JPH09120998A - フラッシュｅｅｐｒｏｍセル、その製造方法、プログラム方法及び読出方法 - Google Patents

フラッシュｅｅｐｒｏｍセル、その製造方法、プログラム方法及び読出方法

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JPH09120998A
JPH09120998A JP8118037A JP11803796A JPH09120998A JP H09120998 A JPH09120998 A JP H09120998A JP 8118037 A JP8118037 A JP 8118037A JP 11803796 A JP11803796 A JP 11803796A JP H09120998 A JPH09120998 A JP H09120998A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】４進情報をプログラム及び読出することができ
るメモリセルを提供するとに目的がある。 【解決手段】チャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）領域の上部
に、２個のフローテイングゲート（ｆｌｏａｔｉｎｇ
ｇａｔｅ）を形成し、この２個のフローテイングゲート
それぞれのプログラム及び消去如何により、４進情報の
出力を得ることができるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュＥＥＰ
ＲＯＭ（ｆｌａｓｈ ＥＥＰＲＯＭ）セル、その製造方
法、プログラム及び読出方法に関わり、特にチャネル
（ｃｈａｎｎｅｌ）領域の上部に２個のフローティング
ゲート（ｆｌｏａｔｉｎｇ ｇａｔｅ）を形成し、この
２個のフロテイングゲート各々のプログラム及び消去の
如何に従い、４進情報の出力を得られるようにしたフラ
ッシュＥＥＰＲＯＭセル、その製造方法、プログラム
（書込）及び読出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、電気的プログラム（ｐｒｏｇ
ｒａｍ）及び消去（ｅｒａｓｅ）が可能な機能を合わせ
持つ、フラシュＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌ
ｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅ
ａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ；ＥＥＰＲＯＭ）素子
は、その固有の長所により需要が次第に増大する実情で
ある。このようなフラッシュＥＥＰＲＯＭ素子は、一個
のセルに２進情報、即ち、”０”又は”１”だけをプロ
グラム或いは読出するので一バイト（ｂｙｔｅ；８個の
セル）で表示が可能な情報量は２５６（＝２8 ）個であ
る。更に、一個のセルが４進情報、即ち、”０”、”
１”、”２”及び”３”を持つとすれば、一バイトの情
報量は６５５３６（＝４8 ）個になるので、２進セルが
持つ情報量より２５６倍多くの情報量を持つことができ
る。即ち、一ギガ（ｇｉｇａ）以上の容量を持つメモリ
素子の具現が可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、チ
ャネル領域の上部に、２個のフローティングゲートを形
成し、その２個のフローティングゲート各々のプログラ
ム及び消去の如何に従い、４進情報の記憶及び出力を得
ることができるようにするフラッシュＥＥＰＲＯＭ素子
を具現することにより、上記の短所を解消することがで
きるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル、その製造方法、プロ
グラム及び読出方法を提供することにその目的がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明によるフラッシュＥＥＰＲＯＭセルは、水平
に隣接し、トンネル酸化膜により下部のシリコン基板と
電気的に分離される第１及び第２フローティングゲート
と、上記第１及び第２フローティングゲートを含む上部
面に形成される、誘電体膜と、上記誘電体膜の上部に形
成され、上記誘電体膜により上記第１及び第２フローテ
ィングゲートと電気的に分離されるコントロールゲート
と、上記シリコン基板に形成され、上記第１及び第２フ
ローティングゲート各々の外側部と一部重なり形成され
るソース及びドレーンとからなることを特徴とする。
【０００５】上記フラッシュＥＥＰＲＯＭセルの第１実
施例の製造方法は、シリコン基板上にトンネル酸化膜及
び第１ポリシリコン層を順次に形成する段階と、上記段
階から、上記第１ポリシリコン層をパターニングして第
１及び第２フローティングゲートを各々形成する段階
と、上記段階から、上記第１及び第２フローティングゲ
ート間のシリコン基板を除外した全体領域に、不純物イ
オンを注入してソース及びドレーンを形成する段階と、
上記段階から、全体上部面に誘電体膜及び第２ポリシリ
コン層を順次に形成する段階と、上記段階から、上記第
２ポリシリコン層及び誘電体膜を順次にパターニングし
て、コントロールゲートを形成する段階でなることを特
徴とする。
【０００６】第２実施例の製造方法は、シリコン基板上
にトンネル酸化膜及び第１ポリシリコン層を順次に形成
する段階と、上記段階から、第１フローティングゲート
及び第２フローティングゲートの間に上記第１ポリシリ
コン層をパターニングする段階と、上記段階から、上部
面全体に誘電体膜及び第２ポリシリコン層を順次に形成
する段階と、上記段階から、コントロールゲート電極用
マスクを利用した写真及びエッチング工程により、上記
第２ポリシリコン層、上記誘電体膜、及び上記第１及び
第２フローティングゲートを順次にパターニングする段
階と、上記段階から、シリコン基板に不純物イオンを注
入してソース及びドレーンを形成する段階とからなるこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明による、フラッシュＥＥＰＲＯＭセ
ルのプログラム方法は、第１及び第２フローティングゲ
ートに、ホットエレクトロンが注入されるように、コン
トロールゲート、ソース及びドレーンにバイアス電圧を
印加した後、上記コントロールゲート、ソース及びドレ
ーンに印加されるバイアス電圧の条件に従い、上記第１
及び第２フローティングゲートに注入されるホットエレ
クトロンを選択的に消去して４進情報がプログラムされ
るようにすることを特徴とする。
【０００８】上記フラッシュＥＥＰＲＯＭセルの読出方
法は、第１及び第２フローティングゲートに、選択的に
注入されるホットエレクトロンにより、プログラムされ
た４進情報を読出するため、順方向読出及び逆方向読出
を各々実施した後、ドレーン及びソース電流の有無によ
り貯蔵された情報が読出されることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参照して
本発明を詳細に説明する。
【００１０】図１Ａ乃至図１Ｅは、本発明による、フラ
ッシュＥＥＰＲＯＭセルの第１実施例の製造方法を説明
するための素子の断面図である。
【００１１】図１Ａは、シリコン基板（１）上にトンネ
ル酸化膜（ｔｕｎｎｅｌ ｏｘｉｄｅ；２）を８０乃至
１２０Åの厚さに成長させた後、第１ポリシリコン層
（３）を形成した状態の断面図である。
【００１２】図１Ｂは、フローティングゲート電極用マ
スク（図示されていない）を利用した、写真及びエッチ
ング工程により上記第１ポリシリコン層（３）をパター
ニングして、水平に隣接する第１及び第２フローティン
グゲート（３Ａ及び３Ｂ）を各々形成した状態の断面図
である。
【００１３】図１Ｃは、全体面に感光膜（４）を塗布し
た後、上記第１及び第２フローティングゲート（３Ａ及
び３Ｂ）の上部及び間にだけ感光膜（４）が残留される
ようにパターニングし、露出されたシリコン基板（１）
に不純物イオンを注入して、ソース及びドレーン（５乃
至６）を形成した状態の断面図である。
【００１４】図１Ｄは、全体上部面に、誘電体膜（７）
及び第２ポリシリコン層（８）を順次に形成した状態の
断面図であり、又、誘電体膜（７）は酸化膜−窒化膜−
酸化膜の順に形成されたＯＮＯ構造である。
【００１５】図１Ｅは、コントロールゲート電極用マス
ク（図示されていない）を利用した写真及びエッチング
工程により、上記第２ポリシリコン層（８）及び誘電体
膜（７）を順次にエッチングして上記第１及び第２フロ
ーティングゲート（３Ａ及び３Ｂ）上部に誘電体膜
（７）及びコントロールゲート（８Ａ）が積層されたＥ
ＥＰＲＯＭセルを形成した状態の断面図である。
【００１６】図２Ａ乃至図２Ｄは、本発明によるフラッ
シュＥＥＰＲＯＭセルの第２実施例の製造方法を説明す
るための素子の断面図である。
【００１７】図２Ａは、シリコン基板（１）上にトンネ
ル酸化膜（２）を８０乃至１２０Åの厚さに成長させた
後、第１ポリシリコン層（３）を形成した状態の断面図
である。
【００１８】図２Ｂは、写真及びエッチング工程によ
り、第１及び第２フローティングゲート（３Ａ及び３
Ｂ）の間の上記第１ポリシリコン層（３）をパターニン
グした状態の断面図である。
【００１９】図２Ｃは、全体上部面に誘電体膜（７）及
び第２ポリシリコン層（８）を順次に形成した状態の断
面図であり、又、上記誘電体膜（７）は酸化膜−窒化膜
−酸化膜の順に形成されたＯＮＯ構造である。
【００２０】図２Ｄは、コントロールゲート電極用マス
ク（図示されていない）を利用した写真及びエッチング
工程により、上記第２ポリシリコン層（８）、誘電体膜
（７）と上記第１及び第２フローティングゲート（３Ａ
及び３Ｂ）を順次にエッチングし、シリコン基板（１）
に不純物イオンを注入してソース及びドレーン（５及び
６）を形成することにより、上記第１及び第２フローテ
ィングゲート（３Ａ及び３Ｂ）上部に誘電体膜（７）及
びコントロールゲート（８Ａ）が積層されたＥＥＰＲＯ
Ｍセルを形成した状態の断面図である。
【００２１】上記の如く、トンネリング（ｔｕｎｎｅｌ
ｉｎｇ）が可能になるように薄く形成されたトンネル酸
化膜（２）上に、２個のフローティングゲート（３Ａ及
び３Ｂ）が水平に隣接されるように形成し、この２個の
フローティングゲート）３Ａ乃至３Ｂ）各々の外側部と
充分に重なるように、シリコン基板（１）上にソース及
びドレーン（５及び６）を形成することにより、トンネ
リング時に必要な面積を効果的に確保して、短い有効チ
ャネルの長さ（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｃｈａｎｎｅｌ
ｌｅｎｇｔｈ）による読出の時、電流の流れが容易にな
る。
【００２２】次に、かような技術的原理を利用して、４
進情報（”０”、”１”、”２”及び”３”）をプログ
ラム及び読出しするため、上記の如く製造したフラッシ
ュＥＥＰＲＯＭセルの動作を説明することにする。
【００２３】図３Ａ乃至図３Ｄは、本発明によるフラッ
シュＥＥＰＲＯＭセルのプログラム動作を説明するため
の動作状態図であり、図４Ａ乃至図４Ｄを参照して下記
の如く説明する。
【００２４】先ず、セルに”０”と言う情報をプログラ
ム即ち、すべてのフローティングゲートに電荷を貯蔵
（ｃｈａｒｇｅ）するためには、図３Ａの如く、コント
ロールゲート（８Ａ）に１２Ｖの高電圧を印加し、ドレ
ーン（６）に５Ｖ、ソース（５）には接地電位をそれぞ
れ印加する。上記コントロールゲート（８Ａ）に印加さ
れた高い電位により、第１及び第２フローティングゲー
ト（３Ａ及び３Ｂ）下部のシリコン基板（１）にはチャ
ネルが形成され、上記ドレーン（６）に印加された電圧
により、上記第１及び第２フローティングゲート（３Ａ
及び３Ｂ）間のシリコン基板（１）には高電界領域が形
成される。このとき、電流が上記の高電界領域を通過す
るとホットエレクトロン（ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ；
９）が発生され、このホットエレクトロン（９）の一部
が上記コントロールゲート（８Ａ）に印加された高電位
により形成される垂直方向の電界により、上記第１及び
第２フローティングゲート（３Ａ及び３Ｂ）に注入（ｉ
ｎｊｅｃｔｉｏｎ）される。従って、このようなホット
エレクトロンの注入により上記ドレーン及びソース（６
及び５）側の限界電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔ
ａｇｅ）はそれぞれ、例を挙げると、６Ｖ程度に上昇す
るため図４Ａと同様に”０”という情報がプログラムさ
れた状態になる。
【００２５】セルに”１”という情報をプログラムする
ためには、上記図４Ａの状態で図３Ｂと同様に、コント
ロールゲート（８Ａ）に接地電位、ドレーン（６）に１
２Ｖをそれぞれ印加し、ソース（５）をフロート（ｆｌ
ｏａｔ）させると、第２フローティングゲート（３Ｂ）
内に貯蔵されたエレクトロン（９）がトンネリングによ
り、上記ドレーン（６）を通じて放電（ｄｉｓｃｈａｒ
ｇｅ）されることにより、ドレーン（６）側の限界電圧
が、例えば、２Ｖ程度に低くなるので、図４Ｂの如く”
１”という情報がプログラムされた状態になる。
【００２６】セルに”２”という情報をプログラムする
ためには、上記図４Ａの状態で図３Ｃと同様に、コント
ロールゲート（８Ａ）に接地電位、ソース（５）に１２
Ｖをそれぞれ印加し、ドレーン（６）をフロートさせる
と、第１フローティングゲート（３Ａ）内に貯蔵された
エレクトロン（９）がトンネリングにより上記ソース
（５）を通じて放電されることにより、ソース（５）側
の限界電圧が、例えば、２Ｖ程度に低くなるので、図４
Ｃの如く”２”という情報がプログラムされた状態にな
る。
【００２７】セルに”３”という情報をプログラムする
ためには、上記図４Ａの状態で図３Ｄと同様に、コント
ロールゲート（８Ａ）に接地電位を、ソース及びドレー
ン（５及び６）にそれぞれ１２Ｖを印加すると、第１及
び第２フローティングゲート（３Ａ及び３Ｂ）内に貯蔵
されたエレクトロン（９）がトンネリングにより上記ソ
ース及びドレーン（５及び６）を通じて放電されること
により、ソース及びドレーン側の限界電圧が、例えば、
２Ｖ程度に低くなるので、図４Ｄの如く”３”という情
報がプログラムされた状態になる。
【００２８】このように、コントロールゲート（８
Ａ）、ソース及びドレーン（５及び６）に印加するバイ
アス電圧（ｂｉａｓ ｖｏｌｔａｇｅ）の条件を変更し
て４進情報を一個のセルにプログラムすることが出来る
が、一つの情報をプログラムするときは２個のフローテ
ィングゲート相互の作用を防止するため、先ず情報”
０”をプログラムし、次に情報”１”、”２”又は”
３”をプログラムしなければならない。
【００２９】次に、上記の如くセルにプログラムされた
４進情報を判読するための読出（ｒｅａｄ）動作を、図
５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。
【００３０】上記の如く、４進情報が一つのセルにプロ
グラムされるので、これを読出するためには基本的に２
回の読出動作を、即ち、順方向読出（ｆｏｒｗａｒｄ
ｒｅａｄ）及び逆方向読出（ｒｅｖｅｒｓｅ ｒｅａ
ｄ）を、それぞれ実施することになる。ここでは、上記
図４Ｃと同様に情報”２”がプログラムされた状態での
読出動作を、例を挙げて、説明することにする。
【００３１】上記図４Ｃの如く、第２フローティングゲ
ート（３Ｂ）にだけエレクトロン（９）が貯蔵された状
態で、順方向読出を実施しようとする場合は、図５Ａの
如く、コントロールゲート（８Ａ）に４Ｖ、ドレーン
（６）に３Ｖ及びソース（５）には接地電位をそれぞれ
印加する。これにより、エレクトロン（９）が注入され
るソース（５）側の第１フローティングゲート（３Ａ）
下部のシリコン基板（１）上にチャネルが形成されるた
めドレーン電流（ＩD ）が存在する。
【００３２】尚、上記図４Ｃと同様に、第２フローティ
ングゲート（３Ｂ）にだけエレクトロン（９）が貯蔵さ
れた状態で、逆方向読出を実施しようとする場合は、図
５Ｂの如くコントロールゲート（８Ａ）に４Ｖ、ソース
（５）に３Ｖ、及びドレーンにには接地電位をそれぞれ
印加する。これにより、エレクトロン（９）が注入され
るドレーン（６）側の第２フローティングゲート（３
Ｂ）下部のシリコン基板（１）にチャネルが形成されな
いためソース電流（ＩS ）は存在しなくなる。
【００３３】このような方法により、２回の読出動作を
実施した後、上記ドレーン及びソース電流（ＩD 及びＩ
S ）の有無に従い貯蔵された情報が読み出されるが、参
考に上記情報”０”、”１”、”２”及び”３”の読出
時のドレーン及びソース電流のフロー状態を下記の＜表
＞に表した。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】上述した如く、本発明によれば、チャネ
ル領域の上部に、２個のフローティングゲートを形成す
ることにより、この２個のフローティングゲートそれぞ
れのプログラム及び消去如何により、４進情報をプログ
ラムすることができ、且つ、正確に読出するのが可能な
ため大容量を持つフラッシュイイプロムセルを具現する
のに利用されることができる。更に、フローティングゲ
ートに情報が貯蔵されるため永久的に情報を貯蔵するこ
とができる卓越した効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるフラッシュイイプロムセルの第１
実施例の製造方法を説明するための素子の断面図であ
る。
【図２】本発明によるフラッシュイイプロムセルの第２
実施例の製造方法を説明するための素子の断面図であ
る。
【図３】本発明によるフラッシュイイプロムセルのプロ
グラム動作を説明するための動作状態図である。
【図４】図３を説明するための概念図である。
【図５】本発明によるフラッシュイイプロムセルの読出
動作を説明するための動作状態図である。
【符号の説明】
１ シリコン基板 ２ トンネ
ル酸化膜 ３ 第１ポリシリコン層 ３Ａ及び３Ｂ 第１及び第２フローティングゲート ４ 感光膜 ５及び６ ソー
ス及びドレーン ７ 誘電体膜 ８ 第２ポ
リシリコン層 ８Ａ コントロールゲート ９ ホット
エレクトロン

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フラッシュＥＥＰＲＯＭセルにおいて、 互いに水平隣接し、トンネル酸化膜により下部のシリコ
    ン基板と電気的に分離される第１及び第２フローティン
    グゲートと、 上記第１及び第２フローティングゲートを含む上部面に
    形成される誘電体膜と、 上記誘電体膜上部に形成され、上記誘電体膜により、上
    記第１及び第２フローティングゲートと電気的に分離さ
    れるコントロールゲートと、 上記シリコン基板に形成され、上記第１及び第２フロー
    ティングゲート各々の外側部と一部重なるように形成さ
    れるソース及びドレーンとからなることを特徴とするフ
    ラッシュＥＥＰＲＯＭセル。
  2. 【請求項２】第１項において、 上記誘電体膜は、酸化膜−窒化膜−酸化膜でなることを
    特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセル。
  3. 【請求項３】フラッシュＥＥＰＲＯＭセル製造方法にお
    いて、 シリコン基板上に、トンネル酸化膜及び第１ポリシリコ
    ン層を順次に形成する段階と、 上記段階から、上記第１ポリシリコン層をパターニング
    して第１及び第２フローティングゲートを各々形成する
    段階と、 上記段階から、上記第１及び第２フローティングゲート
    間のシリコン基板を除外した全体領域に、不純物イオン
    を注入してソース及びドレーンを形成する段階と、 上記段階から、上部面全体に、誘電体膜及び第２ポリシ
    リコン層を順次に形成する段階と、 上記段階から、上記第２ポリシリコン層及び誘電体膜を
    順次にパターニングしてコントロールゲートを形成する
    段階とからなることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯ
    Ｍセルの製造方法。
  4. 【請求項４】第３項において、 上記トンネル酸化膜は、８０ないし１２０Åの厚さで形
    成されることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセル
    の製造方法。
  5. 【請求項５】第３項において、 上記第１及び第２フローティングゲートは、水平に隣接
    して形成されることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯ
    Ｍセルの製造方法。
  6. 【請求項６】第３項において、 上記誘電体膜は、酸化膜−窒化膜−酸化膜の順に形成さ
    れることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの製
    造方法。
  7. 【請求項７】フラッシュＥＥＰＲＯＭセルの製造方法に
    おいて、 シリコン基板上に、トンネル酸化膜及び第１ポリシリコ
    ン層を順次に形成する段階と、 第１フローティングゲートと第２フローティングゲート
    間の上記第１ポリシリコン層をパターニングする段階
    と、 上部面全体に、誘電体膜及び第２ポリシリコン層を順次
    に形成する段階と、 コントロールゲート用マスクを利用し写真及びエッチン
    グ工程で上記第２シリコン層、上記誘電体膜、及び上記
    第１及び第２フローティングゲートを順次にパターニン
    グする段階と、 シリコン基板に、不純物イオンを注入してソース及びド
    レーンを形成する段階とからなることを特徴とするフラ
    ッシュＥＥＰＲＯＭセルの製造方法。
  8. 【請求項８】第７項において、 上記トンネル酸化膜は、８０乃至１２０Åの厚さで形成
    されることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの
    製造方法。
  9. 【請求項９】第７項において、 上記第１及び第２フローティングゲートは、水平に隣接
    して形成されることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯ
    Ｍセルの製造方法。
  10. 【請求項１０】第７項において、 上記誘電体膜は、酸化膜−窒化膜−酸化膜の順に形成さ
    れることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの製
    造方法。
  11. 【請求項１１】第１及び第２フローティングゲートにホ
    ットエレクトロンが注入されるようにコントロールゲー
    ト、ソース及びドレーンにバイアス電圧を印加した後、
    上記コントロールゲート、ソース及びドレーンに印加さ
    れるバイアス電圧の条件に従い、上記第１及び第２フロ
    ーティングゲートに注入されたホットエレクトロンを選
    択的に消去して、４進情報がプログラムされるようにす
    ることを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプロ
    グラム方法。
  12. 【請求項１２】第１１項において、 上記第１及び第２フローティングゲートにホットエレク
    トロンを注入させるため、上記コントロールゲートに印
    加する電圧は、ドレーンに印加される電圧より高くし、
    ソースには接地電位が印加されるようにしたことを特徴
    とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラム方法。
  13. 【請求項１３】第１１項において、 上記第２フローティングゲートに注入されたホットエレ
    クトロンを放電させるため、上記コントロールゲートを
    接地電位になるようにし、ソースはフロートさせる一
    方、ドレーンには、上記コントロールゲートに印加され
    る電圧より高い電圧が印加されるようにしたことを特徴
    とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラム方法。
  14. 【請求項１４】第１１項において、 上記第１フローティングゲートに注入されたホットエテ
    クトロンを放電させるため、上記コントロールゲートは
    接地電位になるようにし、ドレーンをフロートさせる一
    方、ソースには上記コントロールゲートに印加される電
    圧より高い電圧が印加されるようにしたことを特徴とす
    るフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラム方法。
  15. 【請求項１５】第１１項において、 上記第１及び第２フローティングゲートに注入されたホ
    ットエレクトロンを放電させるため、上記コントロール
    ゲートが接地電位になるようにし、ソース及びドレーン
    には、上記コントロールゲートに印加される電圧より高
    いが、同一の大きさの電圧が印加されるようにしたこと
    を特徴とするフッラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラ
    ム方法。
  16. 【請求項１６】第１及び第２フローティングゲートに、
    選択的に注入されたホットエレクトロンにより、プログ
    ラムされた４進情報を読出するため、順方向読出及び逆
    方向読出を各々実施した後、ドレーン及びソース電流の
    有無に従い、貯蔵された情報が読出されるようにしたこ
    とを特徴とするフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの読出方
    法。
  17. 【請求項１７】第１６項において、 上記、順方向読出の際、ソースが接地電位になるように
    し、コントロールゲートには、ドレーンに印加される電
    圧より高い電圧が印加されるようにしたことを特徴とす
    るフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの読出方法。
  18. 【請求項１８】第１６項において、 上記、逆方向読出の際、ドレーンが接地電位になるよう
    にし、コントロールゲートにはソースに印加される電圧
    より高い電圧が印加されるようにしたことを特徴とする
    フラッシュＥＥＰＲＯＭセルの読出方法。
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