［実施例４］ＺｒＣｌ4 をＺｒＯ2 換算で
３重量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液
とする。実施例１におけるＣ液をＥ液に変更する以外は
実施例１と同様に液の調製を行い、実施例２と同様に塗
膜焼成した。各塗布液中の各成分の固形分濃度、及び上
層にＢ液によって低屈折率膜を形成した２層からなる低
反射導電膜の特性を表４に示す。
３重量％となるようにエタノールに溶かした溶液をＥ液
とする。実施例１におけるＣ液をＥ液に変更する以外は
実施例１と同様に液の調製を行い、実施例２と同様に塗
膜焼成した。各塗布液中の各成分の固形分濃度、及び上
層にＢ液によって低屈折率膜を形成した２層からなる低
反射導電膜の特性を表４に示す。
【００３６】
【表４】
【００３７】［実施例５］Ａｌ（ＯＣ3 Ｈ7 ）2 （Ｃ6
Ｈ10Ｏ3 ）をＡｌ2 Ｏ3 換算で３重量％となるようにエ
タノールに溶かした溶液をＦ液とする。実施例１におけ
るＣ液をＦ液に変更する以外は実施例１と同様に液の調
製を行い、実施例２と同様に塗膜焼成した。各塗布液中
の各成分の固形分濃度、及び上層にＢ液によって低屈折
率膜を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表５
に示す。
Ｈ10Ｏ3 ）をＡｌ2 Ｏ3 換算で３重量％となるようにエ
タノールに溶かした溶液をＦ液とする。実施例１におけ
るＣ液をＦ液に変更する以外は実施例１と同様に液の調
製を行い、実施例２と同様に塗膜焼成した。各塗布液中
の各成分の固形分濃度、及び上層にＢ液によって低屈折
率膜を形成した２層からなる低反射導電膜の特性を表５
に示す。
【００３８】
【表５】
【００３９】［比較例］平均粒径３００ÅのＳｎＯ2 を
サンドミルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間
加熱解膠した後、ケイ酸エチルを加水分解しエタノール
にＳｉＯ2 換算で３重量％添加した溶液をＳｎＯ2 とＳ
ｉＯ2 ＝７０／３０ｗｔ比になるように調製し、７０ｍ
ｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、６０℃で
乾燥した後、その上にＢ液をスピンコート法で塗布しそ
の後２００℃で３０分加熱した。
サンドミルで４時間粉砕した。この液を９０℃で１時間
加熱解膠した後、ケイ酸エチルを加水分解しエタノール
にＳｉＯ2 換算で３重量％添加した溶液をＳｎＯ2 とＳ
ｉＯ2 ＝７０／３０ｗｔ比になるように調製し、７０ｍ
ｍφガラス板表面にスピンコート法で塗布し、６０℃で
乾燥した後、その上にＢ液をスピンコート法で塗布しそ
の後２００℃で３０分加熱した。
【００４０】上層にＢ液によって低屈折率膜を形成した
２層からなるこの低反射導電膜の特性は表面抵抗値は４
×107 （Ω／□）で、耐擦傷性は×、視感反射率は０．
６３であった。
２層からなるこの低反射導電膜の特性は表面抵抗値は４
×107 （Ω／□）で、耐擦傷性は×、視感反射率は０．
６３であった。
【００４１】
【発明の効果】本発明によればスプレーまたはスピンコ
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた導電膜を提供することが可能とな
る。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要としないの
で装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴのパネル
フェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、量産も
可能であるため工業的価値は非常に高い。
ートあるいは溶液中に基体を浸漬するなどの簡便な方法
により効率よく優れた導電膜を提供することが可能とな
る。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要としないの
で装置も比較的安価なものでよい。特にＣＲＴのパネル
フェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、量産も
可能であるため工業的価値は非常に高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹宮 聡 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 阿部 啓介 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】導電性酸化ルテニウム微粒子が分散したゾ
ルを含む塗布液を基体上に塗布した後加熱して酸化ルテ
ニウムを主成分とする導電膜を形成することを特徴とす
る導電膜の製造方法。 - 【請求項２】基体上への塗布液がケイ素化合物を含むこ
とを特徴とする請求項１の導電膜の製造方法。 - 【請求項３】基体上への塗布液が加熱によりそれぞれＴ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 となるＴｉ化
合物、Ｚｒ化合物、Ｓｎ化合物、Ａｌ化合物のうち少な
くとも１種を含むことを特徴とする請求項１または２の
導電膜の製造方法。 - 【請求項４】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によ
って得られた導電膜。 - 【請求項５】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によ
ってガラス基体上に導電膜を形成したガラス物品。 - 【請求項６】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によ
ってブラウン管表面に導電膜を形成したブラウン管。 - 【請求項７】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によ
って得られた導電膜の上に、かかる導電膜より低屈折率
の膜が形成されてなることを特徴とする低反射導電膜。 - 【請求項８】ガラス基体上に請求項４の低反射導電膜が
形成されたガラス物品。 - 【請求項９】ブラウン管表面に請求項４の低反射導電膜
を形成したブラウン管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02442692A JP3288417B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 低反射導電膜が形成されたブラウン管パネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02442692A JP3288417B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 低反射導電膜が形成されたブラウン管パネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190091A true JPH05190091A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3288417B2 JP3288417B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=12137828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02442692A Expired - Fee Related JP3288417B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 低反射導電膜が形成されたブラウン管パネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3288417B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019139160A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜及びその製造方法 |
| WO2019139162A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP02442692A patent/JP3288417B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019139160A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜及びその製造方法 |
| WO2019139162A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| JP2019125653A (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| US11017924B2 (en) | 2018-01-15 | 2021-05-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor element and method for manufacturing same |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| US11107611B2 (en) | 2018-01-17 | 2021-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor element and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3288417B2 (ja) | 2002-06-04 |
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