JPH04229616A - 半導体層構造に開口を製造する方法 - Google Patents
半導体層構造に開口を製造する方法Info
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- JPH04229616A JPH04229616A JP3119177A JP11917791A JPH04229616A JP H04229616 A JPH04229616 A JP H04229616A JP 3119177 A JP3119177 A JP 3119177A JP 11917791 A JP11917791 A JP 11917791A JP H04229616 A JPH04229616 A JP H04229616A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体層構造中に開口を
製造する方法並びにこの方法を使用して接触孔を製造す
る方法に関する。
製造する方法並びにこの方法を使用して接触孔を製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体層構造中にエッチング処理により
開口を製造するためにフォトマスクを使用することは一
般にに公知である。フォトマスクは、投影マスクを介し
て露光されたフォトレジスト層から製造される。この場
合投影マスクは半導体層構造に併せて調整されていなけ
ればならない。この場合不可避的な調整公差により、開
口用として定められた箇所と半導体層構造中の隣接する
各成分との間には安全余裕を維持する必要がある。例え
ばＤＲＡＭにおける画像線接触用接触孔として使用され
る開口は、ワード線の規定の縁位置精度に相応した安全
間隔をもって配置されなければならない。
開口を製造するためにフォトマスクを使用することは一
般にに公知である。フォトマスクは、投影マスクを介し
て露光されたフォトレジスト層から製造される。この場
合投影マスクは半導体層構造に併せて調整されていなけ
ればならない。この場合不可避的な調整公差により、開
口用として定められた箇所と半導体層構造中の隣接する
各成分との間には安全余裕を維持する必要がある。例え
ばＤＲＡＭにおける画像線接触用接触孔として使用され
る開口は、ワード線の規定の縁位置精度に相応した安全
間隔をもって配置されなければならない。
【０００３】接触孔として使用される開口を製造する場
合、隣接する各成分を被覆しまた隣接する各成分と接触
孔内に施された接触部とを絶縁するために使用する不活
性化層内にこの開口を構成するという問題が生じる。従
ってこの開口を製造する場合隣接する各成分の一部がエ
ッチング露出され、これが接触部の完成後に短絡を生じ
るという危険性を有する。
合、隣接する各成分を被覆しまた隣接する各成分と接触
孔内に施された接触部とを絶縁するために使用する不活
性化層内にこの開口を構成するという問題が生じる。従
ってこの開口を製造する場合隣接する各成分の一部がエ
ッチング露出され、これが接触部の完成後に短絡を生じ
るという危険性を有する。
【０００４】半導体回路に一層高い集積密度を得ること
を可能にするには、開口が隣接する各成分間の安全間隔
を小さくする必要がある。
を可能にするには、開口が隣接する各成分間の安全間隔
を小さくする必要がある。
【０００５】キュスターズ（Ｋ．Ｈ．Ｋｕｅｓｔｅｒｓ
）その他の論文「ジャーナル・ドゥ・フィジク（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ）」ｃｏｌｌ．
Ｃ４、Ｓｕｐｐｌ．ａｕ ｎ゜＝９、 Ｔｏｍｅ
４９、Ｃ４−５０３〜Ｃ４−５０６から、４メガビッ
トＤＲＡＭにおける接触孔の自己調整された製法が公知
である。 自己調整された製法を使用することによって、調整公差
を考慮するための安全間隔は小さくされる。公知方法で
は平坦化可能の硼素−燐−珪酸塩−ガラス層を析出させ
る前にエッチングストッパとしての補助層を１層以上施
して、ワード線がエッチング露出するのを阻止する。次
いで接触孔を硼素−燐−珪酸塩−ガラス層にエッチング
構成する。この場合硼素−燐−珪酸塩−ガラスをウエッ
トエッチングすると、極めて大きな側面エッチングが生
じる。硼素−燐−珪酸塩−ガラスのドライエッチングで
は、エッチングストッパに対する硼素−燐−珪酸塩−ガ
ラスのエッチング選択性は限定されることから、ワード
線に対する絶縁性は薄くなる。従ってこの場合には接触
孔の清潔な開口部とワード線上の残存絶縁厚さとの間で
妥協点を見い出さなければならない。
）その他の論文「ジャーナル・ドゥ・フィジク（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ）」ｃｏｌｌ．
Ｃ４、Ｓｕｐｐｌ．ａｕ ｎ゜＝９、 Ｔｏｍｅ
４９、Ｃ４−５０３〜Ｃ４−５０６から、４メガビッ
トＤＲＡＭにおける接触孔の自己調整された製法が公知
である。 自己調整された製法を使用することによって、調整公差
を考慮するための安全間隔は小さくされる。公知方法で
は平坦化可能の硼素−燐−珪酸塩−ガラス層を析出させ
る前にエッチングストッパとしての補助層を１層以上施
して、ワード線がエッチング露出するのを阻止する。次
いで接触孔を硼素−燐−珪酸塩−ガラス層にエッチング
構成する。この場合硼素−燐−珪酸塩−ガラスをウエッ
トエッチングすると、極めて大きな側面エッチングが生
じる。硼素−燐−珪酸塩−ガラスのドライエッチングで
は、エッチングストッパに対する硼素−燐−珪酸塩−ガ
ラスのエッチング選択性は限定されることから、ワード
線に対する絶縁性は薄くなる。従ってこの場合には接触
孔の清潔な開口部とワード線上の残存絶縁厚さとの間で
妥協点を見い出さなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体層構
造に開口を製造する他の方法を提供することを課題とし
、この方法はまた隣接する構造物が重なり合う開口にも
適しているものとする。この方法は特に接触孔を製造す
るのに適しているべきである。
造に開口を製造する他の方法を提供することを課題とし
、この方法はまた隣接する構造物が重なり合う開口にも
適しているものとする。この方法は特に接触孔を製造す
るのに適しているべきである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は、ａ） 構
造物上の開口用として定められた箇所に、第１物質から
なる場所保持材を施し、この第１物質はその下に存在す
る構造物に対してまた完成開口に隣接する物質に対して
選択的にエッチング可能であり、ｂ） 場所保持材を
有する構造物に、第１物質が選択的にエッチング可能で
ある第２物質からなる層を全面的に施し、 ｃ） 場所保持材の上方で第２物質からなる層を少な
くとも部分的に除去し、場所保持材を選択的なエッチン
グ処理により除去して、開口を製造する各工程よりなる
、先に記載した形式の方法によって解決される。
造物上の開口用として定められた箇所に、第１物質から
なる場所保持材を施し、この第１物質はその下に存在す
る構造物に対してまた完成開口に隣接する物質に対して
選択的にエッチング可能であり、ｂ） 場所保持材を
有する構造物に、第１物質が選択的にエッチング可能で
ある第２物質からなる層を全面的に施し、 ｃ） 場所保持材の上方で第２物質からなる層を少な
くとも部分的に除去し、場所保持材を選択的なエッチン
グ処理により除去して、開口を製造する各工程よりなる
、先に記載した形式の方法によって解決される。
【０００８】
【作用効果】層の開口予定箇所に、層を析出させる前に
場所保持材を施す。この場合場所保持材用の物質は、完
成開口を取り囲む物質に対して選択的にエッチング可能
であるものを選択する。この本発明にとって重要な手段
によって、場所保持材の物質を開口から完全に除去する
ことが保証される。場所保持材を構成する第１物質はそ
の下に存在する構造物に対して選択的にエッチング可能
であることから、エッチング処理により場所保持材を施
す場合に、その下に存在する構造物もまた場所保持材又
は開口に隣接する各成分もエッチングで削り取られるこ
とによって影響を受けることはない。
場所保持材を施す。この場合場所保持材用の物質は、完
成開口を取り囲む物質に対して選択的にエッチング可能
であるものを選択する。この本発明にとって重要な手段
によって、場所保持材の物質を開口から完全に除去する
ことが保証される。場所保持材を構成する第１物質はそ
の下に存在する構造物に対して選択的にエッチング可能
であることから、エッチング処理により場所保持材を施
す場合に、その下に存在する構造物もまた場所保持材又
は開口に隣接する各成分もエッチングで削り取られるこ
とによって影響を受けることはない。
【０００９】構造物の表面が第１物質のエッチング処理
での選択性条件を十分に満たしていない場合、少なくと
も開口用として定められた箇所に、第１物質が選択的に
エッチング可能である補助層を施すことは本発明の枠内
に属する。
での選択性条件を十分に満たしていない場合、少なくと
も開口用として定められた箇所に、第１物質が選択的に
エッチング可能である補助層を施すことは本発明の枠内
に属する。
【００１０】この方法は半導体層構造に任意の開口を製
造するのに適している。場所保持材用の第１物質の選択
は、層用の第２物質の選択を考慮して、第１物質が第２
物質に対してできる限り良好な選択性をもってエッチン
グ可能であるように行う。例えば第１物質としてポリシ
リコンをまた第２物質としてＳｉＯ２を使用するか、又
は第１物質としてＳｉＯ２ をまた第２物質としてシリ
コンを使用する。
造するのに適している。場所保持材用の第１物質の選択
は、層用の第２物質の選択を考慮して、第１物質が第２
物質に対してできる限り良好な選択性をもってエッチン
グ可能であるように行う。例えば第１物質としてポリシ
リコンをまた第２物質としてＳｉＯ２を使用するか、又
は第１物質としてＳｉＯ２ をまた第２物質としてシリ
コンを使用する。
【００１１】本方法は特に不活性化層中に接触孔を製造
するのに適している。ＳｉＯ２ 含有物質、例えば硼素
−燐−珪酸塩−ガラスからなる不活性化層の場合、場所
保持材用の第１物質としてはポリシリコンを使用する。 これらの物質は半導体工業において標準的に使用される
ことから、本方法は、その使用をエッチング選択性によ
って全工程で殆ど制限する必要がないという利点を有す
る。
するのに適している。ＳｉＯ２ 含有物質、例えば硼素
−燐−珪酸塩−ガラスからなる不活性化層の場合、場所
保持材用の第１物質としてはポリシリコンを使用する。 これらの物質は半導体工業において標準的に使用される
ことから、本方法は、その使用をエッチング選択性によ
って全工程で殆ど制限する必要がないという利点を有す
る。
【００１２】場所保持材はその下に存在する構造物に対
して良好な選択性でエッチング可能であることから、場
所保持材の形及び状態は任意であってよい。特に場所保
持材は隣接する成分と部分的に重なり合っていてよい。 従って本発明方法により、開口特に接触孔を製造する調
整法に比べて場所の節約が達成される。
して良好な選択性でエッチング可能であることから、場
所保持材の形及び状態は任意であってよい。特に場所保
持材は隣接する成分と部分的に重なり合っていてよい。 従って本発明方法により、開口特に接触孔を製造する調
整法に比べて場所の節約が達成される。
【００１３】本発明の他の実施態様は他の請求項に記載
されている。
されている。
【００１４】
【実施例】次に本発明を１実施例及び図面に基づき詳述
する。
する。
【００１５】この実施例では基板１を含む構造物から出
発する。基板１はシリコンからなり、例えばソース領域
、ドレイン領域、チャネル注入及び活性素子分離絶縁構
造物を有する。基板１上には導電路２が配置されている
。導電路２は一般に基板１から絶縁層例えばゲート酸化
物によって分離されている（これは観察をよくするため
に図示されていない）。導電路２は導電性の物質例えば
ドープされたポリシリコンからなる。導電路２は例えば
ＤＲＡＭ内のワード線である。導電路２上には基板１と
は反対側の表面にＳｉＯ２ 構造物３が配置されている
。ＳｉＯ２ 構造物３及び導電路２は適当な二重層から
同一の構造化工程で製造される。ＳｉＯ２ 構造物３及
び導電路２の側面は側面被覆（いわゆるスペーサ）４を
有する。側面被覆４は例えばＳｉＯ２ からなる。これ
はＳｉＯ２ 層を例えば２００ｎｍの厚さで全面的に同
一形状に析出することによって、例えばＳｉ（ＯＣ２
Ｈ５）４（いわゆるＴＥＯＳ）を熱分解することによっ
てまた引続きこの層を異方性エチングすることによって
製造される。このエッチングで、隣接する側面被覆４間
の基板１の表面が導電路２を除きエッチング露出される
。基板１の露出した表面は酸化物層５を有する。酸化物
層５は例えば３％ＨＣｌで９００℃で熱酸化することに
よって又はＴＥＯＳを熱分解することによって２０ｎｍ
の厚さで製造される（図１参照）。
発する。基板１はシリコンからなり、例えばソース領域
、ドレイン領域、チャネル注入及び活性素子分離絶縁構
造物を有する。基板１上には導電路２が配置されている
。導電路２は一般に基板１から絶縁層例えばゲート酸化
物によって分離されている（これは観察をよくするため
に図示されていない）。導電路２は導電性の物質例えば
ドープされたポリシリコンからなる。導電路２は例えば
ＤＲＡＭ内のワード線である。導電路２上には基板１と
は反対側の表面にＳｉＯ２ 構造物３が配置されている
。ＳｉＯ２ 構造物３及び導電路２は適当な二重層から
同一の構造化工程で製造される。ＳｉＯ２ 構造物３及
び導電路２の側面は側面被覆（いわゆるスペーサ）４を
有する。側面被覆４は例えばＳｉＯ２ からなる。これ
はＳｉＯ２ 層を例えば２００ｎｍの厚さで全面的に同
一形状に析出することによって、例えばＳｉ（ＯＣ２
Ｈ５）４（いわゆるＴＥＯＳ）を熱分解することによっ
てまた引続きこの層を異方性エチングすることによって
製造される。このエッチングで、隣接する側面被覆４間
の基板１の表面が導電路２を除きエッチング露出される
。基板１の露出した表面は酸化物層５を有する。酸化物
層５は例えば３％ＨＣｌで９００℃で熱酸化することに
よって又はＴＥＯＳを熱分解することによって２０ｎｍ
の厚さで製造される（図１参照）。
【００１６】基板１、導電路２、ＳｉＯ２ 構造物３、
側面被覆４及び酸化物層５からなる構造物はその表面全
般にＳｉＯ２ を有する。この構造物上に全面的に例え
ばポリシリコンからなる層６を施す。この層６は例えば
７００ｎｍの厚さを有する。層６はドープされているか
又はドープすることなく析出することができる。ポリシ
リコンはＣｌ２ ／Ｈｅでの異方性エッチング工程でＳ
ｉＯ２ に対し約３０：１の良好な選択性でエッチング
可能な特性を有する。
側面被覆４及び酸化物層５からなる構造物はその表面全
般にＳｉＯ２ を有する。この構造物上に全面的に例え
ばポリシリコンからなる層６を施す。この層６は例えば
７００ｎｍの厚さを有する。層６はドープされているか
又はドープすることなく析出することができる。ポリシ
リコンはＣｌ２ ／Ｈｅでの異方性エッチング工程でＳ
ｉＯ２ に対し約３０：１の良好な選択性でエッチング
可能な特性を有する。
【００１７】層６上にフォトレジスト構造物７を施す。
フォトレジスト構造物７は、開口を施すべき層６の範囲
を被覆する。
を被覆する。
【００１８】異方性エッチング工程で層６をフォトレジ
スト構造物７以外の箇所でエッチングする。エッチング
工程としては例えばＣｌ２ ／Ｈｅでのドライエッチン
グが適している。フォトレジスト構造物７以外の箇所で
ＳｉＯ２ 構造物、側面被覆４及び酸化物層５の各表面
が露出される。ポリシリコンからなる層６を側面被覆４
及び酸化物層５から構成された縁部においても確実に完
全に除去するには、１００％過エッチングを行わなけれ
ばならない。使用したエッチング工程はポリシリコン対
ＳｉＯ２ の選択性が３０：１であることから、先に露
出させたＳｉＯ２ 構造物の損傷を気遣う必要なしに、
この過エッチングを実施することができる。この構造化
工程でポリシリコンからなる層６から場所保持材６１が
生じる（図２参照）。
スト構造物７以外の箇所でエッチングする。エッチング
工程としては例えばＣｌ２ ／Ｈｅでのドライエッチン
グが適している。フォトレジスト構造物７以外の箇所で
ＳｉＯ２ 構造物、側面被覆４及び酸化物層５の各表面
が露出される。ポリシリコンからなる層６を側面被覆４
及び酸化物層５から構成された縁部においても確実に完
全に除去するには、１００％過エッチングを行わなけれ
ばならない。使用したエッチング工程はポリシリコン対
ＳｉＯ２ の選択性が３０：１であることから、先に露
出させたＳｉＯ２ 構造物の損傷を気遣う必要なしに、
この過エッチングを実施することができる。この構造化
工程でポリシリコンからなる層６から場所保持材６１が
生じる（図２参照）。
【００１９】場所保持材６１によって被覆されてない酸
化物層５は、基板表面に対して選択的なエッチング工程
で除去することができる。生じる表面に全面的に例えば
硼素−燐−珪酸塩−ガラスからなる不活性化層８を施す
。不活性化層８は、硼素４．３重量％及び燐４．３重量
％でドープされたＴＥＯＳを熱分解することによって例
えば７００ｎｍの厚さで施される。
化物層５は、基板表面に対して選択的なエッチング工程
で除去することができる。生じる表面に全面的に例えば
硼素−燐−珪酸塩−ガラスからなる不活性化層８を施す
。不活性化層８は、硼素４．３重量％及び燐４．３重量
％でドープされたＴＥＯＳを熱分解することによって例
えば７００ｎｍの厚さで施される。
【００２０】例えば９００℃の温度で例えば４０分間流
化処理して、不活性化層８を平坦化する（図３参照）。 その際不活性化層８の厚さは場所保持材６１の上方で減
少するが、場所保持材６１以外の範囲では一部増大する
。
化処理して、不活性化層８を平坦化する（図３参照）。 その際不活性化層８の厚さは場所保持材６１の上方で減
少するが、場所保持材６１以外の範囲では一部増大する
。
【００２１】半導体ウエハの背面を技術的に不可避にエ
ッチング露出した後（その正面はフォトレジストで保護
されている（図示されていない））、保護フォトレジス
トを除去し、その後不活性化層８を例えば約５００ｎｍ
にエッチングする。その際少なくとも場所保持材６１の
縁部を露出する。湿式化学的エッチングによりポリシリ
コンからなる場所保持材６１をエッチング除去する。こ
の場合場所保持材６１の箇所に開口６２が生じる（図４
参照）。湿式化学エッチングは例えばコリン（４％）を
用いて行う。これはＳｉＯ２ 含有物質に対して極めて
選択性である。異方性エッチング工程で開口６２の範囲
で酸化物層５（図３参照）は除去される（図４参照）。
ッチング露出した後（その正面はフォトレジストで保護
されている（図示されていない））、保護フォトレジス
トを除去し、その後不活性化層８を例えば約５００ｎｍ
にエッチングする。その際少なくとも場所保持材６１の
縁部を露出する。湿式化学的エッチングによりポリシリ
コンからなる場所保持材６１をエッチング除去する。こ
の場合場所保持材６１の箇所に開口６２が生じる（図４
参照）。湿式化学エッチングは例えばコリン（４％）を
用いて行う。これはＳｉＯ２ 含有物質に対して極めて
選択性である。異方性エッチング工程で開口６２の範囲
で酸化物層５（図３参照）は除去される（図４参照）。
【００２２】次に開口６２に公知方法で例えばビット線
接触用の金属化部を施す（図示されていない）。
接触用の金属化部を施す（図示されていない）。
【００２３】本発明方法で必要なエッチング工程はその
都度存在する基板に対して選択的に行う。従ってその都
度の工程で最適の構造化用エッチング時間を調整するこ
とができる。流化工程後場所保持材６１上に残存する硼
素−燐−珪酸塩−ガラスの層が厚い場合には、不活性化
層８並びにＳｉＯ２ −構造物３の厚さを増加させるこ
とにより導電路２がエッチング露出するのを阻止するこ
とができる。比較的厚い不活性化層８の使用は、開口６
２の近くに生じる不活性化層８の尖端を平坦化するとい
う利点を有する。
都度存在する基板に対して選択的に行う。従ってその都
度の工程で最適の構造化用エッチング時間を調整するこ
とができる。流化工程後場所保持材６１上に残存する硼
素−燐−珪酸塩−ガラスの層が厚い場合には、不活性化
層８並びにＳｉＯ２ −構造物３の厚さを増加させるこ
とにより導電路２がエッチング露出するのを阻止するこ
とができる。比較的厚い不活性化層８の使用は、開口６
２の近くに生じる不活性化層８の尖端を平坦化するとい
う利点を有する。
【００２４】この実施例で使用した各物質、ポリシリコ
ン、酸化珪素及び硼素−燐−珪酸塩−ガラス並びに使用
したエッチング法は半導体工業において標準的なもので
ある。従って本発明による製法は経費をかけることなく
既存の製法に組み込むことができる。
ン、酸化珪素及び硼素−燐−珪酸塩−ガラス並びに使用
したエッチング法は半導体工業において標準的なもので
ある。従って本発明による製法は経費をかけることなく
既存の製法に組み込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】場所保持材の製法を示す略示図。
【図２】第２物質からなる層で被覆された場所保持材を
示す図。 【図３】図２中の不活性化層を平坦化した状態を示す図
。 【図４】第２物質からなる層における完成開口を示す図
。 【符号の説明】 １ 基板 ２ 導電路 ３ ＳｉＯ２ 構造物 ４ 側面被覆 ５ 酸化物層 ６ ポシリコン層 ７ フォトレジスト構造物 ８ 不活性化層 ６１ 場所保持材 ６２ 開口
示す図。 【図３】図２中の不活性化層を平坦化した状態を示す図
。 【図４】第２物質からなる層における完成開口を示す図
。 【符号の説明】 １ 基板 ２ 導電路 ３ ＳｉＯ２ 構造物 ４ 側面被覆 ５ 酸化物層 ６ ポシリコン層 ７ フォトレジスト構造物 ８ 不活性化層 ６１ 場所保持材 ６２ 開口
Claims (9)
- 【請求項１】 次の工程、 ａ） 構造物（１、２、３、４、５）上の開口（６２
）用として定められた箇所に、第１物質からなる場所保
持材（６１）を施し、この第１物質はその下に存在する
構造物（１、２、３、４、５）に対してまた完成開口（
６２）に隣接する物質（３、４、８）に対して選択的に
エッチング可能であり、 ｂ） 場所保持材（６１）を有する構造物（１、２、
３、４、５）に、第１物質が選択的にエッチング可能で
ある第２物質からなる層（８）を全面的に施し、ｃ）
場所保持材（６１）の上方で第２物質からなる層（８
）を少なくとも部分的に除去し、場所保持材（６１）を
選択的なエッチング処理により除去して、開口（６２）
を製造する よりなる半導体層構造に開口を製造する方法。 - 【請求項２】 場所保持材（６１）上の第２物質から
なる層（８）の除去を、第２物質からなる層（８）を全
面的にエッチングすることによって行うことを特徴とす
る請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 第１物質としてポリシリコンをまた第
２物質としてＳｉＯ２含有物質を使用することを特徴と
する請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 構造物（１、２、３、４）上に場所保
持材（６１）を施す前に、少なくとも開口（６２）用と
して定められた箇所に、第１物質が選択的にエッチング
可能である補助層（５）を施すことを特徴とする請求項
１ないし３の１つに記載の方法。 - 【請求項５】 開口（６２）の範囲内の場所保持材（
６１）を除去した後、その補助層（５）を異方性エッチ
ングにより除去することを特徴とする請求項４記載の方
法。 - 【請求項６】 構造物（１、２、３、４、５）がその
表面に丘陵部を有し、場所保持材（６１）を隣接する丘
陵部間で、これが丘陵部と側方で重なり合うように施す
ことを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の方法
。 - 【請求項７】 次の工程、 ａ） その表面に丘陵部を有する構造物（１、２、３
、４、５）上に第１物質からなる層（６）を施し、ｂ）
第１物質からなる層（６）上で開口（６２）用とし
て定められた箇所にフォトレジスト構造物（７）を施し
、 ｃ） 第１物質からなる層（６）のフォトレジスト構
造物によって被覆されていない部分を完全に除去し、こ
れにより場所保持材（６１）を生ぜしめ、ｄ） フォ
トレジスト構造物（７）を除去した後、第２物質からな
る層（８）を施す よりなることを特徴とする請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし７の１つに記載の方法
を使用することを特徴とする集積回路内の重ね接触用接
触孔の製法。 - 【請求項９】 請求項１ないし７の１つに記載の方法
を使用することを特徴とするＤＲＡＭにおけるビット線
接触用接触孔の製法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE4013629.9 | 1990-04-27 | ||
| DE4013629 | 1990-04-27 |
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|---|---|
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Family Applications (1)
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| JP3119177A Withdrawn JPH04229616A (ja) | 1990-04-27 | 1991-04-22 | 半導体層構造に開口を製造する方法 |
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| JP (1) | JPH04229616A (ja) |
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| US6180508B1 (en) | 1999-09-02 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating buried digit lines and semiconductor devices including same |
| US6482748B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Poly gate silicide inspection by back end etching |
| US6287952B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-09-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of etching self-aligned vias to metal using a silicon nitride spacer |
| US6261924B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-07-17 | Infineon Technologies Ag | Maskless process for self-aligned contacts |
| US8940634B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Overlapping contacts for semiconductor device |
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| JPS618945A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| KR890004962B1 (ko) * | 1985-02-08 | 1989-12-02 | 가부시끼가이샤 도오시바 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| JPS6286853A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE3576610D1 (de) * | 1985-12-06 | 1990-04-19 | Ibm | Verfahren zum herstellen eines voellig selbstjustierten feldeffekttransistors. |
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| JP2597396B2 (ja) * | 1988-12-21 | 1997-04-02 | ローム株式会社 | シリコーンゴム膜のパターン形成方法 |
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- 1990-12-05 EP EP90123355A patent/EP0453644B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-05 DE DE59009067T patent/DE59009067D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3119177A patent/JPH04229616A/ja not_active Withdrawn
- 1991-04-26 US US07/692,257 patent/US5270236A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE59009067D1 (de) | 1995-06-14 |
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| US5270236A (en) | 1993-12-14 |
| EP0453644B1 (de) | 1995-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |