JP3136169B2 - 両面ラップ研削装置 - Google Patents
両面ラップ研削装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解ドレッシングを用
いた硬脆材料の研削、研磨加工の分野に係わり、特に、
半導体基板に用いられるシリコンウエハの両面を同時に
加工し得る電解ドレッシングを用いた両面ラップ研削加
工方法に関する。
いた硬脆材料の研削、研磨加工の分野に係わり、特に、
半導体基板に用いられるシリコンウエハの両面を同時に
加工し得る電解ドレッシングを用いた両面ラップ研削加
工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ディバイスの基板として用いられ
ているシリコンウエハは多くの加工工程を経て製造され
ている。その加工工程は、シリコン単結晶のロッドをウ
エハ状に切断した後、ほとんど厚さ、寸法、形状、表面
性状、鏡面等の機械研磨（ラッピング）等による除去加
工に費やされている。更に、ディバイスプロセスでは高
温熱処理中のディバイス表面の汚染防止のため、重金属
を結晶歪に捕捉する目的でウエハ加工時に、そのディバ
イス裏面に機械的な数〜数十μｍの荒らし処理が行われ
ている。そして最終的に、上記ディバイスの仕上げ加工
には良好な表面粗さ、鏡面、寸法精度を得るための遊離
砥粒を用いたポリッシングが行われている。このように
シリコンウエハの加工は、極めて多くの工程と時間を要
している。
ているシリコンウエハは多くの加工工程を経て製造され
ている。その加工工程は、シリコン単結晶のロッドをウ
エハ状に切断した後、ほとんど厚さ、寸法、形状、表面
性状、鏡面等の機械研磨（ラッピング）等による除去加
工に費やされている。更に、ディバイスプロセスでは高
温熱処理中のディバイス表面の汚染防止のため、重金属
を結晶歪に捕捉する目的でウエハ加工時に、そのディバ
イス裏面に機械的な数〜数十μｍの荒らし処理が行われ
ている。そして最終的に、上記ディバイスの仕上げ加工
には良好な表面粗さ、鏡面、寸法精度を得るための遊離
砥粒を用いたポリッシングが行われている。このように
シリコンウエハの加工は、極めて多くの工程と時間を要
している。
【０００３】そこで従来、ラッピング、ポリッシングに
おいては、数枚のウエハの両面を同時に加工し得るよう
な第５図に示す両面ラッピング装置が開発されている。
同図に示す両面ラップ装置は、同軸上に回転する大形リ
ング状の上下ラップ定盤５１、５２に被加工物５３を挟
み、この上下定盤と被加工物との間５４、５５に遊離砥
粒を含む加工液を浸潤して、ここに上定盤の圧力を上方
から加えて両面をラップ研磨するものである。被加工物
５３は、それを保持するワークホルダ（またはキャリ
ア）５６によって保持され、ワークホルダとそれを駆動
させるギア５７によって遊星運動をしながら複数の被加
工物を同時に加工するよう構成されている。
おいては、数枚のウエハの両面を同時に加工し得るよう
な第５図に示す両面ラッピング装置が開発されている。
同図に示す両面ラップ装置は、同軸上に回転する大形リ
ング状の上下ラップ定盤５１、５２に被加工物５３を挟
み、この上下定盤と被加工物との間５４、５５に遊離砥
粒を含む加工液を浸潤して、ここに上定盤の圧力を上方
から加えて両面をラップ研磨するものである。被加工物
５３は、それを保持するワークホルダ（またはキャリ
ア）５６によって保持され、ワークホルダとそれを駆動
させるギア５７によって遊星運動をしながら複数の被加
工物を同時に加工するよう構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の両
面ラップ装置では、遊離砥粒を加工面に対し均一に供給
しなければならず、仮に供給されても砥粒の転動による
加工能率の限界が指摘されている。更に、除去能率を稼
ぐために＃１２００（平均砥粒径約１２μｍ）前後の遊
離砥粒が使われることから、加圧による砥粒の脆性モー
ドの除去機構となり易く所望の加工面粗さが得られず、
多くの工程とバッチ加工が余儀なくされている。
面ラップ装置では、遊離砥粒を加工面に対し均一に供給
しなければならず、仮に供給されても砥粒の転動による
加工能率の限界が指摘されている。更に、除去能率を稼
ぐために＃１２００（平均砥粒径約１２μｍ）前後の遊
離砥粒が使われることから、加圧による砥粒の脆性モー
ドの除去機構となり易く所望の加工面粗さが得られず、
多くの工程とバッチ加工が余儀なくされている。
【０００５】上述したような従来の加工方法において
は、十数枚を同時に加工して加工能率を向上してはいる
が、硬脆材料の除去加工における歩留り限界、更に、ウ
エハの素子表面と裏面との表面性状を変えるための処理
工程の必要性、最終ポリッシング加工による表面鏡面仕
上げ等など、余りにも多くの加工工程を余儀なくされ、
また、各工程に移行する際の脱着、搬送、固定、汚染防
止のための設備も必要となっている。つまり、従来法は
生産性、自動化、歩留り、品質管理等の多くの課題があ
った。
は、十数枚を同時に加工して加工能率を向上してはいる
が、硬脆材料の除去加工における歩留り限界、更に、ウ
エハの素子表面と裏面との表面性状を変えるための処理
工程の必要性、最終ポリッシング加工による表面鏡面仕
上げ等など、余りにも多くの加工工程を余儀なくされ、
また、各工程に移行する際の脱着、搬送、固定、汚染防
止のための設備も必要となっている。つまり、従来法は
生産性、自動化、歩留り、品質管理等の多くの課題があ
った。
【０００６】そこで本発明は、既知の電解インプロセス
ドレッシング（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｉｎｐｒｏ
ｃｅｓｓ Ｄｒｅｓｓｉｎｇ： 以下、Ｅｌｉｄと言
う。）研削法（特開平１−１８８２６６号）をシリコン
ウエハの加工工程に採用することにより、従来の加工工
程を単純化し、総合生産性を向上させることを目的とす
るものである。つまり、本発明は、Ｅｌｉｄ研削による
除去加工方式をシリコンウエハの両面に施し、しかも、
表面と裏面の表面性状をインプロセスで変化させ、更
に、高効率除去加工によつて、上述したラッピング、裏
面ダメージ加工、ポリッシングを一気に行いうる方法を
提供するものである。
ドレッシング（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｉｎｐｒｏ
ｃｅｓｓ Ｄｒｅｓｓｉｎｇ： 以下、Ｅｌｉｄと言
う。）研削法（特開平１−１８８２６６号）をシリコン
ウエハの加工工程に採用することにより、従来の加工工
程を単純化し、総合生産性を向上させることを目的とす
るものである。つまり、本発明は、Ｅｌｉｄ研削による
除去加工方式をシリコンウエハの両面に施し、しかも、
表面と裏面の表面性状をインプロセスで変化させ、更
に、高効率除去加工によつて、上述したラッピング、裏
面ダメージ加工、ポリッシングを一気に行いうる方法を
提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、本発明に
よる以下の方法を採用することによって解決される。す
なわち、回転軸のまわりに水平に回転する導電性の下側
砥石と上側砥石とを備え、前記下側砥石と上側砥石の回
転軸をずらして前記各砥石の砥石面が重ね合わされるよ
うに対設させ、前記重ね合わせ部の外側に前記各砥石の
砥石面に近接させた電極をそれぞれ備え、前記砥石と前
記電極間に導電性液をそれぞれ供給し、前記砥石と前記
電極との間に電流をそれぞれ供給し、被加工物を前記重
ね合わせ部の間隙に配設されたホルダにより保持して前
記対設した砥石で挟み、これにより各砥石の砥石面を電
解ドレッシングしながら、被加工物の両面を研削加工す
ることを特徴とする電解ドレッシングを用いた両面ラッ
プ研削加工方法を用いることによって達成することがで
きる。
よる以下の方法を採用することによって解決される。す
なわち、回転軸のまわりに水平に回転する導電性の下側
砥石と上側砥石とを備え、前記下側砥石と上側砥石の回
転軸をずらして前記各砥石の砥石面が重ね合わされるよ
うに対設させ、前記重ね合わせ部の外側に前記各砥石の
砥石面に近接させた電極をそれぞれ備え、前記砥石と前
記電極間に導電性液をそれぞれ供給し、前記砥石と前記
電極との間に電流をそれぞれ供給し、被加工物を前記重
ね合わせ部の間隙に配設されたホルダにより保持して前
記対設した砥石で挟み、これにより各砥石の砥石面を電
解ドレッシングしながら、被加工物の両面を研削加工す
ることを特徴とする電解ドレッシングを用いた両面ラッ
プ研削加工方法を用いることによって達成することがで
きる。
【０００８】
【作用】本発明は、既知のＥｌｉｄ研削による研削加工
法を被加工物の両面に行い得る構成とすることにより達
成することができる。例えば、汎用の研削加工機のテー
ブル上に回転駆動機構を備えたもう１台の装置を付設
し、前記加工機の回転軸とテーブル上の回転駆動装置の
回転軸をずらして、ディスク状の鋳鉄ファイバボンドダ
イヤモンド砥石（以下、ＣＩＦＢ−Ｄ砥石と言う。）を
それぞれ装着し、各砥石を＋極、各砥石に近接して設置
した電極を−極として、前記各砥石と各電極間に弱導電
性の研削液を供給しながら、電源装置からパルス状直流
電流を供給して、各砥石を電解ドレッシングしながら砥
粒の突出を確保しつつ加工することにより、各種硬脆材
の高除去研削から鏡面研削までを容易に行うことができ
る。各砥石の回転方向は、相対的に逆回転が好ましい
が、切り込み量によっては同一方向回転でも可能であ
る。表面と裏面の表面粗さを変えるには、上下の砥石粒
度を変えれば良く、また砥石粒度が内周と外周とで異な
るものを用いる場合には、上側砥石を摺動させることに
より、高除去及び鏡面加工を効率良く行える。切り込み
は一般的に上側砥石を下降させて行われるので、被加工
物のホルダは、下側砥石に近接して配置し、外部の装置
によって把持されているのが好ましい。
法を被加工物の両面に行い得る構成とすることにより達
成することができる。例えば、汎用の研削加工機のテー
ブル上に回転駆動機構を備えたもう１台の装置を付設
し、前記加工機の回転軸とテーブル上の回転駆動装置の
回転軸をずらして、ディスク状の鋳鉄ファイバボンドダ
イヤモンド砥石（以下、ＣＩＦＢ−Ｄ砥石と言う。）を
それぞれ装着し、各砥石を＋極、各砥石に近接して設置
した電極を−極として、前記各砥石と各電極間に弱導電
性の研削液を供給しながら、電源装置からパルス状直流
電流を供給して、各砥石を電解ドレッシングしながら砥
粒の突出を確保しつつ加工することにより、各種硬脆材
の高除去研削から鏡面研削までを容易に行うことができ
る。各砥石の回転方向は、相対的に逆回転が好ましい
が、切り込み量によっては同一方向回転でも可能であ
る。表面と裏面の表面粗さを変えるには、上下の砥石粒
度を変えれば良く、また砥石粒度が内周と外周とで異な
るものを用いる場合には、上側砥石を摺動させることに
より、高除去及び鏡面加工を効率良く行える。切り込み
は一般的に上側砥石を下降させて行われるので、被加工
物のホルダは、下側砥石に近接して配置し、外部の装置
によって把持されているのが好ましい。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明のＥｌｉｄ両面ラップ研削を実施する
ための概念図である。下側砥石１１と上側砥石１２は、
砥石面１３、１３′が重ね合わされるように対設させ、
その対設した重ね合わせ部には、被加工物１４を半固定
するワークホルダ１５が下側砥石１１に近接して図示し
ない外部の固定具により固定されている。一方、前記重
ね合わせ部の外側には、上下の各砥石を電解ドレッシン
グするための電極１６及び給電部１７から成るアタッチ
メント（第３図）がそれぞれ設けられている。Ｅｌｉｄ
電源１８は、前記各アタッチメントにパルス電流を供給
するが、各砥石の電解モードを切り替えるスイッチ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が設けられており、弱導電性の研削液
（クーラント）供給口１９から供給される研削液を介し
て砥石と電極間に供給される電流が随時切り替えられ、
各砥石を電解ドレッシングして砥粒の突出を確保する。
第１図は、本発明のＥｌｉｄ両面ラップ研削を実施する
ための概念図である。下側砥石１１と上側砥石１２は、
砥石面１３、１３′が重ね合わされるように対設させ、
その対設した重ね合わせ部には、被加工物１４を半固定
するワークホルダ１５が下側砥石１１に近接して図示し
ない外部の固定具により固定されている。一方、前記重
ね合わせ部の外側には、上下の各砥石を電解ドレッシン
グするための電極１６及び給電部１７から成るアタッチ
メント（第３図）がそれぞれ設けられている。Ｅｌｉｄ
電源１８は、前記各アタッチメントにパルス電流を供給
するが、各砥石の電解モードを切り替えるスイッチ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が設けられており、弱導電性の研削液
（クーラント）供給口１９から供給される研削液を介し
て砥石と電極間に供給される電流が随時切り替えられ、
各砥石を電解ドレッシングして砥粒の突出を確保する。
【００１０】第２図は、上側及び下側の砥石をそれぞれ
砥石面側から見た概念図であり、電解用アタッチメント
の取り付け状態を示す。また第３図は、第１図及び第２
図のアタッチメントの構造を示す概念図であり、銅材料
から成る給電部１７は、支持板３１から伸びる絶縁棒３
２を介して給電部１７が砥石に圧力接触するようにバネ
３３によって支持されている。同様に銅材料から成る電
極１６は、支持板３１から伸びる絶縁棒３２´と補強板
３４を介して支持され、給電部と絶縁されている。下表
は上記本発明を実施するために使用したシステムの仕様
である。
砥石面側から見た概念図であり、電解用アタッチメント
の取り付け状態を示す。また第３図は、第１図及び第２
図のアタッチメントの構造を示す概念図であり、銅材料
から成る給電部１７は、支持板３１から伸びる絶縁棒３
２を介して給電部１７が砥石に圧力接触するようにバネ
３３によって支持されている。同様に銅材料から成る電
極１６は、支持板３１から伸びる絶縁棒３２´と補強板
３４を介して支持され、給電部と絶縁されている。下表
は上記本発明を実施するために使用したシステムの仕様
である。
【００１１】
【表１】
【００１２】下側ＣＩＦＢ−Ｄ砥石の回転駆動には自作
の回転テーブルを利用し、上側ＣＩＦＢ−Ｄ砥石の回転
駆動及び被加工物の切り込みには表中の研削機械を利用
した。前記研削機械の回転軸心と下側砥石の回転軸心間
を９０ｍｍずらして自作の回転テーブルを設置して、そ
れぞれの回転軸にＣＩＦＢ−Ｄ砥石と電解用アタッチメ
ント（第３図）を装着した。クーラントは水溶性研削液
を水道水で希釈し、砥石には上下共通の外径φ２００ｍ
ｍ、幅７７．５ｍｍのＣＩＦＢ−Ｄ砥石ディスクを用
い、上側は、内周＃４０００／外周＃３００００、下側
は、内周＃１２００／外周＃４０００を用いた。被加工
物は超硬合金（ＷＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミ
ナのφ４７／４４ｍｍ、厚さ６．５ｍｍを用いて、主と
して加工条件と垂直荷重の変化、加工面粗さの実験を行
った。
の回転テーブルを利用し、上側ＣＩＦＢ−Ｄ砥石の回転
駆動及び被加工物の切り込みには表中の研削機械を利用
した。前記研削機械の回転軸心と下側砥石の回転軸心間
を９０ｍｍずらして自作の回転テーブルを設置して、そ
れぞれの回転軸にＣＩＦＢ−Ｄ砥石と電解用アタッチメ
ント（第３図）を装着した。クーラントは水溶性研削液
を水道水で希釈し、砥石には上下共通の外径φ２００ｍ
ｍ、幅７７．５ｍｍのＣＩＦＢ−Ｄ砥石ディスクを用
い、上側は、内周＃４０００／外周＃３００００、下側
は、内周＃１２００／外周＃４０００を用いた。被加工
物は超硬合金（ＷＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミ
ナのφ４７／４４ｍｍ、厚さ６．５ｍｍを用いて、主と
して加工条件と垂直荷重の変化、加工面粗さの実験を行
った。
【００１３】ＣＩＦＢ−Ｄ砥石ディスクの上下を適宜ツ
ルーイングした後、目立てを別々に約３０ｍｉｎ行っ
た。ツルーイングはＣＩＦＢ−Ｄカップ砥石によるＥｌ
ｉｄツルーイング等を適用した。被加工物を試料ホルダ
に保持し、Ｅｌｉｄ条件を無負荷電圧Ｅ０＝９０Ｖ、最
大設定電流Ｉｐ＝２４Ａ、パルス幅τｏｎ＝１２μｓ／
τｏｆｆ＝３μｓに設定して、上下砥石を同時に電解ド
レッシングした。上下砥石の回転方向は相対的に逆回転
で行ったが、予備実験として同方向でも顕著な差は認め
られなかった。まず、所定量のステップ送りにより上側
砥石を被加工物面に切り込み、次いで所定時間スパーク
アウトし、最後に上側砥石を退避させ、１回の工程を終
了した。上記条件下における実験により、砥石周速ＶＬ
＝１００ｍ／ｍｉｎ、切り込み速度ｆｄ＝６μｍ／ｍｉ
ｎ、１回の総切り込みＤＴ＝８０μｍにおいて、スパー
クアウトの効果が最良となり削り残し量が少なく、Ｅｌ
ｉｄ効果の連続特性では２回以降の最大荷重に変化はな
く安定したＥｌｉｄ研削が行えることがわかった。
ルーイングした後、目立てを別々に約３０ｍｉｎ行っ
た。ツルーイングはＣＩＦＢ−Ｄカップ砥石によるＥｌ
ｉｄツルーイング等を適用した。被加工物を試料ホルダ
に保持し、Ｅｌｉｄ条件を無負荷電圧Ｅ０＝９０Ｖ、最
大設定電流Ｉｐ＝２４Ａ、パルス幅τｏｎ＝１２μｓ／
τｏｆｆ＝３μｓに設定して、上下砥石を同時に電解ド
レッシングした。上下砥石の回転方向は相対的に逆回転
で行ったが、予備実験として同方向でも顕著な差は認め
られなかった。まず、所定量のステップ送りにより上側
砥石を被加工物面に切り込み、次いで所定時間スパーク
アウトし、最後に上側砥石を退避させ、１回の工程を終
了した。上記条件下における実験により、砥石周速ＶＬ
＝１００ｍ／ｍｉｎ、切り込み速度ｆｄ＝６μｍ／ｍｉ
ｎ、１回の総切り込みＤＴ＝８０μｍにおいて、スパー
クアウトの効果が最良となり削り残し量が少なく、Ｅｌ
ｉｄ効果の連続特性では２回以降の最大荷重に変化はな
く安定したＥｌｉｄ研削が行えることがわかった。
【００１４】第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に超硬合金の各
粒度による仕上面粗さの実施例を示す。超硬合金の場
合、＃１２００（Ａ）ではＲＭａｘ１００ｎｍ、＃４０
００（Ｂ）ではＲＭａｘ５０ｎｍ、＃３００００（Ｃ）
ではＲＭａｘ１５ｎｍ前後の鏡面性状が得られ、更に微
細なサブミクロン砥石により実施した場合にも良好な鏡
面研削加工が実現された。上記実施例は超硬合金、炭化
ケイ素、アルミナを試料として得られた結果であるが、
シリコンと同等の硬度及び脆性を有する材料であり、本
発明をシリコンウエハの研削加工に適用できることが確
認できた。
粒度による仕上面粗さの実施例を示す。超硬合金の場
合、＃１２００（Ａ）ではＲＭａｘ１００ｎｍ、＃４０
００（Ｂ）ではＲＭａｘ５０ｎｍ、＃３００００（Ｃ）
ではＲＭａｘ１５ｎｍ前後の鏡面性状が得られ、更に微
細なサブミクロン砥石により実施した場合にも良好な鏡
面研削加工が実現された。上記実施例は超硬合金、炭化
ケイ素、アルミナを試料として得られた結果であるが、
シリコンと同等の硬度及び脆性を有する材料であり、本
発明をシリコンウエハの研削加工に適用できることが確
認できた。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、従来とほぼ同様のＥｌ
ｉｄ研削加工を被加工物の両面に同時に行うことができ
るので、特に両面加工を必要とする半導体材料のシリコ
ンウエハの両面加工に対し適用して多大な効果を実現で
きる。すなわち、シリコンウエハに要求されている除去
加工能率、加工面粗さ、表面と裏面の面粗さの制御、加
工面損傷の低減等を一気に向上させ、しかも従来のラッ
ピング→裏面ダメージ→ポリッシングの３工程を毎葉加
工方式として自動化することが可能になる。更に、シリ
コンウエハの鏡面仕上能率は、概ね１枚当たり２〜３分
間で加工できる。
ｉｄ研削加工を被加工物の両面に同時に行うことができ
るので、特に両面加工を必要とする半導体材料のシリコ
ンウエハの両面加工に対し適用して多大な効果を実現で
きる。すなわち、シリコンウエハに要求されている除去
加工能率、加工面粗さ、表面と裏面の面粗さの制御、加
工面損傷の低減等を一気に向上させ、しかも従来のラッ
ピング→裏面ダメージ→ポリッシングの３工程を毎葉加
工方式として自動化することが可能になる。更に、シリ
コンウエハの鏡面仕上能率は、概ね１枚当たり２〜３分
間で加工できる。
【００１６】
【図１】本発明の電解ドレッシングによる両面ラップ研
削加工法の概念図。
削加工法の概念図。
【図２】上下砥石と電解用アタッチメントの装着状態を
示す概念図。
示す概念図。
【図３】電解用アタッチメントの構造を示す概念図。
【図４】各粒度により本発明を実施した表面粗さパター
ン図。
ン図。
【図５】従来の両面ラップ装置の構造を示す断面図。
１１ 下側砥石 １２ 上側砥石 １３、１３′ 砥石面 １４、５３ 被加工物 １５、５６ ワークホルダ １６ 電極 １７ 給電部 １８ Ｅｌｉｄ電源 １９ クーラント供給口 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３スイッチ ３１ 支持板 ３２、３２′絶縁棒 ３３ バネ ３４ 補強板 ５１、５２ ラップ定盤 ５４、５５ 間隙 ５７ ギア
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−292167（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−95574（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 53/00
Claims (1)
- 【請求項１】 両面ラップ研削装置であって、 砥石面を有し、回転自在に支持された導電性下側砥石
と、 該下側砥石の前記砥石面と実質的に平行に配置された砥
石面を有し、回転自在に支持された導電性上側砥石とを
有し、 前記導電性下側砥石の前記砥石面の周部分と、前記導電
性上側砥石の前記砥石面の周部分とが部分的に対向する
ように位置決めされ、 該部分的に対向する、前記導電性下側砥石の前記砥石面
の周部分と前記導電性上側砥石の前記砥石面の周部分と
の間に、被加工物を保持するためのワークホルダと、 回転する前記砥石面によって前記被加工物を研削加工し
ながら、前記砥石面を電解ドレッシングするための電解
ドレッシング装置とを有し、該電解ドレッシング装置
が、電源と、該電源の一方の電極と前記導電性下側砥石
及び導電性上側砥石とを接続する第１導電手段と、前記
電源の他方の電極と前記導電性下側砥石及び導電性上側
砥石の各々に隣接して配置された第１、第２端子とを接
続する第２導電手段と、前記電源の前記他方の電極と前
記第１、第２端子の両方、前記電源の前記他方の電極と
前記第１端子、或いは、前記電源の前記他方の電極と前
記第２端子を選択的に接続させるためのスイッチ手段
と、前記導電性下側砥石の前記砥石面、前記導電性上側
砥石の前記砥石面に研削液を供給するための研削液供給
手段とを備える、 ことを特徴とする、両面ラップ研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03123199A JP3136169B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 両面ラップ研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03123199A JP3136169B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 両面ラップ研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275874A JPH04275874A (ja) | 1992-10-01 |
| JP3136169B2 true JP3136169B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=14854649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03123199A Expired - Fee Related JP3136169B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 両面ラップ研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3136169B2 (ja) |
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1991
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