JPH08511659A - 半導体本体表面に多層配線構造が設けられた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導体本体表面に同一導電材料からなる導体トラックの多層配線構造が設けられた半導体装置の製造方法。導体トラック（４、１、１８、１９、２２、２３、２４、２９、３０）の第１配線層（３）を半導体本体表面に形成する。これらのトラックを絶縁層（８５、２０、２１、２５、２６、２７、３１、３２）で覆い、この絶縁層の材料を導電材料に対し選択的にエッチングしうるウエットエッチング処理によりこの絶縁層に接点窓を形成し、第１配線層の導体トラックの少なくとも一部分を選択的に露出させる。次に、導電材料の層（１０）を表面に堆積し、導体トラック（１１）を有する第２配線層（９）を形成する。前記接点窓を形成する前に、絶縁材料の補助層（１２、１５）を前記絶縁層上に設ける。この補助層の前記接点窓の区域に開口（１３）をエッチングする。次いで前記絶縁層の材料を導電材料に対してのみならずこの補助層の絶縁材料に対しても選択的にエッチングしうるウェットエッチング処理を半導体本体に施して前記接点窓を前記絶縁層に形成する。この補助層の使用により、第２配線層の導体トラックを比較的幅狭にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体本体表面に多層配線構造が設けられた半導体装置の製造方法 本発明は、第１配線層の導体トラックを半導体本体表面上に形成し、次いで絶 縁層で被覆し、該絶縁層に、該絶縁層の材料を導電材料に対し選択的にエッチン グしうるウェットエッチング処理により接点窓を形成し、該接点窓により第１配 線層の導体トラックの少なくとも一部分を露出させ、次いで導電材料の層を表面 上に堆積し、この導電材料層に第２配線層の導体トラックを形成することにより 、半導体本体表面に同一導電材料からなる導体トラックの多層配線構造が設けら れた半導体装置を製造する方法に関するものである。 ２つの配線層の導体トラックは、例えば導電性多結晶シリコン、アルミニウム 、タングステン、又は金属シリサイドで形成することができ、絶縁層は、酸化シ リコンで形成することができる。このような多層配線構造は特に半導体メモリ及 び電荷結合デバイスに使用されている。 実際上、第１配線層は異なる厚さの導体トラックを具えうるので、これらのト ラック上に設けられる絶縁層も局部的に異なる厚さを示しうる。従って、第１配 線層の導体トラックを局部的に露出させる接点窓のエッチング中に問題が起こり うる。その理由は、絶縁層が比較的厚い部分でも導体トラックが接点窓内に露出 するまでエッチング処理を続ける必要があるためである。絶縁層が比較的薄い部 分では導体トラックが必要以上に長い期間に亘ってエッチング処理を受けること になる。この場合、これらの部分の導体トラックもその厚さの一部分に亘ってエ ッチ除去されることが起こりうる。これにより導体トラックがかなり薄くなり、 その部分で導体トラックの破断が起こりうる。従って、接点窓は絶縁層の材料を 導電材料に対し選択的にエッチングしうるウェットエッチング法により絶縁層に 形成される。前記の問題を解消するのに十分なエッチング選択性をウェットエッ チング処理により達成することができる。 特開昭５７−３１１５７号公報の要約書に頭書に記載した種類の方法が記載さ れ、この方法では酸化シリコンの絶縁層を第１配線層上に堆積している。接点窓 はこの絶縁層にＨＦ溶液によりエッチングしている。接点窓をこのようにウェッ トエッチング法により形成するため、酸化シリコンが導体トラックに対し高い選 択性でエッチングされる。 接点窓を絶縁層にエッチングするために、接点窓の区域に開口を有するフォト レジストマスクを絶縁層に設けた後に半導体本体をエッチング浴内に浸す。ウェ ットエッチング法による接点窓の形成の欠点は、エッチング処理が等方的に進む 点にある。この場合にはエッチングは水平方向及び垂直方向にほぼ等しい速度で 生ずる。従って、絶縁層に形成される接点窓はフォトレジストマスクの開口より 大きくなる。最近のフォトリトグラフィ技術によれば、例えば０．５μmの長さ 及び幅を有する極めて小さい開口をフォトレジストマスクに実現することができ る。この場合には、約０．２μmの絶縁材料の層に約０．９μmの長さ及び幅が有 する接点窓が形成される。これらの接点窓は第２配線層を形成する導電材料の層 の堆積中に充填される。２つの配線層の導体トラックは同一の材料により形成さ れるため、第１配線層の導体トラックを第２配線層の導体トラックのエッチング 中に露出させてはならない。第２配線層の導体トラックは第２配線層の形成中絶 縁層の接点窓を完全に遮蔽する必要がある。これらの導体トラックのエッチング にもフォトレジストマスクが使用される。このフォトレジストマスクを形成され た接点窓に対し±０．１μmの公差でアライメントさせることができる場合には 、第２配線層の導体トラックは接点窓の区域において１．１μm以上の幅を有す るものとする必要がある。 本発明の目的は、第２配線層の形成中に接点窓を第２配線層の導体トラックに より完全に遮蔽する必要がなく、従ってこれらの導体トラックを比較的小さい幅 にすることができる頭書に記載した種類の方法を提供することにある。 本発明は、この目的のために、頭書に記載した種類の方法において、前記接点 窓を形成する前に、絶縁材料の補助層を前記絶縁層上に設け、その後で最初にこ の補助層の前記接点窓の区域に開口をエッチングし、次に前記絶縁層の絶縁材料 を導電材料に対してのみならず前記補助層の絶縁材料に対しても選択的にエッチ ングしうるウェットエッチング処理を半導体本体に施して前記接点窓を前記絶縁 層に形成することを特徴とする。 後述の説明から明らかになるように、前記補助層には接点窓のエッチング用フ ォトレジストマスクの開口にほぼ一致する長さ及び幅を有する開口をエッチング するとができる。この補助層の下に位置する前記絶縁層に接点窓をエッチングす る際、この絶縁層には補助層の開口より大きい開口が形成される。このエッチン グ中に絶縁層が接点窓内において補助層のエッジの下まで除去される。これらの 接点窓は第２配線層を形成する導電材料の層の堆積中に補助層のエッジの下まで 充填される。この場合、第２配線層の導体トラックの形成において、補助層にエ ッチングした開口の幅と実際上等しい幅を有する導体トラックを形成することが できる。この導電層のエッチングは補助層で停止し、補助層の前記エッジがその 下の導電材料をエッチングから保護する。補助層の開口の長さ及び幅を０．５μ mにすると、上述の製造条件と同一の条件の下で０．７μm以下の幅を有する導体 トラックを補助層上に形成することができる。 補助層は半導体本体の全表面上に気相成長法により堆積するのが好ましいい。 このように堆積された層はその全表面域に亘って均一な厚さを示す。このような 補助層には、フォトレジストマスクの開口にほぼ一致する長さ及び幅を有する開 口を異方性プラズマエッチング法、例えば反応性イオンエッチング法によりエッ チングすることができる。このようなエッチング法はウェットエッチング法より 低いエッチング選択性を有するが、堆積層はその全表面域に亘ってほぼ均一な厚 さを有するため、この補助層に接点窓を、その下の層がエッチングプラズマを局 部的に任意の時間受けることなくエッチングすることができる。このエッチング 処理は試験により決定した持続時間後に停止させることにより、補助層の下に位 置する絶縁層の浸食が殆ど生じないようにすることが簡単にできる。 更に、補助層を５０ｎｍ以下の厚さに堆積させると、この補助層の開口は等方 性エッチング、例えばウェットエッチング法によりエッチングすることもできる 。この場合には補助層の開口はフォトレジストマスクの開口より大きくなるが、 その拡大は小さく抑えられる。等方性エッチングは水平方向及び垂直方向にほぼ 等しい速度で進むため、この開口の拡大は補助層の厚さに制限される。上述の例 と同様に、フォトレジスト層の開口が０．５μmの長さ及び幅を有し、補助層の 厚さが５０ｎｍ以下である場合には、補助層に０．５μmより大きいが０．６μ mより小さい長さ及び幅を有する開口が形成される。導体トラックを±０．１μm のアライメント精度で設けることができる場合には、この導体トラックは接点窓 を保護するために０．７μmより大きく０．８μmより小さい幅を有するものとす ればよい。 第１配線層の導体トラックは絶縁サブ層上に設け、この絶縁サブ層の材料はこ の材料に対し前記絶縁層の材料を選択的にエッチングしうる材料、好ましくは補 助層の材料と同一の材料とする。この場合、第１配線層の導体トラックを接点窓 より狭い幅にすることができる。この場合には基板が接点窓のエッチング中絶縁 サブ層により保護されるが、このサブ層がない場合には基板もエッチングされる 可能性がある。上述したフォトリソグラフィ法を使用すると約０．９μmの長さ 及び幅を有する接点窓が得られる。サブ層がない場合、これらの接点窓の下に位 置する導体トラックは１．１μm以上の幅を有する必要があるが、サブ層を使用 する場合にはこれらの導体トラックをリソグラフィ法により達成しうる０．５μ m以下の幅にすることができる。例えば、０．５μm幅の多結晶シリコンのトラッ クに絶縁酸化シリコン層を熱酸化により設ける場合に極めて狭い幅の導体トラッ クを形成することができる。 本発明を図面を参照して実施例につき以下に詳細に説明する。図面おいて、 図１〜４は本発明方法を用いて製造する半導体装置の第１実施例の数工程を示 し、 図４は図３のＡ−Ａ線上の断面図であり、 図５及び６は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第２実施例の数工程 を示し、 図７及び８は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第３実施例の数工程 を示し、 図９は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第４実施例の一工程を示し 、 図１０及び１１は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第５実施例の数 工程を示し、 図１２及び１３は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第６実施例の数 工程を示し、 図１４は図１３のＢ−Ｂ線上の断面図であり、 図１５、１６及び１７は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第７実施 例の数工程を示す。 図１〜４は本発明方法を用いて製造する半導体装置の第１実施例の数工程を示 す簡略断面図である。多結晶シリコンからなる約２００ｎｍの厚さの導体トラッ ク４を有する第１配線層３をシリコン半導体本体２の表面１上に通常の方法によ り形成し、次いでこれらのトラックを酸化シリコンの約２００ｎｍの厚さの絶縁 層５で覆う。次に、開口７を有するフォトレジストマスク６を設ける。次に、半 導体本体を通常の緩衝ＨＦ溶液に浸し、絶縁層の材料を導電材料に対し選択的に エッチングしうるウェットエッチング処理により絶縁層５に接点窓８を形成する 。これらの窓８は第１配線層３の導体トラック４の少なくとの一部分を局部的に 露出させる。図では、すべての導体トラック４が露出されるが、実際には第１配 線層内の図示してない導体トラックが例えば半導体本体２内に設けられた半導体 領域を相互接続するのに使用されている。しかし、このような導体トラックは本 発明には重要でない。接点窓８の形成後に、導体トラック４と同一の導電材料、 本例では多結晶シリコンの層１０を堆積し、導体トラック１１を有する第２配線 層９をこの層１０に形成する。 本発明では、接点窓８を形成する前に、絶縁材料の補助層１２を絶縁層５の上 の設け、その後でフォトレジストマスク６を用いて第１開口１３を補助層１２に 接点窓８の区域にエッチングし、次に絶縁層５の絶縁材料を導電材料に対しての みならず補助層１２の絶縁材料に対しても選択的にエッチングしうるウェットエ ッチング処理を半導体本体２に施して、接点窓８を絶縁層５に形成する。 こうして同一導電材料の導体トラック４、１０を有する多層配線構造が表面１ 上に設けられた半導体本体２を有する半導体装置が得られる。本例の２つの配線 層３及び９の導体トラック４及び１０は多結晶シリコンからなるが、これらのト ラックは例えばアルミニウム、タングステン、又は金属シリサイドで形成するこ ともでき、本例では絶縁層５は酸化シリコンであるが、窒化シリコン及びシリコ ンオキシナイトライドのような他の適当な材料とすることもできる。 補助層１２には接点窓８の位置及びサイズを規定するフォトレジストマスク６ の開口７の長さ及び幅にほぼ等しい長さ及び幅を有する開口１３をエッチングす ることができる。補助層１２の下に位置する絶縁層５に接点窓８をエッチングす る際、絶縁層５の窓８は補助層１２の開口１３より大きく形成される。絶縁層５ はこのエッチング中に接点窓８内において補助層１２のエッジ１４の下までエッ チングされる。接点窓８は第２配線層９を形成する層１０の導電材料の堆積中に 補助層１２のエッジ１４の下まで充填される。この場合には、導体トラック１１ を有する第２配線層９の形成中に、補助層１２にエッチングした開口１３の幅と ほぼ等しい幅を有する導体トラック１１を形成することができる。導電層１０の エッチングは補助層１２で停止し、補助層１２の前記エッジ１４がその下の導電 材料をエッチングから保護する。従って、補助層１２の開口１３の長さ及び幅が ０．５μmのとき、形成された接点窓に対し±０．１μmの公差でアライメントし うるフォトレジストマスクを導体トラック１１のエッチングに使用すると、補助 層上に０．７μm以下の幅を有する導体トラック１１を形成することができる。 補助層１２は半導体本体２上に気相成長法で堆積するのが好ましい。本例では 、例えば窒化シリコンの約２００ｎｍの厚さの層をＣＶＤ法で堆積し、この堆積 中半導体本体を約９００°Ｃの温度に加熱するとともにシランとアンモニアの混 合ガスをウエファ表面に導く。このように堆積した層１２はその全表面域に亘っ てほぼ均一な厚さを示す。開口１３はこのような補助層１２に異方性プラズマエ ッチング法、例えば通常の反応性イオンエッチング法によりエッチングして、こ れらの開口がフォトレジストマスクの開口の長さ及び幅にほぼ一致する長さ及び 幅を有するものとすることができる。このようなエッチング法はウェットエッチ ング法より低いエッチング選択性を有するが、堆積層１２がその全表面域に亘っ てほぼ均一な厚さを有するため、接点窓１３をこの補助層１２に、その下の層５ を局部的に長時間エッチングプラズマにさらすことなくエッチングすることがで きる。このエッチング処理は試験により決定した時間後に停止させるだけで、補 助層１２の下に位置する絶縁層５が殆ど浸食されないようにすることができる。 図５及び６は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第２実施例の数工程 を示す簡略断面図である。本例では、５０ｎｍ以下の厚さを有する窒化シリコン の補助層１５を補助層１２と同様の方法で堆積する。この場合にはこの補助層１ ５に開口１３を等方性エッチング、例えば熱い燐酸溶液を用いる通常のウェット エッチング法によりエッチングすることができる。このエッチングでは補助層１ ５に形成される開口１３はフォトレジストマスク６の開口７より大きくなるが、 その拡大は小さく抑えられる。等方性エッチングは水平方向及び垂直方向に実際 上等しい速度で進むため、開口の拡大は補助層の厚さに抑えることができる。前 述の実施例のようにフォトレジスト層６の開口７の長さ及び幅を０．５μmにす るとともに、補助層１５の厚さを５０ｎｍ以下にすると、０．５μmより大きい が０．６μmより小さい長さ及び幅を有する開口１３が補助層１５に得られる。 導体トラック１１を±０．１μmのアライメント精度で設けることができる場合 には、接点窓を保護するためにこの導体トラックは０．７μmより大きく０，８ μmより小さい幅を有するものとればよい。 図７及び８は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第３実施例の数工程 を示す簡略断面図である。本例では第１配線層３の導体トラック１６を絶縁サブ 層１７上に設け、この絶縁サブ層１７はこのサブ層に対し絶縁層５を選択的にエ ッチングしうる材料、好ましくは補助層１２と同一の材料の層とし、本例では２ ００ｎｍの厚さを有する窒化シリコンの層とする。この場合には第１配線層３の 導体トラック１６を接点窓８より幅狭にすることができる。接点窓８のエッチン グ中に、基板２が絶縁サブ層１７により保護される。このサブ層がない場合には 基板もエッチャントにより浸食されうる。接点窓８は前述したフォトリソグラフ ィ処理の使用により約０．９μmの長さ及び幅を有する。これらの接点窓８の下 部に位置する導体トラック１６はサブ層１７がない場合には少なくとも１．１μ mの幅にする必要があるが、サブ層１７がある場合にはフォトリソグラフィ法で 達成しうる０．５μm以下の幅にすることができる。 図９は本発明方法を用いて製造する半導体装置の第４実施例の一工程を示す簡 略断面図である。本例は図７及び８に示す実施例とほぼ同一である。唯一の相違 点は、補助層１５が本例では５０ｎｍ以下の厚さの窒化シリコンの層である点に ある。本例でも、導体トラック１６を接点窓８の寸法より小さい幅にすることが できる。 上述した実施例では、第１配線層３の導体トラック４及び１６に絶縁層５を堆 積により設けた。以下の実施例では、この層をこれらの導体トラックの熱酸化に より形成する。この場合にも極めて狭い導体トラックを形成することができる。 例えば、５００ｎｍの幅及び２００ｎｍの幅を有する多結晶シリコンのトラック に約２００ｎｍの厚さの絶縁酸化シリコン層を熱酸化により設けると、約３００ ｎｍの幅及び約１００ｎｍの厚さを有する導体トラックを維持することができる 。 図１０及び１１は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の第５実施例の数 工程を示す簡略断面図である。本例では第１配線層３に属する多結晶シリコンの 導体トラック１８及び１９に熱酸化シリコン２０及び２１の絶縁層を設ける。本 例では導体トラック１８が約２００ｎｍの厚さを有し、このトラックに約２００ ｎｍの絶縁層が設けられ、導体トラック１９が約１００ｎｍの厚さを有し、この トラックに約１００ｎｍの絶縁層が設けられる。第１配線層３が異なる厚さの導 体トラック１８及び１９を有し、これらの導体トラック１８及び１９に設けられ る絶縁層２０及び２１が異なる厚さを有するこのような状態が実際上しばしば起 こる。この状態を、ここでは絶縁層２０及び２１を導体トラック１８及び１９の 熱酸化により設ける場合について説明するが、絶縁層５を堆積により設ける上述 の場合にも同様の状態が起こりうる。従って、第１配線層３の導体トラック１８ 及び１９を局部的に露出させる接点窓８のエッチング中に問題が生じうる。これ は、絶縁層２０が比較的厚い場所においても導体トラック１８が接点窓１８内に 露出するまでエッチング処理を続ける必要があるためである。この場合には、絶 縁層２１が比較的薄い場所において導体トラック１９が比較的長時間エッチング 処理にさらされることになる。この場合、導体トラック１９がこれらの場所にお いてその厚さの一部に亘ってエッチ除去されうる。これにより導体トラック１９ がかなり薄くなり、その場所で導体トラックの破断が起こりうる。従って、接点 窓８は絶縁層２０及び２１の材料を導電材料に対し選択的にエッチングしうるウ ェットエッチング法により絶縁層２０及び２１に形成する。ウェットエッチング 法は前記問題を解消するに十分なエッチング選択性を有する。 補助層１２に開口１３を設けた後に、接点窓８を絶縁層２０及び２１にエッチ ングし、第２配線層９の導体トラック１１を形成する。 図１２、１３及び１４は本発明方法を用いて製造する半導体装置の第６実施例 の数工程を示す簡略断面図である。本例では、それぞれ１００ｎｍ，７５ｎｍ及 び５０ｎｍの厚さ及び３００ｎｍ，３００ｎｍ及び１００ｎｍの幅を有する第１ 配線層３の多結晶シリコンの幅狭導体トラック２２、２３及び２４を窒化シリコ ンのサブ層１７上に設け、これの導体トラックにそれぞれ２００ｎｍ，１００ｎ ｍ及び５０ｎｍの厚さを有する熱酸化シリコンの絶縁層を設ける。本例でも５０ ｎｍ以下の厚さの窒化シリコンの補助層１４を用いる。開口７が設けられたフォ トレジストマスク６を被着した後に、開口１５を補助層１４にエッチングする。 この開口１５は本例ではウェットエッチング法によりエッチングするが、このエ ッチングは反応性イオンエッチング法により実行することもできる。補助層１４ 及びサブ層１７は同一の材料、本例では窒化シリコンからなるため、サブ層１７ の、導体トラック２４に隣接する部分２８がエッチ除去される。このエッチング 処理を試験により予め決定した時間後に停止させることにより、サブ層１７の部 分２８がその厚さの大きな部分に亘ってエッチ除去されるのを避けることができ る。補助層１４に開口１５をエッチングした後に、接点窓８を絶縁層２５、２６ 及び２７にエッチングする。補助層は導体トラック２２に隣接する絶縁層２５の 残部で被覆されたままとなり、且つサブ層１７は他の導体トラック２３及び２４ に隣接する部分が露出される。接点窓８のエッチング後に導体トラック１１を有 する第２配線層９を設ける。このようにすると第１配線層３の極めて幅狭の導体 トラック２２、２３及び２４との良好な接触を得ることができることが確かめら れた。図１４は図１３のＢ−Ｂ線上の断面図である。この図から明らかなように 、極めて幅狭の導体トラック２４に対しても、導体トラック１１を接点窓８より 幅狭にすることができる。 最後に、図１５、１６及び１７は本発明半方法を用いて製造する半導体装置の 第７実施例の数工程を示す簡略断面図である。本例では、第１配線層３は窒化シ リコンのサブ層１７の上に設けられた互いにオーバラップする導体トラック２９ 及び３０を具える。これらの両トラックに酸化シリコンの熱成長絶縁層３１及び ３２を設ける。このような場合にも本発明の方法を適用することができる。５０ ｎｍ以下の厚さの窒化シリコン補助層１４及び開口７を有するフォトレジストマ スク６を設けた後に、接点窓８をエッチングする。本例ではこのエッチングを反 応性イオンエッチング法により行う。このエッチング処理により露出されたサブ 層１７の部分３３がその厚さの小部分に亘ってエッチング除去される。補助層１ ４の部分３４がそのまま残存する。しかし、図１５から明らかなように、第２配 線層９の導体トラック１１を形成する導電層１０は互いにオーバラップする導体 トラック２８及び２９と良好に接触する。図１７は図１６のＣ−Ｃ線上の断面を 示す。この図から明らかなように、互いにオーバラップする導体トラック２８及 び２９を有する複雑な第１配線層でも導体トラック１１を接点窓８より幅狭にす ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 ことができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１配線層の導体トラックを半導体本体表面上に形成し、次いでこれらのト ラックを絶縁層で被覆し、該絶縁層の材料を導電材料に対し選択的にエッチング しうるウェットエッチング処理により該絶縁層に接点窓を形成し、該接点窓によ り第１配線層の導体トラックの少なくとも一部分を露出させ、次いで導電材料の 層を半導体本体表面上に堆積し、この導電材料層に内に第２配線層の導体トラッ クを形成することにより、半導体本体表面に同一導電材料からなる導体トラック の多層配線構造が設けられた半導体装置を製造する方法において、前記接点窓を 形成する前に、絶縁材料の補助層を前記絶縁層上に設け、その後で最初にこの補 助層の前記接点窓の区域に開口をエッチングし、次に前記絶縁層の絶縁材料を導 電材料に対してのみならずこの補助層の絶縁材料に対しても選択的にエッチング しうるウェットエッチング処理を半導体本体に施して前記接点窓を前記絶縁層に 形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２．前記補助層は半導体本体の全表面上に気相成長法により堆積することを特徴 とする請求の範囲１記載の方法。 ３．前記補助層は半導体本体の全表面上に５０ｎｍ以下の厚さに堆積することを 特徴とする請求の範囲２記載の方法。 ４．第１配線層の導体トラックを絶縁サブ層上に設け、この絶縁サブ層の材料は この材料に対し前記絶縁層の材料を選択的にエッチングしうるものとすることを 特徴とする請求の範囲１〜３のいずれかに記載の方法。 ５．第１配線層の導体トラックを前記補助層の材料と同一の材料からなる絶縁サ ブ層上に設けることを特徴とする請求の範囲４記載の方法。 ６．前記絶縁サブ層及び前記補助層は窒化シリコンからなることを特徴とする請 求の範囲５記載の方法。 ７．第１配線層の導体トラックは多結晶シリコンからなり、これらの導体トラッ ク上の前記絶縁層は多結晶シリコンの酸化により形成することを特徴とする請求 の範囲５記載の方法。