JPH09129414A - チップ電子部品の製造方法 - Google Patents
チップ電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH09129414A JPH09129414A JP27880795A JP27880795A JPH09129414A JP H09129414 A JPH09129414 A JP H09129414A JP 27880795 A JP27880795 A JP 27880795A JP 27880795 A JP27880795 A JP 27880795A JP H09129414 A JPH09129414 A JP H09129414A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electronic component
- pulse voltage
- chip
- chip electronic
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種電子機器に使用されるチップ電子部品に
おいて、インダクタンスが小さく高周波特性の優れたチ
ップ電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 二次外部電極４ａ，４ｂを導電性突起物
７ａ，７ｂで押圧しながら、この導電性突起物７ａ，７
ｂを介してパルス電圧を印加する。
おいて、インダクタンスが小さく高周波特性の優れたチ
ップ電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 二次外部電極４ａ，４ｂを導電性突起物
７ａ，７ｂで押圧しながら、この導電性突起物７ａ，７
ｂを介してパルス電圧を印加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビジョン受像
機、ビデオテープレコーダ、ラジオ受信機、通信機器、
電子計算機などの各種電子機器の回路を構成するチップ
コンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタなど
の、チップ電子部品の製造方法に関するものである。
機、ビデオテープレコーダ、ラジオ受信機、通信機器、
電子計算機などの各種電子機器の回路を構成するチップ
コンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタなど
の、チップ電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５において１はセラミック素子であ
る。図６において２ａ〜２ｅは内部電極、３ａ，３ｂは
内部電極２ａ〜２ｅと電気的に接続した一次外部電極で
あり、４ａ，４ｂは二次外部電極である。以下に前記チ
ップ電子部品の製造方法を説明する。
る。図６において２ａ〜２ｅは内部電極、３ａ，３ｂは
内部電極２ａ〜２ｅと電気的に接続した一次外部電極で
あり、４ａ，４ｂは二次外部電極である。以下に前記チ
ップ電子部品の製造方法を説明する。
【０００３】セラミック素子の混合原料をシート状に成
形し、そのシートと内部電極２ａ〜２ｅを交互に必要枚
数積層後、切断してグリーンチップとする。その端面に
ニッケルを主成分とする一次外部電極３ａ，３ｂを塗布
した後、前記グリーンチップを還元性雰囲気中において
焼成する。次に焼成済みチップの一次外部電極３ａ，３
ｂの上に銀を主成分とする二次外部電極４ａ，４ｂを塗
布し、空気中において焼き付けを行う。この焼き付けの
際、一次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂ
の間に、一次外部電極３ａ，３ｂの表面が酸化されニッ
ケル酸化膜が形成されて、電気的バリヤが発生する。そ
こでこの電気的バリヤを破壊するパルス電圧を印加し、
チップ電子部品を製造する。
形し、そのシートと内部電極２ａ〜２ｅを交互に必要枚
数積層後、切断してグリーンチップとする。その端面に
ニッケルを主成分とする一次外部電極３ａ，３ｂを塗布
した後、前記グリーンチップを還元性雰囲気中において
焼成する。次に焼成済みチップの一次外部電極３ａ，３
ｂの上に銀を主成分とする二次外部電極４ａ，４ｂを塗
布し、空気中において焼き付けを行う。この焼き付けの
際、一次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂ
の間に、一次外部電極３ａ，３ｂの表面が酸化されニッ
ケル酸化膜が形成されて、電気的バリヤが発生する。そ
こでこの電気的バリヤを破壊するパルス電圧を印加し、
チップ電子部品を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記、従
来の製造方法ではバリヤが破壊される場所は、電界集中
が生じ易い一次外部電極３ａ，３ｂのエッジ部５ａ，５
ｂに多く発生し、チップ電子部品の電流経路が長くな
り、インダクタンスが大きくなってしまうという問題点
を有していた。
来の製造方法ではバリヤが破壊される場所は、電界集中
が生じ易い一次外部電極３ａ，３ｂのエッジ部５ａ，５
ｂに多く発生し、チップ電子部品の電流経路が長くな
り、インダクタンスが大きくなってしまうという問題点
を有していた。
【０００５】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で、インダクタンスの小さいチップ電子部品を提供する
ことを目的とする。
で、インダクタンスの小さいチップ電子部品を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のチップ電子部品の製造方法はチップ電子部
品の二次外部電極を、導電性突起物で押圧しながらパル
ス電圧を印加することによって、一次外部電極と二次外
部電極の間に発生する電気的バリヤをパルス破壊し、初
期の目的を達成するものである。
に、本発明のチップ電子部品の製造方法はチップ電子部
品の二次外部電極を、導電性突起物で押圧しながらパル
ス電圧を印加することによって、一次外部電極と二次外
部電極の間に発生する電気的バリヤをパルス破壊し、初
期の目的を達成するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明で
は、二次外部電極の導電性突起物当接部に、印加された
パルス電圧が集中し、バリヤがパルス破壊されるため、
インダクタンスを小さくすることができる。
は、二次外部電極の導電性突起物当接部に、印加された
パルス電圧が集中し、バリヤがパルス破壊されるため、
インダクタンスを小さくすることができる。
【０００８】以下、本発明の実施形態について図面を参
照しながら説明する。図１〜図４において１はセラミッ
クバリスタ素子であり、２ａ〜２ｅは内部電極であり、
３ａ，３ｂは内部電極２ａ〜２ｅと電気的に接続した一
次外部電極であり、４ａ，４ｂは二次外部電極である。
以下に前記チップバリスタの製造方法を説明する。
照しながら説明する。図１〜図４において１はセラミッ
クバリスタ素子であり、２ａ〜２ｅは内部電極であり、
３ａ，３ｂは内部電極２ａ〜２ｅと電気的に接続した一
次外部電極であり、４ａ，４ｂは二次外部電極である。
以下に前記チップバリスタの製造方法を説明する。
【０００９】まずチタン酸ストロンチウムを主成分とす
るセラミックバリスタ素子１の原料を混合する。次に混
合した原料をシート状に成形し、そのシートに内部電極
２ａ〜２ｅを形成するため、ニッケルを主成分とする電
極ペーストを印刷する。次に内部電極２ａ〜２ｅを印刷
したシートを必要枚数積層圧着後、切断してグリーンチ
ップとする。その端面に一次外部電極３ａ，３ｂを形成
するため、ニッケルを主成分とする電極ペーストを塗布
する。次に前記工程まで処理したグリーンチップを還元
性雰囲気中において、温度１１００〜１３００℃で焼成
した。次にプリント基板との半田付け性を良くするため
の二次外部電極４ａ，４ｂを形成するため銀を主成分と
する電極ペーストを一次外部電極３ａ，３ｂの上に塗布
し、空気中において６００〜９２０℃の温度で焼き付け
る。この焼き付けの際、一次外部電極３ａ，３ｂと二次
外部電極４ａ，４ｂの間に一次外部電極３ａ，３ｂが酸
化されたニッケルの酸化膜が形成され、電気的バリヤが
発生する。以上は従来例の製造方法と同様である。従来
例の構成と異なるのはバリヤ除去の方法として、二次外
部電極４ａ，４ｂの中央部分を鈍角な導電性突起物７
ａ，７ｂを用いて押圧しながらパルス電圧を印加する点
である。本実施形態の製造方法によるチップバリスタの
端子間インダクタンスと、従来例の製造方法によるチッ
プバリスタの端子間インダクタンスを（表１）に比較し
て示している。
るセラミックバリスタ素子１の原料を混合する。次に混
合した原料をシート状に成形し、そのシートに内部電極
２ａ〜２ｅを形成するため、ニッケルを主成分とする電
極ペーストを印刷する。次に内部電極２ａ〜２ｅを印刷
したシートを必要枚数積層圧着後、切断してグリーンチ
ップとする。その端面に一次外部電極３ａ，３ｂを形成
するため、ニッケルを主成分とする電極ペーストを塗布
する。次に前記工程まで処理したグリーンチップを還元
性雰囲気中において、温度１１００〜１３００℃で焼成
した。次にプリント基板との半田付け性を良くするため
の二次外部電極４ａ，４ｂを形成するため銀を主成分と
する電極ペーストを一次外部電極３ａ，３ｂの上に塗布
し、空気中において６００〜９２０℃の温度で焼き付け
る。この焼き付けの際、一次外部電極３ａ，３ｂと二次
外部電極４ａ，４ｂの間に一次外部電極３ａ，３ｂが酸
化されたニッケルの酸化膜が形成され、電気的バリヤが
発生する。以上は従来例の製造方法と同様である。従来
例の構成と異なるのはバリヤ除去の方法として、二次外
部電極４ａ，４ｂの中央部分を鈍角な導電性突起物７
ａ，７ｂを用いて押圧しながらパルス電圧を印加する点
である。本実施形態の製造方法によるチップバリスタの
端子間インダクタンスと、従来例の製造方法によるチッ
プバリスタの端子間インダクタンスを（表１）に比較し
て示している。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１から明らかなように、本実施形態によ
るチップバリスタは端子間インダクタンスが従来例によ
るチップバリスタに比べて小さいという点で優れた効果
が得られることが分かる。
るチップバリスタは端子間インダクタンスが従来例によ
るチップバリスタに比べて小さいという点で優れた効果
が得られることが分かる。
【００１２】以上のように本実施形態によれば、二次外
部電極４ａ，４ｂの中央部分を鈍角な導電性突起物７
ａ，７ｂを用いて機械的に押圧するので、押圧された部
分の一次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂ
の間に発生したバリヤ層の間隔が幾分でも狭くなり、こ
の部分に印加されたパルス電圧が集中する。そのため一
次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂの中央
部分でバリヤが破壊され、電気的接続がなされるため完
成品の電流経路が短くなり、インダクタンスの小さいチ
ップ電子部品を得ることができる。
部電極４ａ，４ｂの中央部分を鈍角な導電性突起物７
ａ，７ｂを用いて機械的に押圧するので、押圧された部
分の一次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂ
の間に発生したバリヤ層の間隔が幾分でも狭くなり、こ
の部分に印加されたパルス電圧が集中する。そのため一
次外部電極３ａ，３ｂと二次外部電極４ａ，４ｂの中央
部分でバリヤが破壊され、電気的接続がなされるため完
成品の電流経路が短くなり、インダクタンスの小さいチ
ップ電子部品を得ることができる。
【００１３】なお、本実施形態においてセラミックバリ
スタ素子１を用いたが、これをセラミックコンデンサ素
子、セラミックサーミスタ素子としてもよい。また、一
次外部電極３ａ，３ｂをニッケルとしたが、これを鉄、
銅など酸化膜を造りやすい金属、あるいは２種類の金属
の接触により、非オーミック接触を起こしやすい金属を
用いた場合も同様な結果が得られる。
スタ素子１を用いたが、これをセラミックコンデンサ素
子、セラミックサーミスタ素子としてもよい。また、一
次外部電極３ａ，３ｂをニッケルとしたが、これを鉄、
銅など酸化膜を造りやすい金属、あるいは２種類の金属
の接触により、非オーミック接触を起こしやすい金属を
用いた場合も同様な結果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明の、チップ電子部品
の製造方法は、二次外部電極を導電性突起物を用いて押
圧しながら、この導電性突起物を介してパルス電圧を印
加するものであるので、一次外部電極と二次外部電極と
の間に発生する電気的バリヤを、確実に破壊し、除去で
き、インダクタンスの小さいチップ電子部品を得ること
ができる。
の製造方法は、二次外部電極を導電性突起物を用いて押
圧しながら、この導電性突起物を介してパルス電圧を印
加するものであるので、一次外部電極と二次外部電極と
の間に発生する電気的バリヤを、確実に破壊し、除去で
き、インダクタンスの小さいチップ電子部品を得ること
ができる。
【図１】本発明の実施形態におけるチップバリスタの斜
視図
視図
【図２】同実施形態においてパルス電圧を印加する状態
を示す斜視図
を示す斜視図
【図３】図１のＡ−Ａの断面図
【図４】図３のＢ−Ｂの断面図
【図５】従来のチップバリスタの斜視図
【図６】図５のＡ−Ａの断面図
【図７】図６のＢ−Ｂの断面図
１ セラミックバリスタ素子 ３ａ 一次外部電極 ３ｂ 一次外部電極 ４ａ 二次外部電極 ４ｂ 二次外部電極 ７ａ 導電性突起物 ７ｂ 導電性突起物
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一対の内部電極を有したセラ
ミック素子と、その内部電極に電気的に接続された一次
外部電極と、この一次外部電極の上に設けた二次外部電
極を備えたチップ電子部品において、二次外部電極を導
電性突起物で押圧しながら、この導電性突起物を介し
て、パルス電圧を印加する工程を備えたチップ電子部品
の製造方法。 - 【請求項２】 二次外部電極の中央部分に導電性突起物
を押圧させる請求項１に記載のチップ電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27880795A JPH09129414A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27880795A JPH09129414A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129414A true JPH09129414A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17602449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27880795A Pending JPH09129414A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999053504A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Puce a thermistor ctp |
| JP2010199168A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27880795A patent/JPH09129414A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999053504A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Puce a thermistor ctp |
| US6441717B1 (en) | 1998-04-09 | 2002-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC thermister chip |
| KR100362730B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2002-11-29 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 칩형 양의 온도계수 서미스터 |
| JP2010199168A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックコンデンサの製造方法 |
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