JPWO2015046200A1 - 抽気冷却装置、塩素バイパスシステム、セメントキルン抽気ガスの処理方法、及びセメント焼成装置 - Google Patents

抽気冷却装置、塩素バイパスシステム、セメントキルン抽気ガスの処理方法、及びセメント焼成装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2015046200A1
JPWO2015046200A1 JP2015539233A JP2015539233A JPWO2015046200A1 JP WO2015046200 A1 JPWO2015046200 A1 JP WO2015046200A1 JP 2015539233 A JP2015539233 A JP 2015539233A JP 2015539233 A JP2015539233 A JP 2015539233A JP WO2015046200 A1 JPWO2015046200 A1 JP WO2015046200A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
extraction
dust
cement
kiln
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015539233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6344867B2 (ja
Inventor
肇 和田
肇 和田
淳一 寺崎
淳一 寺崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Taiheiyo Cement Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiheiyo Cement Corp filed Critical Taiheiyo Cement Corp
Publication of JPWO2015046200A1 publication Critical patent/JPWO2015046200A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6344867B2 publication Critical patent/JP6344867B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B7/00—Hydraulic cements
    • C04B7/36—Manufacture of hydraulic cements in general
    • C04B7/43—Heat treatment, e.g. precalcining, burning, melting; Cooling
    • C04B7/436—Special arrangements for treating part or all of the cement kiln dust
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B11/00—Calcium sulfate cements
    • C04B11/26—Calcium sulfate cements strating from chemical gypsum; starting from phosphogypsum or from waste, e.g. purification products of smoke
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B7/00—Hydraulic cements
    • C04B7/36—Manufacture of hydraulic cements in general
    • C04B7/60—Methods for eliminating alkali metals or compounds thereof, e.g. from the raw materials or during the burning process; methods for eliminating other harmful components
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B7/00—Rotary-drum furnaces, i.e. horizontal or slightly inclined
    • F27B7/20—Details, accessories, or equipment peculiar to rotary-drum furnaces
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D17/00—Arrangements for using waste heat; Arrangements for using, or disposing of, waste gases
    • F27D17/008—Arrangements for using waste heat; Arrangements for using, or disposing of, waste gases cleaning gases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/10—Production of cement, e.g. improving or optimising the production methods; Cement grinding
    • Y02P40/121—Energy efficiency measures, e.g. improving or optimising the production methods

Abstract

【課題】抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、効率よく塩素を除去することのできるセメントキルン抽気ガスの処理方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等を提供する。【解決手段】セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気する抽気装置３と、抽気ガスＧ２中のダスト濃度を低下させる除塵装置４と、ダスト濃度を低下させた抽気ガスを６００℃以下に冷却する冷却装置５と、冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置８と、回収したダストＤ５をセメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備える塩素バイパスシステム１等。冷却装置の後段に、冷却装置で冷却した抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を低下させる第２の除塵装置２２を備え、第２の除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを集塵装置で回収することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、セメント焼成装置から塩素を除去するため、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より抽気した燃焼ガスを処理する方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等に関する。
廃棄物のセメント原料化及び燃料化が推進される中、廃棄物の処理量が増加するのに伴い、セメントキルンに持ち込まれる塩素等の揮発成分の量も増加している。そのため、セメント製造設備におけるプレヒータの閉塞等の問題を引き起こす原因になると共に、製品の品質に影響を与える塩素分を除去する塩素バイパスシステムが不可欠となっている。
この塩素バイパスシステムは、図１１に示すように、セメントキルン８２の窯尻から最下段サイクロン（不図示）に至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ８１をプローブ８３で抽気すると同時に、冷却ファン８４からの冷風で抽気ガスＧ８１をＫＣｌ等の塩素化合物の融点以下（６００℃以下）に冷却し、サイクロン８５で粗粉Ｄ８１を分離した後の抽気ガスＧ８３に含まれる、塩素が濃縮した１０μｍ程度以下の微粉Ｄ８２をバグフィルタ８８で微粉Ｄ８４として回収する。この微粉Ｄ８４と、冷却器８６から回収された微粉Ｄ８３とを塩素バイパスダストＤ８５として系外に排出し、効率よく塩素を除去する。一方、バグフィルタ８８の排ガスＧ８４は、排気ファン９０によってセメントキルン８２の排ガス系に戻される（特許文献１、２）。
日本特開２０００−３５４８３８号公報 日本特開２０１０−１９５６６０号公報
しかし、プローブ８３による抽気ガスＧ８１中の原料ダスト濃度が上昇すると、ＫＣｌ等が原料ダストの表面へ析出し、サイクロン８５で分離される粗粉Ｄ８１と共にセメントキルン８２に戻されて循環塩素量が上昇し、微粉Ｄ８２の塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであって、抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、効率よく塩素を除去することのできるセメントキルン抽気ガスの処理方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気し、該抽気ガス中のダスト濃度を低下させた後６００℃以下に冷却し、該冷却後の抽気ガス中のダストを回収して前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とする。
本発明によれば、抽気ガス中のダスト（原料ダスト）を冷却する前にダストの一部を除去してダスト濃度を低下させた後冷却するため、ＫＣｌ等の塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されてＫＣｌ等の単結晶の析出が促進される。そのため、ダストによる塩素循環量が減少するので塩素除去効率を向上させることができる。
上記セメントキルン抽気ガスの処理方法において、前記抽気ガス中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることができる。通常のセメントキルンでは抽気ガス中のダスト濃度は１００〜５００ｇ/ｍ3Ｎ程度であるため、３０ｇ/ｍ3Ｎ以下までダスト濃度を低下させることで、ダストによる塩素循環量を効果的に減少させることができる。
また、前記抽気ガス中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させ、該ダスト濃度が３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下した抽気ガス中のダストを回収して前記セメントキルンの系外へ排出してもよい。セメントキルンによっては、抽気ガス中のダスト濃度が１０００ｇ/ｍ3Ｎ程度のものも存在するので、段階的にダスト濃度を低減させることで、効率よくダストによる塩素循環量を減少させることができる。
前記抽気ガスを６００℃以下に冷却した後、又は６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後、固気分離し、分離したダストを前記セメントキルンの系外へ排出することができる。
前記固気分離を行う前に、前記抽気ガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することができる。これにより、粘性が高くハンドリング性が極めて悪い塩素バイパスダストのハンドリング性を改善することができる。
また、前記抽気ガスを６００℃以下に冷却した後、又は６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後、湿式集塵し、該湿式集塵によって生じたスラリーを固液分離し、分離したケーキを前記セメントキルンの系外へ排出することができる。分離したケーキを石膏としてセメント製造に用いてもよい。
また、本発明に係る塩素バイパスシステムは、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気装置と、該抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置と、該ダスト濃度を低下させた抽気ガスを６００℃以下に冷却する冷却装置と、該冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする。本発明によれば、上記発明と同様に、ＫＣｌ等の塩素化合物のダスト表面への析出を抑制し、ダストによる塩素循環量を減少させることで塩素除去効率が向上する。
上記塩素バイパスシステムにおいて、前記冷却装置の後段に、該冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる第２の除塵装置を備え、該第２の除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することができ、セメントキルンから抽気した直後のガス中のダスト濃度が比較的高い場合に効果的な装置構成である。
前記抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置又は／及び前記第２の除塵装置をフィルター式装置又はサイクロンとすることができる。
また、前記集塵装置をフィルター式装置としてもよく、湿式集塵機でもよい。湿式集塵機を用いる場合には、湿式集塵機から排出されたスラリーを固液分離する固液分離機を設け、該固液分離機で分離したケーキを前記排出装置で前記セメントキルンの系外へ排出する。
また、本発明は、抽気冷却装置であって、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスを冷却する冷却部とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、分級部で抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、冷却部で微粉を含むガスのみを冷却するため、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を同一の装置で行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストの低減にも繋がる。
上記の抽気冷却装置において、前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及び前記微粉を含むガスの出口部を有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方に連続して存在し、最下部より前記粗粉が排出されるコーン部とで構成され、前記冷却部は、前記コーン部を貫通し、該コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部を通過して前記分級部の前記微粉を含むガスの出口部に連通し、冷却用ガスが通過する管路と、前記コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部に位置する前記管路の一部に穿設された前記微粉を含むガスの流入口とを備えることができる。これにより、遠心力のみで粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、微粉を含むガスを冷却用ガスが通過する管路に導入することができ、簡易な構成を有する抽気冷却装置を提供することができる。
また、本発明は、塩素バイパスシステムであって、前記抽気冷却装置と、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
さらに、前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することができ、セメントキルンから抽気した直後のガス中のダスト濃度が比較的高い場合に効果的な装置構成である。前記集塵装置を、乾式集塵機又は湿式集塵機とすることができる。
また、本発明は、セメントキルン抽気ガスの処理方法であって、前記抽気冷却装置を用いて前記抽気ガスのダスト濃度を３０ｇ／ｍ3Ｎ以下に低下させながら、前記微粉を含むガスを６００℃以下に冷却することを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
上記処理方法において、前記６００℃以下に冷却した微粉を含むガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することができ、粘性が高くハンドリング性が極めて悪い塩素バイパスダストのハンドリング性を改善することができる。
また、本発明は、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えることを特徴とする。
本発明によれば、燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えるため、抽気ガス中の原料ダストが窯尻部で舞い上がったような場合でも、原料ダストが抽気口に流入することを防止することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができる。この効率が向上した分の抽気ガス量を低減することで、廃棄物処理量を維持したまま熱損失の低減を図ることができる。一方、抽気ガス量を維持した場合には、熱損失の低減を図ることはできないが、廃棄物の処理量を増加させることができる。
上記セメント焼成装置において、前記邪魔板は、前記抽気口の水平方向の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短径Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さを、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下とすることができる。
また、前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度を４５度以上９０度以下とすることができる。
さらに、前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接するように構成することができる。
以上のように、本発明によれば、セメントキルンの抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、抽気ガスから効率よく塩素を除去することなどが可能となる。
本発明に係る塩素バイパスシステムの第１の実施形態を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムの第２の実施形態を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムの第３の実施形態を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムの第４の実施形態を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムの第５の実施形態を示す全体構成図である。 図５に示す塩素バイパスシステムの抽気冷却装置を示す概略図である。 本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。 本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来のセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来のセメント焼成装置において抽気ガス中に含まれる原料ダスト濃度が高くなる原因を説明するための図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来の塩素バイパスシステムの一例を示す全体構成図である。
図１は、本発明に係る塩素バイパスシステムの第１の実施形態を示し、この塩素バイパスシステム１は、セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気する抽気装置３と、抽気装置３から排出された抽気ガスＧ２中のダスト濃度を低下させる除塵装置としてのサイクロン４と、サイクロン４から排出された微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３を冷却ファン６からの冷却空気により冷却する冷却装置５と、冷却装置５から排出された抽気ガスＧ４をさらに冷却する冷却器７と、冷却器７から排出された排ガスＧ５から微粉を回収するバグフィルタ８と、バグフィルタ８の排ガスＧ６を系外に排出する排気ファン９等で構成される。
抽気装置３は、上記キルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気するだけで冷却は行わない。抽気装置３には、従来の塩素バイパスシステムで用いられているプローブと同様の構造のものを用いてもよく、高温に耐え得るその他の抽気装置を用いてもよい。
サイクロン４は、抽気ガスＧ２中の粗い原料ダストを回収して抽気ガスＧ２中のダスト濃度を低下させるために備えられる。サイクロン４以外にも、耐熱温度の高いセラミックフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除塵装置を用いることもできる。
冷却装置５は、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３を６００℃以下に冷却するために備えられ、従来塩素バイパスシステムで用いられているプローブと同様の構造のものを用いてもよく、その他の冷却装置を用いてもよい。また、冷却装置５を直列に２段にわたって配置し、各々の冷却装置に冷却ファンを設けて冷却してもよい。
冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９は、図１１に示した従来の塩素バイパスシステム８１の冷却器８６、バグフィルタ８８、排気ファン９０と同様の構造を有する。尚、冷却器７で抽気ガスＧ４を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ８に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器７で抽気ガスＧ４を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ８に耐熱耐酸ナイロンフェルトを備えるものを用いることができる。
次に、上記塩素バイパスシステム１の動作について、図１を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１と、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３とに分離し、粗粉Ｄ１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ３中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ４を冷却器７で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器７の排ガスＧ５をバグフィルタ８に導入して微粉Ｄ４を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ３と共に塩素バイパスダストＤ５とする。この塩素バイパスダストＤ５をセメントキルン２の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ６は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
以上のように、本実施の形態によれば、抽気ガスＧ１中のダスト（原料ダスト）を冷却する前に、ダストの一部をサイクロン４で除去するため、ＫＣｌ等の塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されて塩素化合物の単結晶の析出が促進される。そのため、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第２の実施形態について、図２を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム１１は、上記塩素バイパスシステム１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集塵機１２、排気ファン１６、溶解槽１７、固液分離機１８を設けたものであり、抽気装置３〜冷却ファン６は上記塩素バイパスシステム１と同様のものを用いる。
湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ４に含まれるダストを捕集しつつ、抽気ガスＧ４を水と接触させ、抽気ガスＧ４中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ４に含まれる硫黄分を、サイクロン４から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。
この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂにはサイクロン４から粗粉Ｄ１が供給される。また、粗粉Ｄ１の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を使用することもできる。
湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１７と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１８等が設けられる。
次に、上記塩素バイパスシステム１１の動作について、図２を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１と、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３とに分離し、粗粉Ｄ１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、抽気ガスＧ３中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉Ｄ２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ４を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、スクラバー１３と循環液槽１４との間でスラリーＳを循環させる。湿式集塵機１２で生成されるスラリーＳには、サイクロン４から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）が存在するため、抽気ガスＧ４中に存在する硫黄分（ＳＯ2）と以下のように反応する。
ＳＯ2＋Ｃａ（ＯＨ）2→ＣａＳＯ3・１／２Ｈ2Ｏ＋１／２Ｈ2Ｏ
ＣａＳＯ3・１／２Ｈ2Ｏ＋１／２Ｏ2＋３／２Ｈ2Ｏ→ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ
これにより、抽気ガスＧ４中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
次に、湿式集塵機１２の循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
以上のように、本実施の形態によれば、第１の実施形態と同様に、抽気ガスＧ２中のダストの一部をサイクロン４で除去してダスト濃度を低下させた後冷却するため、塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されてダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。また、サイクロン４からの粗粉Ｄ１や消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を用いて抽気ガスＧ４の脱硫を行うと共に、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第３の実施形態について、図３を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム２１は、上記塩素バイパスシステム１の構成にさらに、冷却装置５の後段にサイクロン２２を設けたことを特徴とし、その他の装置構成は、塩素バイパスシステム１と同様である。
サイクロン２２は、冷却装置５で冷却された抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を低下させる除塵装置として機能し、サイクロン２２以外にも、セラミックフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除塵装置を用いることもできる。
次に、上記塩素バイパスシステム２１の動作について、図３を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、セメントキルン系に戻す。
その後の工程は、第１の実施形態における塩素バイパスシステム１と同様であり、サイクロン２２から排出された抽気ガスＧ１５を冷却器７で冷却し、冷却器７の排ガスＧ１６をバグフィルタ８に導入し、排ガスＧ１６に含まれる微粉Ｄ１５を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ１４と共に塩素バイパスダストＤ１６とする。この塩素バイパスダストＤ１６をセメントキルン２の系外に排出し、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ１７は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
本実施の形態は、抽気ガス（燃焼ガスの一部）Ｇ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができ、サイクロン４によって抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下とした後、冷却装置５で６００℃以下、好ましくは４００℃以下に冷却し、さらにサイクロン２２でダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることで、ＫＣｌ等のダスト表面への析出が抑制されてＫＣｌ等の単結晶の析出が促進され、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第４の実施形態について、図４を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム３１は、図３に示した塩素バイパスシステム２１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集塵機１２、排気ファン１６、溶解槽１７、固液分離機１８を設けたものであり、抽気装置３〜冷却ファン６、及びサイクロン２２は、上記塩素バイパスシステム２１と同様のものを用いる。
湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれるダストを捕集しつつ、抽気ガスＧ１５を水と接触させ、抽気ガスＧ１５中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれる硫黄分を、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。粗粉Ｄ１１、Ｄ１３の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を用いて石膏を生じさせることもできる。
この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂにはサイクロン４、２２から粗粉Ｄ１１、Ｄ１３が供給される。
湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１７と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１８等が設けられる。
次に、上記塩素バイパスシステム３１の動作について、図４を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
次いで、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。
その後の工程は、第２の実施形態における塩素バイパスシステム１１と同様であり、抽気ガスＧ１５を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）により、抽気ガスＧ１５中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
さらに、循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
本実施の形態も、第３の実施形態と同様、抽気ガスＧ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができると共に、サイクロン４、２２からの粗粉Ｄ１１、Ｄ１３を用いて抽気ガスＧ１５の脱硫を行い、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
図５は、本発明に係る塩素バイパスシステムの第５の実施形態を示し、この処理装置６１は、セメントキルン６３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気して冷却する抽気冷却装置６２と、抽気冷却装置６２から排出された微粉を含むガスＧ６２をさらに冷却する冷却器６４と、冷却器６４から排出された排ガスＧ６３から微粉Ｄ６３を回収するバグフィルタ６５と、バグフィルタ６５の排ガスＧ６４を系外に排出する排気ファン６６等で構成される。本実施形態は、上記図１に示した塩素バイパスシステム１の抽気装置３、サイクロン４及び冷却装置５に代えて抽気冷却装置６２を設けたことを特徴としている。
図６は、抽気冷却装置６２を示し、この抽気冷却装置６２は、セメントキルン６３からの燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気する管路からなる抽気部６２ａと、有蓋円筒部６２ｂ及びコーン部６２ｃからなり、抽気ガスＧ６１を遠心力によって粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離する分級部６２ｄと、冷却用ガスＡが通過する管路からなる冷却部６２ｅとで構成される。
分級部６２ｄの有蓋円筒部６２ｂには、抽気ガスＧ６１の入口部（不図示）と、微粉を含むガスＧ６２の出口部６２ｇとが形成され、コーン部６２ｃの最下部は粗粉Ｄ６１の排出口となっている。
冷却部６２ｅは、コーン部６２ｃを貫通し、コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部を通過して出口部６２ｇに連通し、内部を冷却用ガスＡが通過する。コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部に位置する冷却部６２ｅにはガス流入口６２ｆが穿設され、ガス流入口６２ｆから粗粉Ｄ６１が分離された微粉を含むガスＧ６２が流入する。
冷却器６４、バグフィルタ６５、排気ファン６６は、図１１に示した従来の塩素バイパスシステム８１の冷却器８６、バグフィルタ８８、排気ファン９０と同様の構造を有する。尚、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ６５に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ６５に耐熱耐酸ナイロンフェルトを備えるものを用いることができる。
次に、上記処理装置６１の動作について、図５及び図６を参照しながら説明する。
セメントキルン６３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気冷却装置６２の抽気部６２ａによって抽気し、抽気ガスＧ６１を分級部６２ｄにおいて粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離し、粗粉Ｄ６１をセメントキルン系に戻す。これによって、微粉を含むガスＧ６２中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、ガス流入口６２ｆから冷却部６２ｅに導入された８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ６２に冷却用ガスＡを吹き付け、微粉を含むガスＧ６２をＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ６２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉の表面等に付着する。
次に、抽気冷却装置６２から排出した微粉を含むガスＧ６２を冷却器６４で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器６４の排ガスＧ６３をバグフィルタ６５に導入して微粉Ｄ６３を回収し、冷却器６４から回収した微粉Ｄ６２と共に塩素バイパスダストＤ６４とする。この塩素バイパスダストＤ６４をセメントキルン６３の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ６５の排ガスＧ６４は、排気ファン６６によってセメントキルン６３の排ガス系に戻される。
以上のように、本実施の形態によれば、抽気ガスＧ６１を粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離し、微粉を含むガスＧ６２のみを冷却するため、抽気ガスＧ６２中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を抽気冷却装置６２のみで行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストを低減することもできる。
また、詳細説明を省略するが、本実施の形態における抽気冷却装置６２を上記図２〜図４に示した塩素バイパスシステムの第２〜第４の実施形態に適用することもでき、その場合も上記と同様の効果を奏する。
尚、上記第１〜第５の実施形態において、図１及び図５に示した冷却器７、６４で回収した微粉Ｄ３、Ｄ６２及びバグフィルタ８、６５で回収した微粉Ｄ４、Ｄ６３は塩素濃度が高く、これに伴い粘性が高くなって極めてハンドリング性が悪化している。そこで、抽気ガス（微粉を含むガス）Ｇ４、Ｇ６２に石灰石の微粉末、セメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料等を投入することで、これらの微粉のハンドリング性を改善することができる。
次に、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態について図７〜図１０を参照しながら説明する。
図９は、従来のセメント焼成装置の窯尻部を示し、セメントキルン７２には、インレットフッド７６を介して上方の仮焼炉に連続するライジングダクト（セメントキルン７２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路の一部）７３が接続され、ライジングダクト７３には、上方の最下段サイクロンからの原料シュート７４と、燃焼ガスの一部を抽気するためのプローブ７５が設けられる。ライジングダクト７３には、原料シュート７４からの原料の供給口７４ａと、プローブ７５による抽気のための抽気口７５ａが穿設される。
この窯尻部では、原料シュート７４から供給口７４ａを通過してセメントキルン７２にセメント原料（以下「原料」という。）Ｒが供給され、セメントキルン７２内で焼成されるが、原料Ｒの一部は、窯尻部での燃焼ガス流れに乗って矢印で示す方向に流れる。
本発明者らは、通常状態では燃焼ガス流れに乗って仮焼炉側に流れる原料Ｒの量はそれほど多くはなく、プローブ７５によって抽気される燃焼ガス中のダスト濃度は高くはないが、次に示す３つの要因によりセメント抽気ガス中の原料ダスト濃度が高くなることを見出し本発明をなすに至った。すなわち、図１０に示すように、
（１）インレットフッド７６の下部にコーチングＣが生成すると、原料シュート７４からの原料Ｒがセメントキルン７２内へ進入することが妨げられ、ライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
（２）原料シュート７４の供給口７４ａからセメントキルン７２の入口までの原料流路（斜面）７３ｂに段差等があり、滑らかでないと、原料シュート７４からの原料Ｒがライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
（３）セメントキルン７２の回転数が一定の範囲以上又は以下の場合に、原料Ｒがスムーズにセメントキルン７２内に流れ込まずにライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
図７は、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態を示し、このセメント焼成装置７１は、ライジングダクト７３に穿設された、プローブ７５による抽気のための抽気口７５ａの下方に、上記のようにして舞い上がった原料Ｒが抽気口７５ａに吸い込まれるのを抑制する邪魔板７７を備える。
この邪魔板７７は、例えば耐火物を施工して形成することができ、図７（ａ）に示すように、ライジングダクト７３の内壁７３ａに対する角度θを４５度以上９０度以下に設定する。また、図７（ｃ）に示すように、内壁７３ａの寸法を上面視でＬ１（セメントキルン７２の軸線方向の内壁の長さ）、Ｌ２（セメントキルン７２の軸線方向に対して垂直方向の内壁の長さ）とした場合、邪魔板７７の寸法（角度θに関わらず内壁７３ａから突出した矩形状部分の寸法）は、長辺ａを楕円形の抽気口７５ａの短径Ｄ１以上Ｌ１以下とし、短辺ｂを（Ｌ２）／３以下に設定する。また、邪魔板７７の取付高さＬ（抽気口７５ａの中心から、邪魔板７７の上面が内壁７３ａに当接する位置までの距離）は、抽気口７５ａの中心から、抽気口７５ａの長径Ｄ２の１／２倍以上３／２以下下方の位置に設定する。これらの角度θや、邪魔板７７の寸法ａ、ｂ及び取付高さＬは、抽気ガス中の原料ダストの抽気口７５ａへの流入状況に合わせて適宜変更する。尚、プローブ７５や邪魔板７７の取付位置は、図７（ｃ）に限定されず、ライジングダクト７３の全周面のいずれであってもよい。
この邪魔板７７を設けることで、図８に示すように、セメントキルン７２からライジングダクト７３に流入する燃焼ガスやダストの流れを抽気口７５ａから離間するように変化させることができる。これにより、燃焼ガス中のダストは慣性力によって抽気口７５ａから離間する方向に流れ、抽気口７５ａへのダストの吸い込み量を低減することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることができる。
１ 塩素バイパスシステム
２ セメントキルン
３ 抽気装置
４ サイクロン
５ 冷却装置
６ 冷却ファン
７ 冷却器
８ バグフィルタ
９ 排気ファン
１１ 塩素バイパスシステム
１２ 湿式集塵機
１３ スクラバー
１４ 循環液槽
１４ａ ポンプ
１４ｂ スラリー循環路
１５ 洗浄塔
１６ 排気ファン
１７ 溶解槽
１８ 固液分離機
２１ 塩素バイパスシステム
２２ サイクロン
３１ 塩素バイパスシステム
６１ 塩素バイパスシステム
６２ 抽気冷却装置
６２ａ 抽気部
６２ｂ 有蓋円筒部
６２ｃ コーン部
６２ｄ 分級部
６２ｅ 冷却部
６２ｆ ガス流入口
６２ｇ 出口部
６３ セメントキルン
６４ 冷却器
６５ バグフィルタ
６６ 排気ファン
７１ セメント焼成装置
７２ セメントキルン
７３ ライジングダクト
７３ａ 内壁
７３ｂ 原料流路
７４ 原料シュート
７４ａ 供給口
７５ プローブ
７５ａ 抽気口
７６ インレットフッド
７７ 邪魔板
【０００４】
び前記微粉を含むガスの出口部を有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方
【０００６】
［００２４］
上記処理方法において、前記６００℃以下に冷却した微粉を含むガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することができ、粘性が高くハンドリング性が極めて悪い塩素バイパスダストのハンドリング性を改善することができる。
［００２５］
また、本発明は、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備え、前記邪魔板は、前記抽気口の水平方向の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短径Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さを、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下とすることを特徴とする。
［００２６］
本発明によれば、燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えるため、抽気ガス中の原料ダストが窯尻部で舞い上がったような場合でも、原料ダストが抽気口に流入することを防止することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができる。この効率が向上した分の抽気ガス量を低減することで、廃棄物処理量を維持したまま熱損失の低減を図ることができる。一方、抽気ガス量を維持した場合には、熱損失の低減を図ることはできないが、廃棄物の処理量を増加させることができる。
［００２７］
［００２８］
また、前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度を４５度以上９０度以下とすることができる。
［００２９］
さらに、前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接するように構成することができる。
【０００１】
技術分野
［０００１］
本発明は、セメント焼成装置から塩素を除去するため、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より抽気した燃焼ガスを処理する方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等に関する。
背景技術
［０００２］
廃棄物のセメント原料化及び燃料化が推進される中、廃棄物の処理量が増加するのに伴い、セメントキルンに持ち込まれる塩素等の揮発成分の量も増加している。そのため、セメント製造設備におけるプレヒータの閉塞等の問題を引き起こす原因になると共に、製品の品質に影響を与える塩素分を除去する塩素バイパスシステムが不可欠となっている。
［０００３］
この塩素バイパスシステムは、図１１に示すように、セメントキルン８２の窯尻から最下段サイクロン（不図示）に至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ８１をプローブ８３で抽気すると同時に、冷却ファン８４からの冷風で抽気ガスＧ８１をＫＣｌ等の塩素化合物の融点以下（６００℃以下）に冷却し、サイクロン８５で粗粉Ｄ８１を分離した後の抽気ガスＧ８３に含まれる、塩素が濃縮した１０μｍ程度以下の微粉Ｄ８２をバグフィルタ８８で微粉Ｄ８４として回収する。この微粉Ｄ８４と、冷却器８６から回収された微粉Ｄ８３とを塩素バイパスダストＤ８５として系外に排出し、効率よく塩素を除去する。一方、バグフィルタ８８の排ガスＧ８４は、排気ファン９０によってセメントキルン８２の排ガス系に戻される（特許文献１、２）。
先行技術文献
【０００２】
特許文献
［０００４］
特許文献１：日本特開２０００−３５４８３８号公報
特許文献２：日本特開２０１０−１９５６６０号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
［０００５］
しかし、プローブ８３による抽気ガスＧ８１中の原料ダスト濃度が上昇すると、ＫＣｌ等が原料ダストの表面へ析出し、サイクロン８５で分離される粗粉Ｄ８１と共にセメントキルン８２に戻されて循環塩素量が上昇し、微粉Ｄ８２の塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下するという問題があった。
［０００６］
そこで、本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであって、抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、効率よく塩素を除去することのできるセメントキルン抽気ガスの処理方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［０００７］
［０００８］
［０００９］
【０００３】
［００１０］
［００１１］
［００１２］
［００１３］
［００１４］
【０００４】
［００１５］
［００１６］
［００１７］
［００１８］
また、本発明は、単一の装置である抽気冷却装置であって、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスを冷却する冷却部とを備えることを特徴とする。
［００１９］
本発明によれば、分級部で抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、冷却部で微粉を含むガスのみを冷却するため、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を同一の装置で行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストの低減にも繋がる。
［００２０］
上記の抽気冷却装置において、前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及
【０００７】
発明の効果
［００３０］
以上のように、本発明によれば、セメントキルンの抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、抽気ガスから効率よく塩素を除去することなどが可能となる。
図面の簡単な説明
［００３１］
［図１］本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第１の参考例を示す全体構成図である。
［図２］本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第２の参考例を示す全体構成図である。
［図３］本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第３の参考例を示す全体構成図である。
［図４］本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第４の参考例を示す全体構成図である。
［図５］本発明に係る塩素バイパスシステムの一実施の形態を示す全体構成図である。
［図６］図５に示す塩素バイパスシステムの抽気冷却装置を示す概略図である。
［図７］本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
［図８］本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
［図９］従来のセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
［図１０］従来のセメント焼成装置において抽気ガス中に含まれる原料ダスト濃度が高くなる原因を説明するための図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
［図１１］従来の塩素バイパスシステムの一例を示す全体構成図である。
発明を実施するための形態
［００３２］
図１は、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第１の参考例を示し、こ
【０００９】
るものを用いることができる。
［００３７］
次に、上記塩素バイパスシステム１の動作について、図１を参照しながら説明する。
［００３８］
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１と、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３とに分離し、粗粉Ｄ１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ３中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
［００３９］
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ２の表面等に付着する。
［００４０］
次に、抽気ガスＧ４を冷却器７で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器７の排ガスＧ５をバグフィルタ８に導入して微粉Ｄ４を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ３と共に塩素バイパスダストＤ５とする。この塩素バイパスダストＤ５をセメントキルン２の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ６は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
［００４１］
以上のように、上記塩素バイパスシステム１によれば、抽気ガスＧ１中のダスト（原料ダスト）を冷却する前に、ダストの一部をサイクロン４で除去するため、ＫＣｌ等の塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されて塩素化合物の単結晶の析出が促進される。そのため、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
［００４２］
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第２の参考例について、図２を参照しながら説明する。
［００４３］
この塩素バイパスシステム１１は、上記塩素バイパスシステム１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集麈機１２、排気ファン
【００１１】
で生成されるスラリーＳには、サイクロン４から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）が存在するため、抽気ガスＧ４中に存在する硫黄分（ＳＯ２）と以下のように反応する。
［００５１］
ＳＯ２＋Ｃａ（ＯＨ）２→ＣａＳＯ３・１／２Ｈ２Ｏ＋１／２Ｈ２Ｏ
ＣａＳＯ３・１／２Ｈ２Ｏ＋１／２Ｏ２＋３／２Ｈ２Ｏ→ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ
これにより、抽気ガスＧ４中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ）が生成される。湿式集麈後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
［００５２］
次に、湿式集塵機１２の循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
［００５３］
以上のように、上記塩素バイパスシステム１１によれば、上記塩素バイパスシステム１と同様に、抽気ガスＧ２中のダストの一部をサイクロン４で除去してダスト濃度を低下させた後冷却するため、塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されてダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。また、サイクロン４からの粗粉Ｄ１や消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）等の薬剤を用いて抽気ガスＧ４の脱硫を行うと共に、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
［００５４］
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第３の参考例について、図３を参照しながら説明する。
［００５５］
この塩素バイパスシステム２１は、上記塩素バイパスシステム１の構成にさらに、冷却装置５の後段にサイクロン２２を設けたことを特徴とし、その他の装置構成は、塩素バイパスシステム１と同様である。
［００５６］
サイクロン２２は、冷却装置５で冷却された抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を低下させる除麈装置として機能し、サイクロン２２以外にも、セラミッ
【００１２】
クフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除麈装置を用いることもできる。
［００５７］
次に、上記塩素バイパスシステム２１の動作について、図３を参照しながら説明する。
［００５８］
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
［００５９］
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
［００６０］
次に、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、セメントキルン系に戻す。
［００６１］
その後の工程は、第１の参考例における塩素バイパスシステム１と同様であり、サイクロン２２から排出された抽気ガスＧ１５を冷却器７で冷却し、冷却器７の排ガスＧ１６をバグフィルタ８に導入し、排ガスＧ１６に含まれる微粉Ｄ１５を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ１４と共に塩素バイパスダストＤ１６とする。この塩素バイパスダストＤ１６をセメントキルン２の系外に排出し、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ１７は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
［００６２］
上記塩素バイパスシステム２１は、抽気ガス（燃焼ガスの一部）Ｇ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができ、サイクロン４によって抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下とした後、冷却装置５
【００１３】
で６００℃以下、好ましくは４００℃以下に冷却し、さらにサイクロン２２でダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させることで、ＫＣｌ等のダスト表面への析出が抑制されてＫＣｌ等の単結晶の析出が促進され、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
［００６３］
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第４の参考例について、図４を参照しながら説明する。
［００６４］
この塩素バイパスシステム３１は、図３に示した塩素バイパスシステム２１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集麈機１２、排気ファン１６、溶解槽１７、固液分離機１８を設けたものであり、抽気装置３〜冷却ファン６、及びサイクロン２２は、上記塩素バイパスシステム２１と同様のものを用いる。
［００６５］
湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれるダストを捕集しつつ、抽気ガスＧ１５を水と接触させ、抽気ガスＧ１５中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれる硫黄分を、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。粗粉Ｄ１１、Ｄ１３の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）等の薬剤を用いて石膏を生じさせることもできる。
［００６６］
この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂにはサイクロン４、２２から粗粉Ｄ１１、Ｄ１３が供給される。
［００６７］
湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１７と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１８等が設けられる。
［００６８］
次に、上記塩素バイパスシステム３１の動作について、図４を参照しながら説明する。
［００６９］
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス
【００１４】
流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
［００７０］
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
［００７１］
次いで、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。
［００７２］
その後の工程は、第２の参考例における塩素バイパスシステム１１と同様であり、抽気ガスＧ１５を湿式集麈機１２のスクラバー１３に導入し、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）により、抽気ガスＧ１５中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
［００７３］
さらに、循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる、石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
［００７４］
上記塩素バイパスシステム３１も、上記塩素バイパスシステム２１と同様、抽気ガスＧ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができると共に、サイクロン４、２２からの粗粉Ｄ１１、Ｄ１３を用いて抽気ガスＧ１５の脱硫を行い、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
【００１５】
［００７５］
図５は、本発明に係る塩素バイパスシステムの一実施の形態を示し、この処理装置６１は、セメントキルン６３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気して冷却する抽気冷却装置６２と、抽気冷却装置６２から排出された微粉を含むガスＧ６２をさらに冷却する冷却器６４と、冷却器６４から排出された排ガスＧ６３から微粉Ｄ６３を回収するバグフィルタ６５と、バグフィルタ６５の排ガスＧ６４を系外に排出する排気ファン６６等で構成される。本実施形態は、上記図１に示した塩素バイパスシステム１の抽気装置３、サイクロン４及び冷却装置５に代えて抽気冷却装置６２を設けたことを特徴としている。
［００７６］
図６は、抽気冷却装置６２を示し、この抽気冷却装置６２は、セメントキルン６３からの燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気する管路からなる抽気部６２ａと、有蓋円筒部６２ｂ及びコーン部６２ｃからなり、抽気ガスＧ６１を遠心力によって粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離する分級部６２ｄと、冷却用ガスＡが通過する管路からなる冷却部６２ｅとで構成される。
［００７７］
分級部６２ｄの有蓋円筒部６２ｂには、抽気ガスＧ６１の入口部（不図示）と、微粉を含むガスＧ６２の出口部６２ｇとが形成され、コーン部６２ｃの最下部は粗粉Ｄ６１の排出口となっている。
［００７８］
冷却部６２ｅは、コーン部６２ｃを貫通し、コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部を通過して出口部６２ｇに連通し、内部を冷却用ガスＡが通過する。コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部に位置する冷却部６２ｅにはガス流入口６２ｆが穿設され、ガス流入口６２ｆから粗粉Ｄ６１が分離された微粉を含むガスＧ６２が流入する。
［００７９］
冷却器６４、バグフィルタ６５、排気ファン６６は、図１１に示した従来の塩素バイパスシステム８１の冷却器８６、バグフィルタ８８、排気ファン９０と同様の構造を有する。尚、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ６５に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ６５に
【００１７】
６２のみで行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストを低減することもできる。
［００８５］
また、詳細説明を省略するが、本実施の形態における抽気冷却装置６２を上記図２〜図４に示した塩素バイパスシステムに適用することもでき、その場合も上記と同様の効果を奏する。
［００８６］
尚、上記図１〜図５に示した塩素バイパスシステムにおいて、図１及び図５に示した冷却器７、６４で回収した微粉Ｄ３、Ｄ６２及びバグフィルタ８、６５で回収した微粉Ｄ４、Ｄ６３は塩素濃度が高く、これに伴い粘性が高くなって極めてハンドリング性が悪化している。そこで、抽気ガス（微粉を含むガス）Ｇ４、Ｇ６２に石灰石の微粉末、セメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料等を投入することで、これらの微粉のハンドリング性を改善することができる。
［００８７］
次に、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態について図７〜図１０を参照しながら説明する。
［００８８］
図９は、従来のセメント焼成装置の窯尻部を示し、セメントキルン７２には、インレットフッド７６を介して上方の仮焼炉に連続するライジングダクト（セメントキルン７２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路の一部）７３が接続され、ライジングダクト７３には、上方の最下段サイクロンからの原料シュート７４と、燃焼ガスの一部を抽気するためのプローブ７５が設けられる。ライジングダクト７３には、原料シュート７４からの原料の供給口７４ａと、プローブ７５による抽気のための抽気口７５ａが穿設される。
［００８９］
この窯尻部では、原料シュート７４から供給口７４ａを通過してセメントキルン７２にセメント原料（以下「原料」という。）Ｒが供給され、セメントキルン７２内で焼成されるが、原料Ｒの一部は、窯尻部での燃焼ガス流れに乗って矢印で示す方向に流れる。
［００９０］
本発明者らは、通常状態では燃焼ガス流れに乗って仮焼炉側に流れる原料Ｒの量はそれほど多くはなく、プローブ７５によって抽気される燃焼ガス中
本発明は、セメント焼成装置から塩素を除去するため、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より抽気した燃焼ガスを処理する方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等に関する。
廃棄物のセメント原料化及び燃料化が推進される中、廃棄物の処理量が増加するのに伴い、セメントキルンに持ち込まれる塩素等の揮発成分の量も増加している。そのため、セメント製造設備におけるプレヒータの閉塞等の問題を引き起こす原因になると共に、製品の品質に影響を与える塩素分を除去する塩素バイパスシステムが不可欠となっている。
この塩素バイパスシステムは、図１１に示すように、セメントキルン８２の窯尻から最下段サイクロン（不図示）に至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ８１をプローブ８３で抽気すると同時に、冷却ファン８４からの冷風で抽気ガスＧ８１をＫＣｌ等の塩素化合物の融点以下（６００℃以下）に冷却し、サイクロン８５で粗粉Ｄ８１を分離した後の抽気ガスＧ８３に含まれる、塩素が濃縮した１０μｍ程度以下の微粉Ｄ８２をバグフィルタ８８で微粉Ｄ８４として回収する。この微粉Ｄ８４と、冷却器８６から回収された微粉Ｄ８３とを塩素バイパスダストＤ８５として系外に排出し、効率よく塩素を除去する。一方、バグフィルタ８８の排ガスＧ８４は、排気ファン９０によってセメントキルン８２の排ガス系に戻される（特許文献１、２）。
日本特開２０００−３５４８３８号公報 日本特開２０１０−１９５６６０号公報
しかし、プローブ８３による抽気ガスＧ８１中の原料ダスト濃度が上昇すると、ＫＣｌ等が原料ダストの表面へ析出し、サイクロン８５で分離される粗粉Ｄ８１と共にセメントキルン８２に戻されて循環塩素量が上昇し、微粉Ｄ８２の塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであって、抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、効率よく塩素を除去することのできるセメントキルン抽気ガスの処理方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置等を提供することを目的とする。
また、本発明は、単一の装置である抽気冷却装置であって、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスを冷却する冷却部とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、分級部で抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、冷却部で微粉を含むガスのみを冷却するため、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を同一の装置で行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストの低減にも繋がる。
上記の抽気冷却装置において、前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及び前記微粉を含むガスの出口部を有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方に連続して存在し、最下部より前記粗粉が排出されるコーン部とで構成され、前記冷却部は、前記コーン部を貫通し、該コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部を通過して前記分級部の前記微粉を含むガスの出口部に連通し、冷却用ガスが通過する管路と、前記コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部に位置する前記管路の一部に穿設された前記微粉を含むガスの流入口とを備えることができる。これにより、遠心力のみで粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、微粉を含むガスを冷却用ガスが通過する管路に導入することができ、簡易な構成を有する抽気冷却装置を提供することができる。
また、本発明は、塩素バイパスシステムであって、前記抽気冷却装置と、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
さらに、前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することができ、セメントキルンから抽気した直後のガス中のダスト濃度が比較的高い場合に効果的な装置構成である。前記集塵装置を、乾式集塵機又は湿式集塵機とすることができる。
また、本発明は、セメントキルン抽気ガスの処理方法であって、前記抽気冷却装置を用いて前記抽気ガスのダスト濃度を３０ｇ／ｍ3Ｎ以下に低下させながら、前記微粉を含むガスを６００℃以下に冷却することを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
上記処理方法において、前記６００℃以下に冷却した微粉を含むガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することができ、粘性が高くハンドリング性が極めて悪い塩素バイパスダストのハンドリング性を改善することができる。
また、本発明は、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備え、前記邪魔板は、前記抽気口の水平方向の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短径Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さを、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下とすることを特徴とする。
本発明によれば、燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えるため、抽気ガス中の原料ダストが窯尻部で舞い上がったような場合でも、原料ダストが抽気口に流入することを防止することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができる。この効率が向上した分の抽気ガス量を低減することで、廃棄物処理量を維持したまま熱損失の低減を図ることができる。一方、抽気ガス量を維持した場合には、熱損失の低減を図ることはできないが、廃棄物の処理量を増加させることができる。
また、前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度を４５度以上９０度以下とすることができる。
さらに、前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接するように構成することができる。
以上のように、本発明によれば、セメントキルンの抽気ガス中の原料ダスト濃度が高い場合でも、抽気ガスから効率よく塩素を除去することなどが可能となる。
本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第１の参考例を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第２の参考例を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第３の参考例を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第４の参考例を示す全体構成図である。 本発明に係る塩素バイパスシステムの一実施の形態を示す全体構成図である。 図５に示す塩素バイパスシステムの抽気冷却装置を示す概略図である。 本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。 本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来のセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来のセメント焼成装置において抽気ガス中に含まれる原料ダスト濃度が高くなる原因を説明するための図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。 従来の塩素バイパスシステムの一例を示す全体構成図である。
図１は、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第１の参考例を示し、この塩素バイパスシステム１は、セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気する抽気装置３と、抽気装置３から排出された抽気ガスＧ２中のダスト濃度を低下させる除塵装置としてのサイクロン４と、サイクロン４から排出された微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３を冷却ファン６からの冷却空気により冷却する冷却装置５と、冷却装置５から排出された抽気ガスＧ４をさらに冷却する冷却器７と、冷却器７から排出された排ガスＧ５から微粉を回収するバグフィルタ８と、バグフィルタ８の排ガスＧ６を系外に排出する排気ファン９等で構成される。
抽気装置３は、上記キルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気するだけで冷却は行わない。抽気装置３には、従来の塩素バイパスシステムで用いられているプローブと同様の構造のものを用いてもよく、高温に耐え得るその他の抽気装置を用いてもよい。
サイクロン４は、抽気ガスＧ２中の粗い原料ダストを回収して抽気ガスＧ２中のダスト濃度を低下させるために備えられる。サイクロン４以外にも、耐熱温度の高いセラミックフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除塵装置を用いることもできる。
冷却装置５は、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３を６００℃以下に冷却するために備えられ、従来塩素バイパスシステムで用いられているプローブと同様の構造のものを用いてもよく、その他の冷却装置を用いてもよい。また、冷却装置５を直列に２段にわたって配置し、各々の冷却装置に冷却ファンを設けて冷却してもよい。
冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９は、図１１に示した従来の塩素バイパスシステム８１の冷却器８６、バグフィルタ８８、排気ファン９０と同様の構造を有する。尚、冷却器７で抽気ガスＧ４を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ８に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器７で抽気ガスＧ４を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ８に耐熱耐酸ナイロンフェルトを備えるものを用いることができる。
次に、上記塩素バイパスシステム１の動作について、図１を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１と、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３とに分離し、粗粉Ｄ１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ３中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ４を冷却器７で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器７の排ガスＧ５をバグフィルタ８に導入して微粉Ｄ４を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ３と共に塩素バイパスダストＤ５とする。この塩素バイパスダストＤ５をセメントキルン２の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ６は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
以上のように、上記塩素バイパスシステム１によれば、抽気ガスＧ１中のダスト（原料ダスト）を冷却する前に、ダストの一部をサイクロン４で除去するため、ＫＣｌ等の塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されて塩素化合物の単結晶の析出が促進される。そのため、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第２の参考例について、図２を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム１１は、上記塩素バイパスシステム１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集塵機１２、排気ファン１６、溶解槽１７、固液分離機１８を設けたものであり、抽気装置３〜冷却ファン６は上記塩素バイパスシステム１と同様のものを用いる。
湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ４に含まれるダストを捕集しつつ、抽気ガスＧ４を水と接触させ、抽気ガスＧ４中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ４に含まれる硫黄分を、サイクロン４から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。
この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂにはサイクロン４から粗粉Ｄ１が供給される。また、粗粉Ｄ１の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を使用することもできる。
湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１７と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１８等が設けられる。
次に、上記塩素バイパスシステム１１の動作について、図２を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１と、微粉Ｄ２を含む抽気ガスＧ３とに分離し、粗粉Ｄ１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、抽気ガスＧ３中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉Ｄ２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ４を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、スクラバー１３と循環液槽１４との間でスラリーＳを循環させる。湿式集塵機１２で生成されるスラリーＳには、サイクロン４から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）が存在するため、抽気ガスＧ４中に存在する硫黄分（ＳＯ2）と以下のように反応する。
ＳＯ2＋Ｃａ（ＯＨ）2→ＣａＳＯ3・１／２Ｈ2Ｏ＋１／２Ｈ2Ｏ
ＣａＳＯ3・１／２Ｈ2Ｏ＋１／２Ｏ2＋３／２Ｈ2Ｏ→ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ
これにより、抽気ガスＧ４中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
次に、湿式集塵機１２の循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
以上のように、上記塩素バイパスシステム１１によれば、上記塩素バイパスシステム１と同様に、抽気ガスＧ２中のダストの一部をサイクロン４で除去してダスト濃度を低下させた後冷却するため、塩素化合物のダスト表面への析出が抑制されてダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。また、サイクロン４からの粗粉Ｄ１や消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を用いて抽気ガスＧ４の脱硫を行うと共に、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第３の参考例について、図３を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム２１は、上記塩素バイパスシステム１の構成にさらに、冷却装置５の後段にサイクロン２２を設けたことを特徴とし、その他の装置構成は、塩素バイパスシステム１と同様である。
サイクロン２２は、冷却装置５で冷却された抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を低下させる除塵装置として機能し、サイクロン２２以外にも、セラミックフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除塵装置を用いることもできる。
次に、上記塩素バイパスシステム２１の動作について、図３を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１をセメントキルン系に戻す。これによって、抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
次に、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、セメントキルン系に戻す。
その後の工程は、第１の参考例における塩素バイパスシステム１と同様であり、サイクロン２２から排出された抽気ガスＧ１５を冷却器７で冷却し、冷却器７の排ガスＧ１６をバグフィルタ８に導入し、排ガスＧ１６に含まれる微粉Ｄ１５を回収し、冷却器７から回収した微粉Ｄ１４と共に塩素バイパスダストＤ１６とする。この塩素バイパスダストＤ１６をセメントキルン２の系外に排出し、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ８の排ガスＧ１７は、排気ファン９によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
上記塩素バイパスシステム２１は、抽気ガス（燃焼ガスの一部）Ｇ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができ、サイクロン４によって抽気ガスＧ１３中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下とした後、冷却装置５で６００℃以下、好ましくは４００℃以下に冷却し、さらにサイクロン２２でダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることで、ＫＣｌ等のダスト表面への析出が抑制されてＫＣｌ等の単結晶の析出が促進され、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
次に、本発明に係る塩素バイパスシステムを説明するための塩素バイパスシステムの第４の参考例について、図４を参照しながら説明する。
この塩素バイパスシステム３１は、図３に示した塩素バイパスシステム２１の冷却器７、バグフィルタ８、排気ファン９に代えて、湿式集塵機１２、排気ファン１６、溶解槽１７、固液分離機１８を設けたものであり、抽気装置３〜冷却ファン６、及びサイクロン２２は、上記塩素バイパスシステム２１と同様のものを用いる。
湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれるダストを捕集しつつ、抽気ガスＧ１５を水と接触させ、抽気ガスＧ１５中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、抽気ガスＧ１５に含まれる硫黄分を、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。粗粉Ｄ１１、Ｄ１３の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）等の薬剤を用いて石膏を生じさせることもできる。
この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂにはサイクロン４、２２から粗粉Ｄ１１、Ｄ１３が供給される。
湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１７と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１８等が設けられる。
次に、上記塩素バイパスシステム３１の動作について、図４を参照しながら説明する。
セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１１を抽気装置３によって抽気し、抽気ガスＧ１２をサイクロン４に導入し、粗粉Ｄ１１と、微粉Ｄ１２を含む抽気ガスＧ１３とに分離し、粗粉Ｄ１１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、抽気ガスＧ１４中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、８００〜１１００℃程度の抽気ガスＧ１３を冷却装置５においてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、抽気ガスＧ１３中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉Ｄ１２の表面等に付着する。
次いで、抽気ガスＧ１４をサイクロン２２に供給し、抽気ガスＧ１５中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ１３は、循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。
その後の工程は、第２の参考例における塩素バイパスシステム１１と同様であり、抽気ガスＧ１５を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、サイクロン４、２２から供給された粗粉Ｄ１１、Ｄ１３等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）2）により、抽気ガスＧ１５中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン１６によってセメントキルン２の排ガス系に戻される。
さらに、循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１７でさらに水と混合し、固液分離機１８で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
上記塩素バイパスシステム３１も、上記塩素バイパスシステム２１と同様、抽気ガスＧ１１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができると共に、サイクロン４、２２からの粗粉Ｄ１１、Ｄ１３を用いて抽気ガスＧ１５の脱硫を行い、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
図５は、本発明に係る塩素バイパスシステムの一実施の形態を示し、この処理装置６１は、セメントキルン６３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気して冷却する抽気冷却装置６２と、抽気冷却装置６２から排出された微粉を含むガスＧ６２をさらに冷却する冷却器６４と、冷却器６４から排出された排ガスＧ６３から微粉Ｄ６３を回収するバグフィルタ６５と、バグフィルタ６５の排ガスＧ６４を系外に排出する排気ファン６６等で構成される。本実施形態は、上記図１に示した塩素バイパスシステム１の抽気装置３、サイクロン４及び冷却装置５に代えて抽気冷却装置６２を設けたことを特徴としている。
図６は、抽気冷却装置６２を示し、この抽気冷却装置６２は、セメントキルン６３からの燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気する管路からなる抽気部６２ａと、有蓋円筒部６２ｂ及びコーン部６２ｃからなり、抽気ガスＧ６１を遠心力によって粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離する分級部６２ｄと、冷却用ガスＡが通過する管路からなる冷却部６２ｅとで構成される。
分級部６２ｄの有蓋円筒部６２ｂには、抽気ガスＧ６１の入口部（不図示）と、微粉を含むガスＧ６２の出口部６２ｇとが形成され、コーン部６２ｃの最下部は粗粉Ｄ６１の排出口となっている。
冷却部６２ｅは、コーン部６２ｃを貫通し、コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部を通過して出口部６２ｇに連通し、内部を冷却用ガスＡが通過する。コーン部６２ｃ及び有蓋円筒部６２ｂの中心部に位置する冷却部６２ｅにはガス流入口６２ｆが穿設され、ガス流入口６２ｆから粗粉Ｄ６１が分離された微粉を含むガスＧ６２が流入する。
冷却器６４、バグフィルタ６５、排気ファン６６は、図１１に示した従来の塩素バイパスシステム８１の冷却器８６、バグフィルタ８８、排気ファン９０と同様の構造を有する。尚、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ６５に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器６４で微粉を含むガスＧ６２を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ６５に耐熱耐酸ナイロンフェルトを備えるものを用いることができる。
次に、上記処理装置６１の動作について、図５及び図６を参照しながら説明する。
セメントキルン６３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ６１を抽気冷却装置６２の抽気部６２ａによって抽気し、抽気ガスＧ６１を分級部６２ｄにおいて粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離し、粗粉Ｄ６１をセメントキルン系に戻す。これによって、微粉を含むガスＧ６２中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させる。
次に、ガス流入口６２ｆから冷却部６２ｅに導入された８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ６２に冷却用ガスＡを吹き付け、微粉を含むガスＧ６２をＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ６２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉の表面等に付着する。
次に、抽気冷却装置６２から排出した微粉を含むガスＧ６２を冷却器６４で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器６４の排ガスＧ６３をバグフィルタ６５に導入して微粉Ｄ６３を回収し、冷却器６４から回収した微粉Ｄ６２と共に塩素バイパスダストＤ６４とする。この塩素バイパスダストＤ６４をセメントキルン６３の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ６５の排ガスＧ６４は、排気ファン６６によってセメントキルン６３の排ガス系に戻される。
以上のように、本実施の形態によれば、抽気ガスＧ６１を粗粉Ｄ６１と、微粉を含むガスＧ６２とに分離し、微粉を含むガスＧ６２のみを冷却するため、抽気ガスＧ６２中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を抽気冷却装置６２のみで行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストを低減することもできる。
また、詳細説明を省略するが、本実施の形態における抽気冷却装置６２を上記図２〜図４に示した塩素バイパスシステムに適用することもでき、その場合も上記と同様の効果を奏する。
尚、上記図１〜図５に示した塩素バイパスシステムにおいて、図１及び図５に示した冷却器７、６４で回収した微粉Ｄ３、Ｄ６２及びバグフィルタ８、６５で回収した微粉Ｄ４、Ｄ６３は塩素濃度が高く、これに伴い粘性が高くなって極めてハンドリング性が悪化している。そこで、抽気ガス（微粉を含むガス）Ｇ４、Ｇ６２に石灰石の微粉末、セメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料等を投入することで、これらの微粉のハンドリング性を改善することができる。
次に、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態について図７〜図１０を参照しながら説明する。
図９は、従来のセメント焼成装置の窯尻部を示し、セメントキルン７２には、インレットフッド７６を介して上方の仮焼炉に連続するライジングダクト（セメントキルン７２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路の一部）７３が接続され、ライジングダクト７３には、上方の最下段サイクロンからの原料シュート７４と、燃焼ガスの一部を抽気するためのプローブ７５が設けられる。ライジングダクト７３には、原料シュート７４からの原料の供給口７４ａと、プローブ７５による抽気のための抽気口７５ａが穿設される。
この窯尻部では、原料シュート７４から供給口７４ａを通過してセメントキルン７２にセメント原料（以下「原料」という。）Ｒが供給され、セメントキルン７２内で焼成されるが、原料Ｒの一部は、窯尻部での燃焼ガス流れに乗って矢印で示す方向に流れる。
本発明者らは、通常状態では燃焼ガス流れに乗って仮焼炉側に流れる原料Ｒの量はそれほど多くはなく、プローブ７５によって抽気される燃焼ガス中のダスト濃度は高くはないが、次に示す３つの要因によりセメント抽気ガス中の原料ダスト濃度が高くなることを見出し本発明をなすに至った。すなわち、図１０に示すように、
（１）インレットフッド７６の下部にコーチングＣが生成すると、原料シュート７４からの原料Ｒがセメントキルン７２内へ進入することが妨げられ、ライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
（２）原料シュート７４の供給口７４ａからセメントキルン７２の入口までの原料流路（斜面）７３ｂに段差等があり、滑らかでないと、原料シュート７４からの原料Ｒがライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
（３）セメントキルン７２の回転数が一定の範囲以上又は以下の場合に、原料Ｒがスムーズにセメントキルン７２内に流れ込まずにライジングダクト７３の内部に舞い上がり、抽気口７５ａから吸引される。
図７は、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態を示し、このセメント焼成装置７１は、ライジングダクト７３に穿設された、プローブ７５による抽気のための抽気口７５ａの下方に、上記のようにして舞い上がった原料Ｒが抽気口７５ａに吸い込まれるのを抑制する邪魔板７７を備える。
この邪魔板７７は、例えば耐火物を施工して形成することができ、図７（ａ）に示すように、ライジングダクト７３の内壁７３ａに対する角度θを４５度以上９０度以下に設定する。また、図７（ｃ）に示すように、内壁７３ａの寸法を上面視でＬ１（セメントキルン７２の軸線方向の内壁の長さ）、Ｌ２（セメントキルン７２の軸線方向に対して垂直方向の内壁の長さ）とした場合、邪魔板７７の寸法（角度θに関わらず内壁７３ａから突出した矩形状部分の寸法）は、長辺ａを楕円形の抽気口７５ａの短径Ｄ１以上Ｌ１以下とし、短辺ｂを（Ｌ２）／３以下に設定する。また、邪魔板７７の取付高さＬ（抽気口７５ａの中心から、邪魔板７７の上面が内壁７３ａに当接する位置までの距離）は、抽気口７５ａの中心から、抽気口７５ａの長径Ｄ２の１／２倍以上３／２以下下方の位置に設定する。これらの角度θや、邪魔板７７の寸法ａ、ｂ及び取付高さＬは、抽気ガス中の原料ダストの抽気口７５ａへの流入状況に合わせて適宜変更する。尚、プローブ７５や邪魔板７７の取付位置は、図７（ｃ）に限定されず、ライジングダクト７３の全周面のいずれであってもよい。
この邪魔板７７を設けることで、図８に示すように、セメントキルン７２からライジングダクト７３に流入する燃焼ガスやダストの流れを抽気口７５ａから離間するように変化させることができる。これにより、燃焼ガス中のダストは慣性力によって抽気口７５ａから離間する方向に流れ、抽気口７５ａへのダストの吸い込み量を低減することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることができる。
１ 塩素バイパスシステム
２ セメントキルン
３ 抽気装置
４ サイクロン
５ 冷却装置
６ 冷却ファン
７ 冷却器
８ バグフィルタ
９ 排気ファン
１１ 塩素バイパスシステム
１２ 湿式集塵機
１３ スクラバー
１４ 循環液槽
１４ａ ポンプ
１４ｂ スラリー循環路
１５ 洗浄塔
１６ 排気ファン
１７ 溶解槽
１８ 固液分離機
２１ 塩素バイパスシステム
２２ サイクロン
３１ 塩素バイパスシステム
６１ 塩素バイパスシステム
６２ 抽気冷却装置
６２ａ 抽気部
６２ｂ 有蓋円筒部
６２ｃ コーン部
６２ｄ 分級部
６２ｅ 冷却部
６２ｆ ガス流入口
６２ｇ 出口部
６３ セメントキルン
６４ 冷却器
６５ バグフィルタ
６６ 排気ファン
７１ セメント焼成装置
７２ セメントキルン
７３ ライジングダクト
７３ａ 内壁
７３ｂ 原料流路
７４ 原料シュート
７４ａ 供給口
７５ プローブ
７５ａ 抽気口
７６ インレットフッド
７７ 邪魔板

Claims (23)

  1. セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気し、該抽気ガス中のダスト濃度を低下させた後６００℃以下に冷却し、該冷却後の抽気ガス中のダストを回収して前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とするセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  2. 前記抽気ガス中のダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させることを特徴とする請求項１に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  3. 前記抽気ガス中のダスト濃度を３００ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させ、該ダスト濃度が３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下した抽気ガス中のダストを回収して前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とする請求項１に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  4. 前記抽気ガスを６００℃以下に冷却した後、又は６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後、固気分離し、分離したダストを前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とする請求項１、２又は３に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  5. 前記固気分離を行う前に、前記抽気ガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することを特徴とする請求項４に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  6. 前記抽気ガスを６００℃以下に冷却した後、又は６００℃以下に冷却し、さらにダスト濃度を３０ｇ/ｍ3Ｎ以下に低下させた後、湿式集塵し、該湿式集塵によって生じたスラリーを固液分離し、分離したケーキを前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とする請求項１、２又は３に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  7. 前記分離したケーキを石膏としてセメント製造に用いることを特徴とする請求項６に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  8. セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気装置と、
    該抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置と、
    該ダスト濃度を低下させた抽気ガスを６００℃以下に冷却する冷却装置と、
    該冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、
    該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする塩素バイパスシステム。
  9. 前記冷却装置の後段に、該冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる第２の除塵装置を備え、該第２の除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することを特徴とする請求項８に記載の塩素バイパスシステム。
  10. 前記抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置又は／及び前記第２の除塵装置は、フィルター式装置又はサイクロンであることを特徴とする請求項８又は９に記載の塩素バイパスシステム。
  11. 前記集塵装置はフィルター式装置であることを特徴とする請求項８、９又は１０に記載の塩素バイパスシステム。
  12. 前記集塵装置は湿式集塵機であって、さらに該湿式集塵機から排出されたスラリーを固液分離する固液分離機を備え、該固液分離機で分離したケーキを前記排出装置で前記セメントキルンの系外へ排出することを特徴とする請求項８、９又は１０に記載の塩素バイパスシステム。
  13. セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスを冷却する冷却部とを備えることを特徴とする抽気冷却装置。
  14. 前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及び前記微粉を含むガスの出口部とを有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方に連続して存在し、最下部より前記粗粉が排出されるコーン部とで構成され、
    前記冷却部は、前記コーン部を貫通し、該コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部を通過して前記分級部の前記微粉を含むガスの出口部に連通し、冷却用ガスが通過する管路と、前記コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部に位置する前記管路の一部に穿設された前記微粉を含むガスの流入口とを備えることを特徴とする請求項１３に記載の抽気冷却装置。
  15. 請求項１３又は１４に記載の抽気冷却装置と、
    該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、
    該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする塩素バイパスシステム。
  16. 前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することを特徴とする請求項１５に記載の塩素バイパスシステム。
  17. 前記集塵装置は、乾式集塵機又は湿式集塵機であることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の塩素バイパスシステム。
  18. 請求項１３又は１４に記載の抽気冷却装置を用いて前記抽気ガスのダスト濃度を３０ｇ／ｍ3Ｎ以下に低下させながら、前記微粉を含むガスを６００℃以下に冷却することを特徴とするセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  19. 前記６００℃以下に冷却した微粉を含むガスに石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することを特徴とする請求項１８に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。
  20. セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、
    前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えることを特徴とするセメント焼成装置。
  21. 前記邪魔板は、前記抽気口の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短辺Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さが、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下であることを特徴とする請求項２０に記載のセメント焼成装置。
  22. 前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度が４５度以上９０度以下であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載のセメント焼成装置。
  23. 前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接することを特徴とする請求項２０、２１又は２２に記載のセメント焼成装置。
JP2015539233A 2013-09-25 2014-09-24 セメント焼成装置 Active JP6344867B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013198045 2013-09-25
JP2013198045 2013-09-25
PCT/JP2014/075188 WO2015046200A1 (ja) 2013-09-25 2014-09-24 セメントキルン抽気ガスの処理方法、塩素バイパスシステム及びセメント焼成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015046200A1 true JPWO2015046200A1 (ja) 2017-03-09
JP6344867B2 JP6344867B2 (ja) 2018-06-20

Family

ID=52743336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015539233A Active JP6344867B2 (ja) 2013-09-25 2014-09-24 セメント焼成装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6344867B2 (ja)
KR (1) KR102243955B1 (ja)
CN (1) CN106132896B (ja)
TW (1) TWI625210B (ja)
WO (1) WO2015046200A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9718025B2 (en) * 2013-04-01 2017-08-01 Fuel Tech, Inc. Reducing hydrochloric acid in cement kilns
JP2019055900A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 太平洋セメント株式会社 セメントキルン抽気ガスの処理方法及びその処理装置
CN110002776A (zh) * 2019-03-25 2019-07-12 浙江红狮环保股份有限公司 一种在线干法脱氯工艺
CN113199632A (zh) * 2021-05-10 2021-08-03 桂林理工大学 一种工业副产石膏制备a高强石膏配料装置
CN113975919B (zh) * 2021-09-30 2023-03-28 武汉悟拓科技有限公司 基于水泥窑协同处置含氯固废的氯组分干法回收工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5263931A (en) * 1975-11-21 1977-05-26 Sumitomo Heavy Industries Apparatus for baking powdery materials with waste heat of one body selffstanding type
JP2001278643A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Ube Ind Ltd セメントキルン用塩素バイパスの運転方法およびその方法を用いたセメントキルン用塩素バイパス
JP2003225633A (ja) * 2002-02-01 2003-08-12 Taiheiyo Cement Corp 塩化物含有ダストの処理方法
JP2004002143A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Taiheiyo Cement Corp セメントキルン塩素・硫黄バイパス
JP2010195660A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Taiheiyo Cement Corp 塩素バイパスシステム
JP2012041223A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Taiheiyo Cement Corp セメントキルン抽気ガスの処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434361B2 (ja) 1999-06-11 2010-03-17 太平洋セメント株式会社 塩素バイパスダストの処理方法及びその装置
WO2004052801A1 (ja) * 2002-12-11 2004-06-24 Taiheiyo Cement Corporation セメントキルン塩素・硫黄バイパスシステム
WO2008069115A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Taiheiyo Cement Corporation セメント製造装置及び製造方法
TW200940158A (en) * 2008-03-07 2009-10-01 Taiheiyo Cement Corp Cement kiln extracted gas treating system and treating method
JP5680450B2 (ja) * 2011-03-09 2015-03-04 太平洋セメント株式会社 塩素バイパス排ガスの処理装置及び処理方法
CN202562309U (zh) * 2012-03-30 2012-11-28 中信重工机械股份有限公司 一种旁路放风系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5263931A (en) * 1975-11-21 1977-05-26 Sumitomo Heavy Industries Apparatus for baking powdery materials with waste heat of one body selffstanding type
JP2001278643A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Ube Ind Ltd セメントキルン用塩素バイパスの運転方法およびその方法を用いたセメントキルン用塩素バイパス
JP2003225633A (ja) * 2002-02-01 2003-08-12 Taiheiyo Cement Corp 塩化物含有ダストの処理方法
JP2004002143A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Taiheiyo Cement Corp セメントキルン塩素・硫黄バイパス
JP2010195660A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Taiheiyo Cement Corp 塩素バイパスシステム
JP2012041223A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Taiheiyo Cement Corp セメントキルン抽気ガスの処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201529265A (zh) 2015-08-01
TWI625210B (zh) 2018-06-01
KR20160060684A (ko) 2016-05-30
CN106132896B (zh) 2018-05-18
CN106132896A (zh) 2016-11-16
KR102243955B1 (ko) 2021-04-26
WO2015046200A1 (ja) 2015-04-02
JP6344867B2 (ja) 2018-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6344867B2 (ja) セメント焼成装置
CN101717208B (zh) 水泥烧成设备的排气处理方法和处理系统
JP2007518661A (ja) 有害物質を含む回転炉の排ガス流の一部を取り出すセメントクリンカーの製造方法
TWI552796B (zh) 氯分流塵及排氣之處理方法及處理裝置
JP5157841B2 (ja) セメント焼成設備の排ガス処理方法および処理システム
TW200416211A (en) Cement kiln chlorine sulfur bypass system
CN101528953B (zh) 从水泥煅烧炉除去铅的方法
JP3552463B2 (ja) セメント原料焼成方法および焼成装置
TWI547306B (zh) 氯分流排氣之處理裝置及處理方法
JP4689514B2 (ja) セメント焼成設備における排ガスの処理方法及び処理装置
JP2018054212A (ja) フライアッシュ加熱装置、及び、それを用いたフライアッシュの改質方法
JP5652950B2 (ja) 塩素バイパスシステム及び塩素バイパス抽気ガスの処理方法
JPH02116649A (ja) セメント焼成設備のスケール付着防止方法、及び装置、並びにこれに用いるバイパス管
JP5213126B2 (ja) 塩素バイパスシステム
JP6338496B2 (ja) 抽気冷却装置並びにこれを用いた塩素バイパスシステム及びセメントキルン抽気ガスの処理方法
JP2009298678A (ja) セメントキルン燃焼ガス抽気ダストの処理システム及び処理方法
JP6012071B2 (ja) 塩素バイパス排ガスの処理方法
JP2008230942A (ja) セメントキルン燃焼ガス抽気ダストの処理方法
JPH1160297A (ja) セメントキルンの排ガス処理方法
JP2008156228A (ja) セメント原料焼成装置
JP4093168B2 (ja) セメント原料焼成装置
JP5885276B2 (ja) セメントキルン抽気ガスの処理システム及び処理方法
JP2015181988A (ja) 含水汚泥処理装置
JPWO2015072310A1 (ja) 塩素バイパスシステム及びセメントキルン排ガス中の塩素除去方法
JP2022142094A (ja) 塩素バイパス設備及びその運転方法、セメントクリンカ製造装置、並びにセメントクリンカの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170321

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180516

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180521

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6344867

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250