JPH0950127A - レジストおよびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 剛性の充分なレジスト膜を成膜することが可
能で形成されるパターンの倒れ、折れ等を抑えることが
でき、結果的に超微細で高アスペクト比のパターンを高
い感度で形成し得るレジストを提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で表されるスルフォニ
ル化合物と、酸により分解してアルカリ可溶性基を生成
する置換基を有する化合物と、アルカリ可溶性化合物を
含有する。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒ¹ は水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または１価の有機
基、Ｒ² はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリ
ル基または１価の有機基、Ｒ³ は２価の有機基を示し、
ｎは２以上の整数である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の微細加
工や、絶縁膜パターンの形成等に好適に用いられるレジ
ストに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体集積回路を始めとする
各種の電子部品の分野においては、以前より微細加工が
必要とされ、ここでの加工技術にレジストが広く用いら
れている。さらに近年は、電子部品の高密度集積化に対
応するため、電子部品の製造に当って超微細なレジスト
膜のパターンを形成することが求められている。

【０００３】従って、最近ではレジスト膜のパターンを
形成する際の光源を短波長化することが進められてい
る。すなわち、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ
を光源に使用したり、電子線やＸ線等の電離放射線を照
射することで、超微細なパターンを形成するプロセスが
開発されており、上述したような光源に対し高い感度を
有するレジストが数多く報告されている。

【０００４】例えば特開昭６３−２７８２９号等には、
アルカリ可溶性化合物と溶解抑止剤と光酸発生剤とを含
有する組成物からなる化学増幅型のレジストが開示され
ている。すなわちこの種の化学増幅型のレジストは、未
露光部で溶解抑止剤がレジストのアルカリ現像液に対す
る溶解性を抑えている一方で、露光部では光酸発生剤が
酸を発生し、露光後のベーキング処理でこれが溶解抑止
剤を分解するため、レジストがアルカリ現像液に可溶化
するというものである。ここで化学増幅型のレジストに
おいては、光酸発生剤から発生された酸が微量であって
も多数の溶解抑止剤を分解し得るので、一般に高い感度
で超微細なパターンを形成することが可能となる。

【０００５】しかしながら化学増幅型のレジストは、通
常光酸発生剤としてオニウム塩等の低分子化合物を含有
することに起因し、特にレジストの高感度化を鑑みてこ
れが多量に配合されると、レジスト膜を成膜した際の剛
性が低く形成されるパターンの倒れ、折れ等が生じやす
い。従って、超微細で高アスペクト比のパターンの形成
は困難であった。

【０００６】一方、半導体装置においてデバイスを外部
環境の影響から保護し、その信頼性を高める目的でデバ
イス表面に保護膜を設ける処理がなされている。一般的
に、前記保護膜の材料としては絶縁性等の電気特性およ
び耐熱性に優れたポリイミド樹脂が広く用いられてお
り、このポリイミド樹脂は、半導体装置の多層配線構造
における層間絶縁膜としても広く使用されている。

【０００７】さらに近年、感光性を有するポリイミドあ
るいはその前駆体であるポリアミド酸をフォトレジスト
として用いることにより、ポリイミド膜の加工プロセス
を簡略化することが試みられている。例えば、特公昭５
９−５２８２２号には、ポリアミド酸と感光性成分とし
てのアクリロイル基を有する化合物と共重合体モノマー
としてのマレイミド化合物と増感剤等とを含有する感光
材料が開示されている。しかしながら、このような感光
性ポリイミドを用いたパターン形成においては、現像液
として有機溶媒が用いられるため、現像時にパターンが
膨潤してしまい、解像度を高めることが困難であるとい
う問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述した通り従来の化
学増幅型のレジストは、一般的に光酸発生剤としてオニ
ウム塩等の低分子化合物を含有するため、剛性の十分な
レジスト膜を成膜し難くひいては形成されるパターンの
倒れ、折れ等が生じやすいという問題があった。また特
開平４−２５１８５０号には、露光により酸を発生する
部位を主鎖中に有する重合体をレジストとする技術が提
案されているが、ここではレジストとなる重合体の設計
上の制約が大きいうえ、低分子化合物の光酸発生剤を含
有しないレジストではあっても、重合体の主鎖において
露光により酸を発生する部位が骨格的に脆弱であり、や
はりレジスト膜を成膜した場合その剛性は十分でない。

【０００９】本発明はこのような問題を解決して、剛性
の充分なレジスト膜を成膜することが可能で形成される
パターンの倒れ、折れ等を抑えることができ、結果的に
超微細で高アスペクト比のパターンを高い感度で形成し
得るレジストを提供することを目的としている。

【００１０】また、本発明は、パターンの倒れ、折れ等
の生じないレジストパターンを超微細、高アスペクト比
で形成する方法を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
になされた本発明は、下記一般式（１）で表されるスル
フォニル化合物を含有するレジストである。すなわち本
発明のレジストは、露光により酸を発生する部位として
スルフォニル基を側鎖に有する重合体を必須成分とした
ことを特徴としている。

【００１２】

【化６】

【００１３】（上記一般式（１）中、Ｒ¹ は水素原子、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または
１価の有機基、Ｒ² はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ノトリル基または１価の有機基、Ｒ³ は２価の有機
基を示し、ｎは２以上の整数である。） 本発明において上記一般式（１）で表されるスルフォニ
ル化合物は、露光により主鎖の炭素原子と側鎖のスルフ
ォニル基のイオウ原子との間の結合が切断され、スルフ
ォン酸が発生する。さらにここでは、例えば露光時のエ
ネルギー量を充分に高めることで、上記一般式（１）で
表されるスルフォニル化合物の主鎖についても同様に切
断され得る。従って、露光部における上記一般式（１）
で表されるスルフォニル化合物の低分子量化を利用すれ
ば、このスルフォニル化合物単独でも露光部を現像液で
選択的に溶解・除去して所定のポジ型パターンを形成す
ることが可能となる。

【００１４】しかも、本発明のレジストの成分である上
記一般式（１）で表されるスルフォニル化合物は、側鎖
にスルフォニル基を有するアルキレンやアリーレン等の
重合体構造であることに起因し、レジスト中に光酸発生
剤として低分子化合物が含有される場合とは異なり、レ
ジスト膜を成膜した際の剛性をほとんど低下させるもの
ではない。従って、超微細で高アスペクト比のパターン
を形成する際にも、パターンの倒れ、折れ等の発生が有
効に抑えられる。

【００１５】なお、このように形成されるパターンの倒
れ、折れ等の発生を抑えるうえで、上記一般式（１）で
表されるスルフォニル化合物の重合度、すなわち上記一
般式（１）中のｎは２以上であればよいが、５〜１００
であることがより好ましい。これは、重合度が５未満だ
とレジスト膜を成膜したときの剛性がいまだ不十分であ
るおそれがあり、逆に重合度が１００を越えるとレジス
トの溶媒可溶性が低下して、レジスト膜の成膜に際しワ
ニスの調製が困難となるためである。

【００１６】また上記一般式（１）で表されるスルフォ
ニル化合物において、上記一般式（１）中のＲ¹ は水素
原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル
基、Ｒ² はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリ
ル基、さらに、Ｒ¹ 及びＲ² として導入され得る１価の
有機基としては、例えばアリル基、アニシル基、アント
ラキノリル基、アセトナフチル基、アンスリル基、アズ
レニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾキノリル基、ベン
ゾキサジニル基、ベンゾキサゾリル基、ベンジル基、ビ
フェニレニル基、ボルニル基、ブテニル基、ブチル基、
シンナミル基、クレゾトイル基、クメニル基、シクロブ
タンジエニル基、シクロブテニル基、シクロブチル基、
シクロペンタジエニル基、シクロペンタトリエニル基、
シクロヘプチル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチ
ル基、シクロプロピル基、シクロプロペニル基、デシル
基、ジメトキシフェネチル基、ジフェニルメチル基、ド
コシル基、ドデシル基、エイコシル基、エチル基、フル
オレニル基、フルフリル基、ヘプチル基、ヘキサデシル
基、ヘキシル基、ヒドロキシメチル基、インダニル基、
イソブチル基、イソプロピル基、イソプロピルベンジル
基、イソキアゾリル基、メンチル基、メシチル基、メト
キシベンジル基、メトキシフェニル基、メチル基、メチ
ルベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基、ノニル
基、ノルボニル基、オクタコジル基、オクチル基、オキ
サジニル基、オキサゾリジニル基、オキサゾリニル基、
オキサゾリル基、ペンチル基、フェナシル基、フェナン
スリル基、フェネチル基、フェニル基、フタリジル基、
プロピニル基、プロピル基、ピラニル基、ピリジル基、
キナゾニル基、キノリル基、サリシル基、テレフタリル
基、テトラゾリル基、チアゾリル基、チアフテニル基、
チエニル基、トリル基、トリチル基、トリメチルシリル
メチル基、トリメチルシリルオキシメチル基、ウンデシ
ル基、バレリル基、ベラチル基、キシリル基等が挙げら
れる。さらに、これらの有機基の水素原子がハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基等で置換されたも
のであっても構わない。一方、上記一般式（１）中Ｒ³
として導入される２価の置換基としては、具体的にはメ
チレン基、エチレン基、フェニレン基、キシリレン基等
が例示される。

【００１７】ただし本発明において、上記一般式（１）
中のＲ¹ については特にシアノ基等の電子吸引性基であ
ることが好ましい。これはＲ¹ が電子吸引性基である
と、本発明のレジストへの露光により上記一般式（１）
で表されるスルフォニル化合物が高い発生効率でスルフ
ォン酸を発生するからである。なお上記一般式（１）で
表されるスルフォニル化合物は、活性メチレンを有する
スルフォニル化合物とジハロゲン化化合物をジアザビシ
クロウンデセン（ＤＢＵ）やジアザビシクロオクタン
（ＤＡＢＣＯ）等の塩基性有機化合物の存在下で反応さ
せるか、活性メチレンを有するスルフォニル化合物とア
ルデヒド類との脱水反応で得られるオレフィン類を重合
させることで、容易に合成することができる。

【００１８】さらに上記一般式（１）で表される化合物
において、Ｒ³ が下記一般式（２）で表されるイミド化
合物であるスルフォニル化合物は、極めて耐熱性に優れ
たパターンを形成することができる点で特に好ましい。
したがって、こうしたスルフォニル化合物を成分とする
レジストは、単にフォトリソグラフィー技術を利用した
電子部品の微細加工に供されるのみならず、このレジス
トを用いて形成されたパターンをそのまま半導体装置に
おける表面保護膜や層間絶縁膜等の絶縁膜パターンに好
ましく適用することができる。

【００１９】

【化７】

【００２０】上記一般式（２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、
Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は互いに同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニ
トリル基または１価の有機基、Ｚは２価の有機基を示
す。

【００２１】このスルフォニル化合物は、活性メチレン
を有するスルフォニル化合物と下記一般式（２′）で表
されるビスマレイミド化合物とを有機溶媒の存在下で反
応させて合成することができる。

【００２２】

【化８】

【００２３】上記一般式中、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰は
互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または１価の
有機基、Ｚは２価の有機基を示す。

【００２４】一方、このビスマレイミド化合物は、次式
のジアミノ化合物と無水マレイン酸またはその誘導体と
をトリエチルアミン、酢酸コバルトおよび無水酢酸の存
在下、有機溶媒中で反応させることで容易に合成するこ
とができる。

【００２５】Ｈ₂ Ｎ−Ｚ−ＮＨ₂すなわち、一般式
（２）中、Ｚとして導入される２価の有機基としては、
ジアミノ化合物のジアミノ残基が好ましい。本発明に用
いられるジアミノ化合物としては、例えば、ｍ−フェニ
レンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−トリ
レンジアミン、４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−
ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフロロプロパン、３，４´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３´−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３´−ジアミノジフェニルケトン、４，４´−ジアミノ
ジフェニルケトン、４，４´−ジアミノベンズアニリ
ド、ビス（４−アミノフェニル）ジメチルシラン、１，
３−ビス（４−アミノフェニル）−１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、４−メチル−２，４−ビス（４−アミノ
フェニル）−１−ペンテン、４−メチル−２，４−ビス
（４−アミノフェニル）−２−ペンテン、１，４−ビス
（α，α−ジメチル−４−アミノベンジル）ベンゼン、
イミノ−ジ−ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ジアミ
ノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、４−メチ
ル−２，４−ビス（４−アミノフェニル）ペンタン、５
（又は６）−アミノ−１−（４−アミノフェニル）−
１，３，３−トリメチルインダン、ビス（４−アミノフ
ェニル）ホスフィンオキシド、４，４´−ジアミノアゾ
ベンゼン、４，４´−ジアミノジフェニル尿素、４，４
´−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、４，４´−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゾフェノン、４，４´−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４´−ビス（４−
アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４´−ビ
ス［４−（α，α−ジメチル−４−アミノベンジル）フ
ェノキシ］ベンゾフェノン、４，４´−ビス［４−
（α，α−ジメチル−４−アミノベンジル）フェノキ
シ］ジフェニルスルホン、２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロパン、
３，５−ジアミノ−１−ヒドロキシベンゼン、３，３´
−ジヒドロキシ−４，４´−ジアミノビフェニル、４，
４´−ジヒドロキシ−３，３´−ジアミノビフェニル、
２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノ
−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフロロプロパン、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフロロプロパン等の芳香族ジアミンが挙げられ
る。なお、これらの芳香族ジアミンの芳香環の水素原子
が、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基、フェニル基などの群より選択される
少なくとも１種により置換された化合物であってもよ
い。さらには、上述した芳香族ジアミンのほかにも、例
えば、ジメチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプ
タメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメ
チレンジアミン、デカメチレンジアミン、１，２−ビス
（３´−アミノプロポキシ）エタン、Ｈ₂ Ｎ−（Ｃ
Ｈ₂ ）₃ −Ｏ−（ＣＨ₂ ）₂ −Ｏ−（ＣＨ₂ ）₃ −ＮＨ
₂ 、１，４−ジアミノシクロヘキサン、４，４´−ジア
ミノジシクロヘキシルメタン、１，３−ビスアミノメチ
ルシクロヘキサン、１，４−ビスアミノメチルシクロヘ
キサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、４，４´−
ジアミノジシクロヘキシルイソプロパン、１，４−キシ
リレンジアミン、２，６−ジアミノピリジン、２，４−
ジアミノ−Ｓ−トリアジン、１，３−ビス（γ−アミン
プロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，４−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリ
ル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノブチル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（γ
−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラフェニル
ジシロキサン等が挙げられる。なお、上記一般式（２）
中のＲ²¹〜Ｒ²⁶及び上記一般式（２′）中のＲ²⁷〜Ｒ³⁰
として導入され得る１価の有機基としては、上記一般式
（１）中のＲ¹ およびＲ² で例示のものが挙げられる。

【００２６】また本発明のレジストは、上述した通り上
記一般式（１）で表されるスルフォニル化合物単独でも
パターンを形成し得るが、このようなスルフォニル化合
物に対し酸により分解する置換基を有する化合物、また
は酸により架橋する置換基を有する化合物が配合された
ものであってもよい。すなわち、酸により分解する置換
基を有する化合物を配合した場合は、露光部で上記一般
式（１）で表されるスルフォニル化合物がスルフォン酸
を発生することに基づき、例えば露光後にベーキング処
理等を施すことで酸により分解する置換基を有する化合
物が分解されるので、露光部を現像液で選択的に溶解・
除去することでポジ型のパターンを形成することが可能
となる。一方、酸により架橋する置換基を有する化合物
が配合されたレジストでは、露光部のレジストの成分を
架橋せしめて現像液に対し不溶化することができ、ひい
てはネガ型のパターンを形成し得る。なお本発明で、酸
により分解する置換基あるいは酸により架橋する置換基
は、上記一般式（１）で表されるスルフォニル化合物の
側鎖等に適宜導入されていてもよい。

【００２７】さらに本発明においては、特に上記一般式
（１）で表されるスルフォニル化合物と酸により分解し
てアルカリ可溶性基を生成する置換基を有する化合物
（以下、酸分解性化合物と略記する）を含有するレジス
トが、耐環境性の良好なアルカリ現像でポジ型のパター
ンを形成できる点で特に好ましい。すなわちこの場合、
酸分解性化合物が溶解抑止剤としてレジストをアルカリ
現像液に不溶化する一方で、露光により上記一般式
（１）で表されるスルフォニル化合物がスルフォン酸を
発生すると、酸分解性化合物の置換基部分が分解されて
アルカリ可溶性基を生成するので、露光後のレジストに
ついてはアルカリ可溶性が発現される。従って露光部を
アルカリ現像液で選択的に溶解・除去して、膨潤等のな
い解像性の良好なポジ型パターンを形成することができ
る。

【００２８】ここで、上述した通り酸により分解してア
ルカリ可溶性基を生成する置換基としては、例えばｔ−
ブチルエステル、イソプロピルエステル、エチルエステ
ル、ベンジルエステル等のエステル類；ｔ−ブチルエー
テル、テトラヒドロピラニルエーテル等のエーテル類；
ｔ−ブトキシカーボネート、メトキシカーボネート、エ
トキシカーボネート等のアルコキシカーボネート類；ト
リメチルシリルエーテル、トリエチルシリルエーテル、
トリフェニルシリルエーテル等のシリルエーテル類が挙
げられる。本発明では、水酸基、カルボキシル基といっ
たアルカリ可溶性基を有するアルカリ可溶性化合物に、
これらが直接あるいは他の置換基を介して導入されてな
るものが、酸分解性化合物として好ましく用いられ得
る。このとき、上述したような置換基が導入されるアル
カリ可溶性化合物としては、例えばビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、トリヒドロキシジフェニルメタン、
フェノールフタレイン、クレゾールフタレイン、チモー
ルフタレイン、カテコール、ピロガロール、ナフトー
ル、安息香酸誘導体等の低分子量芳香族化合物、コレー
ト、ステロイド化合物、テルペノイド誘導体、糖類等の
低分子量アルコール類が挙げられる。

【００２９】またここでの酸分解性化合物は、アルカリ
可溶性基を有する高分子化合物におけるアルカリ可溶性
基の一部または全部が、酸により分解してアルカリ可溶
性基を生成する置換基で置換されたものであってもよ
い。このようなアルカリ可溶性基を有する高分子化合物
としては、具体的にはフェノール誘導体をアルデヒド誘
導体を用いて重縮合したノボラック樹脂であって、クレ
ゾール、キシレノール、エチルフェノール、ブチルフェ
ノール、ハロゲン化フェノール、ナフトール等を骨格に
含む重合体；ビニルフェノール樹脂；通常のポリビニル
フェノールへの水素添加で透明性を向上させたビニルフ
ェノール；アルカリ溶解速度を制御するため一部の水酸
基をメチル基、アセチル基、ブチルオキシカルボニル
基、またはピラニル基等で保護したビニルフェノール誘
導体；スチレン等を白金触媒で付加したスチレン化ビニ
ルフェノール；スチレンとビニルフェノール、スルフォ
ンの共重合体；メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、４−
ヒドロキシマレイミド、α−メチルスチレン、ビニルフ
ェノールとアクリル酸やメタクリル酸誘導体との共重合
体；ヒドロキシ基含有ポリイミド；ポリイミド前駆体等
が挙げられる。

【００３０】なお本発明で、酸分解性化合物はレジスト
コントラストやアルカリ現像液に対する溶解速度等の調
整のために、２種以上混合して用いても構わない。ここ
で、上述したような酸分解性化合物の具体例を示す。

【００３１】

【化９】

【００３２】

【化１０】

【００３３】

【化１１】

【００３４】

【化１２】

【００３５】

【化１３】

【００３６】

【化１４】

【００３７】

【化１５】

【００３８】

【化１６】

【００３９】

【化１７】

【００４０】

【化１８】

【００４１】

【化１９】

【００４２】

【化２０】

【００４３】さらに本発明において、酸分解性化合物と
しては、下記一般式（３）及び（４）のいずれかで表さ
れる化合物が特に好ましい。すなわち下記一般式（３）
で表される化合物は、ポジ型のパターンの形成を阻害す
る架橋等の副反応を生じ難く、また、下記一般式（４）
で表される化合物は、露光部で置換基が酸により分解さ
れるとともに、この後アルカリ現像液中で環構造が開環
して−ＣＯＯ^- 等を生じアルカリ可溶性が一段と促進さ
れるので、いずれが配合された場合も解像性の極めて良
好なポジ型のパターンを形成することが可能となる。

【００４４】

【化２１】

【００４５】（上記一般式（３）中、Ｒ⁴ は下記に示す
群から選択され、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ は互いに同一でも異なって
いてもよく、ハロゲン原子または１価の有機基を示し、
ｋは０以上の整数、ｍは１以上の整数、ａ、ｂはそれぞ
れ１以上の整数、ｃ、ｄはそれぞれ０〜４の整数であ
る。）

【化２２】

【００４６】

【化２３】

【００４７】（上記一般式（４）中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ は互い
に同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、シリル基または１価の有機
基、Ｒ⁹は２価の有機基、Ｒ¹⁰は＞Ｃ＝Ｏまたは−ＳＯ
₂ ^- を示し、Ｒ⁷ とＲ⁸ とは互いに結合して環構造を形
成していてもよいが、Ｒ⁷ 〜Ｒ⁹ のうち少なくとも１つ
は酸により分解する置換基を有する。） ここで、上記一般式（３）で表される化合物の共重合
比、すなわち上記一般式（３）中のｍ／（ｋ＋ｍ）の値
は０．１〜０．４であることが望まれる。これはｍ／
（ｋ＋ｍ）が０．１未満だと、溶解抑止剤としてレジス
トをアルカリ現像液に対し充分に不溶化できず、形成さ
れるパターンの解像性が低下するおそれがあり、ｍ／
（ｋ＋ｍ）が０．４を越えると化合物の軟化点が低下す
る傾向があるからである。さらに本発明で、上記一般式
（３）で表される化合物の重合度（ｋ＋ｍ）は１００以
下であることが好ましい。何となれば、上記一般式
（３）で表される化合物の重合度が１００を越えるとレ
ジストの溶媒可溶性が低下して、レジスト膜の成膜に際
しワニスの調製が困難となってしまう。

【００４８】また上記一般式（４）で表される化合物に
おいて、上記一般式（４）中のＲ⁷及びＲ⁸ として導入
され得る１価の有機基としては、上記一般式（１）中の
Ｒ¹及びＲ² で例示のものが挙げられる。一方Ｒ⁹ とし
て導入され得る２価の有機基としては、例えばエチレン
基、プロピレン基、ブチレン基等の置換または非置換の
脂肪族基；ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェ
ナントレン、ピペラジン等の置換または非置換の芳香族
環から誘導される基；シクロヘキサン、ピラジン、ピラ
ン、モルホラン等の置換または非置換の脂肪族環やヘテ
ロ環から誘導される基が挙げられる。

【００４９】さらに、上記一般式（４）中のＲ⁷ 〜Ｒ⁹
の少なくとも１つに導入される酸により分解する置換基
としては、上述したような酸により分解してアルカリ可
溶性基を生成する置換基であることが望まれる。また本
発明において、上記一般式（４）で表される化合物とし
ては特に下記一般式（５）〜（７）のいずれかで表され
る化合物が好ましい。

【００５０】

【化２４】

【００５１】（上記式中、Ｒ¹⁰は＞Ｃ＝Ｏまたは−ＳＯ
₂ ^- 、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は互いに同一でも異なっていてもよく
水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、シリル
基または１価の有機基を示し、ｐ、ｑはそれぞれ１〜５
の整数、ｒは１〜４の整数、ｓ、ｔはそれぞれ１〜７の
整数であり、複数個のＲ¹¹、Ｒ¹²またはＲ¹³が互いに異
なっていてもよいがＲ¹¹〜Ｒ¹³のうち少なくとも１個は
酸により分解する置換基を有する。） すなわち、これら上記一般式（５）〜（７）のいずれか
で表される化合物は、水酸基を有する化合物の誘導体で
あって、この水酸基が酸により分解する置換基で保護さ
れたものに相当する。ここでの水酸基を有する化合物と
しては、具体的には３−ヒドロキシ−３−メチルフタリ
ド、アスコルビン酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロ
モクレゾールパープル、ブロモクレゾールブルー、ブロ
モキシレノールブルー、α−クロロ−α−ヒドロキシ−
ｏ−トルエンスルフォン酸−γ−スルトン、クロロフェ
ノールレッド、クレゾールフタレイン、エオシンＢ、エ
オシンＹ、フルオレセイン、フルオレセインイソシアネ
ート、フェノールフタレイン、フェノールレッド、テト
ラブロモフェノールブルー、３´，３´´，５´，５´
´−テトラブロモフェノールフタレイン、４，５，６，
７−テトラクロロフルオレセイン、３´，３´´，５
´，５´´−テトラヨードフェノールフタレイン、３
´，３´´，５´，５´´−テトラヨードフェノールス
ルフォンフタレイン、チモールフタレイン、ナフトール
フタレイン、チモールブルー等が例示される。さらにこ
れらは、次に示すような２価以上の基を介して２個以上
結合し、多量化されたものであってもよい。

【００５２】

【化２５】

【００５３】なお本発明で酸分解性化合物の配合量は、
上記一般式（１）で表されるスルフォニル化合物１重量
部に対し０．１０〜５０重量部に設定されることが好ま
しい。これは配合量が０．１０重量部未満だと、未露光
部のレジストのアルカリ現像液に対する溶解性を充分に
は抑止できないおそれがあり、逆に５０重量部を越える
と、露光部で上記一般式（１）で表されるスルフォニル
化合物がスルフォン酸を発生しても、この酸により分解
されない酸分解性化合物の量が多く、形成されるパター
ンの解像性が低下する傾向があるためである。

【００５４】また本発明において、上記一般式（１）で
表されるスルフォニル化合物と酸により架橋する置換基
を有する化合物を含有するネガ型のパターンを形成可能
なレジストを調製する場合、酸により架橋する置換基を
有する化合物としてはアミノプラスト樹脂が好ましく用
いられ得る。具体的には、例えばメチロール化したメラ
ミン・ホルムアルデヒド樹脂、尿素・ホルムアルデヒド
樹脂、グリコール・ホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグア
ナミン・ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

【００５５】さらに本発明のレジストでは、レジストコ
ントラストやアルカリ現像液に対する溶解速度等の調整
の観点から、上述したような酸により分解してアルカリ
可溶性基を生成する置換基が導入されていないアルカリ
可溶性化合物が配合されても構わない。この場合、レジ
ストの成膜性改善や成膜されたレジスト膜の耐熱性、ド
ライエッチング耐性向上等が期待できる点では、フェノ
ール骨格を有する重合体が配合されることが好ましい。

【００５６】上述したようなフェノール骨格を有する重
合体としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、キシレノールノボラック樹脂、
ビニルフェノール樹脂、イソプロペニルフェノール樹
脂、ビニルフェノールとアクリル酸、メタクリル酸誘導
体、アクリロニトリル、スチレン誘導体等との共重合
体、イソプロペニルフェノールとアクリル酸、メタクリ
ル酸誘導体、アクリロニトリル、スチレン誘導体等との
共重合体が挙げられる。具体的には、ポリ（ｐ−ビニル
フェノール）、ｐ−イソプロペニルフェノールとアクリ
ロニトリルとの共重合体、ｐ−イソプロペニルフェノー
ルとスチレンとの共重合体、ｐ−ビニルフェノールとメ
チルメタクリレートとの共重合体、ｐ−ビニルフェノー
ルとスチレンとの共重合体等が例示される。さらに、フ
ェノール骨格を側鎖に有するポリシロキサン、ポリシラ
ン、ケイ素原子を側鎖に有するフェノールから合成され
たノボラック樹脂等のケイ素含有アルカリ可溶性ポリマ
ーも、本発明において好ましく用いられ得る。またこれ
らは、２種以上混合して用いられてもよい。一方レジス
ト膜のドライエッチング耐性とともに、ＡｒＦエキシマ
レーザ光等短波長の化学線に対する透明性を重視する
と、テルペノイド骨格等の脂環式骨格を有するアルカリ
可溶性化合物が特に好ましく用いられる。

【００５７】ここで、上述したようなアルカリ可溶性化
合物の配合量は、上記一般式（１）で表されるスルフォ
ニル化合物及び酸分解性化合物の合計量１重量部に対
し、０．１０〜１０重量部に設定されることが好まし
い。これは配合量が０．１０重量部未満だと、レジスト
コントラストやアルカリ現像液に対する溶解速度等を充
分には調整できず、逆に１０重量部を越えるとレジスト
コントラストがかえって低下するおそれがあるうえ、現
像時の膜減りも大きくなるからである。

【００５８】さらに本発明のレジストにおいては、エポ
キシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアク
リレート、プロピレンオキシド、エチレンオキシド共重
合体、ポリスチレン等のその他のポリマーや、耐環境性
向上のためのアミン化合物、ピリジン誘導体等の塩基性
化合物、塗膜改質用の界面活性剤、反射防止剤としての
染料等が適宜配合されても構わない。また光酸発生剤と
して、オニウム塩、オルトキノンジアジドスルフォン酸
誘導体、有機ハロゲン化化合物、スルホン酸誘導体、ス
ルホニル化合物等の低分子化合物が配合されてもよい。
ただし、レジスト膜が成膜された際の剛性を低下させな
いうえでは、このような光酸発生剤としての低分子化合
物の配合量は上記一般式（１）で表されるスルフォニル
化合物１重量部に対し、０．５０重量部以下とすること
が好ましい。

【００５９】本発明のレジストは、上記一般式（１）で
表されるスルフォニル化合物及び必要に応じて酸分解性
化合物やアルカリ可溶性化合物を有機溶媒に溶解させ濾
過することで、通常ワニスとして調製される。ここでの
有機溶媒には、例えばシクロヘキサノン、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
系溶媒；メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブア
セテート等のセロソルブ系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸イソアミル、γ−ブチロラクトン等のエステル
系溶媒や、溶解性向上のためにこれらにジメチルスルホ
キシド、ジメチルホルムアルデヒド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン等を添加した混合溶媒を用いることができ
る。また、メチルプロピオン酸メチル等のプロピオン酸
誘導体、乳酸エチル等の乳酸エステル類やＰＧＭＥＡ
（プロピレングリコールモノエチルアセテート）等も、
低毒性であり好ましく用いられ得る。なお本発明におい
て、このような溶媒は単独または２種以上を混合して用
いることができ、さらにトルエン、キシレン、イソプロ
ピルアルコール等の脂肪族アルコールが含有されていて
も構わない。

【００６０】次に、本発明のレジストを用いたパターン
形成方法について説明する。まず、上述したような有機
溶媒に溶解されたレジストのワニスを回転塗布法やディ
ッピング法等で所定の基板上に塗布した後、１５０℃以
下好ましくは７０〜１２０℃で乾燥してレジスト膜を成
膜する。なおここでの基板としては、例えばシリコンウ
ェハ、表面に各種の絶縁膜や電極、配線等が形成された
シリコンウェハ、ブランクマスク、ＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓ等の III-V族化合物半導体ウェハ、クロムまたは酸
化クロム蒸着マスク、アルミ蒸着基板、ＩＢＰＳＧコー
ト基板、ＰＳＧコート基板、ＳＯＧコート基板、カーボ
ン膜スパッタ基板等を使用することができる。

【００６１】次いで、所定のマスクパターンを介して化
学線を照射するか、またはレジスト膜表面に化学線を直
接走査させて、レジスト膜を露光する。ここでの化学線
としては、紫外線、Ｘ線、低圧水銀ランプ光のｉ線、ｈ
線、ｇ線、キセノンランプ光、ＫｒＦやＡｒＦのエキシ
マレーザ光等のｄｅｅｐＵＶ光や紫外線、シンクロトロ
ンオービタルラジエーション（ＳＯＲ）、電子線（Ｅ
Ｂ）、γ線、イオンビーム等を使用することが可能であ
る。

【００６２】続いて熱板上やオーブン中での加熱あるい
は赤外線照射等により、レジスト膜に１５０℃以下程度
のベーキング処理を適宜施す。この後浸漬法、スプレー
法等でレジスト膜を現像し、露光部または未露光部のレ
ジスト膜を現像液に選択的に溶解・除去して、所望のパ
ターンを形成する。このとき、現像液としてはアルカリ
現像液を用いることが好ましく、具体的にはテトラメチ
ルアンモニウムハイドロキシド水溶液、コリン水溶液等
の有機アルカリ水溶液や、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム等の無機アルカリ水溶液、これらにアルコールや
界面活性剤等を添加した溶液が挙げられる。なおここで
のこれらアルカリ水溶液の濃度は、露光部と未露光部と
で溶解速度の差を十分なものとする観点から、１５重量
％以下であることが好ましい。

【００６３】こうして、本発明のレジストを用いて形成
されたパターンは倒れ、折れ等が生じにくく、このパタ
ーンをエッチングマスクとして用いて、所定のエッチン
グ法により露出した基板等に超微細なパターンを忠実に
転写することができる。例えば、基板としてのシリコン
ウェハ上に上述のようにレジストパターンを形成した場
合には、例えば、ＣＦ₄ ガスを用いた平行平板のリアク
ティブイオンエッチング装置内で基板を処理することに
よって、シリコンウェハ基板を精度よくパターニングす
ることができる。また、基板として表面にクロム層が形
成された透明基板を使用し、この基板上に上述のような
レジストパターンを形成した場合には、例えば、硝酸ア
ンモニウムセリウム水溶液をエッチング液として用い
て、クロム層を選択的にエッチングし精度よく遮光膜を
形成することが可能である。

【００６４】ここで、シリコンウェハを基板とした場合
を例にとり、図面を参照しながら本発明のレジストを用
いた電子部品の微細加工工程を説明する。

【００６５】図１は、ポジ型のアルカリ現像用レジスト
を用いた場合について、電子部品の製造工程の一部を概
略的に示す断面図である。

【００６６】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
ウェハ１１上に形成されたレジスト膜１３に、所定のパ
ターンの露光光１４を照射する。この露光によってレジ
スト膜１３の露光部に酸が発生する。

【００６７】続いて、５０〜１５０℃で０．５〜３０分
程度の露光後加熱を行うことによって、図１（ｂ）に示
すように露光部１６で発生した酸は、例えば酸分解性化
合物に分解し、露光部１６が選択的にアルカリ可溶性を
呈する。その後、アルカリ現像液によって露光部１６を
選択的に溶解させて、図１（ｃ）に示すように、レジス
ト膜１３に所望のレジストパターン１７を形成する。

【００６８】次に、得られたレジストパターン１７をエ
ッチングマスクとして用いて、ＣＦ₄ ガスによるシリコ
ンウェハ１１のエッチングを行う。この結果、図１
（ｄ）に示すように、レジストパターン１７がシリコン
ウェハ１１に精度よく転写される。

【００６９】最後に、ハクリ−１０，Ｐｏｓｉｔｉｖｅ
Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｓｔｒｉｐｐｅｒ Ｒ−１
０等のレジスト剥離液を用いて、基板表面のレジストパ
ターン１７を除去することによって、図１（ｅ）に示す
ような所望のパターン１８が形成されたシリコンウェハ
１１が得られる。

【００７０】なお、上述したような工程以外の他の工程
が付加されても何等差支えなく、例えばレジスト膜の下
地としての平坦化層形成工程、レジスト膜と下地との密
着性向上のための前処理工程、レジスト膜の現像後に現
像液を水等で除去するリンス工程、ドライエッチング前
の紫外線の再照射工程を適宜施すことが可能である。

【００７１】

【発明の実施の形態】以下、実施例および比較例を示し
て本発明をさらに詳細に説明する。

【００７２】（実施例Ｉ）まず、フェニルスルフォニル
アセトニトリル０．９０５ｇ（５ｍｍｏｌ）とα，α´
−ジブロモｐ−キシレン１．２３ｇ（５ｍｍｏｌ）をジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）３ｍｌに溶解し、これ
にＤＢＵ１．６８ｇ（１１ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ １ｇ
に溶解した溶液を１５分間かけて滴下した。６時間室温
で攪拌を続けた後、反応液を８０ｍｌの水中に投入して
淡黄色の沈殿を得た。続いて真空乾燥により溶媒のＤＭ
ＳＯを除去し、上記一般式（１）で表されるスルフォニ
ル化合物としてｐ−ＰＰＳＡを合成した。

【００７３】さらに、α，α´−ジブロモｐ−キシレン
の代わりにα，α´−ジブロモｍ−キシレンあるいは
（＋）−３，９−ジブロモカンファー、フェニルスルフ
ォニルアセトニトリルの代わりにメチルスルフォニルア
セトニトリルあるいはフェニルスルフォニルアセトフェ
ノンを用いた以外は全く同様にして、それぞれｍ−ＰＰ
ＳＡ、ｐ−ＰＭＳＡ、ｍ−ＰＭＳＡ、ＰＣＭＳＡ及びｐ
−ＰＰＳＰを合成した。また、フェニルスルフォニルア
セトニトリル、α，α´−ジブロモｐ−キシレンに代え
て、ビスフェニルスルフォニルメタンおよびα，α´−
ジブロモｍ−キシレンを用いることによって、ｍ−ＰＢ
Ｓを合成した。

【００７４】またこれらとは別に、パラホルムアルデヒ
ド０．７７ｇとフェニルスルフォニルアセトニトリル
４．５０ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、この溶液に少
量のピペラジンを添加して溶液を６０℃に加熱した後、
反応液を水中に投入して得られた沈殿を乾燥させること
でＰＣＰＳＥを合成した。

【００７５】次に、得られたｐ−ＰＰＳＡ、ｍ−ＰＰＳ
Ａ、ｐ−ＰＭＳＡ、ｍ−ＰＭＳＡ、ＰＣＭＳＡ、ｐ−Ｐ
ＰＳＰ、ＰＣＰＳＥ、ｍ−ＰＢＳ及びフェニルスルフォ
ニルアセトニトリル（ＰＳＡ）と、酸分解性化合物とし
てＤＩ−１、ＤＩ−２及びＤＩ−３、並びにアルカリ可
溶性化合物であるＡＳＰ−１及びＡＳＰ−２を、表１に
示す処方に従ってエチルセロソルブアセテートに溶解さ
せ、それぞれ実施例または比較例のレジストのワニスを
調製した。なお、ここで用いた略号を以下に説明する。

【００７６】

【化２６】

【００７７】

【化２７】

【００７８】

【化２８】

【００７９】

【化２９】

【００８０】

【表１】

【００８１】次いで、これらのレジストのワニスをそれ
ぞれシリコンウェハ上に回転塗布して厚さ１．０μｍの
レジスト膜を成膜し、得られたレジスト膜表面にＥＢを
走査させ、２０μＣ／ｃｍ² （５０ｋｅＶ）の照射量で
レジスト膜の所定の領域を露光した。続いて８０℃で３
分のベーキング処理を施した後、２．３８重量％のテト
ラメチルアンモニウムハイドロキシド水溶液で現像する
ことで、レジスト膜の露光部が選択的に溶解・除去され
てポジ型のパターンが０．２μｍ以下の解像度で形成さ
れた。

【００８２】さらにこうして形成されたパターンについ
て、線幅０．２μｍのもののパターン形状をＳＥＭ観察
した。結果を表１に併記する。表１に示されるように、
レジスト中に光酸発生剤として低分子化合物のＰＳＡが
配合された比較例（Ｉ−１）ではパターンの倒れが生じ
ていたのに対し、実施例（Ｉ−１）〜（Ｉ−１３）のレ
ジストを用いた場合にはいずれもこのような倒れ、折れ
等は特に見受けられず、超微細で高アスペクト比のパタ
ーンを形成可能であることが判った。

【００８３】（実施例II）フェニルスルフォニルアセト
ニトリル９．０５ｇ（５ｍｍｏｌ）とビス（４−Ｎ−マ
レイミドフェニル）メタン１７．９ｇ（５ｍｍｏｌ）
を、酢酸１００ｇに加え、反応温度８０℃で２４時間攪
拌を続けてポリマーを合成した後、反応液を１０００ｍ
ｌの水中に投入して淡黄色の沈殿を得た。続いて、減圧
下６０℃で乾燥して溶媒の酢酸を除去し、スルフォニル
化合物（ＳＢＭ−１）を得た。

【００８４】さらに、フェニルスルフォニルアセトニト
リルとビス（４−Ｎ−マレイミドフェニル）スルフォ
ン、１，３−フェニレンビス−Ｎ−マレイミド、２，２
−ビス（４−ヒドロキシ−３−Ｎ−マレイミドフェニ
ル）ヘキサフロロプロパン、あるいは２，２−ビス［４
−（４−Ｎ−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパ
ンから、ＳＢＭ−２、ＳＢＭ−３、ＳＢＭ−４、および
ＳＢＭ−５を合成した。これらのスルフォニル化合物を
略号とともに以下に示す。

【００８５】

【化３０】

【００８６】次に、得られたＳＢＭ−１、ＳＢＭ−２、
ＳＢＭ−３、ＳＢＭ−４、ＳＢＭ−５およびフェニルス
ルフォニルアセトニトリル（ＰＳＡ）と上述の実施例Ｉ
と同様の酸分解性化合物およびアルカリ可溶性化合物を
下記表２に示す処方にしたがって溶媒に溶解させ、それ
ぞれ実施例または比較例のレジストのワニスを調製し
た。溶媒としては、エチルセロソルブアセテートとＮ−
メチル−２−ピロリドンとを１対１の容積比で混合した
混合溶媒を用いた。

【００８７】なお、本実施例においては、酸分解性化合
物として、さらに下記に示す化合物ＤＩ−４を使用し、
アルカリ可溶性化合物としてはＰＩ−１およびＰＩ−２
を使用した。

【００８８】

【化３１】

【００８９】

【表２】

【００９０】次いで、これらのレジストのワニスをそれ
ぞれシリコンウェハ上に回転塗布し、１００℃で２０分
間乾燥して厚さ１．０μｍのレジスト膜を成膜し、得ら
れたレジスト膜表面にＥＢを走査させ、２０μＣ／ｃｍ
² （５０ｋｅＶ）の照射量でレジスト膜の所定の領域を
露光した。続いて８０℃で５分のベーキング処理を施し
た後、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムハイ
ドロキシド水溶液で現像することで、レジスト膜の露光
部が選択的に溶解・除去されてポジ型のパターンが０．
２μｍ以下の解像度で形成された。

【００９１】さらにこうして形成されたパターンについ
て、線幅０．２μｍのもののパターン形状をＳＥＭ観察
した。結果を表２に併記する。表２に示されるように、
レジスト中に光酸発生剤として低分子化合物のＰＳＡが
配合された比較例（II−１）ではパターンの倒れが生じ
ていたのに対し、実施例（II−１）〜（II−１０）のレ
ジストを用いた場合にはいずれもこのような倒れ、折れ
等は特に見受けられず、超微細で高アスペクト比のパタ
ーンを形成可能であることが判った。

【００９２】しかも、本実施例IIで用いたスルフォニル
化合物は、上記一般式（１）におけるＲ³ がイミド構造
のポリイミドであるが、このＲ³ のイミド構造に特に制
約はなく、得られるレジストパターンと基板との十分な
密着性も確保することができる。

【００９３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のレジスト
によれば剛性の充分なレジスト膜を成膜することが可能
で、この結果超微細で高アスペクト比のパターンを、倒
れ、折れ等の発生を抑えながら高い感度で形成すること
ができ、その工業的価値は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のレジストを用いた電子部品の製造工
程の一部を概略的に示す断面図。

【符号の説明】

１１…シリコンウェハ １３…レジスト膜 １４…露光光 １６…露光部 １７…レジストパターン １８…パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中瀬 真 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 大場 正幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるスルフォニ
   ル化合物を含有することを特徴とするレジスト。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒ¹ は水素原子、ハロゲン原
   子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または１価の有機
   基、Ｒ² はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリ
   ル基または１価の有機基、Ｒ³ は２価の有機基を示し、
   ｎは２以上の整数である。）
2. 【請求項２】 前記一般式（１）におけるＲ³ は、下記
   一般式（２）で表される２価の有機基である請求項１に
   記載のレジスト。 【化２】 （上記一般式（２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、
   Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は互いに同一でも異なっていてもよく、水素
   原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基
   または１価の有機基、Ｚは２価の有機基を示す。）
3. 【請求項３】 前記一般式（１）におけるＲ¹ が電子吸
   引性基である請求項１に記載のレジスト。
4. 【請求項４】 酸により分解してアルカリ可溶性基を生
   成する置換基を有する化合物が配合されている請求項１
   ないし３のいずれか１項に記載のレジスト。
5. 【請求項５】 酸により分解してアルカリ可溶性基を生
   成する置換基を有する化合物が下記一般式（３）および
   （４）のいずれかで表される化合物である請求項４に記
   載のレジスト。 【化３】 （上記一般式（３）中、Ｒ⁴ は下記に示す群から選択さ
   れ、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ は互いに同一でも異なっていてもよく、
   ハロゲン原子または１価の有機基を示し、ｋは０以上の
   整数、ｍは１以上の整数、ａ、ｂはそれぞれ１以上の整
   数、ｃ、ｄはそれぞれ０〜４の整数である。） 【化４】 【化５】 （上記一般式（４）中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ は互いに同一でも異
   なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
   基、シアノ基、シリル基または１価の有機基、Ｒ⁹は２
   価の有機基、Ｒ¹⁰は＞Ｃ＝Ｏまたは−ＳＯ₂ ^- を示し、
   Ｒ⁷ とＲ⁸ とは互いに結合して環構造を形成してもよい
   が、Ｒ⁷ 〜Ｒ⁹ のうち少なくとも１つは酸により分解す
   る置換基を有する。）
6. 【請求項６】 酸により分解してアルカリ可溶性基を生
   成する置換基を有する化合物の配合量が、上記一般式
   （１）で表されるスルフォニル化合物１重量部に対し
   ０．１０〜５０重量部である請求項４または５に記載の
   レジスト。
7. 【請求項７】 アルカリ可溶性化合物が配合されている
   請求項１ないし４のいずれか１項に記載のレジスト。
8. 【請求項８】 アルカリ可溶性化合物の配合量が、上記
   一般式（１）で表されるスルフォニル化合物および酸に
   より分解してアルカリ可溶性基を生成する置換基を有す
   る化合物の合計量１重量部に対し０．１０〜１０重量部
   である請求項７に記載のレジスト。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載
   のレジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工
   程、 前記レジスト膜にパターン露光を施す工程、および前記
   露光後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理する工
   程を具備するレジストパターン形成方法。