JPH09179097A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置の駆動方法Info
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- G09G2320/0219—Reducing feedthrough effects in active matrix panels, i.e. voltage changes on the scan electrode influencing the pixel voltage due to capacitive coupling
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- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のス
イッチング素子と画素電極とがマトリクス状に配列され
たアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置の駆動方法
に関し、表示画面の大型化、高精細化、高開口率化の結
果、ゲート線負荷が増大したとしても、画質、信頼性に
優れ、消費電力を低減させた液晶表示装置の駆動方法を
提供することを目的とする。 【解決の手段】１回目にΔＶ＝０となるようにゲート・
オフと同じタイミングで補償電圧を出力することにより
ゲート遅延によるＤＣの発生を抑える。その後、ΔＶが
目的の値になるように、２回目の補償電圧を出力する。
２回目の出力はゲート遅延の影響を受けないのでΔＶを
大きくすることができる。
イッチング素子と画素電極とがマトリクス状に配列され
たアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置の駆動方法
に関し、表示画面の大型化、高精細化、高開口率化の結
果、ゲート線負荷が増大したとしても、画質、信頼性に
優れ、消費電力を低減させた液晶表示装置の駆動方法を
提供することを目的とする。 【解決の手段】１回目にΔＶ＝０となるようにゲート・
オフと同じタイミングで補償電圧を出力することにより
ゲート遅延によるＤＣの発生を抑える。その後、ΔＶが
目的の値になるように、２回目の補償電圧を出力する。
２回目の出力はゲート遅延の影響を受けないのでΔＶを
大きくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）等のスイッチング素子と画素電極とがマトリ
クス状に配列されたアクティブ・マトリクス型の液晶表
示装置の駆動方法に関する。
（ＴＦＴ）等のスイッチング素子と画素電極とがマトリ
クス状に配列されたアクティブ・マトリクス型の液晶表
示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブ・マトリクス型液晶表
示装置の表示品質を大幅に改善させる試みがなされてき
ており、画面のちらつきであるフリッカ、或は固定（静
止）画像を表示させた直後に当該画像が焼き付いたよう
に残存する焼き付き等の問題を改善するための技術が多
数提案されている。この表示品質を劣化させるフリッカ
も焼き付きも液晶の誘電率異方性により表示画素内に不
可避的に発生するＤＣ（直流成分）電圧を原因として発
生するものである。
示装置の表示品質を大幅に改善させる試みがなされてき
ており、画面のちらつきであるフリッカ、或は固定（静
止）画像を表示させた直後に当該画像が焼き付いたよう
に残存する焼き付き等の問題を改善するための技術が多
数提案されている。この表示品質を劣化させるフリッカ
も焼き付きも液晶の誘電率異方性により表示画素内に不
可避的に発生するＤＣ（直流成分）電圧を原因として発
生するものである。
【０００３】また、アクティブ・マトリクス型液晶表示
装置は、ノートブック型のコンピュータ等のポータブル
機器への応用範囲が広いので、バッテリーでも長時間の
駆動ができるように消費電力の低減についての技術も提
案されはじめている。
装置は、ノートブック型のコンピュータ等のポータブル
機器への応用範囲が広いので、バッテリーでも長時間の
駆動ができるように消費電力の低減についての技術も提
案されはじめている。
【０００４】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置
として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をスイッチング素子に用い
た液晶表示装置の構造を簡単に説明する。まず、アレイ
基板と対向基板の２枚のガラス基板間には液晶が封入さ
れている。アレイ基板上には例えば横方向に多数のゲー
ト線が形成され、絶縁膜を介して多数のデータ線が縦方
向に形成されている。このように縦横に形成されたゲー
ト線とデータ線とで仕切られた複数の領域に画素電極が
形成された画素領域がマトリクス状に形成されている。
ゲート線とデータ線との交差点近傍の各画素にはそれぞ
れＴＦＴが形成され、ＴＦＴのゲート電極はゲート線
に、ドレイン電極はデータ線に夫々接続されている。ま
た、ソース電極は画素電極に接続されている。ゲート線
はゲート駆動回路により駆動され、データ線はデータ線
駆動回路により駆動される。
として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をスイッチング素子に用い
た液晶表示装置の構造を簡単に説明する。まず、アレイ
基板と対向基板の２枚のガラス基板間には液晶が封入さ
れている。アレイ基板上には例えば横方向に多数のゲー
ト線が形成され、絶縁膜を介して多数のデータ線が縦方
向に形成されている。このように縦横に形成されたゲー
ト線とデータ線とで仕切られた複数の領域に画素電極が
形成された画素領域がマトリクス状に形成されている。
ゲート線とデータ線との交差点近傍の各画素にはそれぞ
れＴＦＴが形成され、ＴＦＴのゲート電極はゲート線
に、ドレイン電極はデータ線に夫々接続されている。ま
た、ソース電極は画素電極に接続されている。ゲート線
はゲート駆動回路により駆動され、データ線はデータ線
駆動回路により駆動される。
【０００５】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置
では、液晶の画素容量が小さいので補助容量を別に配置
している。補助容量には、画素電極を当該画素のＴＦＴ
に接続されたゲート線の１つ手前のゲート線に重ねる付
加容量型（いわゆるＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造）と、独
立した専用配線（蓄積容量線）を形成した蓄積容量型と
がある。
では、液晶の画素容量が小さいので補助容量を別に配置
している。補助容量には、画素電極を当該画素のＴＦＴ
に接続されたゲート線の１つ手前のゲート線に重ねる付
加容量型（いわゆるＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造）と、独
立した専用配線（蓄積容量線）を形成した蓄積容量型と
がある。
【０００６】図３に付加容量型の補助容量を形成した液
晶表示装置の表示画素の等価回路を示す。データ線駆動
回路（図示せず）から複数のデータ線４にＴＦＴ６のド
レイン電極がそれぞれ接続されている。ＴＦＴ６のゲー
ト電極は、ゲート線駆動回路（図示せず）に接続された
複数のゲート線２にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ６
のソース電極は表示電極に接続され、表示電極と対向基
板に配置された共通電極との間に封入された液晶により
液晶容量Ｃｌｃ８を構成している。表示電極は一部が前
段のゲート線２、Ｇ１に重ねられて補助容量Ｃｓ１０を
構成している。ＴＦＴ６のゲート−ソース間には寄生容
量Ｃｇｓ１２が存在している。
晶表示装置の表示画素の等価回路を示す。データ線駆動
回路（図示せず）から複数のデータ線４にＴＦＴ６のド
レイン電極がそれぞれ接続されている。ＴＦＴ６のゲー
ト電極は、ゲート線駆動回路（図示せず）に接続された
複数のゲート線２にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ６
のソース電極は表示電極に接続され、表示電極と対向基
板に配置された共通電極との間に封入された液晶により
液晶容量Ｃｌｃ８を構成している。表示電極は一部が前
段のゲート線２、Ｇ１に重ねられて補助容量Ｃｓ１０を
構成している。ＴＦＴ６のゲート−ソース間には寄生容
量Ｃｇｓ１２が存在している。
【０００７】上述のような構造を有するアクティブ・マ
トリクス型液晶表示装置は、近年、表示画面の高精細
化、表示画素数の大規模化の要求が高まり、それに伴う
技術的な問題も生じてきている。例えば、このような液
晶表示装置において、液晶の誘電率異方性により不可避
的に発生するＤＣ成分を補償してフリッカや焼き付きを
減少させ、且つ低消費電力化を可能にする方法として、
例えば特開平２−１５７８１５号公報や特開平７−１４
０４４１号公報等に記載がある。しかしながらこれらの
開示の記載は、表示画面の高精細化、表示画素数の大規
模化に伴うゲート線の微細化、配線本数の増大、配線長
さの延長等がゲート線の抵抗や負荷容量を増大させてゲ
ート遅延を生じさせる点を考慮しておらず、ゲート遅延
の結果生じる表示画面の左右方向でレベルの異なるＤＣ
成分や階調の変動が生じてしまうという問題については
解決していない。
トリクス型液晶表示装置は、近年、表示画面の高精細
化、表示画素数の大規模化の要求が高まり、それに伴う
技術的な問題も生じてきている。例えば、このような液
晶表示装置において、液晶の誘電率異方性により不可避
的に発生するＤＣ成分を補償してフリッカや焼き付きを
減少させ、且つ低消費電力化を可能にする方法として、
例えば特開平２−１５７８１５号公報や特開平７−１４
０４４１号公報等に記載がある。しかしながらこれらの
開示の記載は、表示画面の高精細化、表示画素数の大規
模化に伴うゲート線の微細化、配線本数の増大、配線長
さの延長等がゲート線の抵抗や負荷容量を増大させてゲ
ート遅延を生じさせる点を考慮しておらず、ゲート遅延
の結果生じる表示画面の左右方向でレベルの異なるＤＣ
成分や階調の変動が生じてしまうという問題については
解決していない。
【０００８】ゲート遅延は、液晶表示装置の需要におい
て期待される高精細化、高開口率化を考慮すると避ける
ことができない問題である。例えばゲート遅延を低減さ
せるにはゲート線を太くすることが考えられるが、ゲー
ト線を太くすることは表示画素の開口率を低下させるこ
とにつながり、所定の表示輝度を得ようとするならバッ
クライトの光量を増加させなければならず、結果として
消費電力を増大させてしまうことになってしまう。
て期待される高精細化、高開口率化を考慮すると避ける
ことができない問題である。例えばゲート遅延を低減さ
せるにはゲート線を太くすることが考えられるが、ゲー
ト線を太くすることは表示画素の開口率を低下させるこ
とにつながり、所定の表示輝度を得ようとするならバッ
クライトの光量を増加させなければならず、結果として
消費電力を増大させてしまうことになってしまう。
【０００９】またさらに特開平５−１００６３６号公報
に記載された方法は、表示の高精細化に伴う書き込み時
間の短縮により生じた画素電位の変動を減少させるため
に画素電圧を１フレーム当り２度書き込むようにしたも
のである。しかしながらこの方法は、表示の高精細化に
伴うゲートのオン時間の短縮に対してなされたものであ
って、ＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量により引き
起こされる画素電位の変動分（以下、突き抜け電圧と言
う）を問題としておらず、またゲート遅延を原因として
画面の異なる位置で異なる突き抜け電圧を発生させてし
まうことを考慮していないので、前述の方法と同様に表
示画素の開口率の低下を招き、結果として消費電力を増
大させてしまうことになってしまう。
に記載された方法は、表示の高精細化に伴う書き込み時
間の短縮により生じた画素電位の変動を減少させるため
に画素電圧を１フレーム当り２度書き込むようにしたも
のである。しかしながらこの方法は、表示の高精細化に
伴うゲートのオン時間の短縮に対してなされたものであ
って、ＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量により引き
起こされる画素電位の変動分（以下、突き抜け電圧と言
う）を問題としておらず、またゲート遅延を原因として
画面の異なる位置で異なる突き抜け電圧を発生させてし
まうことを考慮していないので、前述の方法と同様に表
示画素の開口率の低下を招き、結果として消費電力を増
大させてしまうことになってしまう。
【００１０】ここで図４乃至図７を用いてより具体的に
従来の液晶駆動方法を説明する。本説明においては、液
晶印加電圧が大きい程表示輝度が上がる（ノーマリー・
ブラック）方式の液晶表示装置を前提としている。図４
及び図５に示す駆動波形は、突き抜け電圧を補償すると
ともに、実効値をも補償するようになっている。ここで
実効値補償とは、データ線に出力する階調データの電圧
レベルを全体的に低くしても、ゲート線と表示電極とで
構成する補助容量に印加する電圧を調整することにより
液晶印加電圧を大きくさせるようにするものである。実
効値補償によりデータ線に出力する電圧レベルが小さく
ても、液晶に対して実質的に高い輝度或は大きい電圧が
得られるようになる。即ち、データ線に出力する電圧レ
ベルを低くできるので液晶表示装置の消費電力を減少さ
せることができるようになる。
従来の液晶駆動方法を説明する。本説明においては、液
晶印加電圧が大きい程表示輝度が上がる（ノーマリー・
ブラック）方式の液晶表示装置を前提としている。図４
及び図５に示す駆動波形は、突き抜け電圧を補償すると
ともに、実効値をも補償するようになっている。ここで
実効値補償とは、データ線に出力する階調データの電圧
レベルを全体的に低くしても、ゲート線と表示電極とで
構成する補助容量に印加する電圧を調整することにより
液晶印加電圧を大きくさせるようにするものである。実
効値補償によりデータ線に出力する電圧レベルが小さく
ても、液晶に対して実質的に高い輝度或は大きい電圧が
得られるようになる。即ち、データ線に出力する電圧レ
ベルを低くできるので液晶表示装置の消費電力を減少さ
せることができるようになる。
【００１１】図４は、Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造の液晶
表示装置に対しフレーム反転駆動をさせる場合であっ
て、ゲート線駆動回路に近い側でゲート遅延が生じてい
ない入力波形（ａ）（ｂ）及び液晶駆動波形（ｃ）を示
している。
表示装置に対しフレーム反転駆動をさせる場合であっ
て、ゲート線駆動回路に近い側でゲート遅延が生じてい
ない入力波形（ａ）（ｂ）及び液晶駆動波形（ｃ）を示
している。
【００１２】図４（ｂ）のゲート線Ｇｎ＋１に入力され
たゲート信号（パルス幅：１Ｈ（１水平走査期間））２
２により、当該ゲート線に接続されたＴＦＴがオンさ
れ、図４（ｃ）に示すように液晶に電圧が印加される。
ＴＦＴがオフする際、ゲート信号２２の立ち下がりによ
り、図４（ｃ）に示すように液晶への書き込み電圧が突
き抜け現象により突き抜け電圧分２８だけ低下する。
たゲート信号（パルス幅：１Ｈ（１水平走査期間））２
２により、当該ゲート線に接続されたＴＦＴがオンさ
れ、図４（ｃ）に示すように液晶に電圧が印加される。
ＴＦＴがオフする際、ゲート信号２２の立ち下がりによ
り、図４（ｃ）に示すように液晶への書き込み電圧が突
き抜け現象により突き抜け電圧分２８だけ低下する。
【００１３】その後（例えばゲート信号２２の立ち下が
りから０．５Ｈ後）、前段のゲート線Ｇｎの電位をＶｃ
１とさせて補助容量Ｃｓに電圧を印加することにより、
図４（ｃ）に示すように突き抜け電圧補償及び実効値補
償３０を行い、さらにＶｃ１の立上り後１Ｈ程度後でゲ
ート線Ｇｎ＋１の信号をＶｃ１とすることにより最終的
な実効値補償３２を行う。結果としてフレーム１の期間
中液晶電位はＶｌｃ（＋）となる。
りから０．５Ｈ後）、前段のゲート線Ｇｎの電位をＶｃ
１とさせて補助容量Ｃｓに電圧を印加することにより、
図４（ｃ）に示すように突き抜け電圧補償及び実効値補
償３０を行い、さらにＶｃ１の立上り後１Ｈ程度後でゲ
ート線Ｇｎ＋１の信号をＶｃ１とすることにより最終的
な実効値補償３２を行う。結果としてフレーム１の期間
中液晶電位はＶｌｃ（＋）となる。
【００１４】次に液晶を交流駆動させるためフレーム２
では、フレーム１と同様のプロセスで液晶電位がＶｌｃ
（−）となるように、電圧レベルＶｃ２で突き抜け電圧
及び実効値の補償を行う。こうすることにより、Ｖｌｃ
（＋）＝Ｖｌｃ（−）を実現することができ、ＤＣ成分
のない、消費電力を抑えた液晶表示を行うことができる
ようになる。
では、フレーム１と同様のプロセスで液晶電位がＶｌｃ
（−）となるように、電圧レベルＶｃ２で突き抜け電圧
及び実効値の補償を行う。こうすることにより、Ｖｌｃ
（＋）＝Ｖｌｃ（−）を実現することができ、ＤＣ成分
のない、消費電力を抑えた液晶表示を行うことができる
ようになる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先に説
明したようにゲート遅延が生じている場合には、例えば
ゲート線終端部に近づくに従って、図６に示すようにゲ
ート信号の波形はなまってしまい、ゲート・オフのタイ
ミングは、１ＨよりΔｔだけ長くなってしまう。その結
果、図５に示すようにゲート遅延がない場合（図４）に
比較して、ゲートがオンしている時間が長くなった分だ
けゲート・ソース間に電流が流れるため突き抜け量は減
少する。しかし、突き抜け電圧、及び実効値補償のため
のＶｃ１、Ｖｃ２の電圧レベルは変わらないので、フレ
ーム１では所望の液晶電位（図５（ｃ）の破線）より大
きい液晶電位となってしまい、またフレーム２では逆に
小さい液晶電位となってしまう。このため、ＤＣ成分Ｖ
ｄｃ（Ｖｄｃ＝Ｖｌｃ（＋）−Ｖｌｃ（−））が発生し
てしまう。
明したようにゲート遅延が生じている場合には、例えば
ゲート線終端部に近づくに従って、図６に示すようにゲ
ート信号の波形はなまってしまい、ゲート・オフのタイ
ミングは、１ＨよりΔｔだけ長くなってしまう。その結
果、図５に示すようにゲート遅延がない場合（図４）に
比較して、ゲートがオンしている時間が長くなった分だ
けゲート・ソース間に電流が流れるため突き抜け量は減
少する。しかし、突き抜け電圧、及び実効値補償のため
のＶｃ１、Ｖｃ２の電圧レベルは変わらないので、フレ
ーム１では所望の液晶電位（図５（ｃ）の破線）より大
きい液晶電位となってしまい、またフレーム２では逆に
小さい液晶電位となってしまう。このため、ＤＣ成分Ｖ
ｄｃ（Ｖｄｃ＝Ｖｌｃ（＋）−Ｖｌｃ（−））が発生し
てしまう。
【００１６】即ち、図７に示すように、ゲート線駆動回
路に近い方の画素（図中給電側）では所望の突き抜け・
実効値補償が行われるが、ゲート線終端部に近づくとＤ
Ｃ成分が発生し、終端部に近づく程ＤＣ成分の大きさが
大きくなってしまう。
路に近い方の画素（図中給電側）では所望の突き抜け・
実効値補償が行われるが、ゲート線終端部に近づくとＤ
Ｃ成分が発生し、終端部に近づく程ＤＣ成分の大きさが
大きくなってしまう。
【００１７】この問題を解決するために、図８に示すよ
うな駆動波形を用いた場合を考察する。図８の駆動波形
は、ゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲート信号２２の立
ち下がりのタイミングと、前段のゲート線Ｇｎのレベル
を電位Ｖｃ１にするタイミングとを一致させるようにし
ている。このようにすると、ゲート終端部に近づくに従
ってゲート遅延に伴って突き抜け電圧が小さくなって
も、同時に補償電位Ｖｃ１も遅延により見かけ上小さく
なるので液晶電位にＤＣ成分を生じさせないようにでき
る。
うな駆動波形を用いた場合を考察する。図８の駆動波形
は、ゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲート信号２２の立
ち下がりのタイミングと、前段のゲート線Ｇｎのレベル
を電位Ｖｃ１にするタイミングとを一致させるようにし
ている。このようにすると、ゲート終端部に近づくに従
ってゲート遅延に伴って突き抜け電圧が小さくなって
も、同時に補償電位Ｖｃ１も遅延により見かけ上小さく
なるので液晶電位にＤＣ成分を生じさせないようにでき
る。
【００１８】しかしながら、この駆動方法の場合には、
補償電位Ｖｃ１がゲート終端部に近づくに従って見かけ
上小さくなってしまうので、液晶電位の振幅を変えるた
めの実効値補償が十分行えなくなる。図９（ｃ）に示す
ように液晶電位はＤＣ成分の発生はない（Ｖ'ｌｃ
（＋）＝Ｖ'ｌｃ（−））が図中破線で示した所望の液
晶電位Ｖｌｃ（＋）、Ｖｌｃ（−））より小さな液晶電
位Ｖ'ｌｃ（＋）及びＶ'ｌｃ（−）となってしまう。
補償電位Ｖｃ１がゲート終端部に近づくに従って見かけ
上小さくなってしまうので、液晶電位の振幅を変えるた
めの実効値補償が十分行えなくなる。図９（ｃ）に示す
ように液晶電位はＤＣ成分の発生はない（Ｖ'ｌｃ
（＋）＝Ｖ'ｌｃ（−））が図中破線で示した所望の液
晶電位Ｖｌｃ（＋）、Ｖｌｃ（−））より小さな液晶電
位Ｖ'ｌｃ（＋）及びＶ'ｌｃ（−）となってしまう。
【００１９】その結果、図１０に示すように、ゲート線
駆動回路に近い方の画素（給電側）では所望の突き抜け
・実効値補償が行われるが、ゲート線終端部に近づくと
輝度が低下してしまい、表示画面全体で輝度ムラが生じ
てしまう。これでは、いずれの方法での駆動においても
ゲート遅延の存在により、突き抜け電圧の補償と実効値
の補償を同時に行い、フリッカや焼き付きを減少させ且
つ低消費電力化を可能にすることはできない。
駆動回路に近い方の画素（給電側）では所望の突き抜け
・実効値補償が行われるが、ゲート線終端部に近づくと
輝度が低下してしまい、表示画面全体で輝度ムラが生じ
てしまう。これでは、いずれの方法での駆動においても
ゲート遅延の存在により、突き抜け電圧の補償と実効値
の補償を同時に行い、フリッカや焼き付きを減少させ且
つ低消費電力化を可能にすることはできない。
【００２０】本発明の目的は、アクティブ・マトリクス
型の液晶表示装置において、表示画面の大型化、高精細
化、高開口率化の結果、ゲート線負荷が増大したとして
も、画質、信頼性に優れ、消費電力を低減させた液晶表
示装置の駆動方法を提供することにある。
型の液晶表示装置において、表示画面の大型化、高精細
化、高開口率化の結果、ゲート線負荷が増大したとして
も、画質、信頼性に優れ、消費電力を低減させた液晶表
示装置の駆動方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】ＴＦＴをスイッチング素
子に用いたアクティブ・マトリクス型液晶表示装置の場
合、ゲート信号の電位変化ΔＶｇが、ゲート・ソース間
寄生容量を介して突き抜け電圧ΔＶｇ＊Ｃｇｓ／Ｃａｌ
ｌとして画素電位に対して負方向に発生する。ここで、
Ｃｇｓはゲート・ソース間寄生容量、Ｃａｌｌは画素全
体での容量である。ここでは、Ｃａｌｌ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ
＋Ｃｌｃ（但し、Ｃｓは補助容量、Ｃｌｃは液晶容量）
とした。
子に用いたアクティブ・マトリクス型液晶表示装置の場
合、ゲート信号の電位変化ΔＶｇが、ゲート・ソース間
寄生容量を介して突き抜け電圧ΔＶｇ＊Ｃｇｓ／Ｃａｌ
ｌとして画素電位に対して負方向に発生する。ここで、
Ｃｇｓはゲート・ソース間寄生容量、Ｃａｌｌは画素全
体での容量である。ここでは、Ｃａｌｌ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ
＋Ｃｌｃ（但し、Ｃｓは補助容量、Ｃｌｃは液晶容量）
とした。
【００２２】また、突き抜け電圧は液晶の誘電率異方性
によりその容量が変化するため、液晶印加電圧が異なる
と異なる値をとる。突き抜け電圧を補償する原理として
は、Ｃｓを介して、正、負書き込みに応じて２つの異な
る補償電圧Ｖｃ（＋）、Ｖｃ（−）を与えることによ
り、画素電位変化量として、
によりその容量が変化するため、液晶印加電圧が異なる
と異なる値をとる。突き抜け電圧を補償する原理として
は、Ｃｓを介して、正、負書き込みに応じて２つの異な
る補償電圧Ｖｃ（＋）、Ｖｃ（−）を与えることによ
り、画素電位変化量として、
【００２３】Ｖｃ（＋）＊Ｃｓ／Ｃａｌｌ、 Ｖｃ（−）＊Ｃｓ／Ｃａｌｌ を重畳させ、以下の式（１）を満足させることにより、
液晶の容量変化に関係なくＤＣの発生を抑えるようにし
たものである。
液晶の容量変化に関係なくＤＣの発生を抑えるようにし
たものである。
【００２４】 （Ｖｃ（＋）＊Ｃｓ／Ｃａｌｌ−Ｖｇ＊Ｃｇｓ／Ｃａｌｌ） ＝（Ｖｃ（−）＊Ｃｓ／Ｃａｌｌ−Ｖｇ＊Ｃｇｓ／Ｃａｌｌ） ＝ ΔＶ ・・・（１）
【００２５】また、２つの補償電圧の振幅を大きくする
ことにより、液晶印加電圧を信号線から供給される電圧
より式（１）に示すΔＶだけ大きな値にすることが可能
となり、ソースドライバの出力電圧を減少させ、駆動電
力の低減を可能とすることができる。
ことにより、液晶印加電圧を信号線から供給される電圧
より式（１）に示すΔＶだけ大きな値にすることが可能
となり、ソースドライバの出力電圧を減少させ、駆動電
力の低減を可能とすることができる。
【００２６】しかしながら、上記駆動の問題点は、ゲー
ト電圧の信号遅延（独立Ｃｓの場合にはＣｓ線とゲート
線との両方での信号遅延）の影響を受けることである。
ゲート遅延により、ゲート線の終端では突き抜け電圧が
小さくなるために、Ｃｓを介して補償する電圧の方が大
きくなりＤＣ成分が発生してしまう。
ト電圧の信号遅延（独立Ｃｓの場合にはＣｓ線とゲート
線との両方での信号遅延）の影響を受けることである。
ゲート遅延により、ゲート線の終端では突き抜け電圧が
小さくなるために、Ｃｓを介して補償する電圧の方が大
きくなりＤＣ成分が発生してしまう。
【００２７】これを解決する一つの方法として、ゲート
がオフするタイミングと補償電圧を出力するタイミング
を調整することが考えられるが、この方法を用いるとＤ
Ｃ成分の発生は抑えられるが、２つの補償電圧の振幅を
大きくすると、液晶印加電圧が変動してしまうという欠
点を持つことになる。その結果、ΔＶを大きくすること
ができず、駆動電力を低減させることは困難になってし
まう。
がオフするタイミングと補償電圧を出力するタイミング
を調整することが考えられるが、この方法を用いるとＤ
Ｃ成分の発生は抑えられるが、２つの補償電圧の振幅を
大きくすると、液晶印加電圧が変動してしまうという欠
点を持つことになる。その結果、ΔＶを大きくすること
ができず、駆動電力を低減させることは困難になってし
まう。
【００２８】本発明では補償電圧を２回に分けて出力す
ることにより上記問題を解決している。それは、１回目
にΔＶ＝０となるようにゲート・オフと同じタイミング
で補償電圧を出力することによりゲート遅延によるＤＣ
の発生を抑える。その後、ΔＶが目的の値になるよう
に、２回目の補償電圧を出力する方法である。２回目の
出力はゲート遅延の影響を受けないのでΔＶを大きくす
ることができる。
ることにより上記問題を解決している。それは、１回目
にΔＶ＝０となるようにゲート・オフと同じタイミング
で補償電圧を出力することによりゲート遅延によるＤＣ
の発生を抑える。その後、ΔＶが目的の値になるよう
に、２回目の補償電圧を出力する方法である。２回目の
出力はゲート遅延の影響を受けないのでΔＶを大きくす
ることができる。
【００２９】即ち、上記目的は、ゲート線にゲート信号
を印加して薄膜トランジスタをオンさせてデータ線の画
素信号を表示電極に書き込むとともに、補助容量に突き
抜け電圧補償電圧を印加して突き抜け電圧補償をした
後、実効値補償電圧を印加して各画素領域の液晶に所定
の液晶電位を与えることを特徴とする液晶表示装置の駆
動方法によって達成される。
を印加して薄膜トランジスタをオンさせてデータ線の画
素信号を表示電極に書き込むとともに、補助容量に突き
抜け電圧補償電圧を印加して突き抜け電圧補償をした
後、実効値補償電圧を印加して各画素領域の液晶に所定
の液晶電位を与えることを特徴とする液晶表示装置の駆
動方法によって達成される。
【００３０】また、上記目的は、上記の液晶表示装置の
駆動方法において、上記突き抜け電圧補償電圧は、ゲー
ト信号の立ち下がりのタイミングにほぼ一致して印加さ
れることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法によって
達成される。
駆動方法において、上記突き抜け電圧補償電圧は、ゲー
ト信号の立ち下がりのタイミングにほぼ一致して印加さ
れることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法によって
達成される。
【００３１】そしてまた上記目的は、上記液晶表示装置
の駆動方法において、上記実効値補償電圧は、突き抜け
電圧補償電圧の印加後前記薄膜トランジスタがオフした
後に印加されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法によって達成される。
の駆動方法において、上記実効値補償電圧は、突き抜け
電圧補償電圧の印加後前記薄膜トランジスタがオフした
後に印加されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法によって達成される。
【００３２】また上記目的は、以上の液晶表示装置の駆
動方法において、前記補助容量は前記ゲート線の前段の
ゲート線と前記表示電極とで構成され、前記突き抜け電
圧補償電圧及び実効値補償電圧は前記前段のゲート線に
印加されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法、
或は、前記補助容量は独立した蓄積容量線と表示電極と
で構成され、突き抜け電圧補償電圧及び実効値補償電圧
は蓄積容量線に印加されることを特徴とする液晶表示装
置の駆動方法によって達成される。
動方法において、前記補助容量は前記ゲート線の前段の
ゲート線と前記表示電極とで構成され、前記突き抜け電
圧補償電圧及び実効値補償電圧は前記前段のゲート線に
印加されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法、
或は、前記補助容量は独立した蓄積容量線と表示電極と
で構成され、突き抜け電圧補償電圧及び実効値補償電圧
は蓄積容量線に印加されることを特徴とする液晶表示装
置の駆動方法によって達成される。
【００３３】本発明によれば、ＴＦＴ／ＬＣＤの駆動方
法、電圧設定方法において、駆動電力の低減、液晶の誘
電率異方性によるＤＣ電圧発生の抑制、ゲート遅延によ
る液晶印加電圧の変動を抑えることにより、表示画質の
改善、信頼性の向上、消費電力の低減を図ることができ
るようになる。
法、電圧設定方法において、駆動電力の低減、液晶の誘
電率異方性によるＤＣ電圧発生の抑制、ゲート遅延によ
る液晶印加電圧の変動を抑えることにより、表示画質の
改善、信頼性の向上、消費電力の低減を図ることができ
るようになる。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による液晶表
示装置の駆動方法を図１及び図２を用いて説明する。な
お、本発明の実施の形態において用いた液晶表示装置
は、ＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブ・マ
トリクス型の液晶表示装置であって、いわゆるＣｓ ｏ
ｎ Ｇａｔｅ構造を有し、従来の技術において図３で説
明したものと同様である。従って、ここではその説明は
省略する。
示装置の駆動方法を図１及び図２を用いて説明する。な
お、本発明の実施の形態において用いた液晶表示装置
は、ＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブ・マ
トリクス型の液晶表示装置であって、いわゆるＣｓ ｏ
ｎ Ｇａｔｅ構造を有し、従来の技術において図３で説
明したものと同様である。従って、ここではその説明は
省略する。
【００３５】図１は本発明の実施の形態におけるゲート
線の駆動波形であって２種類の波形を示している。実線
で示した波形は、ゲート線駆動回路に近い側の波形であ
って、ゲート遅延は生じていないので波形はなまってい
ない。破線で示した波形は、ゲート線駆動回路から遠
い、ゲート線終端部に近づいた側の波形であってゲート
遅延により波形がなまっていることを示している。
線の駆動波形であって２種類の波形を示している。実線
で示した波形は、ゲート線駆動回路に近い側の波形であ
って、ゲート遅延は生じていないので波形はなまってい
ない。破線で示した波形は、ゲート線駆動回路から遠
い、ゲート線終端部に近づいた側の波形であってゲート
遅延により波形がなまっていることを示している。
【００３６】まず初めにゲート遅延がない場合（実線の
波形）について説明する。図１（ｂ）に示すようにｎ＋
１番目のゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲート信号（パ
ルス幅：１Ｈ（１水平走査期間））２２により、当該ゲ
ート線に接続されたＴＦＴがオンされ、図１（ｃ）に示
すように液晶に電圧が印加される。ＴＦＴがオフする
際、ゲート信号２２の立ち下がりにより、図１（ｃ）に
示すように液晶への書き込み電圧が突き抜け現象により
突き抜け電圧分だけ低下する。
波形）について説明する。図１（ｂ）に示すようにｎ＋
１番目のゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲート信号（パ
ルス幅：１Ｈ（１水平走査期間））２２により、当該ゲ
ート線に接続されたＴＦＴがオンされ、図１（ｃ）に示
すように液晶に電圧が印加される。ＴＦＴがオフする
際、ゲート信号２２の立ち下がりにより、図１（ｃ）に
示すように液晶への書き込み電圧が突き抜け現象により
突き抜け電圧分だけ低下する。
【００３７】しかし、ゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲ
ート信号２２の立ち下がりのタイミングに一致させて、
図１（ａ）に示すように前段のゲート線Ｇｎのレベルを
電位Ｖｃ１ａに引き上げて突き抜け電圧補償を行う。電
位Ｖｃ１ａはゲート遅延を考慮しない突き抜け電圧を補
償する電圧レベルに設定しておいてよい。
ート信号２２の立ち下がりのタイミングに一致させて、
図１（ａ）に示すように前段のゲート線Ｇｎのレベルを
電位Ｖｃ１ａに引き上げて突き抜け電圧補償を行う。電
位Ｖｃ１ａはゲート遅延を考慮しない突き抜け電圧を補
償する電圧レベルに設定しておいてよい。
【００３８】次に例えば１Ｈ後に、ゲート線Ｇｎ＋１の
電位をＶｃ１ａに引き上げると同時に前段のゲート線Ｇ
ｎの電位をＶｃ１ａからＶｃ１ｂに引き上げる。ゲート
線Ｇｎ＋１の電位をＶｃ１ａにすることは、次段のゲー
ト線Ｇｎ＋２に接続された画素の液晶に対する突き抜け
電圧補償をしていることになる。
電位をＶｃ１ａに引き上げると同時に前段のゲート線Ｇ
ｎの電位をＶｃ１ａからＶｃ１ｂに引き上げる。ゲート
線Ｇｎ＋１の電位をＶｃ１ａにすることは、次段のゲー
ト線Ｇｎ＋２に接続された画素の液晶に対する突き抜け
電圧補償をしていることになる。
【００３９】そして例えば１Ｈ後にゲート線Ｇｎ＋１の
電位をＶｃ１ｂとすることによりゲート線Ｇｎ＋１に接
続された画素に対する最終的な実効値補償が行われる
（図１（ｃ））。このように本発明の駆動方法は、突き
抜け電圧補償電位Ｖｃ１ａとと実効値補償電位Ｖｃ１ｂ
とを２段階に分けて補助容量Ｃｓに印加させるようにし
ている。図１に示すように突き抜け電圧補償及び実効値
補償の結果、フレーム１の期間中液晶電位はＶｌｃ
（＋）となる。
電位をＶｃ１ｂとすることによりゲート線Ｇｎ＋１に接
続された画素に対する最終的な実効値補償が行われる
（図１（ｃ））。このように本発明の駆動方法は、突き
抜け電圧補償電位Ｖｃ１ａとと実効値補償電位Ｖｃ１ｂ
とを２段階に分けて補助容量Ｃｓに印加させるようにし
ている。図１に示すように突き抜け電圧補償及び実効値
補償の結果、フレーム１の期間中液晶電位はＶｌｃ
（＋）となる。
【００４０】次に液晶を交流駆動させるためフレーム２
では、フレーム１と同様のプロセスで液晶電位がＶｌｃ
（−）となるように、電圧レベルＶｃ２ａで突き抜け電
圧補償を行わせ、次にＶｃ２ｂで実効値補償を行うよう
にしている。
では、フレーム１と同様のプロセスで液晶電位がＶｌｃ
（−）となるように、電圧レベルＶｃ２ａで突き抜け電
圧補償を行わせ、次にＶｃ２ｂで実効値補償を行うよう
にしている。
【００４１】次にゲート遅延が生じた場合（図１中破線
の波形）について説明する。図１（ｂ）に示すようにｎ
＋１番目のゲート線Ｇｎ＋１に入力され、ゲート遅延に
より波形がなまったゲート信号２２により、当該ゲート
線に接続されたＴＦＴがオンされ、図１（ｃ）に示すよ
うに液晶に電圧が印加される。ＴＦＴがオフする際、ゲ
ート信号２２の立ち下がりにより、図１（ｃ）に示すよ
うに液晶への書き込み電圧が突き抜け現象により突き抜
け電圧分だけ低下するが、図１（ｄ）に示すように、ゲ
ート遅延が生じているとゲートがオンしている時間が長
くなりゲート・ソース間に電流が流れるため、ゲート遅
延がない場合に比較して突き抜け量は減少する。
の波形）について説明する。図１（ｂ）に示すようにｎ
＋１番目のゲート線Ｇｎ＋１に入力され、ゲート遅延に
より波形がなまったゲート信号２２により、当該ゲート
線に接続されたＴＦＴがオンされ、図１（ｃ）に示すよ
うに液晶に電圧が印加される。ＴＦＴがオフする際、ゲ
ート信号２２の立ち下がりにより、図１（ｃ）に示すよ
うに液晶への書き込み電圧が突き抜け現象により突き抜
け電圧分だけ低下するが、図１（ｄ）に示すように、ゲ
ート遅延が生じているとゲートがオンしている時間が長
くなりゲート・ソース間に電流が流れるため、ゲート遅
延がない場合に比較して突き抜け量は減少する。
【００４２】しかし、ゲート線Ｇｎ＋１に入力されたゲ
ート信号２２の立ち下がりのタイミングと、前段のゲー
ト線Ｇｎのレベルを電位Ｖｃ１ａにするタイミングとを
一致させているので、ゲート終端部に近づくに従って突
き抜け電圧が小さくなっていっても、同時に突き抜け補
償電位Ｖｃ１ａも遅延により小さくなっていくため、ゲ
ート線駆動回路から入力される突き抜け補償電圧はゲー
ト遅延を考慮しなくても、液晶電位にＤＣ成分を生じさ
せないようにできる。
ート信号２２の立ち下がりのタイミングと、前段のゲー
ト線Ｇｎのレベルを電位Ｖｃ１ａにするタイミングとを
一致させているので、ゲート終端部に近づくに従って突
き抜け電圧が小さくなっていっても、同時に突き抜け補
償電位Ｖｃ１ａも遅延により小さくなっていくため、ゲ
ート線駆動回路から入力される突き抜け補償電圧はゲー
ト遅延を考慮しなくても、液晶電位にＤＣ成分を生じさ
せないようにできる。
【００４３】このように第１段階でゲート遅延による突
き抜け電圧の変動を正確に補償してしまうので、次の例
えば１Ｈ後に、第２段階としてゲート遅延がない場合と
全く同様にして実効値の補償が行われる。即ちゲート線
Ｇｎ＋１の電位をＶｃ１ａに引き上げると同時に前段の
ゲート線Ｇｎの電位をＶｃ１ａからＶｃ１ｂに引き上げ
る。そして例えば１Ｈ後にゲート線Ｇｎ＋１の電位をＶ
ｃ１ｂとすることによりゲート線Ｇｎ＋１に接続された
画素に対する最終的な実効値補償が行われる（図１
（ｃ））。
き抜け電圧の変動を正確に補償してしまうので、次の例
えば１Ｈ後に、第２段階としてゲート遅延がない場合と
全く同様にして実効値の補償が行われる。即ちゲート線
Ｇｎ＋１の電位をＶｃ１ａに引き上げると同時に前段の
ゲート線Ｇｎの電位をＶｃ１ａからＶｃ１ｂに引き上げ
る。そして例えば１Ｈ後にゲート線Ｇｎ＋１の電位をＶ
ｃ１ｂとすることによりゲート線Ｇｎ＋１に接続された
画素に対する最終的な実効値補償が行われる（図１
（ｃ））。
【００４４】このように本発明の駆動方法は、突き抜け
電圧補償電位Ｖｃ１ａと実効値補償電位Ｖｃ１ｂとを２
段階に分けて補助容量Ｃｓに印加させるようにしてい
る。そして第１段階で突き抜け電圧補償をした後で実効
値補償をさせるようにするので、実効値補償がゲート終
端部に近づくに従って小さくなってしまうようなことは
なくなる。
電圧補償電位Ｖｃ１ａと実効値補償電位Ｖｃ１ｂとを２
段階に分けて補助容量Ｃｓに印加させるようにしてい
る。そして第１段階で突き抜け電圧補償をした後で実効
値補償をさせるようにするので、実効値補償がゲート終
端部に近づくに従って小さくなってしまうようなことは
なくなる。
【００４５】フレーム２においても、フレーム１と同様
に、電圧レベルＶｃ２ａで突き抜け電圧補償を行い、次
にＶｃ２ｂで実効値補償を行うようにしている。こうす
ることにより、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲー
ト線全域で突き抜け電圧による液晶電位にＤＣ成分が発
生することも、実効値補償の変動による表示の輝度ムラ
を生じさせることもなく、低消費電力で駆動できる液晶
表示装置を実現することができるようになる。
に、電圧レベルＶｃ２ａで突き抜け電圧補償を行い、次
にＶｃ２ｂで実効値補償を行うようにしている。こうす
ることにより、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲー
ト線全域で突き抜け電圧による液晶電位にＤＣ成分が発
生することも、実効値補償の変動による表示の輝度ムラ
を生じさせることもなく、低消費電力で駆動できる液晶
表示装置を実現することができるようになる。
【００４６】
【実施例】図１１にＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造の液晶表
示装置に対しフレーム反転駆動をさせた場合での駆動波
形の実施例を示す。本実施例で用いた各容量比、実効値
補償量（式（１）のΔＶ）は、それぞれ、 Ｃｇｓ／Ｃｓ ＝０．２ Ｃｓ／Ｃａｌｌ＝０．２ （Ｃａｌｌ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ＋
Ｃｌｃ） ΔＶ＝１．２Ｖ である。
示装置に対しフレーム反転駆動をさせた場合での駆動波
形の実施例を示す。本実施例で用いた各容量比、実効値
補償量（式（１）のΔＶ）は、それぞれ、 Ｃｇｓ／Ｃｓ ＝０．２ Ｃｓ／Ｃａｌｌ＝０．２ （Ｃａｌｌ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ＋
Ｃｌｃ） ΔＶ＝１．２Ｖ である。
【００４７】また、ゲート線終端側での遅延は、図１１
（ｃ）で示したように、時定数５μｓｅｃのものと、１
０μｓｅｃのものを用いた。駆動電圧、タイミングは、
ゲートオン電圧２０Ｖを１Ｈ期間出力した後、ゲートオ
フと同じタイミングで第１の補償電圧（フレーム１では
４Ｖ、フレーム２では、６Ｖ）を出力して突き抜け電圧
の補償を行い、１Ｈ期間後に第２の補償電圧（フレーム
１では５Ｖ、フレーム２では７Ｖ）を出力し、実効値の
補償を行う方式とした。
（ｃ）で示したように、時定数５μｓｅｃのものと、１
０μｓｅｃのものを用いた。駆動電圧、タイミングは、
ゲートオン電圧２０Ｖを１Ｈ期間出力した後、ゲートオ
フと同じタイミングで第１の補償電圧（フレーム１では
４Ｖ、フレーム２では、６Ｖ）を出力して突き抜け電圧
の補償を行い、１Ｈ期間後に第２の補償電圧（フレーム
１では５Ｖ、フレーム２では７Ｖ）を出力し、実効値の
補償を行う方式とした。
【００４８】ゲート遅延に基づくゲート信号給電側と終
端側でのＤＣ成分の発生について、本実施例による駆動
方法と従来の駆動方法とを比較した図１２（ａ）を用い
て説明する。同図に示した従来の駆動方法は、図４に示
した従来の駆動方法と同様である。但し、図４の駆動方
法ではゲート信号２２の立上りから０．５Ｈ期間後にＶ
ｃ１、Ｖｃ２を出力するようにしていたが、本実施例に
おける比較例としては、ゲート信号２２の立上りから１
Ｈ期間後にＶｃ１、Ｖｃ２を出力するようにしている。
この従来の駆動方法では、ゲート遅延５μｓｅｃの場合
で約１２０ｍＶ、ゲート遅延１０μｓｅｃの場合で約２
００ｍＶのＤＣ成分の変動が生じた。本発明の遅延補償
駆動によるＤＣ成分の発生は、ゲート遅延５μｓｅｃの
場合で約２０ｍＶ、ゲート遅延１０μｓｅｃの場合で約
３０ｍＶ程度に抑えられることが確認できた。
端側でのＤＣ成分の発生について、本実施例による駆動
方法と従来の駆動方法とを比較した図１２（ａ）を用い
て説明する。同図に示した従来の駆動方法は、図４に示
した従来の駆動方法と同様である。但し、図４の駆動方
法ではゲート信号２２の立上りから０．５Ｈ期間後にＶ
ｃ１、Ｖｃ２を出力するようにしていたが、本実施例に
おける比較例としては、ゲート信号２２の立上りから１
Ｈ期間後にＶｃ１、Ｖｃ２を出力するようにしている。
この従来の駆動方法では、ゲート遅延５μｓｅｃの場合
で約１２０ｍＶ、ゲート遅延１０μｓｅｃの場合で約２
００ｍＶのＤＣ成分の変動が生じた。本発明の遅延補償
駆動によるＤＣ成分の発生は、ゲート遅延５μｓｅｃの
場合で約２０ｍＶ、ゲート遅延１０μｓｅｃの場合で約
３０ｍＶ程度に抑えられることが確認できた。
【００４９】次に、本発明の駆動方法と従来の駆動方法
とのゲート遅延による輝度変化を図１２（ｂ）を用いて
説明する。図１２（ｂ）の縦軸は液晶の透過率５０％で
のソースドライバの出力電圧の変動量を示している。
とのゲート遅延による輝度変化を図１２（ｂ）を用いて
説明する。図１２（ｂ）の縦軸は液晶の透過率５０％で
のソースドライバの出力電圧の変動量を示している。
【００５０】同図に示した従来の駆動方法は、図８に示
した従来の駆動方法と同様である。この従来の駆動方法
では、ゲート遅延５μｓｅｃの場合で約１２０ｍＶ、ゲ
ート遅延１０μｓｅｃの場合で約１５０ｍＶの変動が生
じた。本発明の遅延補償駆動ではゲート遅延５μｓｅ
ｃ、１０μｓｅｃの場合で共に約２０ｍＶ程度にまで変
動を抑えられることが確認できた。
した従来の駆動方法と同様である。この従来の駆動方法
では、ゲート遅延５μｓｅｃの場合で約１２０ｍＶ、ゲ
ート遅延１０μｓｅｃの場合で約１５０ｍＶの変動が生
じた。本発明の遅延補償駆動ではゲート遅延５μｓｅ
ｃ、１０μｓｅｃの場合で共に約２０ｍＶ程度にまで変
動を抑えられることが確認できた。
【００５１】本発明は、上記発明の実施の形態に限らず
種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、本発明をフレーム反転の駆動方法に適用したが、本
発明はこれに限られず、いわゆるコモン反転、Ｈコモン
反転による駆動にも容易に適用できる。
種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、本発明をフレーム反転の駆動方法に適用したが、本
発明はこれに限られず、いわゆるコモン反転、Ｈコモン
反転による駆動にも容易に適用できる。
【００５２】また上記実施の形態においては、前段のゲ
ート線上に補助容量を構成した液晶表示装置について説
明したが、本発明はこれに限られず蓄積容量線を別に備
えた補助容量型の液晶表示装置にももちろん適用可能で
ある。
ート線上に補助容量を構成した液晶表示装置について説
明したが、本発明はこれに限られず蓄積容量線を別に備
えた補助容量型の液晶表示装置にももちろん適用可能で
ある。
【００５３】また、前段のゲート線に入力する突き抜け
電圧補償信号Ｖｃ１ａ、及びＶｃ２ａはゲート信号の立
ち下がりとほぼ同じタイミングで立ち上げる（又は立ち
下げる）ことが必要であるが、実効値補償電圧Ｖｃ１
ｂ、Ｖｃ２ｂの入力は、Ｖｃ１ａ、及びＶｃ２ａに対し
て上記発明の形態で例示したような１Ｈの期間後である
必要はなく、１Ｈより長くても短くても問題ない。但
し、１Ｈより短くする場合には突き抜け電圧補償が完了
した後である必要があるので、少なくともゲート遅延時
間を考慮して決定する必要がある。
電圧補償信号Ｖｃ１ａ、及びＶｃ２ａはゲート信号の立
ち下がりとほぼ同じタイミングで立ち上げる（又は立ち
下げる）ことが必要であるが、実効値補償電圧Ｖｃ１
ｂ、Ｖｃ２ｂの入力は、Ｖｃ１ａ、及びＶｃ２ａに対し
て上記発明の形態で例示したような１Ｈの期間後である
必要はなく、１Ｈより長くても短くても問題ない。但
し、１Ｈより短くする場合には突き抜け電圧補償が完了
した後である必要があるので、少なくともゲート遅延時
間を考慮して決定する必要がある。
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態による液晶表示装置の駆動
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態による液晶表示装置の駆動
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図３】Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造の液晶表示装置の等
価回路を示す図である。
価回路を示す図である。
【図４】従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図で
ある。
ある。
【図５】従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図で
ある。
ある。
【図６】従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図で
ある。
ある。
【図７】従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図で
ある。
ある。
【図８】他の従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する
図である。
図である。
【図９】他の従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する
図である。
図である。
【図１０】他の従来の液晶表示装置の駆動方法を説明す
る図である。
る図である。
【図１１】本発明の実施例による液晶表示装置の駆動方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図１２】本発明の実施例による液晶表示装置の駆動方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
２ ゲート線 ４ データ線 ６ ＴＦＴ ８ Ｃｌｃ １０ Ｃｓ １２ Ｃｇｓ ２０、２２、２４、２６ ゲート信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 栄寿 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 木村 伸一 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
Claims (5)
- 【請求項１】ゲート線にゲート信号を印加して薄膜トラ
ンジスタをオンさせてデータ線の画素信号を表示電極に
書き込むとともに、 補助容量に突き抜け電圧補償電圧を印加して突き抜け電
圧補償をした後、実効値補償電圧を印加して各画素領域
の液晶に所定の液晶電位を与えることを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法に
おいて、 前記突き抜け電圧補償電圧は、前記ゲート信号の立ち下
がりのタイミングにほぼ一致して印加されることを特徴
とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の液晶表示装置の駆動
方法において、 前記実効値補償電圧は、前記突き抜け電圧補償電圧の印
加後前記薄膜トランジスタがオフした後に印加されるこ
とを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表
示装置の駆動方法において、 前記補助容量は前記ゲート線の前段のゲート線と前記表
示電極とで構成され、前記突き抜け電圧補償電圧及び実
効値補償電圧は前記前段のゲート線に印加されることを
特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項５】請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表
示装置の駆動方法において、 前記補助容量は独立した蓄積容量線と前記表示電極とで
構成され、前記突き抜け電圧補償電圧及び実効値補償電
圧は前記蓄積容量線に印加されることを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法。
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