JPH087690Y2 - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPH087690Y2 JPH087690Y2 JP1666090U JP1666090U JPH087690Y2 JP H087690 Y2 JPH087690 Y2 JP H087690Y2 JP 1666090 U JP1666090 U JP 1666090U JP 1666090 U JP1666090 U JP 1666090U JP H087690 Y2 JPH087690 Y2 JP H087690Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- coupling
- point
- resonance circuit
- resonance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は負性抵抗素子と共振回路とを結合コイルで
結合させて発振するようにした発振器に関する。
結合させて発振するようにした発振器に関する。
「従来の技術」 従来のこの種の発振器を第２図に示す。負性抵抗素子
としてのトランジスタ11のベースは発振帯域を決めるコ
イル12を通じて接地され、エミッタは結合コイル14を通
じて接地され、コレクタはインピーダンス整合回路15を
通じて出力端子16に接続され、結合コイル14に共振回路
17が結合されている。結合コイル14とトランジスタ11と
の接続点18からトランジスタ11側を見たインピーダンス
が負性抵抗となり、共振回路17の共振周波数で発振が生
じ、その発振出力は出力端子16から取り出される。
としてのトランジスタ11のベースは発振帯域を決めるコ
イル12を通じて接地され、エミッタは結合コイル14を通
じて接地され、コレクタはインピーダンス整合回路15を
通じて出力端子16に接続され、結合コイル14に共振回路
17が結合されている。結合コイル14とトランジスタ11と
の接続点18からトランジスタ11側を見たインピーダンス
が負性抵抗となり、共振回路17の共振周波数で発振が生
じ、その発振出力は出力端子16から取り出される。
この従来の発振器の接続点18からトランジスタ11側を
見た負性抵抗の周波数特性は例えば第３図に示すスミス
チャート上で点線19のようになる。スミスチャートの中
心と発振させたい周波数とを結ぶ線の延長がルーカルを
切る点、例えば点21が共振回路17との結合状態を示し、
この点21がスミスチャートの横軸の右端（インピーダン
ス無限大の点）22から離れていることは、共振点から離
れていることを示し、例えば第４図の共振回路17の周波
数特性で共振周波数frから離れた周波数f2で結合してい
ることを示す。同様に接続点18から共振回路17側を見た
インピーダンス特性は第５図に示すようにスミスチャー
ト上に点線23で示すように、周波数がf1からf4に高くな
るに従って反時計方向に回転し、そのスタート点（周波
数f1）24が、スミスチャートの横軸の左端25（共振回路
17だけの特性のスタート点）から離れていて、共振点か
らずれ、第４図の共振特性で共振周波数frから可成り離
れた周波数で結合する。
見た負性抵抗の周波数特性は例えば第３図に示すスミス
チャート上で点線19のようになる。スミスチャートの中
心と発振させたい周波数とを結ぶ線の延長がルーカルを
切る点、例えば点21が共振回路17との結合状態を示し、
この点21がスミスチャートの横軸の右端（インピーダン
ス無限大の点）22から離れていることは、共振点から離
れていることを示し、例えば第４図の共振回路17の周波
数特性で共振周波数frから離れた周波数f2で結合してい
ることを示す。同様に接続点18から共振回路17側を見た
インピーダンス特性は第５図に示すようにスミスチャー
ト上に点線23で示すように、周波数がf1からf4に高くな
るに従って反時計方向に回転し、そのスタート点（周波
数f1）24が、スミスチャートの横軸の左端25（共振回路
17だけの特性のスタート点）から離れていて、共振点か
らずれ、第４図の共振特性で共振周波数frから可成り離
れた周波数で結合する。
このような状態では共振回路17のＱが低いところで動
作し、発振出力はSSB雑音が多くなり、スプクトル純度
が悪い。この問題をなくすため、つまり第３図の負性抵
抗特性曲線19を反時計方向に回転し、また第５図のイン
ピーダンス特性曲線23を反時計方向に回転させる、いわ
ゆる位相制御を行う必要がある。この位相制御のため、
従来においては負性抵抗素子（トランジスタ11）として
位相回りの少ないもの、つまり素子自体の持つ利得がゼ
ロになる周波数fTの高いものを使用し、更に位相制御を
したい場合や、fTが低い場合はインピーダンス整合回路
15を工夫して位相制御を行う。あるいは共振回路17側に
おいて位相変化の最大の要因である結合コイル14のイン
ダクタンスを小さくしている。
作し、発振出力はSSB雑音が多くなり、スプクトル純度
が悪い。この問題をなくすため、つまり第３図の負性抵
抗特性曲線19を反時計方向に回転し、また第５図のイン
ピーダンス特性曲線23を反時計方向に回転させる、いわ
ゆる位相制御を行う必要がある。この位相制御のため、
従来においては負性抵抗素子（トランジスタ11）として
位相回りの少ないもの、つまり素子自体の持つ利得がゼ
ロになる周波数fTの高いものを使用し、更に位相制御を
したい場合や、fTが低い場合はインピーダンス整合回路
15を工夫して位相制御を行う。あるいは共振回路17側に
おいて位相変化の最大の要因である結合コイル14のイン
ダクタンスを小さくしている。
「考案が解決しようとする課題」 しかし、負性抵抗素子11のfTを高くするには限界があ
り、またインピーダンス整合回路15の工夫にも限界があ
り、更に結合コイル14のインダクタンスを小さくするに
も、ある程度の結合度を得る必要から限度がある。この
ため特に高い周波数において、スペクトル純度の高い出
力が得られない。
り、またインピーダンス整合回路15の工夫にも限界があ
り、更に結合コイル14のインダクタンスを小さくするに
も、ある程度の結合度を得る必要から限度がある。この
ため特に高い周波数において、スペクトル純度の高い出
力が得られない。
「課題を解決するための手段」 この考案によれば、共振回路と結合するため負性抵抗
素子側の結合コイルと並列にインダクタンス素子が接続
される。
素子側の結合コイルと並列にインダクタンス素子が接続
される。
「実施例」 第１図にこの考案の実施例を示し、第２図と対応する
部分に同一符号を付けてある。この考案においては結合
コイル14と並列にインダクタンス素子26が必要に応じて
直流遮断用コイル27を通じて接続される。
部分に同一符号を付けてある。この考案においては結合
コイル14と並列にインダクタンス素子26が必要に応じて
直流遮断用コイル27を通じて接続される。
この構成によれば結合コイル14と並列にインダクタン
ス素子26が接続されているため、その合成インダクタン
ス値が小さくなり、所要の結合度が得られ、見掛け上結
合コイルのインダクタンスが小さくなり、共振回路17の
インピーダンス特性の位相回転が小さくなる。第１図の
トランジスタ11との接続点18から共振回路17側を見たイ
ンピーダンス特性は例えばスミスチャート上で第５図の
実線28で示すように、スタート点29が点25、つまり結合
コイル14がない共振回路17のみの時のインピーダンス特
性のスタート点に近づき、それだけ第４図で共振周波数
frに近い周波数f3で結合することになり、高いＱが得ら
れる。
ス素子26が接続されているため、その合成インダクタン
ス値が小さくなり、所要の結合度が得られ、見掛け上結
合コイルのインダクタンスが小さくなり、共振回路17の
インピーダンス特性の位相回転が小さくなる。第１図の
トランジスタ11との接続点18から共振回路17側を見たイ
ンピーダンス特性は例えばスミスチャート上で第５図の
実線28で示すように、スタート点29が点25、つまり結合
コイル14がない共振回路17のみの時のインピーダンス特
性のスタート点に近づき、それだけ第４図で共振周波数
frに近い周波数f3で結合することになり、高いＱが得ら
れる。
また結合コイル14の接続点31からトランジスタ11側を
見た負性抵抗特性は例えば第３図中の実線32のように従
来よりも反時計方向に回動した状態となり、同一周波数
の場合は共振回路17との結合状態を示す点33が、従来の
点21よりもインピーダンス無限大の点22に近づき、この
点からも、例えば第４図で周波数f3と共振周波数frに近
い状態で結合し、共振回路17のＱの高い所で動作する。
見た負性抵抗特性は例えば第３図中の実線32のように従
来よりも反時計方向に回動した状態となり、同一周波数
の場合は共振回路17との結合状態を示す点33が、従来の
点21よりもインピーダンス無限大の点22に近づき、この
点からも、例えば第４図で周波数f3と共振周波数frに近
い状態で結合し、共振回路17のＱの高い所で動作する。
なお、負性抵抗素子としてはシリコントランジスタの
みならず、ガリウムヒソFETなどを使用することもでき
る。
みならず、ガリウムヒソFETなどを使用することもでき
る。
「考案の効果」 以上述べたように、この考案によれば、結合コイルと
並列にインダクタンス素子を接続するという簡単な構成
により、位相回りを制御してＱの高い状態で共振回路17
を結合させることができ、SSB雑音が少ない。スペクト
ラム純度が高い発振出力を得ることができる。
並列にインダクタンス素子を接続するという簡単な構成
により、位相回りを制御してＱの高い状態で共振回路17
を結合させることができ、SSB雑音が少ない。スペクト
ラム純度が高い発振出力を得ることができる。
第１図はこの考案の実施例を示す接続図、第２図は従来
の発振器を示す接続図、第３図は負性抵抗の周波数特性
の例をスミスチャート上に示した図、第４図は共振回路
17の周波数特性を示す図、第５図は結合コイルを含む共
振回路の周波数特性の例をスミスチャート上に示す図で
ある。
の発振器を示す接続図、第３図は負性抵抗の周波数特性
の例をスミスチャート上に示した図、第４図は共振回路
17の周波数特性を示す図、第５図は結合コイルを含む共
振回路の周波数特性の例をスミスチャート上に示す図で
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】負性抵抗素子と共振回路とを結合コイルで
結合させて発振するようにした発振器において、 上記負性抵抗素子側の上記結合コイルと並列にインダク
タンス素子が接続されていることを特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1666090U JPH087690Y2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1666090U JPH087690Y2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03107811U JPH03107811U (ja) | 1991-11-06 |
| JPH087690Y2 true JPH087690Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31519917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1666090U Expired - Lifetime JPH087690Y2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087690Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP1666090U patent/JPH087690Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03107811U (ja) | 1991-11-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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