JPH0878563A - セラミックチップキャリアの製造方法 - Google Patents
セラミックチップキャリアの製造方法Info
- Publication number
- JPH0878563A JPH0878563A JP20828594A JP20828594A JPH0878563A JP H0878563 A JPH0878563 A JP H0878563A JP 20828594 A JP20828594 A JP 20828594A JP 20828594 A JP20828594 A JP 20828594A JP H0878563 A JPH0878563 A JP H0878563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip carrier
- holes
- ceramic chip
- hole
- ceramic
- Prior art date
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- Pending
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半田付信頼性のよいセラミックチップキャリア
を提供することを目的とする。 【構成】焼成後のセラミック基板１にＣＯ2 レーザー加
工で内部スルーホール２を形成し、その後超音波加工に
より端面スルーホールを形成し、さらに、このセラミッ
ク基板にスパッタまたはメッキによって配線パターンを
形成する。その後、スクライブによりセラミック基板を
分割し、セラミックチップキャリアを得る。
を提供することを目的とする。 【構成】焼成後のセラミック基板１にＣＯ2 レーザー加
工で内部スルーホール２を形成し、その後超音波加工に
より端面スルーホールを形成し、さらに、このセラミッ
ク基板にスパッタまたはメッキによって配線パターンを
形成する。その後、スクライブによりセラミック基板を
分割し、セラミックチップキャリアを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は移動体通信機器や高周波
無線装置などの電子機器に用いるセラミックチップキャ
リアの製造方法に関する。
無線装置などの電子機器に用いるセラミックチップキャ
リアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にセラミックチップキャリアは図２
に示すようにセラミック基板１に内部スルーホール２と
端面電極用スルーホール３をもつ形状に形成される。こ
の各スルーホールの形成は、図３（ａ）に示すグリーン
シート４に図２（ｂ）で示すように金型５またはレーザ
でスルーホール２，３をあけたのちに焼成するか、グリ
ーンシート４を焼成後ＣＯ2 レーザーまたは超音液加工
により内部スルーホール２と端面電極用スルーホール３
を形成し、その後に切断分割してセラミックチップキャ
リアを得ていた。なお、図中の６はスクライブラインを
示す。
に示すようにセラミック基板１に内部スルーホール２と
端面電極用スルーホール３をもつ形状に形成される。こ
の各スルーホールの形成は、図３（ａ）に示すグリーン
シート４に図２（ｂ）で示すように金型５またはレーザ
でスルーホール２，３をあけたのちに焼成するか、グリ
ーンシート４を焼成後ＣＯ2 レーザーまたは超音液加工
により内部スルーホール２と端面電極用スルーホール３
を形成し、その後に切断分割してセラミックチップキャ
リアを得ていた。なお、図中の６はスクライブラインを
示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記スルーホールの形
成方法の前者の場合、グリーンシート４を焼成する際、
グリーンシート４が収縮するため、スルーホールの位置
と配線パターンの位置の精度が出ず、高密度配線パター
ンの形成が難しい。また後者の場合、焼成後すべての用
途のスルーホールをＣＯ2 レーザー加工であけると、図
４で示すように壁面にクラック７が生じ、図５に示すう
にメイン基板８にセラミックチップキャリアを接続する
とき、クラック７によりメッキパターン９に凹凸が生
じ、半田１０の接合が悪いものであり、端面電極端子用
スルーホール３としては信頼性が劣る。またすべてのス
ルーホールを超音波加工によりあけようとすると、スル
ーホールとスルーホールの間隔を広くとらなければスル
ーホール間でクラックが生じ、高密度配線パターンを要
求されるようなセラミックチップキャリアとしては不適
当であるという問題点があった。
成方法の前者の場合、グリーンシート４を焼成する際、
グリーンシート４が収縮するため、スルーホールの位置
と配線パターンの位置の精度が出ず、高密度配線パター
ンの形成が難しい。また後者の場合、焼成後すべての用
途のスルーホールをＣＯ2 レーザー加工であけると、図
４で示すように壁面にクラック７が生じ、図５に示すう
にメイン基板８にセラミックチップキャリアを接続する
とき、クラック７によりメッキパターン９に凹凸が生
じ、半田１０の接合が悪いものであり、端面電極端子用
スルーホール３としては信頼性が劣る。またすべてのス
ルーホールを超音波加工によりあけようとすると、スル
ーホールとスルーホールの間隔を広くとらなければスル
ーホール間でクラックが生じ、高密度配線パターンを要
求されるようなセラミックチップキャリアとしては不適
当であるという問題点があった。
【０００４】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、高密度配線パターンを要求されてもスルー
ホールの位置精度が確保でき、また端面電極とメイン基
板との半田付信頼性が向上するセラミックチップキャリ
アを提供することを目的とするものである。
ものであり、高密度配線パターンを要求されてもスルー
ホールの位置精度が確保でき、また端面電極とメイン基
板との半田付信頼性が向上するセラミックチップキャリ
アを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、セラミック基板を焼成後ＣＯ2 レーザー加
工で内部スルーホールを形成し、超音波加工により端面
電極用スルーホールを形成し、その後にパターン形成を
行う製造方法とする。
するために、セラミック基板を焼成後ＣＯ2 レーザー加
工で内部スルーホールを形成し、超音波加工により端面
電極用スルーホールを形成し、その後にパターン形成を
行う製造方法とする。
【０００６】
【作用】前記本発明の製造方法は、セラミック基板を焼
成後スルーホールを形成するので、パターンとスルーホ
ール位置の精度が確保できる。さらに内部スルーホール
をＣＯ2 レーザーで、端面電極用スルーホールを超音波
加工により形成するので、メイン基板にセラミックチッ
プキャリアを実装するとき、セラミックチップキャリア
の端面電極の半田付信頼性を向上させることとなる。
成後スルーホールを形成するので、パターンとスルーホ
ール位置の精度が確保できる。さらに内部スルーホール
をＣＯ2 レーザーで、端面電極用スルーホールを超音波
加工により形成するので、メイン基板にセラミックチッ
プキャリアを実装するとき、セラミックチップキャリア
の端面電極の半田付信頼性を向上させることとなる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の一実施例を説明する。図１は
本発明の方法で製造したセラミックチップキャリアを示
しており、図中の１はセラミック基板、２は内部スルー
ホール、３は端面電極用スルーホールである。
本発明の方法で製造したセラミックチップキャリアを示
しており、図中の１はセラミック基板、２は内部スルー
ホール、３は端面電極用スルーホールである。
【０００８】前記内部スルーホール２はレーザー加工で
形成され、また、端面電極用スルーホール３は超音波加
工によって形成され、いずれの加工もグリーンシートを
焼成して収縮したのちのセラミック基板に行っている。
このようにセラミックが収縮した後の基板に各スルーホ
ール形成を行い、そしてパターンを形成するため、各ス
ルーホールとパターンの位置精度が向上する。また、特
に端面電極用スルーホール３を超音波加工によって形成
しているため、端面電極スルーホールにクラックが生じ
なく、図６のようにセラミック基板１にメッキパターン
９を良好に形成できるので、半田１０による接合部の信
頼性向上ができるという利点を有する。
形成され、また、端面電極用スルーホール３は超音波加
工によって形成され、いずれの加工もグリーンシートを
焼成して収縮したのちのセラミック基板に行っている。
このようにセラミックが収縮した後の基板に各スルーホ
ール形成を行い、そしてパターンを形成するため、各ス
ルーホールとパターンの位置精度が向上する。また、特
に端面電極用スルーホール３を超音波加工によって形成
しているため、端面電極スルーホールにクラックが生じ
なく、図６のようにセラミック基板１にメッキパターン
９を良好に形成できるので、半田１０による接合部の信
頼性向上ができるという利点を有する。
【０００９】
【発明の効果】本発明は上記実施例の説明より明らかな
ように、焼成後のセラミック基板にスルーホールを形成
するため、スルーホールとパターンとの位置精度を向上
させ、また内部スルーホールをＣＯ2 レーザー加工で、
端面電極用スルーホールを超音波加工により形成するた
め、メイン基板へ実装後の端面電極の半田付信頼性を向
上することができるという効果を有する。
ように、焼成後のセラミック基板にスルーホールを形成
するため、スルーホールとパターンとの位置精度を向上
させ、また内部スルーホールをＣＯ2 レーザー加工で、
端面電極用スルーホールを超音波加工により形成するた
め、メイン基板へ実装後の端面電極の半田付信頼性を向
上することができるという効果を有する。
【図１】本発明の製造方法で製造されたセラミックチッ
プキャリアの斜視図
プキャリアの斜視図
【図２】従来のセラミックチップキャリアの斜視図
【図３】従来のセラミックチップキャリアの製造工程の
説明図
説明図
【図４】従来の製造方法によるセラミックチップキャリ
アの斜視図
アの斜視図
【図５】同セラミックチップキャリアを実装した状態の
要部断面図
要部断面図
【図６】本発明によるセラミックチップキャリアを実装
した状態の要部断面図
した状態の要部断面図
１ セラミック基板 ２ 内部スルーホール ３ 端面電極用スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 焼成したセラミック基板にＣＯ2 レーザ
ー加工により内部スルーホールを形成し、超音波加工に
より端面電極用スルーホールを形成することを特徴とす
るセラミックチップキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20828594A JPH0878563A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | セラミックチップキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20828594A JPH0878563A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | セラミックチップキャリアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878563A true JPH0878563A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16553721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20828594A Pending JPH0878563A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | セラミックチップキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010517208A (ja) * | 2006-10-31 | 2010-05-20 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロ加工された電解質シート、これを利用する燃料電池デバイス、および燃料電池デバイスを作製するマイクロ加工方法 |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP20828594A patent/JPH0878563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010517208A (ja) * | 2006-10-31 | 2010-05-20 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロ加工された電解質シート、これを利用する燃料電池デバイス、および燃料電池デバイスを作製するマイクロ加工方法 |
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