JPH09289181A - 基板切断方法及び基板切断装置 - Google Patents
基板切断方法及び基板切断装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板切断時に正確な切断を行なうことによ
り、複数枚の基板を配列した時の各基板間の隙間を一定
にするか、あるいは小さくするか、あるいは隙間を無く
し、基板間の隙間部の電気的特性を向上することができ
るようにする。 【解決手段】 基板上にスライスライン１０１とガイド
ライン１０２を設け、前記スライスライン１０１に沿っ
て前記基板を切断し、該切断時に、前記ガイドライン１
０２を検出することによりズレを検出し、該ズレを補正
しながら切断する基板切断方法。
り、複数枚の基板を配列した時の各基板間の隙間を一定
にするか、あるいは小さくするか、あるいは隙間を無く
し、基板間の隙間部の電気的特性を向上することができ
るようにする。 【解決手段】 基板上にスライスライン１０１とガイド
ライン１０２を設け、前記スライスライン１０１に沿っ
て前記基板を切断し、該切断時に、前記ガイドライン１
０２を検出することによりズレを検出し、該ズレを補正
しながら切断する基板切断方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板切断方法及び
基板切断装置に関し、更に詳しくは、たとえば２次元的
に配置された薄膜半導体素子を搭載した基板を平面的に
隣接して複数枚配置構成した薄膜半導体装置の基板を切
断するために好適に使用され得る基板切断方法及びその
切断装置に関するものである。
基板切断装置に関し、更に詳しくは、たとえば２次元的
に配置された薄膜半導体素子を搭載した基板を平面的に
隣接して複数枚配置構成した薄膜半導体装置の基板を切
断するために好適に使用され得る基板切断方法及びその
切断装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリ、デジタル複写機あるいは
Ｘ線撮像装置等の読み取り系としては縮小光学系とＣＣ
Ｄ型センサが用いられるのが一般的である。ところが、
近年、水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと
記す）に代表される光電変換半導体材料の開発により、
光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板に形成し、
情報源と等倍の光学系で読み取る１次元又は２次元のい
わゆる密着型センサの開発がめざましい。特にａ−Ｓｉ
は光電変換材料としてだけでなく薄膜電界効果型トラン
ジスタ（以下ＴＦＴと記す）としても用いることができ
るので光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に
形成することができる利点を有している。
Ｘ線撮像装置等の読み取り系としては縮小光学系とＣＣ
Ｄ型センサが用いられるのが一般的である。ところが、
近年、水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと
記す）に代表される光電変換半導体材料の開発により、
光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板に形成し、
情報源と等倍の光学系で読み取る１次元又は２次元のい
わゆる密着型センサの開発がめざましい。特にａ−Ｓｉ
は光電変換材料としてだけでなく薄膜電界効果型トラン
ジスタ（以下ＴＦＴと記す）としても用いることができ
るので光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に
形成することができる利点を有している。
【０００３】このような密着型センサを有する光電変換
装置の一例として、欧州公開特許公報０６６０４２１号
を我々は提案した。
装置の一例として、欧州公開特許公報０６６０４２１号
を我々は提案した。
【０００４】図１６は、上記光電変換装置の一例を示す
概略的全体回路図、図１７（ａ）は上記光電変換装置の
１画素に相当する各構成素子として用いられ得る素子一
例を説明するための模式的平面図、図１７（ｂ）は図１
７（ａ）のＡ−Ｂ線での模式的断面図である。
概略的全体回路図、図１７（ａ）は上記光電変換装置の
１画素に相当する各構成素子として用いられ得る素子一
例を説明するための模式的平面図、図１７（ｂ）は図１
７（ａ）のＡ−Ｂ線での模式的断面図である。
【０００５】図１６において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変
換素子で一方の電極側（たとえば下部電極側）をＧ、他
方の電極側（たとえば上部電極側）をＤと示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ，Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇ
がｏｎするよう制御されている。１画素は１個の光電変
換素子とコンデンサ、およびＴＦＴで構成され、その信
号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接
続されている。
換素子で一方の電極側（たとえば下部電極側）をＧ、他
方の電極側（たとえば上部電極側）をＤと示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ，Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇ
がｏｎするよう制御されている。１画素は１個の光電変
換素子とコンデンサ、およびＴＦＴで構成され、その信
号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接
続されている。
【０００６】以前我々が提案した光電変換装置は計９個
の画素を３つのブロックに分け１ブロックあたり３画素
の出力を同時に転送し、この信号配線ＳＩＧを通して検
出用集積回路ＩＣによって順次出力に変換され出力され
る（Ｖｏｕｔ）。また１ブロック内の３画素を横方向に
配置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画
素に二次元的に配置している。
の画素を３つのブロックに分け１ブロックあたり３画素
の出力を同時に転送し、この信号配線ＳＩＧを通して検
出用集積回路ＩＣによって順次出力に変換され出力され
る（Ｖｏｕｔ）。また１ブロック内の３画素を横方向に
配置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画
素に二次元的に配置している。
【０００７】図中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の一例の模式的平面図を図１７（ａ）に示す。ま
た図中破線Ａ−Ｂで示した部分の模式的断面図を図１７
（ｂ）に示す。光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ…Ｔ１１、
蓄積用コンデンサＣ１１は特別に素子を分離しておら
ず、光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすること
によりコンデンサＣ１１を形成している。これは光電変
換素子とコンデンサが同じ層構成であるから可能な構成
である。
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の一例の模式的平面図を図１７（ａ）に示す。ま
た図中破線Ａ−Ｂで示した部分の模式的断面図を図１７
（ｂ）に示す。光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ…Ｔ１１、
蓄積用コンデンサＣ１１は特別に素子を分離しておら
ず、光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすること
によりコンデンサＣ１１を形成している。これは光電変
換素子とコンデンサが同じ層構成であるから可能な構成
である。
【０００８】また、画素上部にはパッシベーション用窒
化シリコン膜ＳｉＮとヨウ化セシウム等の波長変換体と
しての蛍光体ＣｓＩが形成されている。このような構成
において、上方よりＸ線（Ｘ−ｒａｙ）が入射すると、
蛍光体ＣｓＩにより光（破線矢印）に変換され、この光
が光電変換素子に入射される。この光電変換装置では、
図示されるように、９個の画素を３×３に二次元配置し
てある。駆動についても図から読み取れるように、３画
素ずつ同時に、３回に分割して転送・出力する例を示し
ている。従って、例えば縦横１ｍｍあたり５×５個の画
素として二次元的に配置すれば４０ｃｍ×４０ｃｍのＸ
線検出器が得られる。これをＸ線フィルムの代わりにＸ
線発生器と組み合わせＸ線レントゲン装置を構成すれ
ば、構造材などの非破壊検査、胸部レントゲン検診や乳
ガン検診に使用できる。すると、フィルムと異なり、瞬
時にその出力をＣＲＴで映し出すことが可能で、さらに
出力をデジタルに変換し、コンピュータで画像処理して
目的に合わせた出力に変換することも可能である。また
光磁気ディスクに保管もでき、過去の画像を瞬時に検索
することもできる。また感度も、フィルムより人体に影
響の少ない微弱なＸ線で鮮明な画像を得ることができ
る。
化シリコン膜ＳｉＮとヨウ化セシウム等の波長変換体と
しての蛍光体ＣｓＩが形成されている。このような構成
において、上方よりＸ線（Ｘ−ｒａｙ）が入射すると、
蛍光体ＣｓＩにより光（破線矢印）に変換され、この光
が光電変換素子に入射される。この光電変換装置では、
図示されるように、９個の画素を３×３に二次元配置し
てある。駆動についても図から読み取れるように、３画
素ずつ同時に、３回に分割して転送・出力する例を示し
ている。従って、例えば縦横１ｍｍあたり５×５個の画
素として二次元的に配置すれば４０ｃｍ×４０ｃｍのＸ
線検出器が得られる。これをＸ線フィルムの代わりにＸ
線発生器と組み合わせＸ線レントゲン装置を構成すれ
ば、構造材などの非破壊検査、胸部レントゲン検診や乳
ガン検診に使用できる。すると、フィルムと異なり、瞬
時にその出力をＣＲＴで映し出すことが可能で、さらに
出力をデジタルに変換し、コンピュータで画像処理して
目的に合わせた出力に変換することも可能である。また
光磁気ディスクに保管もでき、過去の画像を瞬時に検索
することもできる。また感度も、フィルムより人体に影
響の少ない微弱なＸ線で鮮明な画像を得ることができ
る。
【０００９】図１８、図１９に一例として２０００×２
０００個の画像を持つ光電変換装置の実装例を示す模式
的平面図を示す。２０００×２０００個の検出器を構成
する場合、図１６で示した破線内の素子を縦・横に数を
増やせばよいが、この場合、制御配線ｇ１〜ｇ２０００
と２０００本となり信号配線ＳＩＧもｓｉｇ１〜ｓｉｇ
２０００と２０００本になる。またシフトレジスタＳＲ
１や検出用集積回路ＩＣも２０００本の制御・処理をし
なければならず大規模となる。
０００個の画像を持つ光電変換装置の実装例を示す模式
的平面図を示す。２０００×２０００個の検出器を構成
する場合、図１６で示した破線内の素子を縦・横に数を
増やせばよいが、この場合、制御配線ｇ１〜ｇ２０００
と２０００本となり信号配線ＳＩＧもｓｉｇ１〜ｓｉｇ
２０００と２０００本になる。またシフトレジスタＳＲ
１や検出用集積回路ＩＣも２０００本の制御・処理をし
なければならず大規模となる。
【００１０】また、基板面積の増加や形成される素子数
が増大する大面積の光電変換装置では、製造時の微少な
ちり、特にアモルファスシリコン層を基板に堆積する時
に薄膜堆積装置の壁から剥がれ出るゴミ、及びメタル層
を基板に堆積する時に基板上に残っているほこりを完全
になくすことは難しい。このため、配線の不具合、即ち
配線のショートまたはオープンをゼロにすることは簡単
ではない場合があった。
が増大する大面積の光電変換装置では、製造時の微少な
ちり、特にアモルファスシリコン層を基板に堆積する時
に薄膜堆積装置の壁から剥がれ出るゴミ、及びメタル層
を基板に堆積する時に基板上に残っているほこりを完全
になくすことは難しい。このため、配線の不具合、即ち
配線のショートまたはオープンをゼロにすることは簡単
ではない場合があった。
【００１１】光電変換装置の制御配線または信号配線が
ショートまたはオープンになると、その配線に接続され
ている光電変換素子の全ての出力信号が不正確なものと
なる場合がある。このような場合は光電変換装置として
は実際には使用不可能となるのである。つまり、大面積
の光電変換装置を作製する時の１枚の基板が大きくなれ
ばなるほど基板１枚あたりのショートまたはオープンの
確率は高くなり、その結果基板サイズの増大に従って基
板の歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あたりの不具
合による損失額も大きくなるのである。
ショートまたはオープンになると、その配線に接続され
ている光電変換素子の全ての出力信号が不正確なものと
なる場合がある。このような場合は光電変換装置として
は実際には使用不可能となるのである。つまり、大面積
の光電変換装置を作製する時の１枚の基板が大きくなれ
ばなるほど基板１枚あたりのショートまたはオープンの
確率は高くなり、その結果基板サイズの増大に従って基
板の歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あたりの不具
合による損失額も大きくなるのである。
【００１２】上記の問題を解決するために、二次元的に
配列された光電変換素子を搭載した基板を平面的に複数
枚隣接配置してより大きな有効面積を構成することが提
案されている。
配列された光電変換素子を搭載した基板を平面的に複数
枚隣接配置してより大きな有効面積を構成することが提
案されている。
【００１３】その提案内容を図面に基づいて説明する。
【００１４】図２０に示す光電変換装置において、特徴
的な点は、４枚の基板の上に構成されている光電変換装
置１００，２００，３００，４００の各々４枚を、平面
的に貼り合わせる（隣接配置する）ことによって、１つ
の大きな光電変換装置を構成している点である。
的な点は、４枚の基板の上に構成されている光電変換装
置１００，２００，３００，４００の各々４枚を、平面
的に貼り合わせる（隣接配置する）ことによって、１つ
の大きな光電変換装置を構成している点である。
【００１５】光電変換装置１００上には、光電変換素子
がたとえば１００×１００個配置され、制御配線ｇ１〜
ｇ１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００
の計２０００本の配線と接続されている。シフトレジス
タＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあ
り、基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の
計１０個が配置され、制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続
されている。
がたとえば１００×１００個配置され、制御配線ｇ１〜
ｇ１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００
の計２０００本の配線と接続されている。シフトレジス
タＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあ
り、基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の
計１０個が配置され、制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続
されている。
【００１６】また、検出用集積回路も１００個の処理回
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され、信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と
接続されている。光電変換装置２００，３００，４００
においても、基板１００と同様であり、光電変換素子は
１００×１００個配置されており、１０００本の制御配
線と１０００本の信号配線により接続されている。ま
た、シフトレジスタ及び検出用集積回路も同様に１０個
ずつ配置されていて大きな光電変換装置を構成してい
る。
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され、信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と
接続されている。光電変換装置２００，３００，４００
においても、基板１００と同様であり、光電変換素子は
１００×１００個配置されており、１０００本の制御配
線と１０００本の信号配線により接続されている。ま
た、シフトレジスタ及び検出用集積回路も同様に１０個
ずつ配置されていて大きな光電変換装置を構成してい
る。
【００１７】光電変換装置１００，２００，３００，４
００の各基板を設計寸法値に切断する方法は、前記光電
変換素子を搭載した基板上にスライスラインを設け、そ
のスライスラインを切断する事により行われる。
００の各基板を設計寸法値に切断する方法は、前記光電
変換素子を搭載した基板上にスライスラインを設け、そ
のスライスラインを切断する事により行われる。
【００１８】通常、切断装置は、基板を保持するステー
ジと、切断部材であるブレードとにより構成されてい
る。ステージはＸ軸方向（紙面左右方向）の移動、及
び、回転が可能であり、また、ブレードはＹ軸方向（紙
面上下方向、ブレードの回転はＸ方向に平行）の移動が
可能であるため、基板の４辺が切断可能となる。具体的
には、先ず、ブレードをＹ軸方向に移動させ、切断位置
にもってくる。そして、ブレードユニットに固定されて
いるカメラを通して、モニター画面上に映し出されたア
ライメントマークとして用いられるスライスラインがス
ライス方向、即ち、ステージ移動方向に対して平行とな
る様に、ステージを回転させ、回転軸を固定する。その
後、切断開始位置へステージ及びブレードを移動し、そ
して、ブレードを基板に落とし込むことにより切断を開
始する。切断は、ステージがＸ方向へ機械的に移動する
ことにより行われる。この様に、４辺の切断を終了後、
前記基板を４枚組み合わせて基板上に平面的に隣の基板
間に隙間を開けて貼り合わせる構成が大面積の光電変換
装置となる。
ジと、切断部材であるブレードとにより構成されてい
る。ステージはＸ軸方向（紙面左右方向）の移動、及
び、回転が可能であり、また、ブレードはＹ軸方向（紙
面上下方向、ブレードの回転はＸ方向に平行）の移動が
可能であるため、基板の４辺が切断可能となる。具体的
には、先ず、ブレードをＹ軸方向に移動させ、切断位置
にもってくる。そして、ブレードユニットに固定されて
いるカメラを通して、モニター画面上に映し出されたア
ライメントマークとして用いられるスライスラインがス
ライス方向、即ち、ステージ移動方向に対して平行とな
る様に、ステージを回転させ、回転軸を固定する。その
後、切断開始位置へステージ及びブレードを移動し、そ
して、ブレードを基板に落とし込むことにより切断を開
始する。切断は、ステージがＸ方向へ機械的に移動する
ことにより行われる。この様に、４辺の切断を終了後、
前記基板を４枚組み合わせて基板上に平面的に隣の基板
間に隙間を開けて貼り合わせる構成が大面積の光電変換
装置となる。
【００１９】上記構成における光電変換装置は、作製す
る時の基板１枚あたりの歩留まりを向上させることによ
り、基板コストを低下させ結果的に大面積の又は複数の
基板を組み合わせた光電変換装置のコストを低減するこ
とができる。
る時の基板１枚あたりの歩留まりを向上させることによ
り、基板コストを低下させ結果的に大面積の又は複数の
基板を組み合わせた光電変換装置のコストを低減するこ
とができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た二次元的に配列された光電変換素子を搭載した基板を
平面的に複数枚貼り合わせて構成する大面積の光電変換
装置において、切断した基板を配列した場合、基板間の
隙間が一定にならず、そのために大面積の光電変換装置
の隙間部の画像品位が低下してしまうことが生ずる場合
があるという改善すべき課題があった。
た二次元的に配列された光電変換素子を搭載した基板を
平面的に複数枚貼り合わせて構成する大面積の光電変換
装置において、切断した基板を配列した場合、基板間の
隙間が一定にならず、そのために大面積の光電変換装置
の隙間部の画像品位が低下してしまうことが生ずる場合
があるという改善すべき課題があった。
【００２１】図２１（ａ）は、このような基板切断時の
位置ずれや、切断ラインの曲がりを示す模式的平面図で
ある。１０１はスライスライン、１０３は基板１枚単位
の光電変換部であり、図２１（ａ）に示すように、位置
合わせや平行出しずれや、装置の精度によって位置ずれ
や切断ラインの曲がりが生じることが示されている。
位置ずれや、切断ラインの曲がりを示す模式的平面図で
ある。１０１はスライスライン、１０３は基板１枚単位
の光電変換部であり、図２１（ａ）に示すように、位置
合わせや平行出しずれや、装置の精度によって位置ずれ
や切断ラインの曲がりが生じることが示されている。
【００２２】また、図２１（ｂ）は、このような切断位
置ずれや切断ラインの曲がりを持つ基板（光電変換部）
１０３を、基台１０５上に４枚配列した場合の各基板間
の透間のばらつきをわかりやすく示した図であり、図２
１（ｂ）に示すように、切断面のズレ・曲がり・反りの
ために、貼り合わせた時に、隣り合った基板間で隙間が
生じることがあった。もちろん、従来のものはこれ程大
きなずれや曲がりは有していないが、画素の大きさとい
う点から見れば問題となり得る場合があったのも事実で
ある。
置ずれや切断ラインの曲がりを持つ基板（光電変換部）
１０３を、基台１０５上に４枚配列した場合の各基板間
の透間のばらつきをわかりやすく示した図であり、図２
１（ｂ）に示すように、切断面のズレ・曲がり・反りの
ために、貼り合わせた時に、隣り合った基板間で隙間が
生じることがあった。もちろん、従来のものはこれ程大
きなずれや曲がりは有していないが、画素の大きさとい
う点から見れば問題となり得る場合があったのも事実で
ある。
【００２３】［発明の目的］本発明の目的は、基板切断
時に正確な切断を行なうことの可能な基板切断方法及び
基板切断装置を提供することである。
時に正確な切断を行なうことの可能な基板切断方法及び
基板切断装置を提供することである。
【００２４】また、本発明の目的は、複数枚の基板を配
列した時の各基板間の隙間を一定にするか、あるいは小
さくするか、あるいは隙間を無くして密着させることが
できる基板切断方法及び基板切断装置を提供することで
ある。
列した時の各基板間の隙間を一定にするか、あるいは小
さくするか、あるいは隙間を無くして密着させることが
できる基板切断方法及び基板切断装置を提供することで
ある。
【００２５】加えて本発明の目的は基板間の隙間部の画
像品位を向上することが可能な基板切断方法及び基板切
断装置を提供することである。
像品位を向上することが可能な基板切断方法及び基板切
断装置を提供することである。
【００２６】また、本発明は、スライスラインに対応し
て設けられたガイドラインの位置を検出し、切断位置を
補正しながらスライスラインに沿って基板を切断する基
板切断方法を提供することを目的とする。
て設けられたガイドラインの位置を検出し、切断位置を
補正しながらスライスラインに沿って基板を切断する基
板切断方法を提供することを目的とする。
【００２７】加えて、本発明はスライスラインとガイド
ラインが設けられた基板の前記スライスラインに沿って
前記基板を切断するに際し、該切断時に、前記ガイドラ
インを検出することによりズレを検出し、該ズレを補正
しながら切断する基板切断方法を提供することを目的と
する。
ラインが設けられた基板の前記スライスラインに沿って
前記基板を切断するに際し、該切断時に、前記ガイドラ
インを検出することによりズレを検出し、該ズレを補正
しながら切断する基板切断方法を提供することを目的と
する。
【００２８】また、本発明は、切断機構と、該切断機構
の切断位置を被切断物に対して相対的に移動する手段
と、前記切断位置と異なる位置で位置検出する手段と該
手段による位置情報に基づいて切断位置を調整する手段
とを有する基板切断装置を提供することを目的とする。
の切断位置を被切断物に対して相対的に移動する手段
と、前記切断位置と異なる位置で位置検出する手段と該
手段による位置情報に基づいて切断位置を調整する手段
とを有する基板切断装置を提供することを目的とする。
【００２９】加えて本発明は基板切断のためのスライス
ラインと、切断時にズレを検出するためのガイドライン
とを設けた基板を切断する基板切断装置であって、前記
スライスラインを切断する手段と、前記切断時に前記ガ
イドラインを検出することでズレを検出する手段と、切
断中に前記ズレが生じた場合、そのズレ量を補正する手
段と、を具備した基板切断装置を提供することを目的と
する。
ラインと、切断時にズレを検出するためのガイドライン
とを設けた基板を切断する基板切断装置であって、前記
スライスラインを切断する手段と、前記切断時に前記ガ
イドラインを検出することでズレを検出する手段と、切
断中に前記ズレが生じた場合、そのズレ量を補正する手
段と、を具備した基板切断装置を提供することを目的と
する。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明の基板切断方法
は、スライスラインに沿って基板を切断するとともに、
スライスラインに対応するガイドラインを有し、該ガイ
ドラインによって切断位置を検出し、切断位置を補正し
ている。
は、スライスラインに沿って基板を切断するとともに、
スライスラインに対応するガイドラインを有し、該ガイ
ドラインによって切断位置を検出し、切断位置を補正し
ている。
【００３１】また、本発明の基板切断装置は切断手段を
位置検出手段によって検出された位置情報によって切断
手段による切断位置を補正する手段を有する。
位置検出手段によって検出された位置情報によって切断
手段による切断位置を補正する手段を有する。
【００３２】これによって、本発明は上述の目的を達成
できる。
できる。
【００３３】より具体的には、隣り合った基板の側面を
精度良く切断することができ、平面的に隣接する基板間
の隙間を無くす、またはより隙間を小さくして配置する
（貼り合わせる）ことが可能となる。
精度良く切断することができ、平面的に隣接する基板間
の隙間を無くす、またはより隙間を小さくして配置する
（貼り合わせる）ことが可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を必要に応じて図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００３５】（実施例１）本発明の切断方法の好適な一
例、図１の工程フローに沿って、更に各図面を参照しな
がら説明する。
例、図１の工程フローに沿って、更に各図面を参照しな
がら説明する。
【００３６】図２は、基板表面上に設けられたスライス
ライン１０１とガイドライン１０２を示す図である。前
記スライスライン１０１及びガイドライン１０２は、Ｔ
ＦＴやセンサーを構成する第一電極か第二電極に平行に
同時に形成された電極層又は第一電極か第二電極で形成
されている。従って、これらは同じ材料で形成されてい
てもよい。
ライン１０１とガイドライン１０２を示す図である。前
記スライスライン１０１及びガイドライン１０２は、Ｔ
ＦＴやセンサーを構成する第一電極か第二電極に平行に
同時に形成された電極層又は第一電極か第二電極で形成
されている。従って、これらは同じ材料で形成されてい
てもよい。
【００３７】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、夫々前記基
板を切断装置のステージ２０４（図５参照）にセット
し、スライスライン１０１を切断装置に設置されたＣＣ
Ｄカメラを介してモニター２０１上に映し出した時の図
である。図３（ａ）はアライメントが完全でない時のも
ので、この場合、ステージ２０４位置を動かし、また回
転させてモニター２０１上のスケールライン１０４にス
ライスライン１０１の合わせ込みを行う。図３（ｂ）は
アライメントされた時を示している。
板を切断装置のステージ２０４（図５参照）にセット
し、スライスライン１０１を切断装置に設置されたＣＣ
Ｄカメラを介してモニター２０１上に映し出した時の図
である。図３（ａ）はアライメントが完全でない時のも
ので、この場合、ステージ２０４位置を動かし、また回
転させてモニター２０１上のスケールライン１０４にス
ライスライン１０１の合わせ込みを行う。図３（ｂ）は
アライメントされた時を示している。
【００３８】図４は、アライメント順の一例を示す基板
平面図であり、合わせ込み精度及び作業性を良くするた
めにスライスライン１０１上の基板中央部１から合わせ
込みを行い、アライメント位置（たとえば２→３→４→
５の順に）を移動させ徐々に基板端部の方向に合わせ込
みを行う。
平面図であり、合わせ込み精度及び作業性を良くするた
めにスライスライン１０１上の基板中央部１から合わせ
込みを行い、アライメント位置（たとえば２→３→４→
５の順に）を移動させ徐々に基板端部の方向に合わせ込
みを行う。
【００３９】合わせ込み終了後、切断が開始される。図
５は、切断装置の好適な一例を説明するための模式的側
面図であり、図５に示す様に、光源２０３からガイドラ
イン１０２に光を当て、その光がガイドライン１０２に
反射して検出センサー２０５によって切断位置の確認を
行う。光源２０３は必要に応じて設けられ、場合によっ
ては外光でもよい。
５は、切断装置の好適な一例を説明するための模式的側
面図であり、図５に示す様に、光源２０３からガイドラ
イン１０２に光を当て、その光がガイドライン１０２に
反射して検出センサー２０５によって切断位置の確認を
行う。光源２０３は必要に応じて設けられ、場合によっ
ては外光でもよい。
【００４０】例えば、図中のＡ方向にステージ２０４の
ズレが発生した場合、のセンサー出力が下がりのセ
ンサー出力が上がるため、その出力差からステージ２０
４のズレ移動量が算出され、ステージ２０４がＢ方向へ
移動し元の位置へ戻る。またＢ方向にステージ２０４の
ズレが発生した場合、のセンサー出力が下がりのセ
ンサー出力が上がるため、その出力差からステージ２０
４のズレ移動量が算出され、ステージ２０４がＢ方向へ
移動し元の位置へ戻る。
ズレが発生した場合、のセンサー出力が下がりのセ
ンサー出力が上がるため、その出力差からステージ２０
４のズレ移動量が算出され、ステージ２０４がＢ方向へ
移動し元の位置へ戻る。またＢ方向にステージ２０４の
ズレが発生した場合、のセンサー出力が下がりのセ
ンサー出力が上がるため、その出力差からステージ２０
４のズレ移動量が算出され、ステージ２０４がＢ方向へ
移動し元の位置へ戻る。
【００４１】上記に説明する様に、スライスライン１０
１を切断中は、ガイドライン１０２から反射してくる光
を検出センサー２０５でモニタリングしている。
１を切断中は、ガイドライン１０２から反射してくる光
を検出センサー２０５でモニタリングしている。
【００４２】基板上の２つのスライスライン１０１の切
断終了後、スピンドル（ブレード）２０２は、上昇し、
ガイドライン１０２上の位置まで移動し、ガイドライン
１０２の切断を開始する。この時は検出センサー２０５
は検知及び動作はしない（スライスライン側は、他の基
板と貼り合わせ部のために切断面の精度が要求される
が、ガイドライン側は、他の基板と接しないためにスラ
イスライン側に比べて切断精度は要求されない。）。ま
た、基板の大きさ等の状況に応じては、ガイドラインの
切断を行なわなくとも良い。
断終了後、スピンドル（ブレード）２０２は、上昇し、
ガイドライン１０２上の位置まで移動し、ガイドライン
１０２の切断を開始する。この時は検出センサー２０５
は検知及び動作はしない（スライスライン側は、他の基
板と貼り合わせ部のために切断面の精度が要求される
が、ガイドライン側は、他の基板と接しないためにスラ
イスライン側に比べて切断精度は要求されない。）。ま
た、基板の大きさ等の状況に応じては、ガイドラインの
切断を行なわなくとも良い。
【００４３】ガイドライン切断終了後、スピンドル（ブ
レード）２０２が上昇し、ステージ２０４が９０°回転
する。ステージ２０４が９０°回転後、スピンドル２０
２が２本目のスライスライン上の基板中央部１から合わ
せ込みを行う。図４に示したアライメント位置を例にと
れば、前出と同様に（２→３→４→５の順に）アライメ
ント位置を移動させ、徐々に基板端部の方向に合わせ込
みを行う。
レード）２０２が上昇し、ステージ２０４が９０°回転
する。ステージ２０４が９０°回転後、スピンドル２０
２が２本目のスライスライン上の基板中央部１から合わ
せ込みを行う。図４に示したアライメント位置を例にと
れば、前出と同様に（２→３→４→５の順に）アライメ
ント位置を移動させ、徐々に基板端部の方向に合わせ込
みを行う。
【００４４】合わせ込み終了後、切断が開始され、２本
目のガイドラインから反射してくる光を検出センサーで
検出しながら２本目のスライスラインを切断する。２本
目のスライスラインの切断終了後、スピンドルは２本目
のガイドライン上の位置まで移動し２本目のガイドライ
ンの切断を開始する。２本目のガイドライン切断終了
後、切断が終了する。
目のガイドラインから反射してくる光を検出センサーで
検出しながら２本目のスライスラインを切断する。２本
目のスライスラインの切断終了後、スピンドルは２本目
のガイドライン上の位置まで移動し２本目のガイドライ
ンの切断を開始する。２本目のガイドライン切断終了
後、切断が終了する。
【００４５】（実施例２）ガイドラインは、スライスラ
インと共用させることもでき、この場合は、以下のよう
な工程となる。
インと共用させることもでき、この場合は、以下のよう
な工程となる。
【００４６】図６（ａ）は、基板表面上に設けられたス
ライスラインとガイドラインを共有（複合）したライン
を示す。
ライスラインとガイドラインを共有（複合）したライン
を示す。
【００４７】前記共有ライン１０６は、ＴＦＴやセンサ
ーを構成させる第１電極か第２電極と平行に該電極とと
もに形成された電極層又は第１電極か第２電極で形成さ
れている。
ーを構成させる第１電極か第２電極と平行に該電極とと
もに形成された電極層又は第１電極か第２電極で形成さ
れている。
【００４８】図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、前記基板を
切断装置のステージにセットし、共有ラインを切断装置
に設置されたＣＣＤカメラを介してモニター上に映し出
した場合の例を模式的に示している。図６（ｂ）のよう
にアライメントされていない場合はステージ位置を動か
し、また回転させて図６（ｃ）に示されるようにアライ
メントされるようにモニター上のスケールラインに共有
ライン部の先端部の合わせ込みを行なう。
切断装置のステージにセットし、共有ラインを切断装置
に設置されたＣＣＤカメラを介してモニター上に映し出
した場合の例を模式的に示している。図６（ｂ）のよう
にアライメントされていない場合はステージ位置を動か
し、また回転させて図６（ｃ）に示されるようにアライ
メントされるようにモニター上のスケールラインに共有
ライン部の先端部の合わせ込みを行なう。
【００４９】合わせ込み終了後、切断が開始する。同時
に、図７（ａ）及び図７（ｂ）の模式的側面図を示すよ
うに、スピンドルの前方に設置された光源２０３から共
有ラインに光を当て、その光がガイドラインに反射して
検出センサー切断位置の確認を行なう。尚、図７（ｂ）
は図７（ａ）を図中右側から見た図である。
に、図７（ａ）及び図７（ｂ）の模式的側面図を示すよ
うに、スピンドルの前方に設置された光源２０３から共
有ラインに光を当て、その光がガイドラインに反射して
検出センサー切断位置の確認を行なう。尚、図７（ｂ）
は図７（ａ）を図中右側から見た図である。
【００５０】例えば、Ａ方向にステージのズレが発生し
た場合、のセンサー出力が下がりのセンサー出力が
上がるその出力差からステージのズレ移動量が算出さ
れ、ステージがＢ方向へ移動し、元の位置へ戻る。
た場合、のセンサー出力が下がりのセンサー出力が
上がるその出力差からステージのズレ移動量が算出さ
れ、ステージがＢ方向へ移動し、元の位置へ戻る。
【００５１】また、Ｂ方向にステージのズレが発生した
場合、のセンサー出力が下がりのセンサー出力が上
がるその出力差からステージのズレ移動量が算出され、
ステージがＢ方向へ移動し、元の位置へ戻る。
場合、のセンサー出力が下がりのセンサー出力が上
がるその出力差からステージのズレ移動量が算出され、
ステージがＢ方向へ移動し、元の位置へ戻る。
【００５２】上記に説明するように、共有ライン１（１
０６）を切断中は、共有ライン１から反射してくる光を
検出センサーでモニタリングしている。
０６）を切断中は、共有ライン１から反射してくる光を
検出センサーでモニタリングしている。
【００５３】共有ライン１の切断が終了後、スピンドル
は上昇し、次の共有ライン２（１０６）上の先端位置ま
で移動し、共有ライン２の切断を開始する。共有ライン
１切断時と同時に、切断中は共有ライン２から反射して
くる光を検出センサーでモニタリングしている。
は上昇し、次の共有ライン２（１０６）上の先端位置ま
で移動し、共有ライン２の切断を開始する。共有ライン
１切断時と同時に、切断中は共有ライン２から反射して
くる光を検出センサーでモニタリングしている。
【００５４】共有ライン２切断終了後、スピンドルが上
昇し、ステージが９０°回転する。
昇し、ステージが９０°回転する。
【００５５】ステージが９０°回転後、スピンドルが共
有ライン３をＣＣＤカメラを介してモニター上に映し出
す。ステージ位置を動かし、また回転させて、モニター
上のスケールラインに共有ライン３の先端部の合わせ込
みを行なう。共有ライン１切断時と同様に、切断中は、
共有ライン３から反射して来る光を検出センサーでモニ
タリングしている。
有ライン３をＣＣＤカメラを介してモニター上に映し出
す。ステージ位置を動かし、また回転させて、モニター
上のスケールラインに共有ライン３の先端部の合わせ込
みを行なう。共有ライン１切断時と同様に、切断中は、
共有ライン３から反射して来る光を検出センサーでモニ
タリングしている。
【００５６】共有ライン３の切断が終了後、スピンドル
は上昇し、次の共有ライン４上の先端位置まで移動し、
共有ライン４の切断を開始する。共有ライン１切断時と
同様に、切断中は、共有ライン４から反射してくる光を
検出センサーでモニタリングしている。
は上昇し、次の共有ライン４上の先端位置まで移動し、
共有ライン４の切断を開始する。共有ライン１切断時と
同様に、切断中は、共有ライン４から反射してくる光を
検出センサーでモニタリングしている。
【００５７】（実施例３）本実施例では、３００ｍｍ×
２５０ｍｍのガラス基板上に２１５ｍｍ×２１５ｍｍの
領域内にセンサーアレーを作成した場合のセンサーアレ
ー基板の切断方法について述べる。
２５０ｍｍのガラス基板上に２１５ｍｍ×２１５ｍｍの
領域内にセンサーアレーを作成した場合のセンサーアレ
ー基板の切断方法について述べる。
【００５８】センサーアレー基板の模式的平面図を図８
に示す。図中、３０１は画素領域、１画素の領域は１６
０μｍ×１６０μｍである。３０２は配線引き出し部、
３０３はガイドラインと共有されているスライスライ
ン、３０５は不要部である。また、同図、Ａ部の拡大図
を図９に示す。３０４Ａ及び３０４Ｂは切断精度を確認
するためのモニターラインである。各ラインの幅は７μ
ｍである。
に示す。図中、３０１は画素領域、１画素の領域は１６
０μｍ×１６０μｍである。３０２は配線引き出し部、
３０３はガイドラインと共有されているスライスライ
ン、３０５は不要部である。また、同図、Ａ部の拡大図
を図９に示す。３０４Ａ及び３０４Ｂは切断精度を確認
するためのモニターラインである。各ラインの幅は７μ
ｍである。
【００５９】本実施例でのモニターラインとは、高精度
での切断を最終的に確認するために使用するものであ
る。切断装置の異常の検知にも使用することができる。
本例では、図９の様にスライスラインの両側に設けてい
る。スライスライン内側、つまり、画素側のモニターラ
イン３０４Ａは、切断時のずれ量とチッピング量を考慮
して設けられた内側への限界ラインである。言い換えれ
ば、画素特性への影響が出る画素からの限界マージンで
ある。本実施例でのマージンは２５μである場合が示さ
れている。このラインを切断する事は、装置異常の発
生、又は、切断に使用するブレード（回転ブレード）の
劣化を意味し、早急な対応が必要となる。一方、スライ
スライン外側のモニターライン３０４Ｂは、大面積化の
ための４枚張り合わせを考慮した場合の最大ずれ量であ
る。即ち、このラインを超えて切断された場合は、即
ち、このラインが残った場合は、４枚張り合わせ時の隣
接基板間の隙間が設計値を満足できなくなることがあ
る。これも同様に、装置異常が考えられる。本実施例で
の４枚張り合わせ後の隣接基板間の隙間は、図１０に示
す様に、それぞれの基板のコーナー部の画素中心から１
画素抜けの３２０μｍとすることができる。
での切断を最終的に確認するために使用するものであ
る。切断装置の異常の検知にも使用することができる。
本例では、図９の様にスライスラインの両側に設けてい
る。スライスライン内側、つまり、画素側のモニターラ
イン３０４Ａは、切断時のずれ量とチッピング量を考慮
して設けられた内側への限界ラインである。言い換えれ
ば、画素特性への影響が出る画素からの限界マージンで
ある。本実施例でのマージンは２５μである場合が示さ
れている。このラインを切断する事は、装置異常の発
生、又は、切断に使用するブレード（回転ブレード）の
劣化を意味し、早急な対応が必要となる。一方、スライ
スライン外側のモニターライン３０４Ｂは、大面積化の
ための４枚張り合わせを考慮した場合の最大ずれ量であ
る。即ち、このラインを超えて切断された場合は、即
ち、このラインが残った場合は、４枚張り合わせ時の隣
接基板間の隙間が設計値を満足できなくなることがあ
る。これも同様に、装置異常が考えられる。本実施例で
の４枚張り合わせ後の隣接基板間の隙間は、図１０に示
す様に、それぞれの基板のコーナー部の画素中心から１
画素抜けの３２０μｍとすることができる。
【００６０】本実施例では切断面をより垂直に切断する
ために、切断装置のステージとして、スライスラインに
合わせて１ｍｍ深さの溝切り３１２が行われているステ
ージ３１０を用いた。模式的平面図を図１１に示し、同
図、Ａ−Ａ部を図１２に示す（ただし図１１にはブレー
ドは不図示）。ブレード３１１は基板３１３を完全に切
断し、ステージ溝部３１２に入り込む様に設計されてい
る。ブレードの基板下に出る出歯量は０．３ｍｍから
０．５ｍｍであれば問題無く、本例では０．５ｍｍとし
た。
ために、切断装置のステージとして、スライスラインに
合わせて１ｍｍ深さの溝切り３１２が行われているステ
ージ３１０を用いた。模式的平面図を図１１に示し、同
図、Ａ−Ａ部を図１２に示す（ただし図１１にはブレー
ドは不図示）。ブレード３１１は基板３１３を完全に切
断し、ステージ溝部３１２に入り込む様に設計されてい
る。ブレードの基板下に出る出歯量は０．３ｍｍから
０．５ｍｍであれば問題無く、本例では０．５ｍｍとし
た。
【００６１】前記基板は、上述のステージにセットし、
スライスラインを切断装置に設置されたＣＣＤカメラを
介してモニター画面上で、ステージを動かし、モニター
画面上のスケールラインにスライスラインの先端部の合
わせ込みを行う。
スライスラインを切断装置に設置されたＣＣＤカメラを
介してモニター画面上で、ステージを動かし、モニター
画面上のスケールラインにスライスラインの先端部の合
わせ込みを行う。
【００６２】合わせ込みが終了後、切断を開始する。同
時に、スピンドルの前方に配置された光源からスライス
ラインに光を当て、その光がスライスラインに反射して
検出センサー切断位置の確認を行いながら、スライスず
れ量を補正しながら切断される。スライスライン切断
後、スピンドルは上昇し、次のスライスライン上の先端
位置まで移動し、スライスラインの切断を開始する。ス
ライスラインと同様に切断中はモニターラインから反射
してくる光を検出センサーでモニタリングしている。共
有ラインであるスライスライン切断終了後、スピンドル
は上昇し、ステージが９０°回転する。以降、同様に残
りの２本のスライスラインを切断する。
時に、スピンドルの前方に配置された光源からスライス
ラインに光を当て、その光がスライスラインに反射して
検出センサー切断位置の確認を行いながら、スライスず
れ量を補正しながら切断される。スライスライン切断
後、スピンドルは上昇し、次のスライスライン上の先端
位置まで移動し、スライスラインの切断を開始する。ス
ライスラインと同様に切断中はモニターラインから反射
してくる光を検出センサーでモニタリングしている。共
有ラインであるスライスライン切断終了後、スピンドル
は上昇し、ステージが９０°回転する。以降、同様に残
りの２本のスライスラインを切断する。
【００６３】すべてのスライスラインが切断された後、
又は、特に、基板張り合わせ部のスライスラインが切断
された後、モニターラインの有無を確認する。通常で
は、内側、即ち、画素側のモニターラインは残り、外側
のモニターラインは切断され残っていない。この様にし
て切断されたセンサーアレー基板を複数枚（たとえば４
枚）貼り合わせて、大面積化と低価格化を実現する事が
可能となる。
又は、特に、基板張り合わせ部のスライスラインが切断
された後、モニターラインの有無を確認する。通常で
は、内側、即ち、画素側のモニターラインは残り、外側
のモニターラインは切断され残っていない。この様にし
て切断されたセンサーアレー基板を複数枚（たとえば４
枚）貼り合わせて、大面積化と低価格化を実現する事が
可能となる。
【００６４】本実施例では、ガイドラインをスライスラ
インと共用しているが、もちろん、ガイドラインとして
モニターラインを共用することも可能である。
インと共用しているが、もちろん、ガイドラインとして
モニターラインを共用することも可能である。
【００６５】（実施例４）本実施例は、実施例３で使用
したモニターラインを電気的にチェックする様にした場
合の切断確認方法について述べる。
したモニターラインを電気的にチェックする様にした場
合の切断確認方法について述べる。
【００６６】具体的には、図１３に示す様に、内側、即
ち、画素側のモニターライン３０４Ａをつなげて、配線
引き出し部まで引き回し、パッド部（不図示）を設け
て、切断後、テスターでオープンしているか否か確認す
る。電気的な確認であるため短時間で評価が出来るとい
った利点がある。
ち、画素側のモニターライン３０４Ａをつなげて、配線
引き出し部まで引き回し、パッド部（不図示）を設け
て、切断後、テスターでオープンしているか否か確認す
る。電気的な確認であるため短時間で評価が出来るとい
った利点がある。
【００６７】（実施例５）本実施例は、実施例４の更に
改良を加えたモニターラインの例について述べる。
改良を加えたモニターラインの例について述べる。
【００６８】具体的には、図１４に示す様に、スライス
ラインの外側のモニターラインと、画素側のモニターラ
インを接続する。各ラインは配線引き出し部まで引き回
し、パッド部（不図示）を設けて、切断後、テスターで
オープンしているか否か確認する。確認方法は、先ず、
Ａ−Ｂのオープン、Ａ−Ｃのショート、Ｂ−Ｄのショー
トをテスターで確認する。同様に、電気的な確認で容易
に外側、内側へのスライスずれ及び装置異常、ブレード
劣化などの評価が出来るといった利点がある。
ラインの外側のモニターラインと、画素側のモニターラ
インを接続する。各ラインは配線引き出し部まで引き回
し、パッド部（不図示）を設けて、切断後、テスターで
オープンしているか否か確認する。確認方法は、先ず、
Ａ−Ｂのオープン、Ａ−Ｃのショート、Ｂ−Ｄのショー
トをテスターで確認する。同様に、電気的な確認で容易
に外側、内側へのスライスずれ及び装置異常、ブレード
劣化などの評価が出来るといった利点がある。
【００６９】もちろん、内側と外側のモニターラインを
接続する部分は、図示されるようにモニターラインの端
部のみで行なう必要はなく、中間領域で行なっても良い
ものである。中間領域で接続することで、両端部以外部
分のみでの切断ズレをより発見し易くすることができ
る。
接続する部分は、図示されるようにモニターラインの端
部のみで行なう必要はなく、中間領域で行なっても良い
ものである。中間領域で接続することで、両端部以外部
分のみでの切断ズレをより発見し易くすることができ
る。
【００７０】本発明の基板切断装置は、たとえば図１５
の概略的ブロック構成図に示されるような構成とするこ
とができる。
の概略的ブロック構成図に示されるような構成とするこ
とができる。
【００７１】図において、位置検出手段２１０１からの
情報が制御手段２１０２中に入力され、ここで現在の切
断位置を演算して必要に応じて回転ブレードやウォータ
ージェットノズルなど切断手段２１０４を被切断物であ
る基板に対して相対的に移動するための指令を移動手段
２１０５に与える。この移動手段２１０５は必要な精度
を出し得るものであればどのような構造、形態であって
も良く、たとえばリニアモーター、ピエゾ振動子、など
の駆動手段と必要に応じてねじ状部材、ギア、チェーン
などの動力伝達手段を有していて良い。移動機構２１０
３は図では切断手段２１０４と移動手段２１０５を有し
ている例が説明されているが、基板を載置するステージ
のみが移動される場合には切断手段２１０４は移動機構
の一部を構成しなくともよい。また、制御手段２１０５
の一部を含んで移動機構２１０３と考えても良い。いず
れにしろ、ガイドラインの位置情報２１０６に応じて切
断位置を検出し、相対的に切断位置を調整しながら切断
を行なうことで所望の高精度の切断が行なわれるのであ
る。
情報が制御手段２１０２中に入力され、ここで現在の切
断位置を演算して必要に応じて回転ブレードやウォータ
ージェットノズルなど切断手段２１０４を被切断物であ
る基板に対して相対的に移動するための指令を移動手段
２１０５に与える。この移動手段２１０５は必要な精度
を出し得るものであればどのような構造、形態であって
も良く、たとえばリニアモーター、ピエゾ振動子、など
の駆動手段と必要に応じてねじ状部材、ギア、チェーン
などの動力伝達手段を有していて良い。移動機構２１０
３は図では切断手段２１０４と移動手段２１０５を有し
ている例が説明されているが、基板を載置するステージ
のみが移動される場合には切断手段２１０４は移動機構
の一部を構成しなくともよい。また、制御手段２１０５
の一部を含んで移動機構２１０３と考えても良い。いず
れにしろ、ガイドラインの位置情報２１０６に応じて切
断位置を検出し、相対的に切断位置を調整しながら切断
を行なうことで所望の高精度の切断が行なわれるのであ
る。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板切断
方法によれば、隣り合う基板の側面を精度良く切断する
ことができるため、平面的に隣りの基板との隙間をなく
す、または現状よりも隙間を小さくして貼り合わせる構
成が可能となるため、大面積の光電変換装置の基板貼合
せ部の画像品位を向上する効果が得られる。
方法によれば、隣り合う基板の側面を精度良く切断する
ことができるため、平面的に隣りの基板との隙間をなく
す、または現状よりも隙間を小さくして貼り合わせる構
成が可能となるため、大面積の光電変換装置の基板貼合
せ部の画像品位を向上する効果が得られる。
【００７３】また、本発明によれば、大面積の光電変換
装置を作製する時の基板１枚あたりの歩留まりを向上さ
せ、かつ基板１枚あたりの不具合による損失額を小さく
することにより、結果的には大面積の光電変換装置のコ
ストを低減することが可能となる。
装置を作製する時の基板１枚あたりの歩留まりを向上さ
せ、かつ基板１枚あたりの不具合による損失額を小さく
することにより、結果的には大面積の光電変換装置のコ
ストを低減することが可能となる。
【００７４】本発明は、上記説明に限定されるものでは
なく、本発明の主旨の範囲において、適宜変形、組合せ
が可能であるのは云うまでもない。
なく、本発明の主旨の範囲において、適宜変形、組合せ
が可能であるのは云うまでもない。
【００７５】また、切断の正確さを要求される場合は、
本発明のような光電変換装置の切断以外の基体の切断に
も応用し得る。
本発明のような光電変換装置の切断以外の基体の切断に
も応用し得る。
【図１】本発明の切断の一例を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説明
するための模式的平面図である。
するための模式的平面図である。
【図３】アライメント方法の一例を説明するための概略
図である。
図である。
【図４】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説明
するための模式的平面図である。
するための模式的平面図である。
【図５】切断装置の一例を説明するための模式的側面図
である。
である。
【図６】本発明の光電変換素子を有する基板とアライメ
ント方法の一例を説明するための概略図である。
ント方法の一例を説明するための概略図である。
【図７】切断装置の一例を説明するための模式的側面図
である。
である。
【図８】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説明
するための模式的平面図である。
するための模式的平面図である。
【図９】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説明
するための模式的平面図である。
するための模式的平面図である。
【図１０】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説
明するための模式的平面図である。
明するための模式的平面図である。
【図１１】被切断部材を載置する基台（ステージ）の一
例を示す模式的平面図である。
例を示す模式的平面図である。
【図１２】切断状態を説明するための模式的断面図であ
る。
る。
【図１３】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説
明するための模式的平面図である。
明するための模式的平面図である。
【図１４】本発明の光電変換素子を有する基板の例を説
明するための模式的平面図である。
明するための模式的平面図である。
【図１５】基板切断装置の一例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１６】光電変換装置における全体の概略的回路構成
図である。
図である。
【図１７】光電変換素子１画素の模式的平面図（ａ）、
及び断面図（ｂ）である。
及び断面図（ｂ）である。
【図１８】光電変換装置の一例を説明するための模式的
平面図である。
平面図である。
【図１９】光電変換装置の一例を説明するための模式的
平面図である。
平面図である。
【図２０】光電変換装置の一例を説明するための模式的
平面図である。
平面図である。
【図２１】基板の切断例と切断された基板の配置例を説
明するための模式的平面図である。
明するための模式的平面図である。
１０１ スライスライン １０２ ガイドライン
Claims (18)
- 【請求項１】 スライスラインに対応して設けられたガ
イドライン位置を検出し、切断位置を補正しながらスラ
イスラインに沿って基板を切断することを特徴とする基
板切断方法。 - 【請求項２】 前記ガイドラインは、前記スライスライ
ンのガイドラインとして使用した後に切断のためのスラ
イスラインとされることを特徴とする請求項１記載の基
板切断方法。 - 【請求項３】 前記ガイドラインは、前記スライスライ
ンと同時に形成されることを特徴とする請求項１記載の
基板切断方法。 - 【請求項４】 前記ガイドラインは、基板上に設けられ
た電極ラインであることを特徴とする請求項１記載の基
板切断方法。 - 【請求項５】 前記位置の検出は、光源と光電変換素子
を利用して行なわれることを特徴とする請求項１記載の
基板切断方法。 - 【請求項６】 前記切断は、回転ブレードによって行な
われることを特徴とする請求項１記載の基板切断方法。 - 【請求項７】 前記スライスライン及び前記ガイドライ
ンは、基板上に設けられた電極層で形成されていること
を特徴とする請求項１記載の基板切断方法。 - 【請求項８】 前記電極層は、前記基板上に形成された
電極ラインと同じ材料で形成されていることを特徴とす
る請求項７記載の基板切断方法。 - 【請求項９】 前記電極層は、前記基板上に形成された
電極ラインと同時に形成されていることを特徴とする請
求項７記載の基板切断方法。 - 【請求項１０】 前記スライスラインと前記ガイドライ
ンは、平行に配されていることを特徴とする請求項１記
載の基板切断方法。 - 【請求項１１】 スライスラインとガイドラインが設け
られた基板の前記スライスラインに沿って前記基板を切
断するに際し、該切断時に、前記ガイドラインを検出す
ることによりズレを検出し、該ズレを補正しながら切断
することを特徴とする基板切断方法。 - 【請求項１２】 前記スライスライン及びガイドライン
は、前記基板上に形成された薄膜半導体素子を構成する
電極ラインであることを特徴とする請求項１１記載の基
板切断方法。 - 【請求項１３】 前記ガイドラインは、前記スライスラ
インと共用させたことを特徴とする請求項１１記載の基
板切断方法。 - 【請求項１４】 切断機構と、該切断機構の切断位置を
被切断物に対して相対的に移動する手段と、 前記切断位置と異なる位置で位置検出する手段と、 該手段による位置情報に基づいて切断位置を調整する手
段と、を有することを特徴とする基板切断装置。 - 【請求項１５】 前記切断機構は、切断手段を有するこ
とを特徴とする請求項１４記載の基板切断装置。 - 【請求項１６】 前記切断手段は、回転ブレード又はウ
ォータージェットノズルを有することを特徴とする請求
項１５記載の基板切断装置。 - 【請求項１７】 前記位置検出する手段は、光電変換装
置を有することを特徴とする請求項１６記載の基板切断
装置。 - 【請求項１８】 基板切断のためのスライスラインと、
切断時にズレを検出するためのガイドラインとを設けた
基板を切断する基板切断装置であって、 前記スライスラインを切断する手段と、 前記切断時に前記ガイドラインを検出することでズレを
検出する手段と、 切断中に前記ズレが生じた場合、そのズレ量を補正する
手段と、を具備したことを特徴とする基板切断装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2783797A JP3618945B2 (ja) | 1996-02-21 | 1997-02-12 | 基板の切断方法及び基板切断装置 |
| US08/801,464 US7077120B2 (en) | 1996-02-21 | 1997-02-18 | Substrate cutting method |
| KR1019970005299A KR100326568B1 (ko) | 1996-02-21 | 1997-02-21 | 기판절단방법및기판절단장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-33615 | 1996-02-21 | ||
| JP3361596 | 1996-02-21 | ||
| JP2783797A JP3618945B2 (ja) | 1996-02-21 | 1997-02-12 | 基板の切断方法及び基板切断装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289181A true JPH09289181A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3618945B2 JP3618945B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=26365817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2783797A Expired - Fee Related JP3618945B2 (ja) | 1996-02-21 | 1997-02-12 | 基板の切断方法及び基板切断装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7077120B2 (ja) |
| JP (1) | JP3618945B2 (ja) |
| KR (1) | KR100326568B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812494B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2004355943A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 封止用基板の製造方法及び有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2006279054A (ja) * | 2000-05-08 | 2006-10-12 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP2010082792A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウォータジェット加工方法 |
| US7992482B2 (en) | 2004-12-27 | 2011-08-09 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus for cutting substrate and method thereof |
| JP2013217934A (ja) * | 2006-11-22 | 2013-10-24 | Konica Minolta Inc | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影装置の製造方法 |
| JP2015038948A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-26 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びその切削方法 |
| JP2015077622A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP2019040916A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005087481A2 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-22 | Vmi Epe Holland B.V. | Cutting tool |
| KR100769529B1 (ko) * | 2006-09-19 | 2007-10-23 | 삼성전기주식회사 | 기판 정렬 방법 및 장치 |
| DE102008001757A1 (de) | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Werkzeugmaschine, insbesondere handgehaltene Werkzeugmaschine |
| DE102008001762A1 (de) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Werkzeugmaschine, insbesondere handgehaltene Werkzeugmaschine |
| US9903848B2 (en) | 2008-12-30 | 2018-02-27 | Sikorsky Aircraft Corporation | Non-destructive inspection method with objective evaluation |
| US20100239751A1 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-23 | Sonavation, Inc. | Sea of Pillars |
| US10099489B2 (en) * | 2016-04-15 | 2018-10-16 | Gp Squared Technologies, Inc. | Apparatus and method for trimming a print sheet, and registering the location of an image |
| WO2019213853A1 (zh) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 基板、基板的检测装置及切割方法 |
| KR20210070780A (ko) * | 2019-12-05 | 2021-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 디지털 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법 |
| CN113865915B (zh) * | 2021-09-18 | 2023-10-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种切片样品的检测方法 |
| CN114169675B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-12-13 | 深圳市匠心智汇科技有限公司 | 划切加工的监测方法、装置、终端设备及存储介质 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE313171B (ja) * | 1962-12-21 | 1969-08-04 | Stora Kopparbergs Bergslags Ab | |
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| GB1488841A (en) * | 1974-01-18 | 1977-10-12 | Plessey Co Ltd | Optical detection apparatus |
| DE3403710C1 (de) * | 1984-02-03 | 1985-07-18 | Carl Schmale GmbH & Co KG, 4434 Ochtrup | Vorrichtung zum fortlaufenden Laengstrennen von Gewebebahnen |
| US5059899A (en) * | 1990-08-16 | 1991-10-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor dies and wafers and methods for making |
| JP3076360B2 (ja) * | 1990-08-21 | 2000-08-14 | 株式会社ブリヂストン | コード入りゴムシートの切断不良検出方法 |
| JP3066944B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
-
1997
- 1997-02-12 JP JP2783797A patent/JP3618945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-18 US US08/801,464 patent/US7077120B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-21 KR KR1019970005299A patent/KR100326568B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812494B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2006279054A (ja) * | 2000-05-08 | 2006-10-12 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP4621161B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
| JP2004355943A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 封止用基板の製造方法及び有機ｅｌパネルの製造方法 |
| US7992482B2 (en) | 2004-12-27 | 2011-08-09 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus for cutting substrate and method thereof |
| JP2013217934A (ja) * | 2006-11-22 | 2013-10-24 | Konica Minolta Inc | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影装置の製造方法 |
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