JPH0867533A - 無カドミウムかつ無鉛のガラス組成物および厚膜ペースト組成物 - Google Patents

無カドミウムかつ無鉛のガラス組成物および厚膜ペースト組成物

Info

Publication number
JPH0867533A
JPH0867533A JP7196819A JP19681995A JPH0867533A JP H0867533 A JPH0867533 A JP H0867533A JP 7196819 A JP7196819 A JP 7196819A JP 19681995 A JP19681995 A JP 19681995A JP H0867533 A JPH0867533 A JP H0867533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
cadmium
lead
glass composition
cuo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7196819A
Other languages
English (en)
Inventor
Jacob Hormadaly
ホーマダリー ヤコブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPH0867533A publication Critical patent/JPH0867533A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Abstract

(57)【要約】 【課題】 無毒性の無カドミウム/無鉛の厚膜を提供す
る。 【解決手段】 厚膜ペースト組成物は導電性の粒子とモ
ル%で5〜70%のBi23 、18〜35%のSiO
2 、0.1〜40%のCuO、0.5〜25%のZn
O、0.5〜40%のCoO、0.5〜40%のFe2
3 、および0.5〜40%のMnOからなり、無鉛か
つ無カドミウムであるガラス組成物を含み、全て有機媒
質中に分散している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はハイブリッド電気
回路のための厚膜ペースト組成物に関し、特に無カドミ
ウムかつ無鉛のガラスフリットをバインダとして用いる
組成物に関する。
【0002】なお、本明細書の記述は本件出願の優先権
の基礎たる米国特許出願第08/284,021号(1
994年8月1日出願)の明細書の記載に基づくもので
あって、当該米国特許出願の番号を参照することによっ
て当該米国特許出願の明細書の記載内容が本明細書の一
部分を構成するものとする。
【0003】
【従来の技術】厚膜導電体は抵抗、コンデンサ、および
集積回路間の電気的な相互接続に役立っている。厚膜導
電体はマイクロサーキット産業において抵抗またはコン
デンサパターンの成端に、典型的には導電体パターンを
基板上に焼成し、次いで抵抗またはコンデンサのパター
ンを導電体パターン上に印刷しそれらを焼成することに
よって用いられる。
【0004】厚膜回路の製造への金の使用はマイクロエ
レクトロニクスにおける著しい進歩をもたらした。金は
全ての金属の中で最も展性および延性に富み、その性質
は細線への線引きおよびワイヤボンディングを助ける。
さらに、金は酸素と容易に結合しない。酸素との反応の
欠如はその融点以上の温度での金の焼成を可能にする。
しかし、厚膜導電体のための印刷インクとしての金の使
用に伴う問題が金と下地基板との間の接着を得ることが
困難であることはよく知られている。特に、金の表面上
に酸素が存在しないことは、ワイヤボンディングのよう
な、金属との結合を形成するときには有利であるが、ガ
ラスまたはセラミックスなどのような金属酸化物との接
着に対しては不利であると考えられている。
【0005】本発明においては容易に還元する銅の酸化
物の添加が焼成サイクルの間に金属銅を生じることが示
される。銅は金と合金し、その酸素との親和性を高め
る。かくて、酸化物基板との強固な結合が達成される。
このことはまた銅酸化物の置換体および他の容易に還元
される酸化物に対しても当てはまる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】さらに、最も多く存在
している金厚膜組成物は基本的な成分としてカドミウム
化合物を含んでいる。経験的にCdO等のカドミウム化
合物およびCdOを含むガラスが厚膜金組成物のセラミ
ック体への強固な結合に欠かせないということが確立さ
れていた。最近、カドミウムを含有する組成物の使用が
制限され、ある領域では近い将来には禁止されるだろ
う。カドミウム化合物の使用はその健康への害悪のため
により多くの制限が予想される。
【0007】しかし、低融点で展性および延性が中庸で
あり、優れた濡れ性を与える無毒性の無カドミウムかつ
無鉛のフリット系は当業者に知られていない。従って、
ガラスフリットを含む広い分野の製品から鉛およびカド
ミウムを減らしまたは無くす努力と一致して、本発明は
厚膜ペースト組成物の配合に有用なことが示される無鉛
かつ無カドミウムのガラスフリットを扱う。本発明の組
成物は現在使用されている組成物に代わって、無毒性の
無カドミウム/無鉛の厚膜を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の態様に
よれば、モル%で5〜70%のBi23 、18〜35
%のSiO2 、0.1〜40%のCuO、0.5〜25
%のZnO、0.5〜40%のCoO、0.5〜40%
のFe23 、および0.5〜40%のMnOを含み、
無鉛かつ無カドミウムであるガラス組成物である。
【0009】ここで、ガラス組成物がモル%で5〜70
%のBi23 、20〜30%のSiO2 、0.2〜4
0%のCuO、2.5〜25%のZnO、1.7〜40
%のCoO、および10〜40%のMnOを含んでもよ
い。
【0010】本発明は、第2の態様によれば、ガラス組
成物がさらにモル%で(1)65〜85%のガラス形成
酸化物および(2)35〜15%のガラス変性酸化物か
らなる第2のガラス組成物をさらに含み、前記ガラス形
成酸化物は25〜55%のB23 、40〜10%のS
iO2 および30〜0%のAl23 、Bi23 、Z
rO2 およびそれらの混合物から選ばれた他のガラス形
成酸化物を含み、前記ガラス変性酸化物は実質的に3〜
35%のアルカリ土類金属酸化物、ただしそのほぼ10
%以下はMgOである、および0〜28%のCuO,C
2 O,PbO,ZnOおよびそれらの混合物から選ば
れた置換酸化物、ただしそれらのいずれも10%を超え
ず、かつそれらの全量は全ガラス変性酸化物の80%を
超えない、を含み、前記第2のガラス組成物は鉛および
カドミウムを含まないガラス組成物である。
【0011】本発明は、第3の態様によれば、モル%で
0.5〜2%のMgO、0〜20%のBaO、0〜6%
のAl23 、0〜45%のB23 、0〜5%のZr
2、18〜35%のSiO2 、5〜70%のBi23
、0〜25%のZnO、0.2〜40%のCuO、
0.1〜40%のCoO、0.5〜40%のFe2
3、および0〜40%のMnOを含み、鉛およびカド
ミウムを含まないガラス組成物である。
【0012】ここで、ガラス組成物がモル%で0.7〜
1.5%のMgO、6〜14%のBaO、1.5〜4.
5%のAl23 、15〜42%のB23 、1.5〜
4.5%のZrO2 、20〜30%のSiO2 、5〜7
0%のBi23 、2.5〜25%のZnO、0.2〜
40%のCuO、1.7〜40%のCoO、1.7〜4
0%のFe23 、および10〜40%のMnOを含
み、鉛およびカドミウムを含まないガラス組成物であっ
てもよい。。
【0013】本発明は、第4の態様によれば、上述した
ガラス組成物の細かく分割された粒子および導電性の粒
子を含み、全粒子が有機媒質に分散されている厚膜ペー
スト組成物である。
【0014】本発明の第5の態様によれば、厚膜ペース
ト組成物はCuOx 、ただしxは0〜1、の式から選ば
れた銅酸化物をさらに含む。
【0015】本明細書におけるパーセントは特に断らな
い限り全ガラス組成物に対するモル%である。
【0016】
【発明の実施の形態】CuOx 、ここでxは0〜1であ
る、およびBi23 のような導電体ペーストの成分が
焼成工程の間に対応する金属を部分的に還元することが
発見された。金属CuおよびBiはついで金と合金し、
かくてその表面特性および機械的性質を変性する。これ
らの金より電気的に陽性の元素は金の膜の表面でセラミ
ック誘電体と強固な化学結合を作ると信じられている。
換言すれば、金と合金したBiおよびCuは金の表面を
金とセラミックの界面でセラミック体中の酸化物位置
(oxidic site )に対してより反応性にする。金の膜の
セラミックへの改善された接着および改善されたワイヤ
ボンディング強度において強固な結合が明白になった。
強められた反応性が金組成物の高められた接着性および
より良いワイヤボンディング性能の鍵であると考えられ
る。唯一の無機バインダとしてビスマス化されたガラス
を含む金組成物に対する優れた1ミル(1000分の1
インチ)Auワイヤボンディングが実証された。しか
し、ガラスは単独では2ミルAuワイヤボンディングに
は十分でないことが発見された。従って、本発明はま
た、Au2ミルワイヤボンディングまたはアルミニウム
ワイヤボンディングに対して受け入れられる組成物をも
たらすガラスの銅または銅酸化物の任意の添加物との配
合物を検討する。
【0017】A.無機バインダ 配合中の鍵となる成分は無機ガラスフリットの細かく分
割された粒子である。フリットは焼結された金属粉末を
結合するために必要であり、焼成中のフリットの軟化点
および粘度が金属粉末および基板に対する濡れ性と同様
に決定的に重要である。フリットの粒子寸法は狭く臨界
的ではなく、本発明に有用なフリットは典型的にはほぼ
0.5から4.5マイクロメータ、好ましくはほぼ1か
らほぼ3マイクロメータの平均粒子寸法を有する。バイ
ンダの量は典型的には導電体組成物(有機媒質を除く)
のほぼ1から20重量%、好ましくはほぼ1から10重
量%、より好ましくはほぼ1から6重量%である。固体
表面の濡れは一般的な意味において液体と固体の界面に
形成され接触点において液体の表面に接する接触角で定
義される。接触角が小さいほど示される濡れが良くかつ
固体の所定の表面面積を完全に濡らすのに必要なガラス
が少ない。好ましい焼成温度は600℃から1000℃
である。
【0018】厚膜導電体と基板との間の応力を最小にす
ることはそれらの熱膨張性、それぞれの弾性率および相
対的な厚さに依存する。導電体組成物の主要な構成要素
である金属は高いTCEを有し、しかしガラスに比較し
て大幅に小さい弾性率を有する。金属のガラスに比較し
て低い弾性率を利用するために、導電体配合物中のガラ
スバインダの最低の実用的な量の使用が必要であり、そ
れによってボンディング界面の応力を最小限に抑える。
優れた濡れ性を示すガラスバインダは配合者が優れた蝋
付け性および接着性を維持しながら必要なバインダの量
を最小にすることを可能にする。
【0019】導電体組成物のための従来のガラスはカド
ミウムまたは鉛を基礎にしていた。現在の毒性および環
境上の関心に合致して鉛およびカドミウムを無くすこと
は一方ではまた濡れ性、熱膨張および性能上の要求に合
致しながら低い軟化および流れ性に対して適したガラス
を見いだすことの選択を制限する。この発明は成分、B
23 ,SiO2 ,CuO,ZnO,CoO,Fe2
3 およびMnOを基礎とするガラス系の予期されない
優れた性能について論じる。
【0020】組成的には、上記のガラスは第2のガラス
と配合されてもよく、本発明において第2のガラスとし
て使用されるガラスはモル%で65〜85%のガラス形
成酸化物および35〜15%のガラス変性酸化物を含む
ボロシリケートガラスである。
【0021】主要なガラス形成酸化物はガラスの25〜
55%の濃度で使用されるB23とガラスの40から
10%の濃度で使用されるSiO2 である。焼成中のガ
ラスの粘度が過剰に高くならないことを確実にするため
にガラスは少なくとも25%のB23 を含有すべきで
ある。しかし、もしB23 の含有量が約55%より高
いとガラスの耐久性が許容されない水準にまで減少する
ようである。
【0022】ガラスはまた30%までの濃度の条件つき
のガラス形成酸化物を含有してもよい。そのような条件
つきのガラス形成酸化物はAl23 ,Bi23 ,Z
rO2 およびそれらの混合物を含む。これらの条件つき
のガラス形成酸化物は本発明の全ての適用において必須
であるとは考えられないが、それにもかかわらずガラス
が少なくともほぼ10%、好ましくは15%のそのよう
な二次的なガラス形成酸化物を含有することが好まし
い。特に、Bi23 はガラスの粘度を低めまたガラス
の焼成範囲を高めるために好ましい。一方、Al23
はガラス形成範囲を高めるだけでなく、その耐久性を改
善するために好ましい。
【0023】本発明の第2のガラスに使用する主要なガ
ラス変性剤はアルカリ土類金属酸化物類であり、全ガラ
スの35%までの量で使用され得る。アルカリ土類金属
酸化物類は単独でまたは混合物としてのいずれでも使用
できる。しかし、ガラスが厚膜処理を受けたときに結晶
化しないように、10%以下のMgOが使用されること
が望ましい。主要なアルカリ土類金属酸化物ガラス変性
剤の80%までをZnO,PbO,Cux O(Cu2
またはCuO)またはZrO2 のような二次的なまたは
置換のガラス変性剤で置き換えてもよい。しかし、ガラ
スバインダは焼成温度においてガラスの粘度が高くなり
すぎないように、15%以下のこれらの置換のガラス形
成物のいずれかを含有すべきである。
【0024】本発明は以上の記述に限定されない。本発
明はさらに表1の実施例1〜10の2またはそれ以上の
ガラスを開示された組成範囲を得るように表1の実施例
11と配合して得られる範囲の個々の無カドミウムかつ
無鉛のガラスに拡張される。さらに、この発明の組成範
囲は2またはそれ以上のガラスを混合することによって
または一つのガラスを作ることによってまたはガラスを
適当な結晶相と混合することによって得ることができ
る。
【0025】B.電気的に機能する材料 銅、金、銀、白金、パラジウム、またはそれらの混合物
はこの発明の粒子中に用いることができる。好ましい金
属粒子は金である。金属粉または片の粒子寸法は技術的
な有効性の点からそれ自体狭く臨界的ではない。しか
し、粒子寸法は金属の焼結特性に影響し大きな粒子は小
さな粒子より遅い速度で焼結する。当業者に良く知られ
ているように、焼成中の導電体配合物の焼結特性を適合
させるために異なる寸法の粉末および/または片を配合
することができる。しかしながら、金属粒子はその適用
の方法、通常はスクリーン印刷、に適した寸法でなけれ
ばならない。従って、金属粒子の寸法は20マイクロメ
ータ以下、好ましくは10マイクロメータ以下である。
最小の粒子寸法は通常ほぼ0.1マイクロメータであ
る。組成物中の金の量はペーストを基礎にして通常60
〜90重量%であり焼成状態で70〜99重量%であ
る。
【0026】C.銅添加物 本発明の銅添加成分は式CuOx で表されxは0〜1の
範囲である。銅粒子の寸法は20マイクロメータ以下で
あるべきであり、0.1〜10マイクロメータの範囲が
望ましい。
【0027】銅添加物は粒子の形状で簡単に他の固体に
添加することができる。銅添加物は本発明のガラス中で
見いだされる銅酸化物とは異なった仕方で振舞う。組成
物中のCuOx の量は一般的にペーストを基礎にして
0.01〜1重量%であり、焼成状態で0.02〜1.
5重量%である。
【0028】D.有機媒質 細かく分割された電気的に機能する材料および無機バイ
ンダは通常有機媒質中に分散され所望の回路パターンに
印刷可能な半流動性のペーストを形成する。有機媒質は
適当に不活性な液体のいかなるものでもよく、固体と基
板に適当な濡れ性、ペースト中の粒子の比較的安定な分
散、容認できるスクリーン寿命を保ちながら良い印刷性
能、粗い取り扱いに耐えるのに十分な乾燥した膜の強
度、およびよい焼成性を与える非水性の不活性な液体が
好ましい。増粘剤(thickening agents )、安定剤およ
び/または他の共通添加物(common additive )を含み
または含まない各種の有機液体のいずれのものも使用す
ることができる。使用し得る有機液体の代表的なものは
アルコール類;、アセテート類およびプロピオネート類
のようなアルコールのエステル類;パインオイル、テル
ピネオールその他のようなテルペン類;およびポリメタ
クリレート、ポリビニルピロリドン、またはエチルセル
ローズのような樹脂のパインオイルおよびジエチレング
リコールモノアセテートのモノブチルエーテルのような
溶媒中の溶液である。媒質は基板への印刷の後で速い固
定を促進するために揮発性の液体を含有することができ
る。有機媒質は通常はペーストの5〜50重量%を構成
する。
【0029】導電性ペースト組成物は3本ロール機で都
合よく作製される。これらの組成物の好ましい粘度はブ
ルークフィールド(Brookfield)HBT粘度計で#14
スピンドルを用い10rpm、25℃で測定されたほぼ
50〜350Pa.Sである。使用される増粘剤の量は
最終的に要求される配合物の粘度によって規定され、シ
ステムの印刷要求によって決定される。
【0030】試験手順 ワイヤボンディング ワイヤボンディングはワイヤを金属被覆(metallizatio
n )に密接するようにもって行き、次いで超音波および
/または熱エネルギを印加してワイヤと金属被覆との間
の結合を形成することによって好都合に行われる。特
に、本発明で用いられる技術はワイヤループを二つのパ
ッドの間に形成し引張り計に付いている鍵爪をループの
下に挿入して結合またはワイヤが破壊するのに必要な力
を測定する。測定された破壊力はボンド間の間隔および
ループの寸法の関数であろう。同様に引張り速度が得ら
れた破壊力の値に影響するだろう。
【0031】以下の実施例は本発明を説明するが限定す
るものではない。
【0032】ガラスの作製 かかるガラスフリットの作製法はよく知られており、そ
して、例えば、ガラスの構成成分を共に溶融して構成成
分の酸化物の形にし、そしてその溶融した組成物を水中
に注いでフリットを形成する工程からなっている。バッ
チ成分は、もちろん、フリット製造の一般的な条件で求
められる酸化物をもたらすものであればいかなる化合物
でもよい。例えば、ホウ素酸化物は硼酸から得られ、シ
リコン酸化物はフリントから得られ、バリウム酸化物は
炭酸バリウムから得られる、等である。ガラスは好まし
くは水の入ったボールミル中で碾かれてフリットの粒子
寸法が減少されそして実質的に一様な寸法のフリットが
得られる。ガラスは適切な成分を適切な割合で混合し混
合物を加熱して融液を作るという便宜的なガラス製造技
術によって作製される。当業者によく知られているよう
に、加熱は最高温度まで加熱し融液が完全に液体になり
かつ均質になるのに充分な時間保持するように行われ
る。本方法では成分はプラスチックボールの入ったポリ
エチレンジャー中で振盪することによって予混合されつ
いで白金坩堝中で適切な温度で溶融される。融液は最高
温度1100〜1400℃で1〜1. 5時間の間加熱さ
れる。それから融液は冷水中に注がれる。急冷中の水の
最高温度は水の融液に対する体積比を増加することによ
ってできるだけ低く保たれる。水から分離した後の粗製
フリットは空気中の乾燥によってまたはメタノールでの
洗浄によって水を除去することによって残留水がなくな
る。粗製フリットはアルミナ容器中でアルミナボールを
使用して3〜15時間ボールミルされる。材料に拾われ
たアルミナは、もしそれがあったとしても、X線回折に
よって測定される観察限界以下である。粉砕されたフリ
ットのスラリーをミルから取り出した後、余分の溶媒を
デカンテーションによって除去し、そしてフリット粉末
を室温で空気乾燥する。乾燥された粉末は325メッシ
ュの篩で篩われ大きな粒子が除かれる。フリットの主要
な二つの性質は無機の結晶性の粒子状の材料の液相焼結
を助長することおよび厚膜組成物の作製における加熱−
冷却サイクル(焼成サイクル)中の失透(devitrificat
ion )によって非結晶性の(非晶質の)または結晶性の
材料を形成することである。失透処理は非結晶性(ガラ
ス状)材料前駆体としての同じ組成を有する単一の結晶
相またはガラス材料前駆体の組成と異なる組成を持つ多
数の結晶相のどちらか一方をもたらすことができる。
【0033】組成物の作製 本発明の組成物の作製において、粒子状の無機の固体は
有機キャリヤと混合されそして3本ロール機のような適
当な装置で分散されて懸濁液を形成し、その結果粘度が
剪断速度4秒-1でほぼ100〜150パスカル−秒の範
囲の組成物を生じる。
【0034】以下の実施例において、配合は以下の方法
で実行される。
【0035】ペーストの各成分から約5重量%と同等の
有機成分約5%を除いたものが容器中に秤量される。構
成成分はそれから強力に混合され均一な配合物を形成
し;ついで配合物は3本ロール機のような分散装置を通
して粒子の良好な分散が実現される。ヘグマン(Hegma
n)ゲージを使用してペースト中の分散の状態が決定さ
れる。この装置は鋼のブロック中の溝、一端において2
5μm(1ミル)の深さそして他端において0インチの
深さにまで上昇する溝、からできている。ブレードを使
用してペーストを溝の長さに沿って引き落とす。塊の直
径が溝の深さより大きいと溝中に掻き傷が現れる。満足
される分散は典型的には10〜18のフォーススクラッ
チポイント(fourth scratch point)を与える。溝の半
分がよく分散したペーストで覆われないポイントは典型
的には3と8の間である。10μm以上のフォーススク
ラッチ測定は分散が良くない懸濁を示す。
【0036】次いで有機成分からなる残りの5%が添加
されれ、樹脂の含量が調整されて完全に配合されたとき
の剪断速度4秒-1での粘度が140から200Pa.s
の間になるようにされる。次に組成物はアルミナセラミ
ックのような基板に、一般にはスクリーン印刷処理によ
って、湿った状態の厚さ約30〜80マイクロメータ、
好ましくは35〜70マイクロメータ、最も好ましくは
40〜50マイクロメータに塗布される。本発明の電極
組成物は自動印刷機によっても手動印刷機によっても便
宜的な方法で基板上に印刷することができ、好ましくは
200から325メッシュのスクリーンを使用する自動
スクリーンステンシル技術が採用される。次いで印刷さ
れたパターンは焼成の前に200℃以下、約150℃
で、約5〜15分乾燥される。無機バインダと細かく分
割された金属の粒子の双方を焼結するための焼成は、好
ましくは過焼結、中間温度での望まない化学反応、また
は速すぎる冷却から起こり得る基板の破壊を防ぐため
に、約300〜600℃での有機物質の完全燃焼、約5
〜15分続く約700〜1000℃の最高温度の時間、
次に制御された冷却のサイクルを可能にする温度プロフ
ァイルを持つよく通風されたベルトコンベヤ炉で行われ
る。全体の焼成手順は、好ましくは、焼成温度に到達す
るまでの20〜25分、焼成温度での約10分および冷
却の約20〜25分を含む約1時間に亘ることが好まし
いであろう。ある例では、30分という短い全サイクル
時間を用いることが可能である。
【0037】
【実施例】実施例1〜11 ガラスが上述した方法で作製され、粉砕され、X線回折
(XRD)、および示差熱分析(DTA)で特性が決定
された。DTAおよび膨張測定から得られたガラス転移
温度(Tg)は300〜550℃および好ましくは35
0〜500℃であった。本発明による10種のガラスが
表1に示される。実施例11はイー・アイ・デュポン・ド
ゥ・ヌムール社、ウィルミントン、DE(E.I.du Pont d
e Nemours and Co., Wilmington, DE)によって製造さ
れた商業的に入手可能な製品である。
【0038】モル%で示した組成が商業的に入手可能な
CdおよびPbを含まないガラス(実施例11)と共に
表1に与えられる。全ての実験用のガラスは30モル%
のSiO2 を含み、他の70モル%はBi23 (表1
のガラス2)または遷移金属酸化物とBi23 との混
合物からなる。Bi23 −SiO2 系は遷移金属酸化
物に対して非常に強力な溶媒であり、30モル%の固定
したSiO2 濃度でこれらのガラスは遷移金属酸化物の
充分な量を溶解することができる。
【0039】
【表1】
【0040】以下の実施例において、全ての厚膜組成物
は上述した方法で作製された。
【0041】実施例12〜15 4種のAu組成物のシリーズが、表1のガラス1および
2を用いて1ミルAuワイヤボンディングのためにロー
ルミル(100gスケール)で作られた。組成が表2に
与えられる。
【0042】
【表2】
【0043】カルビトール(Carbitol):ユニオンカー
バイドコーポレーション社(UnionCarbide Corp., Danb
ury, Conn)のジエチレングリコールエチルエステルの
登録商標 テキサノール(Texanol):イーストマンケミカ
ルプロダクツ社(Eastman Chemicl Products, Inc., Ki
ngsport, Tenn.)のトリメチルペンタンジオール−1,
3モノイソブチレートの登録商標 ドワノール PPH:ダウケミカル社(Dow Chemical C
o.)のエチレングリコールフェニルエーテルの登録商標 実施例12から15の組成物がAl23 、誘電体57
04**および誘電体QM42**基板上に金ボンディング
パターンスクリーン325メッシュを使用して印刷され
た。1ミルワイヤボンディングが上述した全ての基板上
の単一の及び多重(5焼成)の焼成に対して測定され
た。引張り強度の要約されたデータが表3に示される。
【0044】**誘電体5704および誘電体QM42
基板はイー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール社から発
売されている商業的に入手可能な厚膜誘電体である。
【0045】組み合わせ(金組成物/基板/焼成)あた
りのボンドの数は2000と一定した。全組合せ(2
4)で欠けるものはなかった。24の組み合わせのグル
ープのうち、誘電体QM42上への実施例15のみが1
%の金属被覆の持ち上がり(metallization lift)を示
した。残りは容認し得る破壊の状態であった。これらの
実験用の金組成物(表3)は最適化されていないけれど
良い特性を示した。
【0046】表3には示さないが、2ミルワイヤボンデ
ィングの実験が各種の基板上の実施例12〜15の結合
強度について行われた。その結果は非常に矛盾するもの
であった。平均の引張り強度は基板によって強く変化
し、標準偏差は非常に高かった。全ての組成物がほとん
どの基板について50%以上の高い比率で削られた窪み
(divots)を持った。全ての組成物が非常に高い(金属
被覆の持ち上がり)破壊の形態を持った。2ミルワイヤ
ボンディングについては全ての組合せ(24)で貧しい
性能が見いだされた。
【0047】
【表3】
【0048】実施例16〜23 表4は実施例1〜8のガラス1.50%および実施例1
1のガラス0.5%からなる2%のバインダを用いてロ
ールミル(50gスケール)で作られた8種の金組成物
を示す。ガラスの配合物は優れた1ミルワイヤボンディ
ング強度を持っていた。しかし、実施例16〜23の2
ミルAuワイヤボンディングは結果として貧しい特性を
生じた。
【0049】
【表4】
【0050】実施例24〜37 実施例24から31の組成物がロールミル(50gスケ
ール)で作られた。組成が表5に示される。全無機バイ
ンダは表1の実施例1から8のガラス1.5%と実施例
11のコバインダ0.5%からなる2%であった。次い
で0.1gのCuOが20gのペーストに添加された。
混合物はマラー(muller)上で分散された。
【0051】アルミナおよび5704誘電体上の実施例
24から31の2ミルAuワイヤボンディングデータが
表6にまとめて示される。表6はCdおよびPbのない
ガラスへのCuOの添加が2ミルAuワイヤボンディン
グ特性に大きな改善を生じることを示している。
【0052】使用し得るCuOの範囲は実施例32から
37として表7に示されている。2ミルAuワイヤボン
ディングにおける実施例32から37の性能はアルミナ
および5704誘電体上について表8に与えられる。表
8は高いCuO濃度の試料ではボンドを形成することが
困難であり、実施例32では224のボンドが実現でき
たが実施例34では僅かに3個のボンドが実現できたの
みであることを示している。欠落(misses)の数は同様
にCuOの濃度の増加と共に増加し、例えば、アルミナ
上の実施例32については224のボンドのうちの6が
欠けており、アルミナ上の実施例34については3つの
ボンドの3個が欠けている。表面の汚染を除くために実
施例32から37の焼成された部分を磨き上げることは
ワイヤボンディング性能を改善せず、欠落数は変化しな
かった。実施例32から37の特性の傾向は過剰な合金
形成(Cu/Au合金)によると考えられる。銅は金の
硬度を増加させることが知られている。増加した硬度は
高い欠落の数として現れる。
【0053】
【表5】
【0054】
【表6】
【0055】
【表7】
【0056】
【表8】
【0057】実施例38〜47 実施例38〜47は改善された金組成物および2ミル、
1.5および10ミルAuワイヤボンディングにおける
性能評価を示す。最適化されたガラスバインダ−コバイ
ンダ、すなわち、ビスマスガラス/実施例11の3:1
の比率、が用いられる。ガラス組成物実施例4(亜鉛ガ
ラス)、実施例6(コバルトガラス40モル%Co
O)、実施例5(コバルトガラス20モル%CoO)お
よび実施例9(鉄ガラス20モル%Fe23 )はCu
OおよびCuのような添加物と共に使用される。
【0058】Cu,CuOおよびAgを伴う最適化され
た配合を示す組成物が表9にまとめて示される。実施例
38〜47の2ミルAuワイヤボンディングにおける性
能が表10に与えられる。2%のガラスバインダを伴う
実施例38〜47は窪みの数が非常に少ない、それらの
ほとんどはFe23 ガラスを基礎とする実施例46お
よび47を除いて窪みがない。
【0059】
【表9】
【0060】
【表10】
【0061】表10の実施例38、40および42の比
較はCuO(実施例38および40)をCu(実施例4
2および43)で置き換えることの効果を示している。
双方のグループはAl23 および5704上で窪みは
ない。破壊の数はCuグループ(実施例42)で少な
く、コバルトガラスを基礎にする組成物(実施例40お
よび43)において同様である。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば良
好なワイヤボンディングが可能となる。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 モル%で5〜70%のBi23 、18
    〜35%のSiO2、0.1〜40%のCuO、0.5
    〜25%のZnO、0.5〜40%のCoO、0.5〜
    40%のFe23 、および0.5〜40%のMnOを
    含み、無鉛かつ無カドミウムであることを特徴とするガ
    ラス組成物。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のガラス組成物におい
    て、モル%で5〜70%のBi23 、20〜30%の
    SiO2 、0.2〜40%のCuO、2.5〜25%の
    ZnO、1.7〜40%のCoO、および10〜40%
    のMnOを含むことを特徴とするガラス組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のガラス組成物
    において、さらにモル%で(1)65〜85%のガラス
    形成酸化物および(2)35〜15%のガラス変性酸化
    物からなる第2のガラス組成物をさらに含み、前記ガラ
    ス形成酸化物は25〜55%のB23 、40〜10%
    のSiO2 および30〜0%のAl23 、Bi2
    3 、ZrO2 およびそれらの混合物から選ばれた他のガ
    ラス形成酸化物を含み、前記ガラス変性酸化物は実質的
    に3〜35%のアルカリ土類金属酸化物、ただしそのほ
    ぼ10%以下はMgOである、および0〜28%のCu
    O,Cu2 O,PbO,ZnOおよびそれらの混合物か
    ら選ばれた置換酸化物、ただしそれらのいずれも10%
    を超えず、かつそれらの全量は全ガラス変性酸化物の8
    0%を超えない、を含み、前記第2のガラス組成物は鉛
    およびカドミウムを含まないことを特徴とするガラス組
    成物。
  4. 【請求項4】 モル%で0.5〜2%のMgO、0〜2
    0%のBaO、0〜6%のAl23 、0〜45%のB
    23 、0〜5%のZrO2 、18〜35%のSiO
    2 、5〜70%のBi23 、0〜25%のZnO、
    0.2〜40%のCuO、0.1〜40%のCoO、
    0.5〜40%のFe23 、および0〜40%のMn
    Oを含み、鉛およびカドミウムを含まないことを特徴と
    するガラス組成物。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載のガラス組成物におい
    て、モル%で0.7〜1.5%のMgO、6〜14%の
    BaO、1.5〜4.5%のAl23 、15〜42%
    のB23 、1.5〜4.5%のZrO2 、20〜30
    %のSiO2 、5〜70%のBi23 、2.5〜25
    %のZnO、0.2〜40%のCuO、1.7〜40%
    のCoO、1.7〜40%のFe23 、および10〜
    40%のMnOを含み、鉛およびカドミウムを含まない
    ことを特徴とするガラス組成物。
  6. 【請求項6】 請求項1、2、4または5のいずれかに
    記載されたガラス組成物の細かく分割された粒子および
    導電性の粒子を含み、全粒子が有機媒質に分散されてい
    ることを特徴とする厚膜ペースト組成物。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の厚膜ペースト組成物に
    おいて、CuOx 、ただしxは0〜1、の式から選ばれ
    た銅酸化物をさらに含むことを特徴とする厚膜ペースト
    組成物。
JP7196819A 1994-08-01 1995-08-01 無カドミウムかつ無鉛のガラス組成物および厚膜ペースト組成物 Pending JPH0867533A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/284,021 US5439852A (en) 1994-08-01 1994-08-01 Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition
US284021 1994-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0867533A true JPH0867533A (ja) 1996-03-12

Family

ID=23088557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7196819A Pending JPH0867533A (ja) 1994-08-01 1995-08-01 無カドミウムかつ無鉛のガラス組成物および厚膜ペースト組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5439852A (ja)
EP (1) EP0695724A1 (ja)
JP (1) JPH0867533A (ja)
KR (1) KR960007484A (ja)
CN (1) CN1122509A (ja)
TW (1) TW290745B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332236A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品の製造方法、並びに積層セラミック電子部品
JP2006344582A (ja) * 2005-04-25 2006-12-21 E I Du Pont De Nemours & Co マイクロ波用途におけるltccテープ用厚膜導体ペースト組成物
US7585798B2 (en) 2003-06-27 2009-09-08 Yamato Electronic Co., Ltd. Lead-free glass material for use in sealing and, sealed article and method for sealing using the same
JP2011204760A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2011204759A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9319971D0 (en) * 1993-09-28 1993-11-17 Cookson Group Plc Cobalt glass compositions for coatings
US5491118A (en) * 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
DE69616174T2 (de) * 1995-07-04 2002-03-14 Hamamatsu Photonics Kk Glas und faseroptische Platte damit
US5629247A (en) * 1996-05-08 1997-05-13 The O'hommel Company High bismuth oxide based flux and paint compositions for glass substrates
JP3209089B2 (ja) * 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
FR2757150B1 (fr) * 1996-12-12 1999-01-22 Saint Gobain Vitrage Procede d'emaillage de substrats en verre, composition d'email utilisee et produits obtenus
US5753571A (en) * 1997-02-13 1998-05-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead and cadmium-free encapsulant composition
JPH10340482A (ja) * 1997-06-09 1998-12-22 Hitachi Ltd 光情報記録媒体
US6171987B1 (en) 1997-12-29 2001-01-09 Ben-Gurion University Of The Negev Cadmium-free and lead-free glass compositions, thick film formulations containing them and uses thereof
JP3397125B2 (ja) * 1998-03-12 2003-04-14 株式会社村田製作所 電子部品
JP3484983B2 (ja) * 1998-07-28 2004-01-06 株式会社村田製作所 導電性ペースト及びガラス回路基板
US6255239B1 (en) * 1998-12-04 2001-07-03 Cerdec Corporation Lead-free alkali metal-free glass compositions
FR2796063B1 (fr) * 1999-07-08 2001-08-17 Saint Gobain Vitrage Nouvelle composition d'email noir, recyclable, comprenant du zinc, procede de fabrication et produits emailles obtenus
US6468448B1 (en) * 1999-10-22 2002-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive composition, conductive adhesive, and their mounting structure
DE10043196B4 (de) * 2000-09-01 2008-10-02 W.C. Heraeus Gmbh Glaskeramikmasse und Verwendung der Glaskeramikmasse
IL140990A0 (en) * 2001-01-18 2002-02-10 Univ Ben Gurion Thick film compositions containing pyrochlore-related compounds
US6814795B2 (en) * 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
KR20040008093A (ko) * 2002-07-17 2004-01-28 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판
US7138347B2 (en) * 2003-08-14 2006-11-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film conductor paste for automotive glass
JP4071171B2 (ja) * 2003-08-21 2008-04-02 太陽インキ製造株式会社 感光性導電組成物およびプラズマディスプレイパネル
US7176152B2 (en) * 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
US7339780B2 (en) * 2004-06-09 2008-03-04 Ferro Corporation Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors
US6982864B1 (en) * 2004-06-09 2006-01-03 Ferro Corporation Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors
US20060001009A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Garreau-Iles Angelique Genevie Thick-film conductive paste
JP4435710B2 (ja) * 2005-03-31 2010-03-24 日立粉末冶金株式会社 陰極線管のパネルピン用塗料
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
US7740725B2 (en) * 2006-04-05 2010-06-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste composition for LTCC tape in microwave applications
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
US8308993B2 (en) * 2008-01-30 2012-11-13 Basf Se Conductive inks
US8383011B2 (en) * 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers
US7736546B2 (en) 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
CN101624263B (zh) * 2009-08-05 2011-09-14 贵研铂业股份有限公司 电子浆料用低熔点中性无公害玻璃及其制备方法
CN101805129B (zh) * 2010-04-14 2012-01-04 东莞市龙基电子有限公司 不锈钢板用绝缘层材料及其制备方法
JP5482533B2 (ja) * 2010-07-16 2014-05-07 新日鐵住金株式会社 酸化防止剤、酸化防止剤の製造方法及び金属材の製造方法
CN103922596B (zh) * 2013-12-31 2016-03-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 玻璃料组合物、玻璃料糊剂组合物、电气元件密封方法及电气元件
GB201806411D0 (en) 2018-04-19 2018-06-06 Johnson Matthey Plc Kit, particle mixture, paste and methods
WO2022272224A1 (en) 2021-06-24 2022-12-29 Dupont Electronics, Inc. Conductive paste comprising copper particles and use thereof to produce electronic components
CN114005576A (zh) * 2021-11-16 2022-02-01 大连海外华昇电子科技有限公司 一种用于ltcc孔电极导电银浆及其制备方法
WO2024050768A1 (zh) * 2022-09-08 2024-03-14 深圳市首骋新材料科技有限公司 玻璃粉的制备方法、银浆以及制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2278867A (en) * 1940-05-01 1942-04-07 Du Pont Lead-free glaze of low maturing temperature for use in decorating ceramic ware
US4282035A (en) * 1980-02-15 1981-08-04 Corning Glass Works Lead-free and cadmium-free frits
US4554258A (en) * 1984-06-28 1985-11-19 Owens-Illinois, Inc. Chemical resistant lead-free glass frit compositions
SU1252310A1 (ru) * 1984-11-28 1986-08-23 Организация П/Я А-1695 Шликер дл защиты торцов керамических конденсаторов
KR950006202B1 (ko) * 1986-11-03 1995-06-12 시바-가이기 아게 무연(lead-free) 유리 프릿 조성물
SU1477706A1 (ru) * 1987-04-13 1989-05-07 Белорусский Политехнический Институт Легкоплавкое стекло
SU1488269A1 (ru) * 1987-08-10 1989-06-23 Vladimir S Kostomarov Шликер для защиты торцов керамических конденсаторов
US4892847A (en) * 1988-06-13 1990-01-09 Ciba-Geigy Corporation Lead-free glass frit compositions
JPH02204904A (ja) * 1989-02-03 1990-08-14 Asahi Glass Co Ltd 導体ペースト及びセラミックス基板
DE4005011C1 (ja) * 1990-02-19 1991-04-25 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
US5244848A (en) * 1990-04-12 1993-09-14 Cookson Group Plc Glaze compositions
EP0451771B1 (en) * 1990-04-12 1995-12-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Gold conductor composition
JPH0742135B2 (ja) * 1991-02-05 1995-05-10 太陽誘電株式会社 酸化亜鉛バリスタ用ガラス組成物と酸化亜鉛バリスタ
JPH0733261B2 (ja) * 1991-03-27 1995-04-12 太陽誘電株式会社 酸化亜鉛バリスタ用ガラス組成物と酸化亜鉛バリスタ
US5252521A (en) * 1992-10-19 1993-10-12 Ferro Corporation Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content
US5346651A (en) * 1993-08-31 1994-09-13 Cerdec Corporation Silver containing conductive coatings

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585798B2 (en) 2003-06-27 2009-09-08 Yamato Electronic Co., Ltd. Lead-free glass material for use in sealing and, sealed article and method for sealing using the same
JP2006344582A (ja) * 2005-04-25 2006-12-21 E I Du Pont De Nemours & Co マイクロ波用途におけるltccテープ用厚膜導体ペースト組成物
KR100791208B1 (ko) * 2005-04-25 2008-01-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 마이크로파 어플리케이션에서의 ltcc 테이프를 위한후막 전도체 페이스트 조성물
KR100798263B1 (ko) * 2005-04-25 2008-01-24 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 마이크로파 어플리케이션에서의 ltcc 테이프를 위한후막 전도체 페이스트 조성물
JP2006332236A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品の製造方法、並びに積層セラミック電子部品
JP2011204760A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2011204759A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
CN1122509A (zh) 1996-05-15
US5439852A (en) 1995-08-08
KR960007484A (ko) 1996-03-22
EP0695724A1 (en) 1996-02-07
TW290745B (ja) 1996-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0867533A (ja) 無カドミウムかつ無鉛のガラス組成物および厚膜ペースト組成物
JP5303552B2 (ja) セラミック基板用導体ペーストおよび電気回路
EP1321441B1 (en) Glass and conductive paste using the same
JP4805268B2 (ja) コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク
US7504349B2 (en) Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
US4070518A (en) Copper metallizations
US9799421B2 (en) Thick print copper pastes for aluminum nitride substrates
JP4503298B2 (ja) 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物
JPS6041012B2 (ja) 電導性金属組成物
JPS6035405A (ja) 銅伝導体組成物
JPH07500450A (ja) 熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物
KR101786722B1 (ko) 도전성 페이스트
JP2009505395A (ja) コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含む銅端子インク
JP4291146B2 (ja) 銀導体組成物
JPH0324796B2 (ja)
EP2822000B1 (en) Thick print copper pastes for aluminium nitride substrates
JP4423832B2 (ja) ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト
US3741780A (en) Metallizing compositions containing bismuthate glass-ceramic conductor binder
JP2795467B2 (ja) 接着性良好な金属ペースト
CN112673435B (zh) 用于氮化硅和其他基底的导电厚膜浆料
JPS6221739B2 (ja)
WO2013031957A1 (ja) 導体形成用無鉛ガラス組成物
JP2941002B2 (ja) 導体組成物
JP2931450B2 (ja) 導体ペースト
JPH0541110A (ja) 導体ペースト