JPH09260444A - 半導体装置、該半導体装置の製造方法および半導体装置の測定方法 - Google Patents
半導体装置、該半導体装置の製造方法および半導体装置の測定方法Info
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- JPH09260444A JPH09260444A JP8094773A JP9477396A JPH09260444A JP H09260444 A JPH09260444 A JP H09260444A JP 8094773 A JP8094773 A JP 8094773A JP 9477396 A JP9477396 A JP 9477396A JP H09260444 A JPH09260444 A JP H09260444A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定用の針ずれを防止でき、かつ微小電流を
測定できる半導体装置、該半導体装置の製造方法および
半導体装置の測定方法を提供する。 【解決手段】 パッド３は、半導体装置の製造時におけ
るＡＬ（アルミニューム）蒸着後の配線形成時に、半導
体装置の所定位置に形成される。該パッド３が設けれる
端子部４は、半導体装置の端子部形成時に、パターニン
グおよびエッチングによって凹形状に形成される。した
がって、上記パッド３を端子部４に形成すると、該パッ
ド３自体も凹形状となる。半導体装置の測定時、測定針
２をパッド３上に立てると、測定針２は、滑り込むよう
にして、上記パッド３の凹部３ａに入り、パッド３に圧
接されるので、測定針２とパッド３との接触面積が大と
なり、摩擦抵抗が増加し、かつ接触抵抗が小さくなる。
測定できる半導体装置、該半導体装置の製造方法および
半導体装置の測定方法を提供する。 【解決手段】 パッド３は、半導体装置の製造時におけ
るＡＬ（アルミニューム）蒸着後の配線形成時に、半導
体装置の所定位置に形成される。該パッド３が設けれる
端子部４は、半導体装置の端子部形成時に、パターニン
グおよびエッチングによって凹形状に形成される。した
がって、上記パッド３を端子部４に形成すると、該パッ
ド３自体も凹形状となる。半導体装置の測定時、測定針
２をパッド３上に立てると、測定針２は、滑り込むよう
にして、上記パッド３の凹部３ａに入り、パッド３に圧
接されるので、測定針２とパッド３との接触面積が大と
なり、摩擦抵抗が増加し、かつ接触抵抗が小さくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、回路動作の検査が確実に行える半導体装置、該半導
体装置の製造方法および半導体装置の測定方法に関す
る。
り、回路動作の検査が確実に行える半導体装置、該半導
体装置の製造方法および半導体装置の測定方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の回路動作を検査
する際には、半導体装置に各種測定信号を供給し、各部
における出力信号を検出することにより行われる。半導
体装置には、その製造過程において、上記測定信号を供
給するための端子や上記出力信号を取り出すための端子
（以下、パッドという）が設けられる。そして、半導体
装置の回路動作を検査するための測定時には、測定装置
の導電性の測定針（プローブ）を上記半導体装置に設け
られたパッドに圧接することにより、測定信号の供給し
たり、半導体装置からの出力信号を検出するようになっ
ている。
する際には、半導体装置に各種測定信号を供給し、各部
における出力信号を検出することにより行われる。半導
体装置には、その製造過程において、上記測定信号を供
給するための端子や上記出力信号を取り出すための端子
（以下、パッドという）が設けられる。そして、半導体
装置の回路動作を検査するための測定時には、測定装置
の導電性の測定針（プローブ）を上記半導体装置に設け
られたパッドに圧接することにより、測定信号の供給し
たり、半導体装置からの出力信号を検出するようになっ
ている。
【０００３】図３は、従来の半導体装置の測定方法で行
われる測定時における測定針とパッドと関係を示す概念
図である。従来の半導体装置には、図示するように、平
坦なパッド１が形成されており、半導体装置の測定時に
は、平坦なパッド１に、測定用の測定針２を圧接し、電
気的な接続を実現していた。
われる測定時における測定針とパッドと関係を示す概念
図である。従来の半導体装置には、図示するように、平
坦なパッド１が形成されており、半導体装置の測定時に
は、平坦なパッド１に、測定用の測定針２を圧接し、電
気的な接続を実現していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置およびその測定方法では、パッド１
が平坦であるため、該パッド１と測定針２との接触面積
が小さくなる。このため、摩擦係数が小さいので、測定
針２の位置がずれやすく、かつ接触抵抗が大となるの
で、微小電流の測定が困難であるという問題があった。
た従来の半導体装置およびその測定方法では、パッド１
が平坦であるため、該パッド１と測定針２との接触面積
が小さくなる。このため、摩擦係数が小さいので、測定
針２の位置がずれやすく、かつ接触抵抗が大となるの
で、微小電流の測定が困難であるという問題があった。
【０００５】そこで本発明は、測定用の針ずれを防止で
き、かつ微小電流を測定できる半導体装置の測定方法お
よび半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
き、かつ微小電流を測定できる半導体装置の測定方法お
よび半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】また、上記目的を達成す
るため、請求項１記載の発明による半導体装置は、回路
動作を検査するための測定針が立てられるパッドを凹形
状としたことを特徴とする。
るため、請求項１記載の発明による半導体装置は、回路
動作を検査するための測定針が立てられるパッドを凹形
状としたことを特徴とする。
【０００７】また、上記目的を達成するため、請求項２
記載の発明による半導体装置の製造方法は、半導体装置
の端子形成時に、検査用のパッドが形成される部分に凹
部を形成した後、前記凹部上に前記パッドを形成するこ
とを特徴とする。
記載の発明による半導体装置の製造方法は、半導体装置
の端子形成時に、検査用のパッドが形成される部分に凹
部を形成した後、前記凹部上に前記パッドを形成するこ
とを特徴とする。
【０００８】上記目的を達成するため、請求項４記載の
発明による半導体装置の測定方法は、半導体装置の動作
を検査するために半導体装置に設けられるパッドを凹形
状とし、該パッドに測定装置の測定針を圧接して電気的
に接続し、測定信号の入出力を行うことを特徴とする。
発明による半導体装置の測定方法は、半導体装置の動作
を検査するために半導体装置に設けられるパッドを凹形
状とし、該パッドに測定装置の測定針を圧接して電気的
に接続し、測定信号の入出力を行うことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１０】Ａ．実施の形態の構成 図１は本発明の実施の形態による半導体装置および半導
体装置の測定方法を説明するための模式図である。図に
おいて、パッド３は、半導体装置の製造時におけるＡＬ
（アルミニューム）蒸着後の配線形成時に、半導体装置
の所定位置に形成されるようになっている。該パッド３
が設けれる端子部４は、半導体装置の端子部形成時に、
パターニングおよびエッチングによって凹形状に形成さ
れるようになっている。したがって、上記パッド３を端
子部４に形成すると、該パッド３自体も凹形状となる。
半導体装置の測定時、測定針２をパッド３上に立てる
と、測定針２は、滑り込むようにして、上記パッド３の
凹部３ａに入り、パッド３に圧接され、電気的な接続が
確立される。
体装置の測定方法を説明するための模式図である。図に
おいて、パッド３は、半導体装置の製造時におけるＡＬ
（アルミニューム）蒸着後の配線形成時に、半導体装置
の所定位置に形成されるようになっている。該パッド３
が設けれる端子部４は、半導体装置の端子部形成時に、
パターニングおよびエッチングによって凹形状に形成さ
れるようになっている。したがって、上記パッド３を端
子部４に形成すると、該パッド３自体も凹形状となる。
半導体装置の測定時、測定針２をパッド３上に立てる
と、測定針２は、滑り込むようにして、上記パッド３の
凹部３ａに入り、パッド３に圧接され、電気的な接続が
確立される。
【００１１】Ｂ．パッド形成 次に、上述したパッド３の形成について図２を参照して
説明する。図２において、まず、半導体装置の端子部形
成時、パッド３を形成する箇所には、図２（ａ）に示す
レジストパターンおよびエッチングによって、パッド３
より小さいな凹形状の端子部４を形成する。次に、レジ
スト５を除去し、ＡＬ蒸着後の配線形成時、上記凹形状
の端子部４上に、図２（ｂ）に示すパッド３を形成す
る。パッド３は、上述したように、凹形状に形成された
端子部４上に形成されるため、その中心が自然に凹形状
となる。
説明する。図２において、まず、半導体装置の端子部形
成時、パッド３を形成する箇所には、図２（ａ）に示す
レジストパターンおよびエッチングによって、パッド３
より小さいな凹形状の端子部４を形成する。次に、レジ
スト５を除去し、ＡＬ蒸着後の配線形成時、上記凹形状
の端子部４上に、図２（ｂ）に示すパッド３を形成す
る。パッド３は、上述したように、凹形状に形成された
端子部４上に形成されるため、その中心が自然に凹形状
となる。
【００１２】Ｃ．半導体装置の測定 半導体装置の測定時においては、測定針２をパッド３上
に立てると、測定針２は、滑り込むようにして上記パッ
ド３の凹部３ａに入り、パッド３に圧接される。このた
め、測定針２とパッド３との接触面積は、図１の符号Ａ
で示すように、従来に比べて大となるので、摩擦係数が
増加し、かつ接触抵抗が小さくなる。この結果、針ずれ
を防止でき、かつ微小電流を測定できるようになる。
に立てると、測定針２は、滑り込むようにして上記パッ
ド３の凹部３ａに入り、パッド３に圧接される。このた
め、測定針２とパッド３との接触面積は、図１の符号Ａ
で示すように、従来に比べて大となるので、摩擦係数が
増加し、かつ接触抵抗が小さくなる。この結果、針ずれ
を防止でき、かつ微小電流を測定できるようになる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、半導体装置の動作
を検査するために半導体装置に設けられるパッドを凹形
状とし、該パッドに測定装置の測定針を圧接して電気的
に接続し、測定信号の入出力を行うようにしたので、針
ずれを防止でき、かつ微小電流を測定できるという利点
が得られる。
を検査するために半導体装置に設けられるパッドを凹形
状とし、該パッドに測定装置の測定針を圧接して電気的
に接続し、測定信号の入出力を行うようにしたので、針
ずれを防止でき、かつ微小電流を測定できるという利点
が得られる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置の測定方
法を説明するための模式図である。
法を説明するための模式図である。
【図２】半導体装置の端子およびパッドの形成を説明す
るための模式図である。
るための模式図である。
２……測定針、３……パッド、３ａ……凹部、４……端
子部、５……レジスト。
子部、５……レジスト。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置の測定方
法を説明するための模式図である。
法を説明するための模式図である。
【図２】半導体装置の端子およびパッドの形成を説明す
るための模式図である。
るための模式図である。
【図３】従来の半導体装置の測定針とパットとの関係を
示す図である。
示す図である。
【符号の説明】 ２……測定針、３……パッド、３ａ……凹部、４……端
子部、５……レジスト。
子部、５……レジスト。
Claims (4)
- 【請求項１】 回路動作を検査するための測定針が立て
られるパッドを凹形状としたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体装置の端子形成時に、検査用のパ
ッドが形成される部分に凹部を形成した後、前記凹部上
に前記パッドを形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体装置の凹部は、前記パッドよ
り小さく形成されることを特徴とする請求項２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体装置の動作を検査するために半導
体装置に設けられるパッドを凹形状とし、該パッドに測
定装置の測定針を圧接して電気的に接続し、測定信号の
入出力を行うことを特徴とする半導体装置の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094773A JPH09260444A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 半導体装置、該半導体装置の製造方法および半導体装置の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094773A JPH09260444A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 半導体装置、該半導体装置の製造方法および半導体装置の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260444A true JPH09260444A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14119425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8094773A Pending JPH09260444A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 半導体装置、該半導体装置の製造方法および半導体装置の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260444A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003837A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | パッケージ及びそれを用いた電子装置、並びに発光装置 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP8094773A patent/JPH09260444A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003837A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | パッケージ及びそれを用いた電子装置、並びに発光装置 |
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