JPH0929635A - ドレッシング方法及び装置 - Google Patents

ドレッシング方法及び装置

Info

Publication number
JPH0929635A
JPH0929635A JP20390795A JP20390795A JPH0929635A JP H0929635 A JPH0929635 A JP H0929635A JP 20390795 A JP20390795 A JP 20390795A JP 20390795 A JP20390795 A JP 20390795A JP H0929635 A JPH0929635 A JP H0929635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
dressing
cloth
liquid
polishing cloth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20390795A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3778594B2 (ja
Inventor
Hirokuni Hiyama
浩国 桧山
Norio Kimura
憲雄 木村
Tomoyuki Yahiro
知行 八尋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP20390795A priority Critical patent/JP3778594B2/ja
Priority to KR1019960028581A priority patent/KR100210528B1/ko
Priority to KR1019960028890A priority patent/KR100428881B1/ko
Priority to EP96111502A priority patent/EP0754525B1/en
Priority to DE69625962T priority patent/DE69625962T2/de
Publication of JPH0929635A publication Critical patent/JPH0929635A/ja
Priority to US08/974,598 priority patent/US5857898A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3778594B2 publication Critical patent/JP3778594B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドレッシングの次に行なうポリッシングに対
してポリッシング開始時点から十分な研磨速度が得られ
るドレッシング方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ２等のポリッシング対象物
を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシングにおける、ポ
リッシング工程間に行なう研磨布４のドレッシング方法
において、ドレッシング工程中から次のポリッシング工
程開始までの間の所定時間、研磨布４にポリッシングに
用いる研磨砥液を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドレッシング方法及び装
置に係り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を
平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシングに用いる研磨布
のドレッシング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面
を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手
段としてポリッシング装置により研磨することが行なわ
れている。
【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、各々
独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリン
グとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブ
ルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間にポリ
ッシング対象物を介在させて、砥液を供給しつつ該ポリ
ッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
【０００４】また、ポリッシングが終了し、次のポリッ
シング対象物をポリッシングする前に、使用した研磨布
を回復するための処理を行なっている。該処理は様々な
方法があり、現在も次々に新たな方法が開発されつつあ
るが、総じて研磨布のドレッシングと呼ばれている。ド
レッシングを行なうのは、ポリッシングによって研磨布
の特性が変化し、ポリッシング装置の研磨性能が劣化す
るのを防止し、常に性能良いポリッシングを行なうため
である。研磨性能が劣化するとは、具体的には、研磨速
度が一定にならなかったり、ポリッシング対象物の平坦
度が悪くなったり、研磨布自体の寿命が縮まったりする
という不都合が挙げられる。
【０００５】このようなドレッシングは、研磨布上に残
留する研磨砥液やポリッシング対象物の削り屑や研磨布
の摩耗片等を研磨布上から除去することもドレッシング
の目的の１つであるため、研磨布上に水を供給しながら
行なう場合が多い。研磨布上に水を供給しながらドレッ
シングを行なえば、水と共に残留する研磨砥液等が洗い
流されるためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ドレッ
シング時に研磨布上に水を供給すると研磨砥液を洗い流
すという目的は達成されるが、次にポリッシングする際
の砥液が研磨布上に存在しないため、またドレッシング
時供給する水が研磨布上に残留するため、砥液が水で薄
まるので、ポリッシング開始時の研磨速度が十分に得ら
れなかった。これは、砥液が研磨布になじむまで、ある
いは研磨布上での砥液の濃度が高まるまでに時間がかか
るためであると考えられる。
【０００７】研磨速度が十分に得られないことは長い研
磨時間が必要となるため、ポリッシング装置の単位時間
当たりの処理能力が落ちるという問題点があった。ま
た、砥液が研磨布になじむまで研磨布上の砥液分布が均
一にならないため、ポリッシング対象物の平坦度が悪く
なる等、研磨性能が劣化するという問題点があった。
【０００８】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、ドレッシングの次に行なうポリッシングに対してポ
リッシング開始時点から十分な研磨速度が得られるドレ
ッシング方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明のドレッシング方法は、半導体ウエハ等
のポリッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリ
ッシングにおける、ポリッシング工程間に行なう研磨布
のドレッシング方法において、ドレッシング工程中から
次のポリッシング工程開始までの間の所定時間、研磨布
にポリッシングに用いる研磨砥液を供給することを特徴
とするものである。
【００１０】また本発明のドレッシング装置は、半導体
ウエハ等のポリッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨
するポリッシングにおける、ポリッシング工程間に研磨
布のドレッシングを行なう装置において、ドレッシング
を行なうドレッシング部材を保持するドレッシングヘッ
ドと、研磨布にドレッシング液を供給するドレッシング
液供給ノズルと、研磨布に研磨砥液を供給する砥液供給
ノズルとを備え、ドレッシング工程中から次のポリッシ
ング工程開始までの間の所定時間、前記砥液供給ノズル
から研磨布にポリッシングに用いる研磨砥液を供給する
ことを特徴とするものである
【００１１】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、ドレッ
シング工程中とポリッシング工程開始までの間にポリッ
シングに用いる研磨砥液を研磨布上に供給するので、ポ
リッシングを開始する時点での研磨布上には充分な砥液
が存在することとなり、次に行なうポリッシングの研磨
速度を確保することができる。また、ドレッシング中に
砥液を供給すれば、機械的なドレッシング動作を伴うの
で研磨布上に供給した砥液を研磨布によくなじませるこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係るドレッシング方法及び装
置の一実施例を図１及び図２に基づいて説明する。図１
は本発明のドレッシング方法を行うポリッシング装置の
縦断面図である。図１に示されるように、ポリッシング
装置は、ターンテーブル１と、半導体ウエハ２を保持し
つつターンテーブル１に押しつけるトップリング３とを
具備している。前記ターンテーブル１はモータ（図示せ
ず）に連結されており、矢印で示すようにその軸心回わ
りに回転可能になっている。またターンテーブル１の上
面には、研磨布４が貼設されている。
【００１３】トップリング３は、モータおよび昇降シリ
ンダ（図示せず）に連結されている。これによって、ト
ップリング３は矢印で示すように昇降可能かつその軸心
回わりに回転可能になっており、半導体ウエハ２を研磨
布４に対して任意の圧力で押圧することができるように
なっている。また半導体ウエハ２はトップリング３の下
端面に真空等によって吸着されるようになっている。な
お、トップリング３の下部外周部には、半導体ウエハ２
の外れ止めを行なうガイドリング６が設けられている。
【００１４】また、ターンテーブル１の上方には砥液供
給ノズル５が設置されており、砥液供給ノズル５によっ
てターンテーブル１に張り付けられた研磨布４上に研磨
砥液が供給されるようになっている。またターンテーブ
ル１の周囲には、砥液と水を回収する枠体１１が設けら
れ、枠体１１の下面にはとい１１ａが形成されている。
【００１５】研磨布４上のトップリング３の位置の反対
側にドレッシング用のドレッシングヘッド８があり、研
磨布４のドレッシングを行なうことができるように構成
されている。研磨布４には、ドレッシングに使用するド
レッシング液、たとえば水がテーブル上に伸びた水供給
ノズル１０から供給されるようになっている。ドレッシ
ングヘッド８は昇降用のシリンダと回転用のモータに連
結されており、矢印で示すように昇降可能かつその軸心
回わりに回転可能になっている。
【００１６】ドレッシングヘッド８はトップリング３と
ほぼ同径の円盤状であり、その下面にドレッシング部材
９を保持している。ドレッシングヘッド８の下面、即ち
ドレッシング部材９を保持する保持面には図示しない孔
が形成され、この孔は真空源に連通し、ドレッシング部
材９を吸着保持する。砥液供給ノズル５および水供給ノ
ズル１０はターンテーブル上面の回転中心付近にまで伸
び、研磨布４上の所定位置に砥液および水をそれぞれ供
給する。
【００１７】トップリング３に保持された半導体ウエハ
２を研磨布４上に押圧し、ターンテーブル１およびトッ
プリング３を回転させることにより、半導体ウエハ２の
下面（研磨面）が研磨布４と擦り合わされる。この時、
同時に研磨布４上に砥液供給ノズル５から砥液を供給す
ることにより、半導体ウエハ２の研磨面は、砥液中の砥
粒の機械的研磨作用と砥液の液体成分であるアルカリに
よる化学的研磨作用との複合作用によってポリッシング
される。ポリッシングに使用された砥液はターンテーブ
ル１の遠心力によってターンテーブル外へ飛散し、枠体
１１の下面のとい１１ａで回収される。
【００１８】半導体ウエハ２の所定の研磨量を研磨した
時点でポリッシングを終了する。このポリッシングが終
了した時点では、ポリッシングによって研磨布の特性が
変化し、次に行なうポリッシングの研磨性能が劣化する
ので、研磨布のドレッシングを行なう。
【００１９】ドレッシング部材９を下面に保持したドレ
ッシングヘッド８およびターンテーブル１を回転させた
状態でドレッシング部材９を研磨布４に当接させ、所定
圧力をかける。このとき、ドレッシング部材９が研磨布
に接触するのと同時もしくは接触前に、水供給ノズル１
０から研磨布４上面に水を供給する。水を供給するのは
研磨布４上に残留している使用済み砥液を洗い流すこと
を目的としている。また、ドレッシング処理はドレッシ
ング部材９と研磨布４とを擦り合わせるため、ドレッシ
ング処理によって発生する摩擦熱を除去するという効果
もある。研磨布４上に供給された水はターンテーブル１
の回転による遠心力を受けてテーブル外へ飛散し、枠体
１１の下面のとい１１ａで回収される。
【００２０】ドレッシング部材９はダイヤモンドペレッ
ト（ダイヤモンド粒子）を円盤に付着させたものを用い
る。これは、研磨布が発泡ポリウレタンの場合によく使
用される部材で、目つぶれした研磨布上面の細孔を回復
させるという効果がある。ダイヤモンドペレットの粒度
は幅広く選定することができるが、研磨布のドレッシン
グ用としては、＃５０から＃８００番程度のものが使用
される。なお、この範囲の中で特に＃１００から＃２０
０番が最適である。これは、粒径が大きなダイヤモンド
ペレットを使用した場合、粒が円盤から剥離し、ポリッ
シング中にウエハに致命的な傷をつけること、またウエ
ハを破損する等の不都合が生じるためであり、逆に粒径
が小さいものを使用すると、ドレッシングの効果が十分
に得られないという両者のトレードオフから得られた最
適な粒度である。
【００２１】ドレッシング部材として、ダイヤモンドペ
レットの他に代表的なものの１つにブラシがある。これ
は円盤の表面にナイロン等からなる毛を垂直に植毛した
ものであり、この円盤をドレッシングヘッドの下面に保
持してドレッシングを行なう。ブラシを用いたドレッシ
ングの場合も同様に研磨布上面に水を供給しながら行な
うことが多い。
【００２２】ここで、ダイヤモンドペレットを円盤に付
着させたドレッシング部材を用いると、前述したように
ドレッシング動作によってダイヤモンドペレットが円盤
から剥離する場合がある。研磨布上にダイヤモンドペレ
ットが残留した状態でポリッシングを行なうと、半導体
ウエハに傷（スクラッチ）が発生することや、この傷が
原因でポリッシング中または後工程、例えば洗浄中に半
導体ウエハが破損する等の不都合が生じるため、この後
にブラシを用いたドレッシングやウォータジェット流を
研磨布に噴射する等の処理を行なうとよい。このよう
に、ドレッシングはただ１つの手段ではなく、他の手段
を組み合わせて行なうこともできる。特に、ダイヤモン
ドペレットを付着させた円盤とブラシの円盤を同径に形
成すれば、ドレッシングヘッド８が両部材を持ち替える
だけで２種のドレッシングを行なうことができる。
【００２３】図２はポリッシング処理とドレッシング処
理との時系列上の動作関係を示す図である。図２に基づ
いて本発明のポリッシング処理、砥液供給、ドレッシン
グ処理、水供給のタイミングを説明する。時系列上の時
刻Ｔ１でポリッシングが終了し、同時に砥液の供給を停
止する。ポリッシングが終了した半導体ウエハは次工程
へと搬送されるが、この間にポリッシングによって特性
が変化した研磨布の回復処理（ドレッシング）を行な
う。ドレッシングの方法は前述したとおりであり、ドレ
ッシング部材９が研磨布４へ接触すると同時もしくはそ
れより前に水供給ノズル１０から研磨布４上に水を供給
する。
【００２４】次に、ドレッシングを行っている最中の時
刻Ｔ２に水の供給を停止し、代わりにポリッシングに使
用する砥液を供給する。研磨布４上に砥液を供給してか
ら所定時間の後にドレッシングを停止する。ドレッシン
グが終了し次のポリッシングを始める時刻Ｔ３までは、
砥液の供給は一旦停止してもよいし、次にポリッシング
すべき半導体ウエハがトップリングに保持されていれ
ば、砥液を供給し続け、引き続いてポリッシングを行っ
てもよい。図２はドレッシングが終了した直後にポリッ
シングを行うようにした列を示すタイミングチャートで
ある。
【００２５】時刻Ｔ２からＴ３までの間は砥液を供給し
ながらドレッシングを行っているのでドレッシングの機
械的動作が伴うため、未使用の砥液が研磨布になじみや
すい。ここで、水から砥液に切り替える時刻Ｔ２を時刻
Ｔ１にして、ドレッシング工程中に常に砥液を供給する
ようにしてもよいが、砥液の使用量が増加するため、望
ましい方法ではない。上述のようにすれば、ドレッシン
グが終了した時点で研磨布上に研磨には未使用の砥液が
存在する。このため、次のポリッシングの開始時点で、
砥液が存在しないことや、砥液がドレッシング用の水に
よって薄められることによる研磨速度が得られないとい
う問題を回避することができる。
【００２６】図３は本発明の他の実施例を説明するポリ
ッシング処理とドレッシング処理との時系列上の動作関
係を示す図である。本実施例の方法は、ドレッシング中
に砥液を供給するのではなく、ドレッシングが終了し、
次のポリッシングを行なうまでの間に砥液を供給する方
法である。
【００２７】図３において、時刻Ｔ１’でポリッシング
が終了し、トップリング３が研磨した半導体ウエハ２を
次工程へと搬送している間に研磨布４のドレッシングを
行なう。このとき、ドレッシング部材９が研磨布４と接
触するのと同時またはそれより前に研磨布４上には水が
供給される。ドレッシングを行なっている時のテーブル
回転により、供給されドレッシングに使用された水は遠
心力によりテーブル外へと飛散する。所定時間水を供給
しながらのドレッシングを行なった後、水の供給を停止
する（時刻Ｔ２’）。この後に、テーブル回転を停止ま
たはかなり低速に回転させ、研磨布上に砥液を供給し、
研磨布に砥液をなじませてから、時刻Ｔ３’でポリッシ
ングを開始する。
【００２８】すなわち、時刻Ｔ２’とＴ３’の間はポリ
ッシングもドレッシングも行なわず、研磨布上に砥液を
なじませている時間である。このような時間を積極的に
設けると、装置にとって単位時間あたりの処理能力が減
少するため、最適なドレッシング時間が、ポリッシング
後の半導体ウエハをトップリングから外し新たな半導体
ウエハを保持する準備時間より短い場合に行なうのが望
ましい。
【００２９】この操作によって研磨布上には未使用な砥
液が供給されるため、次にポリッシングを行なう際には
新規な砥液が研磨布上に存在することになる。このた
め、次のポリッシングの開始時点で、砥液が存在しない
ことや、砥液がドレッシング用の水によって薄められる
ことによる研磨速度が得られないという問題を回避する
ことができる。
【００３０】上述したドレッシング方法は、すべてのポ
リッシング工程間にドレッシングを行なうようにした
が、研磨布の性能劣化が著しくなければ、ポリッシング
を数工程行った後にドレッシングを１度行なうようにし
てもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。ドレッシング処理の本
来の目的である研磨布の回復あるいは修正を行なうこと
ができると同時に、ドレッシングに引き続いて行なうポ
リッシングを開始する時点での研磨布上には砥液が存在
することとなり、ポリッシング開始時の研磨速度を確保
することができる。また、ドレッシング中に砥液を供給
すれば、機械的なドレッシング動作を伴うので研磨布上
に供給した砥液を研磨布によくなじませることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るドレッシング方法を行なうポリッ
シング装置の断面図である。
【図２】ポリッシング、ドレッシング等の各工程のタイ
ミングの１例を示すタイミングチャートである。
【図３】ポリッシング、ドレッシング等の各工程のタイ
ミングの他の例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ ターンテーブル ２ 半導体ウエハ ３ トップリング ４ 研磨布 ５ 砥液供給ノズル ６ ガイドリング ８ ドレッシングヘッド ９ ドレッシング部材 １０ 水供給ノズル １１ 枠体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハ等のポリッシング対象物を
    平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシングにおける、ポリ
    ッシング工程間に行なう研磨布のドレッシング方法にお
    いて、 ドレッシング工程中から次のポリッシング工程開始まで
    の間の所定時間、研磨布にポリッシングに用いる研磨砥
    液を供給することを特徴とするドレッシング方法。
  2. 【請求項２】 前記研磨砥液を供給する時間はドレッシ
    ング工程中の後段であって、研磨布上に砥液を供給しな
    がらドレッシング動作を行なうことを特徴とする請求項
    １記載のドレッシング方法。
  3. 【請求項３】 前記研磨砥液を供給する時間はドレッシ
    ング工程が終了し、ポリッシング工程を開始するまでの
    間の時間であることを特徴とする請求項１記載のドレッ
    シング方法。
  4. 【請求項４】 前記ドレッシングはダイヤモンドペレッ
    トを円盤に付着させたドレッシング部材を研磨布に擦り
    つけておこなうものであることを特徴とする請求項１乃
    至３のいずれか１項記載のドレッシング方法。
  5. 【請求項５】 前記ドレッシングはブラシからなるドレ
    ッシング部材を研磨布に擦りつけておこなうものである
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の
    ドレッシング方法。
  6. 【請求項６】 半導体ウエハ等のポリッシング対象物を
    平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシングにおける、ポリ
    ッシング工程間に研磨布のドレッシングを行なう装置に
    おいて、 ドレッシングを行なうドレッシング部材を保持するドレ
    ッシングヘッドと、 研磨布にドレッシング液を供給するドレッシング液供給
    ノズルと、 研磨布に研磨砥液を供給する砥液供給ノズルとを備え、 ドレッシング工程中から次のポリッシング工程開始まで
    の間の所定時間、前記砥液供給ノズルから研磨布にポリ
    ッシングに用いる研磨砥液を供給することを特徴とする
    ドレッシング装置。
  7. 【請求項７】 前記ドレッシング部材はダイヤモンドペ
    レットを円盤に付着させたものからなることを特徴とす
    る請求項６記載のドレッシング装置。
  8. 【請求項８】 前記ドレッシング部材は円盤に植毛した
    ブラシからなることを特徴とする請求項６記載のドレッ
    シング装置。
JP20390795A 1995-07-15 1995-07-18 ドレッシング方法 Expired - Lifetime JP3778594B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20390795A JP3778594B2 (ja) 1995-07-18 1995-07-18 ドレッシング方法
KR1019960028581A KR100210528B1 (ko) 1995-07-15 1996-07-15 반도체 메모리 장치, 마이크로콘트롤러 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법
KR1019960028890A KR100428881B1 (ko) 1995-07-18 1996-07-16 폴리싱포의폴리싱표면의드레싱방법및드레싱장치
EP96111502A EP0754525B1 (en) 1995-07-18 1996-07-17 Method of and apparatus for dressing polishing cloth
DE69625962T DE69625962T2 (de) 1995-07-18 1996-07-17 Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten von Polierkissen
US08/974,598 US5857898A (en) 1995-07-18 1997-11-19 Method of and apparatus for dressing polishing cloth

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20390795A JP3778594B2 (ja) 1995-07-18 1995-07-18 ドレッシング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0929635A true JPH0929635A (ja) 1997-02-04
JP3778594B2 JP3778594B2 (ja) 2006-05-24

Family

ID=16481680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20390795A Expired - Lifetime JP3778594B2 (ja) 1995-07-15 1995-07-18 ドレッシング方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5857898A (ja)
EP (1) EP0754525B1 (ja)
JP (1) JP3778594B2 (ja)
KR (1) KR100428881B1 (ja)
DE (1) DE69625962T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315643B1 (en) 1998-06-26 2001-11-13 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
JP2002144227A (ja) * 2000-10-30 2002-05-21 Applied Materials Inc パッドコンディショナおよびコンディショニング方法
JP4831910B2 (ja) * 2000-01-28 2011-12-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ウェーハの制御された研磨及びプレーナ化のためのシステム及び方法
JP2013215885A (ja) * 2013-06-24 2013-10-24 Nikon Corp 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法
CN103382276A (zh) * 2013-06-18 2013-11-06 林品榕 Acm树脂的应用和pvc-u阻燃绝缘电工套管及其制备方法
JP2014160808A (ja) * 2013-01-25 2014-09-04 Ebara Corp 研磨方法および装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445139B1 (ko) * 1996-01-23 2004-11-17 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
JPH10128654A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Toshiba Corp Ｃｍｐ装置及び該ｃｍｐ装置に用いることのできる研磨布
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US5896870A (en) * 1997-03-11 1999-04-27 International Business Machines Corporation Method of removing slurry particles
JP3676030B2 (ja) 1997-04-10 2005-07-27 株式会社東芝 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法
US5975994A (en) * 1997-06-11 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
JP3615931B2 (ja) * 1998-03-26 2005-02-02 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および該ポリッシング装置におけるコンディショニング方法
US6220941B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6602108B2 (en) * 1999-04-02 2003-08-05 Engis Corporation Modular controlled platen preparation system and method
US6585559B1 (en) * 1999-04-02 2003-07-01 Engis Corporation Modular controlled platen preparation system and method
US6135863A (en) * 1999-04-20 2000-10-24 Memc Electronic Materials, Inc. Method of conditioning wafer polishing pads
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
JP2000334658A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Fujitsu Ltd ラップ加工装置
JP3760064B2 (ja) 1999-08-09 2006-03-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び半導体装置の平坦化加工装置
EP1077108B1 (en) * 1999-08-18 2006-12-20 Ebara Corporation Polishing method and polishing apparatus
US6296547B1 (en) * 1999-11-16 2001-10-02 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
JP3767787B2 (ja) * 1999-11-19 2006-04-19 東京エレクトロン株式会社 研磨装置及びその方法
JP2001212750A (ja) * 1999-11-25 2001-08-07 Fujikoshi Mach Corp ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン
US6705930B2 (en) 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
JP3862911B2 (ja) * 2000-02-07 2006-12-27 株式会社荏原製作所 研磨装置
US6969305B2 (en) 2000-02-07 2005-11-29 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2001237208A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
TW495416B (en) * 2000-10-24 2002-07-21 Ebara Corp Polishing apparatus
DE10162597C1 (de) * 2001-12-19 2003-03-20 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung beidseitig polierter Halbleiterscheiben
DE10240509C5 (de) * 2002-09-03 2017-04-27 Reishauer Ag Verzahnungs- und Gewindeschleifmaschine
JP2005040916A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Ebara Corp ポリッシング方法
KR100536046B1 (ko) * 2003-11-24 2005-12-12 삼성전자주식회사 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마장치
US7749048B2 (en) * 2006-05-19 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioning process
US8602842B2 (en) * 2010-03-12 2013-12-10 Wayne O. Duescher Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system
US8740668B2 (en) * 2010-03-12 2014-06-03 Wayne O. Duescher Three-point spindle-supported floating abrasive platen
US8647171B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-11 Wayne O. Duescher Fixed-spindle floating-platen workpiece loader apparatus
US8500515B2 (en) * 2010-03-12 2013-08-06 Wayne O. Duescher Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts
US20120264299A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Nanya Technology Corporation Chemical mechanical polishing method
KR101498507B1 (ko) * 2013-06-05 2015-03-04 주식회사 브러쉬텍 반도체 웨이퍼 세척용 브러쉬 에이징 장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6112373B2 (ja) * 1974-09-04 1986-04-08 Hitachi Ltd
US4184908A (en) * 1978-10-05 1980-01-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for polishing cadmium sulfide semiconductors
US5010692A (en) * 1987-12-22 1991-04-30 Sintobrator, Ltd. Polishing device
US4972630A (en) * 1988-03-25 1990-11-27 Nippon Cmk Corp. Method of surface grinding of planar member
DE3926673A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben
JP3136169B2 (ja) * 1991-03-04 2001-02-19 理化学研究所 両面ラップ研削装置
JP3173041B2 (ja) * 1991-05-15 2001-06-04 不二越機械工業株式会社 ドレッサー付きウェハー研磨装置及びその研磨布表面のドレッシング方法
JPH04364730A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Hitachi Ltd 自動ドレッシング装置
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JPH05208361A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Fuji Electric Co Ltd 鏡面仕上げ用パッドのドレッシング装置
JP3231402B2 (ja) * 1992-06-19 2001-11-19 オリンパス光学工業株式会社 研削研磨用砥石
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5433650A (en) * 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5486131A (en) * 1994-01-04 1996-01-23 Speedfam Corporation Device for conditioning polishing pads
KR0132274B1 (ko) * 1994-05-16 1998-04-11 김광호 웨이퍼 연마 설비
US5536202A (en) * 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
JP3594357B2 (ja) * 1995-04-10 2004-11-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法及び装置
US5578529A (en) * 1995-06-02 1996-11-26 Motorola Inc. Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315643B1 (en) 1998-06-26 2001-11-13 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
JP4831910B2 (ja) * 2000-01-28 2011-12-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ウェーハの制御された研磨及びプレーナ化のためのシステム及び方法
JP2002144227A (ja) * 2000-10-30 2002-05-21 Applied Materials Inc パッドコンディショナおよびコンディショニング方法
JP4583580B2 (ja) * 2000-10-30 2010-11-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パッドコンディショナおよびコンディショニング方法
JP2014160808A (ja) * 2013-01-25 2014-09-04 Ebara Corp 研磨方法および装置
US10478938B2 (en) 2013-01-25 2019-11-19 Ebara Corporation Polishing method and apparatus
CN103382276A (zh) * 2013-06-18 2013-11-06 林品榕 Acm树脂的应用和pvc-u阻燃绝缘电工套管及其制备方法
JP2013215885A (ja) * 2013-06-24 2013-10-24 Nikon Corp 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100428881B1 (ko) 2004-07-23
US5857898A (en) 1999-01-12
JP3778594B2 (ja) 2006-05-24
EP0754525B1 (en) 2003-01-29
EP0754525A1 (en) 1997-01-22
DE69625962T2 (de) 2004-01-08
KR970008391A (ko) 1997-02-24
DE69625962D1 (de) 2003-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0929635A (ja) ドレッシング方法及び装置
US5320706A (en) Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JP3111892B2 (ja) 研磨装置
US5846335A (en) Method for cleaning workpiece
US9630295B2 (en) Mechanisms for removing debris from polishing pad
KR19990045185A (ko) 연마장치 및 연마방법
CN109352513B (zh) 一种晶圆抛光方法
JPH0871511A (ja) 洗浄方法および装置
CN108115553B (zh) 化学机械抛光设备和化学机械抛光方法
JP4524643B2 (ja) ウェーハ研磨方法
JP3362478B2 (ja) ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法
JPH09155732A (ja) ウェハー研磨方法
KR20090052981A (ko) 씨엠피의 클리닝 장치
JPH06190714A (ja) ポリッシング装置
JP4104950B2 (ja) 基板研磨方法
JP6717706B2 (ja) ウェハの表面処理装置
JP3618220B2 (ja) 薄板の研磨方法および薄板保持プレート
JP6843553B2 (ja) ウェハの表面処理方法
JPH10256201A (ja) 半導体の製造方法
JPH1142540A (ja) 半導体ウェーハの加工方法及びその装置
JP2004273502A (ja) ウェハの研磨方法及びその装置
KR100687425B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 연마/세정장치 및 방법
JPH11347938A (ja) 研磨生成物の排出機構及び研磨装置
JP2005040916A (ja) ポリッシング方法
KR200254354Y1 (ko) 화학 기계적 연마장치의 연마디스크 세척기

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050920

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060228

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term