KR100831148B1 - 대구경 공작물의 이엘아이디 경면 연삭장치 및 그 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
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- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/001—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces involving the use of electric current
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
본 발명은 평판 형상의 공작물(5)(실리콘 웨이퍼)을 수평으로 회전구동시키는 공작물 회전구동장치(12)와, 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)과, 지석을 그 축을 중심으로 회전구동시키는 지석 회전구동장치(16)와, 지석을 공작물의 표면에 따라 왕복운동시키는 지석 왕복운동장치(18)와, 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키는 축선 유지장치(20)와, 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 ELID 장치(22)를 구비하여, 지석의 축선(X)을 수평축에 대하여 소정의 각도 θ로 유지시키면서 동시에 지석의 외주면을 전해 드레싱한다. 이것에 의해 대형 지석을 사용하지 않고 대구경의 웨이퍼를 표면 연삭하는 것이 가능하고, 지석의 편향을 작게 가공 정밀도를 높이는 것이 가능하며, 트루잉을 단시간에 용이하게 하는 것이 가능하고, 소형의 전원설비로 전해 드레싱이 가능하며, 평면 이외의 단면 형상(예를 들면, 음각 형상)도 가공하는 것이 가능하다.
대구경, 연삭장치, 웨이퍼, 도전성 지석, 전해 드레싱, 가공 정밀도
Description
도 1a 내지 1c는 종래의 절단기의 모식도.
도 2a 내지 2c는 종래의 연삭장치의 모식도.
도 3은 본 발명에 따른 ELID 경면 연삭장치의 제1실시예의 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 ELID 경면 연삭장치의 제2실시예의 구성도.
도 5는 본 발명에 따른 ELID 경면 연삭장치의 제3실시예의 구성도.
본 발명은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 등과 같은 ELID(전해 드레싱, electrolytic in-dressing) 경면 연삭장치 및 방법에 관한 것이다.
단결정 실리콘으로 된 잉곳(ingot)으로부터 얇은 실리콘 웨이퍼를 잘라내기 위해, 종래부터 (1) 외주인 절단기(outer-edge cutter), (2) 내주인 절단기(inner-edge cutter) 또는 (3) 와이어 톱(wire saw)이 사용되어 왔다.
외주인 절단기는 도 1a에 도시된 바와 같이, 중심축(2a)이 있는 얇은 원반형 의 절단인(2)을 고속으로 회전시켜, 그 외주로 잉곳(1)을 절단하는 것이다. 내주인 절단기는 도 1b에 도시된 바와 같이, 중심홀(3a)이 있는 얇은 원반형의 절단인(3)을 고속으로 회전시켜 그 내주부에 설치되는 전착지석(電着砥石, electrolytically deposited grindstone)으로 잉곳(1)을 절단하는 것이다. 와이어 톱은 도 1c에 도시된 바와 같이, 직경 0.2 내지 0.3 mm의 미세 와이어(4)를 가이드 풀리(guide pulley)(4a)를 사용하여 이동시키고, 잉곳(1)과 와이어(4) 사이에 지립(砥粒, grinding grains)을 함유하는 슬러리(slurry)를 공급하여 잉곳(1)을 절단하는 것이다.
상술한 절단가공은 이하의 요건을 만족할 필요가 있다.
(1) 절단면의 휘어짐(warping)(웨이퍼 전체의 휘어짐)이 적어야 한다.
(2) 절단된 웨이퍼 두께의 불규칙성, 즉, TTV(전체 두께 변화, Total Thickness Variation)가 작아야 한다.
(3) 표면거칠기가 작아야 한다.
다음으로, 절단된 실리콘 웨이퍼의 표면은 도 2a, 도2b에 도시된 바와 같이, 공작물(5)(실리콘 웨이퍼)을 자전시키면서 컵(cup) 지석(6)으로 그 표면을 연삭하는 인피드 방식(infeed-type)의 단면 연삭장치로 연삭한다. 또한, 구동 롤러(7)로 공작물(5)을 자전시키면서 그 양면을 동시에 연삭하는 양면 연삭장치도 실용화되고 있다.
실리콘 잉곳은 대구경화되고 있고, 종래에는 직경이 약 8 인치(약 200 mm) 정도가 한계가 되었으나 근래에는 12 인치(약 300 mm), 16 인치(약 400 mm)로 제조 할 수 있게 되어 있다. 그러나, 이러한 대구경 잉곳을 절단하는 경우, 절단면의 휘어짐, 두께의 변화 및 표면거칠기에서 작은 직경의 잉곳과 비교하여 악화되는 것을 피할 수 없다.
그러므로, 대구경 잉곳의 표면연삭을 할 때, 상술한 종래의 인피드 방식의 평면 연삭장치를 적용할 경우, 이하의 문제점이 있다.
(1) 컵 지석(6)의 직경은 공작물(5)의 직경보다 크게 할 필요가 있기 때문에, 컵 지석(6)의 직경은, 예를 들면 500 mm까지 된다. 그 결과, 컵 지석을 공작물로 압착하는 힘에 의해 컵 지석이 휘기 쉽고, 따라서 가공면의 가공 정밀도가 악화된다.
(2) 컵 지석(6)이 대형화되어야 하기 때문에 그 회전지지기구와 회전구동장치가 대형화되고 전체가 수십 톤에 달하는 대형기계가 되고 장치가 매우 고가가 된다.
(3) 컵 지석의 대형화에 수반하여 그 트루잉(truing)에 시간이 걸리고, 전해 드레싱을 적용하는 경우 큰 전해용량이 필요하며(예를 들어 100 A 이상), 전원설비가 대형화되고 고가가 된다.
(4) 다음 공정으로 랩(lap) 연삭을 적용한 경우, 연삭 후의 표면은 단순한 평면이 아니라 약간의 음각형상으로 하는 것이 바람직하지만, 종래의 장치로는 평면연삭 이외에는 가능하지 않든지, 가능하더라도 매우 복잡화되어 형상의 제어를 잘 할 수 없다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 창안된 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 대형 지석을 이용하지 않고 대구경의 웨이퍼를 표면 연삭하고,지석의 편향이 적게 높은 가공 정밀도를 유지할 수 있고, 트루잉을 단시간에 용이하게 하고, 소형의 전원설비로 전해 드레싱을 하며, 평면이외의 단면형상(예를 들면, 음각 형상)도 가공하는 것이 가능한 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치 및 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따르면, 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키는 공작물 회전구동장치(12)와, 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)과, 해당 지석을 그 축을 중심으로 회전구동시키는 지석 회전구동장치(16)와, 상기 지석을 그 축선을 따라 왕복운동시키는 지석 왕복운동장치(18)와, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키는 축선유지장치(20)와, 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 ELID 장치(22)를 구비하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치가 제공된다.
또한, 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키는 공작물 회전구동장치(12)와, 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)과, 해당 지석을 그 축을 중심으로 회전구동시키는 지석 회전구동장치(16)와, 상기 지석을 공작물의 회전축에 직교하는 방향으로 왕복운동시키는 지석 왕복운동장치(18)와, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키는 축선유지장치(20)와, 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 ELID 장치(22)를 구비하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 따라, 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키고, 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)을 그 축을 중심으로 회전구동시키고, 상기 지석을 공작물의 표면을 따라 왕복운동시키고, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키고, 동시에 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭방법이 제공된다.
상기 본 발명의 장치 및 방법에 따르면, 공작물 회전구동장치(12)에 의하여 평판 형상의 공작물(5)이 수평으로 회전구동되고, 실질적으로 수평한 축선을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)의 외주면이 공작물 표면에 접촉하여 이거를 연삭하기 때문에 도전성 지석의 직경은 공작물의 크기에 관계없이 자유롭게 설정할 수 있다. 따라서, 예를 들면 16 인치(약 400 mm)의 웨이퍼 표면을 연삭하는 경우에도 연삭 외경을 작게 설정할 수 있어, 대형 지석을 사용하지 않고 대구경 웨이퍼를 표면 연삭하는 것이 가능하다.
또한, 도전성 지석의 직경을 웨이퍼에 비교하여 작게 설정할 수 있고, 또한 지석 회전구동장치(16)의 축받이로 지석을 실질적으로 수평한 축선을 중심으로 회전 가능하게 지지할 수 있기 때문에, 공작물 가공시의 연삭 저항에 의한 편향을 대폭적으로 저감할 수 있다. 또한, ELID 장치(22)에 의하여 지석의 외주면을 전해 드레싱하기 때문에,연삭 저항 및 이것에 의한 편향을 더욱 저감하고, 가공면의 가공 정밀도를 높이는 것이 가능하다.
또한, 도전성 지석(14)이 소형이므로 그 트루잉 시간 및 전해 드레싱 시간도 짧아지고, 또한 전해 드레싱의 전해전류가 작으므로 전원설비도 소형, 저가가 된다. 또한, 축선유지장치(20)에 의하여 지석의 축선이 수평축에 대하여 소정의 각도 θ로 유지되고, 지석왕복운동장치(18)에 의하여 지석을 그 축선에 따라 왕복운동시킨다면 각도 θ의 설정에 의해 웨이퍼를 평면 이외의 단면 형상(예를 들면, 음각 형상)으로 가공하는 것이 가능하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 공작물 회전구동장치(12)는 평판 형상의 공작물(5)의 외주면에 접촉해 이것을 회전구동하는 복수의 구동 롤러(13)가 되고, 한 쌍의 상하 도전성 지석(14)이 공작물의 양면에 각각 접촉하도록 구비되어 있다.
이러한 구성에 따라, 복수의 구동 롤러(13)에 의하여 평판 형상의 공작물(5)을 회전구동하면서, 한 쌍의 상하 도전성 지석(14)에 의해 공작물의 동일 위치의 양면을 동시에 연삭가공하고, 공작물에 휘어짐이나 두께의 변화가 있는 경우에도 공작물을 소정의 형상(평면, 양각 또는 음각)으로 연삭 가공하는 것이 가능하다.
또한, 상기 도전성 지석(14)은 메탈-본드(metal-bonded) 지석이다. 상기 ELID 장치(22)는 지석의 외주면으로부터 간격을 사이에 두고 있는 ELID용 전극(23)과, 상기 지석을 양극으로 하고 상기 전극을 음극으로 하여 그 사이에 직류 펄스 전압을 인가하는 전압 인가수단(24)과, 상기 지석과 전극 사이에 도전성 가공액을 공급하는 가공액 공급수단(25)을 구비하고, 지석의 외주면을 전해 드레싱하면서 동시에 지석으로 공작물을 연삭한다.
이러한 구성에 따라, 전해 드레싱에 의해 메탈-본드 지석 표면을 정밀하게 잘 날을 세움으로써 자르기 때문에, 미세한 지립을 사용하는 것에 의하여, 절단면을 경면에 가까운 매우 평탄하게 완성하는 것이 가능하다. 또한, 다음 공정(연마(polishing))의 부하를 크게 감소시키는 것이 가능하고 결정(crystal)에 주는 가공 손상을 최소한으로 억제하는 것이 가능하다,
본 발명의 다른 목적과 이점은 첨부한 도면에 참조하여 이하에서 설명한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 공통하는 부분은 동일한 참조번호로 표시하였고 중복되는 설명은 생략하였다.
도 3은 본 발명에 따른 ELID 경면 연삭장치의 제1실시예의 구성도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치(10)는 공작물 회전구동장치(12), 도전성 지석(14), 지석 회전구동장치(16), 지석 왕복운동장치(18), 축선유지장치(20) 및 ELID 장치(22)를 포함하여 구성된다.
평판 형상의 공작물(5)은, 예를 들면 외경 16 인치(약 400 mm) 정도의 단결정 실리콘 웨이퍼이다. 그러나, 본 발명은 이러한 웨이퍼에 한정되지 않고 다른 웨이퍼, 예를 들면 SiC 웨이퍼, 석영(quartz) 웨이퍼 등도 적용하는 것이 가능하다. 물론, 두꺼운 공작물의 가공에도 적용할 수 있고 본 발명은 웨이퍼에 한정되지 않는다.
공작물 회전구동장치(12)는, 예를 들면 수평한 상면을 갖는 공작물 설치대(12a)와 이것을 수직의 회전축(Z)을 중심으로 회전시키는 회전구동장치(12b) 를 포함하고,흡착 등으로 공작물 설치대(12a)의 상면에 고정되는 공작물(5)을 수평 회전구동시킨다. 회전구동장치(12b)의 회전축(Z)은 수직축에 대하여 경사각 φ로 접촉하도록 되어 있는 것이 바람직하다.
도전성 지석(14)은 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 메탈-본드 지석이다. 메탈-본드 지석은 지립(예를 들면, 다이아몬드 지립)과 금속결합재로 이루어진다. 또한, 플라스틱 파우더(plastic powder)가 혼합될 수도 있다. 지립의 입자 크기는 최종 마무리하고 면을 경면에 가깝게 매우 평탄하게 마무리하기 위해, 입자 직경을 미세하게 하는 것이 바람직하며, 예를 들면 입자 직경은 2 ㎛(입자 정도 #8000과 동일) 내지 5 nm(입자 정도 #3,000,000과 동일)가 사용될 수 있다. 또한, 절삭 능률을 높이기 위해, 상대적으로 입자 직경이 조악한 것, 예를 들면 입자 크기 #325 내지 입자 직경 4 ㎛(입자 정도 #4000과 동일)까지 사용될 수 있다. 조악한 지립을 사용하는 것에 의하여 효율적으로 가공이 되고, 미세한 지립을 사용하는 것에 의하여 경면에 근사한 우수한 평면을 가공하는 것이 가능하다.
지석 회전구동장치(16)는 지석(14)을 그 축선(X)을 중심으로 회전 가능하도록 지지하는 축받이(bearing)(16a)와, 지석(14)을 그 축선(X)을 중심으로 회전구동시키는 구동장치(driving device)(16b)로 이루어진다. 또한, 지석 왕복운동장치(18)는 지석 회전구동장치(16)를 그 축선(X)을 따라 왕복가능하도록 안내하는 가이드(guide)(18a)와 이를 왕복운동시키는 구동 실린더(driving cylinder)(18b)로 이루어진다. 축선유지장치(20)는 지석 왕복운동장치(18)를 수평면에 대하여 소정의 각도 θ로 유지시키고, 지석(14)의 축선(X)을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시킨다. 이 각도 θ는 임으로 주어지며, 0°일수도 있고 또는 + 또는 - 각도일 수도 있다. 또한, 이 각도의 변경을 요동장치(swinging device)에 의해 수치제어함으로써 수시로 변경할 수 있다. 이 경우 소정의 곡률을 갖는 구면 형상이나 곡률이 변화하는 예를 들면 비구면 형상을 만들어 내는 것도 가능하다.
또한, 도 3에 도시된 것에 의하면, ELID 장치(22)는 지석(14)의 외주면으로부터 간격을 사이에 두는 ELID용 전극(23)과, 지석(14)을 양극(+)으로 하고 전극(23)을 음극(-)으로 하여 그 사이에 직류 펄스 전압을 인가하는 전압 인가수단(24)과, 지석(14)과 전극(23) 사이에 도전성 가공액을 공급하는 가공액 공급수단(25)을 구비한다.
이러한 구성에 의하여, 지석(14)의 외주면을 전해 드레싱하면서 동시에 지석으로 공작물을 연삭하는 것이 가능하다.
상술한 도 3의 구성의 ELID 경면 연삭장치(10)를 사용하는 본 발명의 방법에 따르면, 공작물 회전구동장치(12)에 의해 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키고, 지석 회전구동장치(16)에 의하여 공작물 표면에 접촉하는 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)을 그 축을 중심으로 회전구동시키고, 지석 왕복운동장치(18)에 의하여 지석을 그 축선(X)을 따라 왕복운동시키고, 축선유지장치(20)에 의하여 지석의 축선(X)을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키고, 동시에 ELID 장치(22)에 의하여 지석(14)의 외주면을 전해 드레싱한다.
상술한 본 발명의 장치 및 방법에 따르면, 평판 형상의 공작물(5)이 수평으로 회전구동되고, 실질적으로 수평한 축선을 갖는 원통 형상의 전도성 지석(14)의 외주면이 공작물 표면에 접촉되어 연삭하고, 도전성 지석의 직경은 공작물의 크기에 따라 자유로이 설정하는 것이 가능하다. 따라서, 예를 들면 16 인치(약 400 mm)의 웨이퍼의 표면을 연삭하는 경우에도, 지석 외경을 작게 설정하고 대형 지석을 사용하지 않고 대구경 웨이퍼를 표면 연삭하는 것이 가능하다.
또한, 도전성 지석의 직경을 웨이퍼에 비교하여 작게 설정하고 지석 회전구동장치(16)의 축받이(16a)로 지석(14)을 실질적으로 수평한 축선(X)을 따라 회전가능하도록 지지하여 공작물 가공시의 연삭 저항에 의한 편향을 크게 감소시킨다. 연삭 저항 및 이것에 의한 편향을 더욱 저감하고 공작물의 가공 정밀도를 높이는 것이 가능하다.
또한, 도전성 지석(14)이 소형이기 때문에, 그 트루잉 시간이 짧아지고, 전해 드레싱의 전해 전류가 작아지며, 전원설비도 소형, 저가가 된다. 또한, 축선유지장치(20)에 의하여 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도 θ로 유지하고, 지석왕복운동장치(18)에 의하여 지석(14)을 그 축선(X)에 따라 왕복운동시킨다면, 각도 θ의 설정에 의해 웨이퍼를 평면 이외의 단면 형상(예를 들면, 음각 형상)으로 가공하는 것이 가능하다.
도 4는 본 발명에 의하여 ELID 경면 연삭장치의 제2실시예의 구성도이다. 도 4에 있어서, 공작물 회전구동장치(12)는 평판 형상의 공작물(5)의 외주면에 접촉하고 이를 회전구동하는 복수(적어도 3개)의 구동 롤러(driving roller)(13)로 된다. 이 구동 롤러(13)는 구동장치(13a)에 의하여 각각 공작물(5)의 외주면에 소정의 힘으로 압착되어 회전구동되고, 이것에 의해 공작물(5)을 수직한 축선(Z)을 중심으로 회전시킨다. 또한, 본 실시예에는 구동 롤러(13)의 중앙부가 음각으로 공작물(5)의 외주를 유지하도록 되어 있지만, 별도의 공작물을 지지하는 지지 롤러를 설치할 수도 있다.
또한, 본 실시예에는 한 쌍의 상하 도전성 지석(14)이 설치되고, 각 지석(14)은 공작물(5)의 동일한 위치에 그 양면에 각각 접촉하도록 설정되어 있다. 그 다는 구성은 도 3과 동일하다. 또한 이 경우, 상술한 지석 회전구동장치(16), 지석 왕복운동장치(18), 축선유지장치(20) 및 ELID 장치(22)를 별도로 설치하는 것이 바람직하지만 필요에 따라 1대로 공용하도록 하여도 좋다.
도 4에 도시된 구성에 의해, 도 3과 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 도 4의 구성에 의해 특히 복수의 구동 롤러(13)에 의한 평판 형상의 공작물(5)을 회전구동시키면서, 한 쌍의 상하의 도전성 지석(14)에 의해 공작물의 동일한 위치의 양면을 동시에 연삭가공하고, 공작물에 휘어짐이나 두께의 고르지 않은 상태가 있는 경우에도 공작물을 소정의 형상(평면, 양각, 음각)으로 연삭가공하는 것이 가능하다. 또한 상하 지석의 각도를 변경하는 것에 의하여, 상면은 음각, 하면은 양각으로 가공을 하는 것이 가능하다.
도 5는 본 발명에 의하여 ELID 경면 연삭장치의 제3실시예의 구성도이다. 도 5에 있어서, 한 쌍의 상하 도전성 지석(14)은 절단된 원추 형태이고,그 사면이 공작물의 양면에 접촉하게 되어 있다. 이 경우, 상술한 지석 왕복운동장치(18)는 지석 회전구동장치(16)를 공작물의 양면에 따라(회전축(Z)에 직교하는 방향으로) 왕복운동하게 되어 있다. 그 다른 구성은 제2실시예와 동일하다. 이 구성에 의하여 롤러와 지석의 간섭을 용이하게 피하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭방법 및 장치는 대형 지석을 사용하지 않고 대구경의 웨이퍼를 표면 연삭하는 것이 가능하고, 지석의 편향이 적게 높은 가공 정밀도를 유지할 수 있고, 트루잉이 단시간에 용이하게 되고, 소형의 전원설비로 전해 드레싱이 가능하며, 평면 이외의 단면 형상(예를 들면, 음각 형상)도 가공하는 것이 가능하는 등의 우수한 효과가 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태 및 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 변경이 가능한 것은 물론이다.
Claims (5)
- 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키는 공작물 회전구동장치(12)와, 공작물 표면에 접촉하는 원통 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)과, 해당 지석을 그 축을 중심으로 회전구동시키는 지석 회전구동장치(16)와, 상기 지석을 그 축선을 따라 왕복운동시키는 지석 왕복운동장치(18)와, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키는 축선유지장치(20)와, 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 ELID 장치(22)를 구비하고,이것에 의해, 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키고, 상기 도전성 지석(14)을 그 축을 중심으로 회전구동시키고, 상기 지석의 원통 외주면을 공작물 표면에 접촉시키면서 공작물 표면을 따라 왕복운동시킴으로써 공작물 표면을 연삭시키고, 상기 지석의 축선을 수평축에 대해 소정의 각도로 유지시키고, 동시에 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치.
- 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키는 공작물 회전구동장치(12)와, 공작물 표면에 접촉하는 원통 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)과, 해당 지석을 그 축을 중심으로 회전구동시키는 지석 회전구동장치(16)와, 상기 지석을 공작물의 회전축에 직교하는 방향으로 왕복운동시키는 지석 왕복운동장치(18)와, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키는 축선유지장치(20)와, 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 ELID 장치(22)를 구비하고,이것에 의해, 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키고, 상기 도전성 지석(14)을 그 축을 중심으로 회전구동시키고, 상기 지석의 원통 외주면을 공작물 표면에 접촉시키면서 공작물 표면을 따라 왕복운동시킴으로써 공작물 표면을 연삭시키고, 상기 지석의 축선을 수평축에 대해 소정의 각도로 유지시키고, 동시에 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공작물 회전구동장치(12)는 평판 형상의 공작물(5)의 외주면에 접촉하여 이것을 회전구동시키는 복수의 구동 롤러(13)로 구 성되고, 상하 한 쌍의 도전성 지석(14)이 공작물의 양면에 각각 접촉하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도성 지석(14)은 메탈-본드 지석으로 구성되고, 지석의 외주면으로부터 간격을 사이에 두는 ELID용 전극(23)과, 상기 지석을 양극으로 하고 상기 전극을 음극으로 하여 그 사이에 도전성 가공액을 공급하는 가공액 공급수단(25)을 구비하고, 지석의 외주면을 전해 드레싱하면서 동시에 지석으로 공작물을 연삭하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭장치.
- 평판 형상의 공작물(5)을 수평으로 회전구동시키고, 공작물 표면에 접촉하는 원통 외주면을 갖는 원통 형상의 도전성 지석(14)을 그 축을 중심으로 회전구동시키고, 상기 지석의 원통 외주면을 공작물 표면에 접촉시키면서 공작물의 표면을 따라 왕복운동시키는 것에 의해 공작물 표면을 연삭시키고, 상기 지석의 축선을 수평축에 대하여 소정의 각도로 유지시키면서 동시에 지석의 외주면을 전해 드레싱하는 것을 특징으로 하는 대구경 공작물의 ELID 경면 연삭방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000181281A JP2001353648A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | 大口径工作物のelid鏡面研削装置及び方法 |
JP2000-181281 | 2000-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010113488A KR20010113488A (ko) | 2001-12-28 |
KR100831148B1 true KR100831148B1 (ko) | 2008-05-20 |
Family
ID=18682239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010033467A KR100831148B1 (ko) | 2000-06-16 | 2001-06-14 | 대구경 공작물의 이엘아이디 경면 연삭장치 및 그 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6537139B2 (ko) |
JP (1) | JP2001353648A (ko) |
KR (1) | KR100831148B1 (ko) |
TW (1) | TW555614B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9402700B2 (en) | 2011-03-09 | 2016-08-02 | Colgate-Palmolive Company | Interdental cleaning device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3874340B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2007-01-31 | 秋田県 | 研磨装置 |
US7118448B2 (en) * | 2001-12-26 | 2006-10-10 | Koyo Machine Industries Co., Ltd. | Truing method for grinding wheel, its truing device and grinding machine |
JP2008073740A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
WO2008100865A1 (en) | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Nye Paul H | A personal affector machine |
JP2009099788A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Denso Corp | ウェハの製造方法 |
JP5145857B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | ウェハの製造方法 |
EP2072182B1 (de) * | 2007-12-19 | 2010-06-23 | Agathon AG Maschinenfabrik | Schleifmaschine mit einer Vorrichtung zum Konditionieren einer Schleifscheibe und Verfahren dazu |
KR101164101B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-07-12 | 주식회사 엘지실트론 | 롤러 구조를 이용한 양면 연마 장치 |
KR101342838B1 (ko) | 2013-04-17 | 2013-12-17 | 영 진 이 | 레이돔의 표면처리장치 |
JP6270921B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-31 | 株式会社リード | ブレードのドレッシング機構を備えた切削装置 |
CN111716252A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-09-29 | 山西太钢不锈钢股份有限公司 | 一种轧辊磨削前金刚石砂轮修整的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000017369A (ko) * | 1998-08-19 | 2000-03-25 | 아리마 아키도 | 마이크로 방전 트루잉 장치 및 이를 이용한 미세 가공방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0760642A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-07 | Rikagaku Kenkyusho | 電解ドレッシング研削方法及び装置 |
TW358764B (en) * | 1997-07-07 | 1999-05-21 | Super Silicon Crystal Res Inst | A method of double-side lapping a wafer and an apparatus therefor |
-
2000
- 2000-06-16 JP JP2000181281A patent/JP2001353648A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-11 TW TW090111276A patent/TW555614B/zh active
- 2001-06-14 US US09/880,011 patent/US6537139B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-14 KR KR1020010033467A patent/KR100831148B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000017369A (ko) * | 1998-08-19 | 2000-03-25 | 아리마 아키도 | 마이크로 방전 트루잉 장치 및 이를 이용한 미세 가공방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9402700B2 (en) | 2011-03-09 | 2016-08-02 | Colgate-Palmolive Company | Interdental cleaning device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6537139B2 (en) | 2003-03-25 |
KR20010113488A (ko) | 2001-12-28 |
TW555614B (en) | 2003-10-01 |
JP2001353648A (ja) | 2001-12-25 |
US20010053661A1 (en) | 2001-12-20 |
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S901 | Examination by remand of revocation | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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