JPH09227184A - セメントキルン排ガス処理方法及びその装置 - Google Patents
セメントキルン排ガス処理方法及びその装置Info
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- JPH09227184A JPH09227184A JP8033465A JP3346596A JPH09227184A JP H09227184 A JPH09227184 A JP H09227184A JP 8033465 A JP8033465 A JP 8033465A JP 3346596 A JP3346596 A JP 3346596A JP H09227184 A JPH09227184 A JP H09227184A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】熱損失を少なくするとともに、プローブ等の排
ガス処理装置を安定して運転できる様にする。 【解決手段】サスペンションプレヒータＳＰに連続する
セメントキルン１内で発生する排ガスを抽気してアルカ
リや塩素などの揮発性成分を除去するセメントキルン排
ガス処理装置において；該排ガスの抽気を前記サスペン
ションプレヒータのサイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜
５Ａから行う。
ガス処理装置を安定して運転できる様にする。 【解決手段】サスペンションプレヒータＳＰに連続する
セメントキルン１内で発生する排ガスを抽気してアルカ
リや塩素などの揮発性成分を除去するセメントキルン排
ガス処理装置において；該排ガスの抽気を前記サスペン
ションプレヒータのサイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜
５Ａから行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セメントキルン排
ガス処理方法及びその装置に関するもので、更に述べる
と、アルカリバイパスなどによりセメントキルンから排
ガスの一部又は全部を抽気し、排ガス中のアルカリ、塩
素、重金属等の揮発成分（以下揮発性成分という）を除
去する方法及び装置に関するものである。
ガス処理方法及びその装置に関するもので、更に述べる
と、アルカリバイパスなどによりセメントキルンから排
ガスの一部又は全部を抽気し、排ガス中のアルカリ、塩
素、重金属等の揮発成分（以下揮発性成分という）を除
去する方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セメントクリンカをＳＰ（サス
ペンションプレヒータ）キルン又はＮＳＰ（ニューＳ
Ｐ）キルンにて焼成する場合、セメント原料及び燃料か
ら持ち込まれる揮発性成分は、キルン・プレヒータ系内
で循環することにより順次濃縮される。
ペンションプレヒータ）キルン又はＮＳＰ（ニューＳ
Ｐ）キルンにて焼成する場合、セメント原料及び燃料か
ら持ち込まれる揮発性成分は、キルン・プレヒータ系内
で循環することにより順次濃縮される。
【０００３】しかし、この循環は、数時間で平衡に達
し、セメント原料及び燃料から系内に持ち込まれる揮発
性成分の量とセメントクリンカにより系外へ持ち出され
る揮発性成分の量とが等しくなることが知られている。
又、プレヒータ上部から排出される排ガス中のダストは
持ち込み原料の５〜６倍に塩素が濃縮し、一旦系外に排
出されるが回収されたダストは原料として再びキルンに
送入され、系内に持ち込む原料の揮発性成分濃度を高め
る原因となっている。この場合、原料と燃料とが持ち込
む揮発性成分量が多いと、クリンカ中の揮発性成分の量
も多くなり、これらはセメントの品質に悪影響を与え
る。
し、セメント原料及び燃料から系内に持ち込まれる揮発
性成分の量とセメントクリンカにより系外へ持ち出され
る揮発性成分の量とが等しくなることが知られている。
又、プレヒータ上部から排出される排ガス中のダストは
持ち込み原料の５〜６倍に塩素が濃縮し、一旦系外に排
出されるが回収されたダストは原料として再びキルンに
送入され、系内に持ち込む原料の揮発性成分濃度を高め
る原因となっている。この場合、原料と燃料とが持ち込
む揮発性成分量が多いと、クリンカ中の揮発性成分の量
も多くなり、これらはセメントの品質に悪影響を与え
る。
【０００４】また、系内の揮発性成分が多くなると系内
に低融点化合物が形成され、特にプレヒータの閉塞が頻
発するようになり、キルンの安定操業が損なわれる原因
となる。近年、特に産業廃棄物の有効利用を推進してい
ると、どうしても揮発性成分含有量の多いものを利用せ
ざるを得ない状況になってきており、効率的な揮発性成
分の除去が望まれる状況となっている。
に低融点化合物が形成され、特にプレヒータの閉塞が頻
発するようになり、キルンの安定操業が損なわれる原因
となる。近年、特に産業廃棄物の有効利用を推進してい
ると、どうしても揮発性成分含有量の多いものを利用せ
ざるを得ない状況になってきており、効率的な揮発性成
分の除去が望まれる状況となっている。
【０００５】そこで、キルン・プレヒータ系内の揮発性
成分を減少させるため、いわゆるアルカリバイパス法が
行われている。この方法は、揮発性成分濃度の高いキル
ン排ガスをアルカリバイパスによって系内に抜き出しア
ルカリを除去する方法である。次に、このアルカリバイ
パスについて簡単に説明する。
成分を減少させるため、いわゆるアルカリバイパス法が
行われている。この方法は、揮発性成分濃度の高いキル
ン排ガスをアルカリバイパスによって系内に抜き出しア
ルカリを除去する方法である。次に、このアルカリバイ
パスについて簡単に説明する。
【０００６】キルン窯尻近傍にプローブを設け、該プロ
ーブを介してキルン内の排ガスを抽気する。この抽気さ
れた排ガスは約９００〜１１００℃の高温である。この
キルン排ガスを冷却器内に導入して冷却し、ガス温度を
４００〜４５０℃に低下させる。この際、ガス温度の低
下によってダストの表面に揮発性成分の化合物が凝縮す
る。その後、該排ガスは、サイクロンに導入されて分級
され、粗粉であるセメント原料は、キルン内に戻され
る。微粉状のダストを含む排ガスは、熱交換器に導入さ
れ、そこで、１５０℃以下まで冷却される。
ーブを介してキルン内の排ガスを抽気する。この抽気さ
れた排ガスは約９００〜１１００℃の高温である。この
キルン排ガスを冷却器内に導入して冷却し、ガス温度を
４００〜４５０℃に低下させる。この際、ガス温度の低
下によってダストの表面に揮発性成分の化合物が凝縮す
る。その後、該排ガスは、サイクロンに導入されて分級
され、粗粉であるセメント原料は、キルン内に戻され
る。微粉状のダストを含む排ガスは、熱交換器に導入さ
れ、そこで、１５０℃以下まで冷却される。
【０００７】冷却された排ガスをバグフィルタに導入
し、ダストを集塵し、残りのガスをファンを介して大気
中に排出する。このダストは、揮発性成分が濃縮された
ダストであり、廃棄処分される。
し、ダストを集塵し、残りのガスをファンを介して大気
中に排出する。このダストは、揮発性成分が濃縮された
ダストであり、廃棄処分される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記手法では
アルカリバイパスによって抽気した約９００〜１１００
℃のキルン排ガスを系外に排出してしまうことになり、
熱損失の増大が大きい。９００〜１１００℃の排ガス
は、セメント原料の脱炭酸反応（８５０℃）に有効に利
用できる排ガスであり、エネルギー損失が高い。また、
通常プローブで排ガスを抽気しているが、高温のため、
該プローブ等が閉塞する問題が生じ、プローブ等の詰ま
り解消作業が必要となる。
アルカリバイパスによって抽気した約９００〜１１００
℃のキルン排ガスを系外に排出してしまうことになり、
熱損失の増大が大きい。９００〜１１００℃の排ガス
は、セメント原料の脱炭酸反応（８５０℃）に有効に利
用できる排ガスであり、エネルギー損失が高い。また、
通常プローブで排ガスを抽気しているが、高温のため、
該プローブ等が閉塞する問題が生じ、プローブ等の詰ま
り解消作業が必要となる。
【０００９】この発明は上記事情に鑑み、熱損失を少な
くすることを目的とする。他の目的は、低温の排ガス抽
気を行うことで、配管途中での閉塞問題を回避すると共
に、排ガス抽気にあたっては、排ガスを分岐するだけで
よく、特殊なプローブを必要とせずに安定して運転でき
る様にすることである。
くすることを目的とする。他の目的は、低温の排ガス抽
気を行うことで、配管途中での閉塞問題を回避すると共
に、排ガス抽気にあたっては、排ガスを分岐するだけで
よく、特殊なプローブを必要とせずに安定して運転でき
る様にすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、サスペンシ
ョンプレヒータに連続するセメントキルン内で発生する
排ガスを抽気して揮発性成分を除去するセメントキルン
排ガス処理装置において；該排ガスの抽気を前記サスペ
ンションプレヒータのサイクロンのガス出口から行うこ
とを特徴とするセメントキルン排ガス処理装置、であ
る。
ョンプレヒータに連続するセメントキルン内で発生する
排ガスを抽気して揮発性成分を除去するセメントキルン
排ガス処理装置において；該排ガスの抽気を前記サスペ
ンションプレヒータのサイクロンのガス出口から行うこ
とを特徴とするセメントキルン排ガス処理装置、であ
る。
【００１１】この発明は、サスペンションプレヒータに
連続するセメントキルン内で発生する排ガスを抽気して
揮発性成分を除去するセメントキルン排ガス処理方法に
おいて；該排ガスの抽気をセメントキルン窯尻排ガス温
度より低いサスペンションプレヒータの抽気部から行う
ことを特徴とするセメントキルン排ガス処理方法、であ
る。
連続するセメントキルン内で発生する排ガスを抽気して
揮発性成分を除去するセメントキルン排ガス処理方法に
おいて；該排ガスの抽気をセメントキルン窯尻排ガス温
度より低いサスペンションプレヒータの抽気部から行う
ことを特徴とするセメントキルン排ガス処理方法、であ
る。
【００１２】この発明は、サスペンションプレヒータに
連続するセメントキルン内で発生する排ガスを抽気して
揮発性成分を除去するセメントキルン排ガス処理方法に
おいて；該排ガスを該サスペンションプレヒータのサイ
クロンのガス出口から抽気する行程と；抽気した排ガス
を固気分離装置に導入する行程と；該固気分離装置から
排出される排ガスをダストコレクタに導入する行程と；
該ダストコレクタから排出される排ガスを前記抽気した
サイクロンよりガス流れの下流側に供給する行程と；を
備えていることを特徴とするセメントキルン排ガス処理
方法、である。
連続するセメントキルン内で発生する排ガスを抽気して
揮発性成分を除去するセメントキルン排ガス処理方法に
おいて；該排ガスを該サスペンションプレヒータのサイ
クロンのガス出口から抽気する行程と；抽気した排ガス
を固気分離装置に導入する行程と；該固気分離装置から
排出される排ガスをダストコレクタに導入する行程と；
該ダストコレクタから排出される排ガスを前記抽気した
サイクロンよりガス流れの下流側に供給する行程と；を
備えていることを特徴とするセメントキルン排ガス処理
方法、である。
【００１３】
【発明の実施の形態】セメントキルンにはサスペンショ
ンプレヒータが連続している。このプレヒータには、段
状に設けられた複数のサイクロンが配設されている。セ
メントキルン内で発生した排ガスは、該キルンから複数
のサイクロンの最下段サイクロンから順次セメント原料
と熱交換され最上段サイクロンを経て排出される。
ンプレヒータが連続している。このプレヒータには、段
状に設けられた複数のサイクロンが配設されている。セ
メントキルン内で発生した排ガスは、該キルンから複数
のサイクロンの最下段サイクロンから順次セメント原料
と熱交換され最上段サイクロンを経て排出される。
【００１４】このプレヒータ最下段サイクロンより排ガ
ス流の下流側に排ガスを抽気するための抽気部が設けら
れている。この抽気部は、セメントキルン内の窯尻排ガ
ス温度より低い部分、例えば、排ガス温度が８５０℃以
下のサスペンションプレヒータのサイクロンのガス出口
に設けられる。
ス流の下流側に排ガスを抽気するための抽気部が設けら
れている。この抽気部は、セメントキルン内の窯尻排ガ
ス温度より低い部分、例えば、排ガス温度が８５０℃以
下のサスペンションプレヒータのサイクロンのガス出口
に設けられる。
【００１５】このサイクロンのガス出口から抽気された
排ガスは、揮発性成分の付着したダストを含んでいる。
すなわち、揮発成分は、セメント原料中の粒子径の細か
い部分に偏在しており、サイクロンのガス出口において
は、該サイクロンでセメント原料を分離した後の揮発成
分の濃度が高いダストを含むものであり、この発明はこ
のような排ガスを効果的に抽気するものである。次い
で、この排ガスは、固気分離装置に導入された後、更
に、ダストコレクタに導入され、そこで、揮発性成分を
含むダストが補集され、残りのガスは前記抽気部よりガ
ス流れの下流側のプレヒータ内に戻される。
排ガスは、揮発性成分の付着したダストを含んでいる。
すなわち、揮発成分は、セメント原料中の粒子径の細か
い部分に偏在しており、サイクロンのガス出口において
は、該サイクロンでセメント原料を分離した後の揮発成
分の濃度が高いダストを含むものであり、この発明はこ
のような排ガスを効果的に抽気するものである。次い
で、この排ガスは、固気分離装置に導入された後、更
に、ダストコレクタに導入され、そこで、揮発性成分を
含むダストが補集され、残りのガスは前記抽気部よりガ
ス流れの下流側のプレヒータ内に戻される。
【００１６】抽気部は、サスペンションプレヒータの全
部のサイクロンのガス出口に設けてもよく、又、それら
のサイクロンのうちの一部のサイクロンガス出口だけに
設けてもよい。
部のサイクロンのガス出口に設けてもよく、又、それら
のサイクロンのうちの一部のサイクロンガス出口だけに
設けてもよい。
【００１７】複数のサイクロンのガス出口に抽気部を設
けた場合には、各抽気部の排ガスの抽気量の割合を全部
等しくしても良く、又、その割合をそれぞれ異ならしめ
てもよい。
けた場合には、各抽気部の排ガスの抽気量の割合を全部
等しくしても良く、又、その割合をそれぞれ異ならしめ
てもよい。
【００１８】抽気量は、必要に応じて適宜選択される
が、通常のセメント製造において、例えば、揮発性成分
がアルカリの場合には、排ガス回路中の総排ガス量の１
０％以下であり、又、揮発性成分が塩素の場合には、排
ガス回路中の総排ガス量の５％以下、好ましくは１〜３
％が採用される。尚、都市ゴミ灰等の産業廃棄物をセメ
ント原料の一部として使用する等、持ち込み揮発成分が
多い場合は排ガスのうち、原料の予熱に必要なガスを除
いて最大３０％程度まで抽気することもできる。
が、通常のセメント製造において、例えば、揮発性成分
がアルカリの場合には、排ガス回路中の総排ガス量の１
０％以下であり、又、揮発性成分が塩素の場合には、排
ガス回路中の総排ガス量の５％以下、好ましくは１〜３
％が採用される。尚、都市ゴミ灰等の産業廃棄物をセメ
ント原料の一部として使用する等、持ち込み揮発成分が
多い場合は排ガスのうち、原料の予熱に必要なガスを除
いて最大３０％程度まで抽気することもできる。
【００１９】排ガスの抽気は、サイクロンのガス出口と
セメントキルン窯尻部とから同時に行ってもよい。この
場合、サイクロン出口の抽気量を該キルンのそれより多
くすることにより、熱損失は極力おさえることができ
る。なお、サスペンションプレヒータには、仮焼炉の付
いているＮＳＰとそれの付いていないＳＰの双方が含ま
れる。
セメントキルン窯尻部とから同時に行ってもよい。この
場合、サイクロン出口の抽気量を該キルンのそれより多
くすることにより、熱損失は極力おさえることができ
る。なお、サスペンションプレヒータには、仮焼炉の付
いているＮＳＰとそれの付いていないＳＰの双方が含ま
れる。
【００２０】
【実施例１】この発明の第１実施例を図１により説明す
る。セメントキルン（ロータリキルン）１の上部には、
セメント原料の予熱を行うサスペンションプレヒータＮ
ＳＰが設けられている。このプレヒータＮＳＰには、サ
イクロン２〜５と仮焼炉６とが設けられている。このサ
イクロンは、最下段サイクロン２と中段サイクロン３、
４と最上段サイクロン５とから構成されている。
る。セメントキルン（ロータリキルン）１の上部には、
セメント原料の予熱を行うサスペンションプレヒータＮ
ＳＰが設けられている。このプレヒータＮＳＰには、サ
イクロン２〜５と仮焼炉６とが設けられている。このサ
イクロンは、最下段サイクロン２と中段サイクロン３、
４と最上段サイクロン５とから構成されている。
【００２１】最下段サイクロン２のガス出口２Ａには、
抽気部が設けられており、この抽気部には排ガスを抽気
するための分岐管１０が設けられ、この分岐管１０に排
ガスを冷却するために冷気を導入するダンパ１８が設け
られている。又、分岐管１０はサイクロン１１に接続さ
れている。
抽気部が設けられており、この抽気部には排ガスを抽気
するための分岐管１０が設けられ、この分岐管１０に排
ガスを冷却するために冷気を導入するダンパ１８が設け
られている。又、分岐管１０はサイクロン１１に接続さ
れている。
【００２２】該サイクロン１１の粗粉出口１１Ｂは、セ
メントキルン１の立上部１２に連通している。該サイク
ロン１１のガス出口１１Ａは、バグフィルタ１３、ファ
ン１４を介して中段第２サイクロン３のガス出口３Ａに
接続している。
メントキルン１の立上部１２に連通している。該サイク
ロン１１のガス出口１１Ａは、バグフィルタ１３、ファ
ン１４を介して中段第２サイクロン３のガス出口３Ａに
接続している。
【００２３】なお、図において、１５はセメントキルン
１に設けたバーナ、１６はクリンカ１７を冷却するため
のクーラ、をそれぞれ示す。
１に設けたバーナ、１６はクリンカ１７を冷却するため
のクーラ、をそれぞれ示す。
【００２４】次に、本実施例の作動について説明する。
セメントキルン１内で発生した排ガスはセメントキルン
１とサスペンションプレヒータＮＳＰとで形成される排
ガス回路ＧＣを最下段サイクロンから順次上方のサイク
ロン３〜５に向かって流れながら、該回路上方に投入さ
れるセメント原料Ａと熱交換を行う。
セメントキルン１内で発生した排ガスはセメントキルン
１とサスペンションプレヒータＮＳＰとで形成される排
ガス回路ＧＣを最下段サイクロンから順次上方のサイク
ロン３〜５に向かって流れながら、該回路上方に投入さ
れるセメント原料Ａと熱交換を行う。
【００２５】この排ガスは、回路ＧＣを移動中にサイク
ロン２〜５に入り、空気分級される。そして、セメント
原料などの粗粉は、サイクロンの粗粉出口２Ｂ〜５Ｂか
ら該回路ＧＣ内を下方に向かって移送されセメントキル
ン１に導入さされる。又、微粉状のダストを含む排ガス
は、各サイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜５Ａから該回
路内に上方に向かって流れる。
ロン２〜５に入り、空気分級される。そして、セメント
原料などの粗粉は、サイクロンの粗粉出口２Ｂ〜５Ｂか
ら該回路ＧＣ内を下方に向かって移送されセメントキル
ン１に導入さされる。又、微粉状のダストを含む排ガス
は、各サイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜５Ａから該回
路内に上方に向かって流れる。
【００２６】排ガスは、分岐管１０を介して最下段サイ
クロン２のガス出口２Ａの抽気部から抽気される。この
抽気量は実験によると総排ガス中の５％好ましくは１〜
３％で十分であるが、これ以上であってもよい。前述し
たように、ガス出口２Ａはサイクロンで原料の粗粉部分
が取り除かれ、揮発成分の濃縮された微粉ダストを含む
部分であり、ダスト負荷の少ない排ガス中の揮発成分の
高含有率で効果的に抽気することができる。この時のガ
ス温度は８５０℃位であり、セメントキルン１内の温度
より著しく低温である。この排ガスを冷気ダンパ１８よ
り冷気を導入して４００〜４５０℃に冷却して揮発性成
分を凝縮させる。
クロン２のガス出口２Ａの抽気部から抽気される。この
抽気量は実験によると総排ガス中の５％好ましくは１〜
３％で十分であるが、これ以上であってもよい。前述し
たように、ガス出口２Ａはサイクロンで原料の粗粉部分
が取り除かれ、揮発成分の濃縮された微粉ダストを含む
部分であり、ダスト負荷の少ない排ガス中の揮発成分の
高含有率で効果的に抽気することができる。この時のガ
ス温度は８５０℃位であり、セメントキルン１内の温度
より著しく低温である。この排ガスを冷気ダンパ１８よ
り冷気を導入して４００〜４５０℃に冷却して揮発性成
分を凝縮させる。
【００２７】冷却された排ガスをサイクロン１１に導入
し、空気分級する。分級点は１０μｍ以下好ましくは７
μｍ以下程度とするが、凝縮した揮発性成分は主として
直径４．４μｍ以下のダストに付着して存在するので、
この分級点は４．４μｍ以下にするのが更に好適であ
る。サイクロン１１のガス出口１１Ａから排出された排
ガスは、バグフィルタ１３に導入されてダスト２０が回
収された後、中段第１サイクロン３のガス出口３Ａに戻
される。
し、空気分級する。分級点は１０μｍ以下好ましくは７
μｍ以下程度とするが、凝縮した揮発性成分は主として
直径４．４μｍ以下のダストに付着して存在するので、
この分級点は４．４μｍ以下にするのが更に好適であ
る。サイクロン１１のガス出口１１Ａから排出された排
ガスは、バグフィルタ１３に導入されてダスト２０が回
収された後、中段第１サイクロン３のガス出口３Ａに戻
される。
【００２８】なお、抽気した排ガスのダスト量及びダス
ト中の揮発成分が十分に濃厚な場合には、サイクロン１
１を省略し、熱交換器を経て直接バグフィルタ１３で揮
発成分を含むダストを回収する様にしても良い。
ト中の揮発成分が十分に濃厚な場合には、サイクロン１
１を省略し、熱交換器を経て直接バグフィルタ１３で揮
発成分を含むダストを回収する様にしても良い。
【００２９】
【実施例２】この発明の第２実施例を図２により説明す
る。この実施例と第１実施例との相違点は次の通りであ
る。 （１）分岐管１０が最上段サイクロン５のガス出口５Ａ
に設けられていること。 （２）アルカリバイパスであり、分岐管１０を介して総
排ガス量の１０％の排ガスが抽気されること。
る。この実施例と第１実施例との相違点は次の通りであ
る。 （１）分岐管１０が最上段サイクロン５のガス出口５Ａ
に設けられていること。 （２）アルカリバイパスであり、分岐管１０を介して総
排ガス量の１０％の排ガスが抽気されること。
【００３０】（３）サイクロン１１の粗粉出口１１Ｂが
最上段サイクロン５の粗粉出口５Ｂに接続され、サイク
ロン１１のガス出口１１Ａか゛バグフィルタ１３を介し
て最上段サイクロン５のガス出口５Ａに接続されている
こと。なお、粗粉出口１１Bは各サイクロン２〜５の粗
粉出口に適宜接続することができる。
最上段サイクロン５の粗粉出口５Ｂに接続され、サイク
ロン１１のガス出口１１Ａか゛バグフィルタ１３を介し
て最上段サイクロン５のガス出口５Ａに接続されている
こと。なお、粗粉出口１１Bは各サイクロン２〜５の粗
粉出口に適宜接続することができる。
【００３１】（４）サイクロン１１での分級点は、凝縮
したアルカリ（アルカリ化合物）が、直径１０μｍ以下
に主として存在することに鑑み、１０μｍ以下にするこ
と。
したアルカリ（アルカリ化合物）が、直径１０μｍ以下
に主として存在することに鑑み、１０μｍ以下にするこ
と。
【００３２】
【実施例３】この発明の第３実施例を図３により説明す
る。この実施例と第１実施例との相違点は、次の通りで
ある。 （１）分岐管１０が最下段サイクロン２、中段第１サイ
クロン３の各ガス出口２Ａ、３Ａに設けられているこ
と。
る。この実施例と第１実施例との相違点は、次の通りで
ある。 （１）分岐管１０が最下段サイクロン２、中段第１サイ
クロン３の各ガス出口２Ａ、３Ａに設けられているこ
と。
【００３３】（２）サイクロン１１の粗粉出口１１Ｂが
中段第１サイクロン３の粗粉出口３Ｂに接続され、又、
そのガス出口１１Ａがバグフィルタ１３を介して中段第
２サイクロン４のガス出口４Ａに接続されていること。
中段第１サイクロン３の粗粉出口３Ｂに接続され、又、
そのガス出口１１Ａがバグフィルタ１３を介して中段第
２サイクロン４のガス出口４Ａに接続されていること。
【００３４】（３）両サイクロン２、３からのそれぞれ
の排ガスの抽気量は、同じであるが、必ずしもこれに限
定されるものではない。例えば、サイクロン２〜５中最
も高温な最下段サイクロン２からの抽気量を、該サイク
ロン２より低温の中段第１サイクロン３のそれより少な
くし、熱損失を減少させてもよい。
の排ガスの抽気量は、同じであるが、必ずしもこれに限
定されるものではない。例えば、サイクロン２〜５中最
も高温な最下段サイクロン２からの抽気量を、該サイク
ロン２より低温の中段第１サイクロン３のそれより少な
くし、熱損失を減少させてもよい。
【００３５】
【実施例４】この発明の第４実施例を図４により説明す
る。この実施例と第１実施例との相違点は、次の通りで
ある。 （１）各サイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜５Ａに分岐
管１０が設けられ、抽気されること。
る。この実施例と第１実施例との相違点は、次の通りで
ある。 （１）各サイクロン２〜５のガス出口２Ａ〜５Ａに分岐
管１０が設けられ、抽気されること。
【００３６】（２）サイクロン１１の粗粉出口１１Ｂが
最下段サイクロン２のガス出口２Ａに接続しているこ
と。 （３）サイクロン１１のガス出口１１Ａがバグフィルタ
１３を介して最上段サイクロン５のガス出口５Ａに接続
されていること。
最下段サイクロン２のガス出口２Ａに接続しているこ
と。 （３）サイクロン１１のガス出口１１Ａがバグフィルタ
１３を介して最上段サイクロン５のガス出口５Ａに接続
されていること。
【００３７】（４）各分岐管１０からの抽気量は、それ
ぞれ等しいが必ずしもこれに限定されるものではない。
例えば、サイクロン２〜５は上段になる程温度が低いの
で、上段のサイクロン程抽気量を多くし、熱損失を減少
させるようにしてもよい。ちなみに、出口２Ａ、３Ａ、
４Ａから抽気量を０とし、出口５Ａから４％の排ガスを
抽気したところ、系内の塩素濃度は約２０％低減でき、
しかも熱損失はほとんどなかった。
ぞれ等しいが必ずしもこれに限定されるものではない。
例えば、サイクロン２〜５は上段になる程温度が低いの
で、上段のサイクロン程抽気量を多くし、熱損失を減少
させるようにしてもよい。ちなみに、出口２Ａ、３Ａ、
４Ａから抽気量を０とし、出口５Ａから４％の排ガスを
抽気したところ、系内の塩素濃度は約２０％低減でき、
しかも熱損失はほとんどなかった。
【００３８】
【実施例５】この発明の第５実施例を図５により説明す
る。この実施例は、従来例と第１実施例とを組み合わせ
たものである。即ち、プローブ１９がキルン立上部１２
に、又分岐管１０が最下段サイクロン２のガス出口２Ａ
とに設けられている。プローブ１９及び分岐管１０から
の抽気量は、必要に応じて適宜選択される。例えば、立
上部１２の温度が最下段サイクロン２のそれより高いこ
とに鑑み、立上部１２からの抽気量をガス出口２Ａから
のそれより少なくし、熱損失を減少させるようにしても
よい。なお、ＣＨは熱交換器、ＤＰはダンパ、をそれぞ
れ示す。
る。この実施例は、従来例と第１実施例とを組み合わせ
たものである。即ち、プローブ１９がキルン立上部１２
に、又分岐管１０が最下段サイクロン２のガス出口２Ａ
とに設けられている。プローブ１９及び分岐管１０から
の抽気量は、必要に応じて適宜選択される。例えば、立
上部１２の温度が最下段サイクロン２のそれより高いこ
とに鑑み、立上部１２からの抽気量をガス出口２Ａから
のそれより少なくし、熱損失を減少させるようにしても
よい。なお、ＣＨは熱交換器、ＤＰはダンパ、をそれぞ
れ示す。
【００３９】この発明の実施例は上記に限定されるもの
ではなく、例えば、最もサイクロン詰まりの生じやすい
最下段サイクロンの原料を自動的にサンプリングし、強
制的に冷却後、水に溶かして塩素濃度を自動的に分析
し、目標値にあうようにバイパスする排ガス量を制御す
るようにする。このようにすることにより必要最小限の
バイパス量を制御することが可能となる。
ではなく、例えば、最もサイクロン詰まりの生じやすい
最下段サイクロンの原料を自動的にサンプリングし、強
制的に冷却後、水に溶かして塩素濃度を自動的に分析
し、目標値にあうようにバイパスする排ガス量を制御す
るようにする。このようにすることにより必要最小限の
バイパス量を制御することが可能となる。
【００４０】又、バグフィルタで補集したダストを自動
的にサンプリングし、水に溶かし、攪拌し、水溶液中の
塩素濃度を自動的に計測し、バイパスする排ガス量を制
御してもよい。
的にサンプリングし、水に溶かし、攪拌し、水溶液中の
塩素濃度を自動的に計測し、バイパスする排ガス量を制
御してもよい。
【００４１】更に、回収したダストをホッパ内に貯蔵
し、重量を自動的に計量することにより抜き出し塩素量
を計算する。この計算値に基き目標値にあうようにバイ
パスの排ガス量を制御してもよい。
し、重量を自動的に計量することにより抜き出し塩素量
を計算する。この計算値に基き目標値にあうようにバイ
パスの排ガス量を制御してもよい。
【００４２】
【発明の効果】この発明は以上の様に構成したので、次
のような顕著な効果を奏する。 （１）排ガスの抽気をセメントキルン内の温度より低い
排ガス循環回路中の抽気部で行うので、従来例に比べ著
しく熱損失が減少する。特に原料の脱炭酸反応温度（８
５０℃）より低い温度での抽気は、脱炭酸反応に寄与し
ない排ガスであるので、セメント焼成に必要な熱量はほ
とんど増加しない。 （２）従来例に比べ抽気時の排ガス温度が低く、又、特
殊なプローブを必要とせず、単に分岐管を接続するだけ
なので、プローブ詰まりがなくなり、排ガス処理装置を
安定して運転できる。
のような顕著な効果を奏する。 （１）排ガスの抽気をセメントキルン内の温度より低い
排ガス循環回路中の抽気部で行うので、従来例に比べ著
しく熱損失が減少する。特に原料の脱炭酸反応温度（８
５０℃）より低い温度での抽気は、脱炭酸反応に寄与し
ない排ガスであるので、セメント焼成に必要な熱量はほ
とんど増加しない。 （２）従来例に比べ抽気時の排ガス温度が低く、又、特
殊なプローブを必要とせず、単に分岐管を接続するだけ
なので、プローブ詰まりがなくなり、排ガス処理装置を
安定して運転できる。
【００４３】（３）排ガスの抽気をサスペンションプレ
ヒータのサイクロンのガス出口で行うので、該排ガスは
セメント原料などの粗粉と分離された直後に抽気され
る。そのため、抽気された排ガスには、揮発性成分の付
着し易い微粉が多く含まれているので、効率良く揮発性
成分の除去を行うことができる。窯尻から排ガスを抽気
しサイクロンで分離する従来法は、抜き出す揮発分の量
が不足するため、十分な成果が得られなく、そのため、
又、揮発分の量を確保するにはキルン排ガス量を増加す
る必要があり、熱損失が大となるが、本発明では使用熱
量を増加せずに、排ガス量を増加することもでき、これ
によって分級を強化し、より揮発成分の濃度が高いダス
トが得られ、系外に排出するダスト量が低減できる。
ヒータのサイクロンのガス出口で行うので、該排ガスは
セメント原料などの粗粉と分離された直後に抽気され
る。そのため、抽気された排ガスには、揮発性成分の付
着し易い微粉が多く含まれているので、効率良く揮発性
成分の除去を行うことができる。窯尻から排ガスを抽気
しサイクロンで分離する従来法は、抜き出す揮発分の量
が不足するため、十分な成果が得られなく、そのため、
又、揮発分の量を確保するにはキルン排ガス量を増加す
る必要があり、熱損失が大となるが、本発明では使用熱
量を増加せずに、排ガス量を増加することもでき、これ
によって分級を強化し、より揮発成分の濃度が高いダス
トが得られ、系外に排出するダスト量が低減できる。
【００４４】また、抽気された排ガスには粗粉（セメン
ト原料）が殆ど含まれていないので、一度加熱された後
冷却され再び回路に戻されるセメント原料の量は従来例
に比べ大幅に減少する。そのため、該セメント原料自体
における熱損失を著しく減少することができるので、効
率良く熱エネルギーを利用することができる。
ト原料）が殆ど含まれていないので、一度加熱された後
冷却され再び回路に戻されるセメント原料の量は従来例
に比べ大幅に減少する。そのため、該セメント原料自体
における熱損失を著しく減少することができるので、効
率良く熱エネルギーを利用することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す図である。
【図４】本発明の第４実施例を示す図である。
【図５】本発明の第５実施例を示す図である。
１ セメントキルン ２ 最下段サイクロン ３ 中段第１サイクロン ４ 中段第２サイクロン ５ 最上段サイクロン １０ 分岐管 １１ サイクロン １１Ａ ガス出口 １１Ｂ 粗粉出口 ２Ａ ガス出口 ３Ａ ガス出口 ４Ａ ガス出口 ５Ａ ガス出口 ２Ｂ 粗粉出口 ３Ｂ 粗粉出口 ４Ｂ 粗粉出口 ５Ｂ 粗粉出口 ＮＳＰ サスペンションプレヒータ ＧＣ 排ガスの回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｆ２７Ｄ 17/00 １０４ Ｂ０１Ｄ 53/34 １３６Ｚ
Claims (11)
- 【請求項１】 サスペンションプレヒータに連続するセ
メントキルン内で発生する排ガスを抽気して揮発性成分
を除去するセメントキルン排ガス処理装置において；該
排ガスの抽気を前記サスペンションプレヒータのサイク
ロンのガス出口から行うことを特徴とするセメントキル
ン排ガス処理装置。 - 【請求項２】 サイクロンが、段状に複数設けられてい
ることを特徴とする請求項１記載のセメントキルン排ガ
ス処理装置。 - 【請求項３】 排ガスの抽気を最下段サイクロンのガス
出口から行うことを特徴とする請求項２記載のセメント
キルン排ガス処理装置。 - 【請求項４】 排ガスの抽気を複数のサイクロンのガス
出口から同時に行うことを特徴とする請求項２記載のセ
メントキルン排ガス処理装置。 - 【請求項５】 複数のサイクロンのガス出口からの抽気
量がそれぞれ等しいことを特徴とする請求項４記載のセ
メントキルン排ガス処理装置。 - 【請求項６】 複数のサイクロンのガス出口からの抽気
量がそれぞれ異なることを特徴とする請求項４記載のセ
メントキルン排ガス処理装置。 - 【請求項７】 サスペンションプレヒータに連続するセ
メントキルン内で発生する排ガスを抽気して揮発性成分
を除去するセメントキルン排ガス処理方法において；該
排ガスの抽気をセメントキルン窯尻排ガス温度より低い
サスペンションプレヒータの抽気部から行うことを特徴
とするセメントキルン排ガス処理方法。 - 【請求項８】 前記抽気部が、サスペンションプレヒー
タのサイクロンのガス出口であることを特徴とする請求
項７記載のセメントキルン排ガス処理方法。 - 【請求項９】 サスペンションプレヒータに連続するセ
メントキルン内で発生する排ガスを抽気して揮発性成分
を除去するセメントキルン排ガス処理方法において；該
排ガスを前記サスペンションプレヒータのサイクロンの
ガス出口から抽気する行程と；抽気した排ガスを固気分
離装置に導入する行程と；該固気分離装置から排出され
る排ガスをダストコレクタに導入する行程と；該ダスト
コレクタから排出される排ガスを前記抽気したサイクロ
ンよりガス流れの下流側に戻す行程と；を備えているこ
とを特徴とするセメントキルン排ガス処理方法。 - 【請求項１０】 固気分離装置の分級点が、１０μｍ以
下、好ましくは７μｍ以下であることを特徴とする請求
項９記載のセメントキルン排ガス処理方法。 - 【請求項１１】 排ガスの抽気量が、総排ガス量の５％
以下であることを特徴とする請求項７、又は、８記載の
セメントキルン排ガス処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033465A JPH09227184A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | セメントキルン排ガス処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033465A JPH09227184A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | セメントキルン排ガス処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227184A true JPH09227184A (ja) | 1997-09-02 |
Family
ID=12387305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8033465A Pending JPH09227184A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | セメントキルン排ガス処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09227184A (ja) |
Cited By (26)
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-
1996
- 1996-02-21 JP JP8033465A patent/JPH09227184A/ja active Pending
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