JPH08321527A - フィルムデバイスの製造方法 - Google Patents

フィルムデバイスの製造方法

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JPH08321527A
JPH08321527A JP7151143A JP15114395A JPH08321527A JP H08321527 A JPH08321527 A JP H08321527A JP 7151143 A JP7151143 A JP 7151143A JP 15114395 A JP15114395 A JP 15114395A JP H08321527 A JPH08321527 A JP H08321527A
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film
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cutting
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義治 山田
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    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 長尺なベースフィルムを各デバイス領域ごと
に切断して多数のフィルムデバイスを得る際に、幅狭の
ベースフィルムに対する生産性を向上することができる
ようにする。 【構成】 まず、幅方向に一点鎖線で囲まれた4つのデ
バイス領域4を備えた幅広ベースフィルム1の幅方向両
端部にメインスプロケットホール5を形成し、各デバイ
ス領域4に対応する部分の各幅方向両外側にサブスプロ
ケットホール6を形成する。次に、幅広ベースフィルム
1をメインスプロケットホール5を介して搬送しなが
ら、配線形成工程や半導体チップ12ボンディング工程
等を行う。次に、符号Cで示す実線に沿って切断し、こ
れにより4つの幅狭ベースフィルム20を得る。このよ
うに、幅広ベースフィルム1の状態において配線形成工
程等を行っているので、4つの幅狭ベースフィルム20
に対して配線形成工程等を一度に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、TAB(Tape Automa
ted Bonding)等のフィルムデバイスの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えば、ICやLSI等の半導体チップ
の実装技術の1つであるTAB技術では、ベースフィル
ムの長さが数十〜百m程度と長尺であって、スプロケッ
トホール形成工程、配線形成工程、半導体チップボンデ
ィング(インナリードボンディング)工程、樹脂封止工
程、デバイス領域切断(外形切断)工程をロールツウロ
ールによって行い、そしてデバイス領域切断工程によっ
て個々に分断されて得られたフィルムデバイスを液晶表
示パネル等の他の電子部品に実装(アウタリードボンデ
ィング)している。
【0003】ところで、ベースフィルムには、幅方向に
1つのデバイス領域を備えた幅35mmのものがある。
このようなベースフィルムの場合には、幅方向両側にス
プロケットホールを形成し、これらスプロケットホール
を介して搬送しながら、配線形成工程、半導体チップボ
ンディング工程、樹脂封止工程を行い、次いでデバイス
領域切断工程においてデバイス領域に沿って切断するこ
とにより、ベースフィルムからフィルムデバイスを1つ
ずつ分断している。しかしながら、この場合、幅方向に
1つのデバイス領域を備えた幅35mmの幅狭のベース
フィルムを用いているので、一連の工程を経て得られる
フィルムデバイスの個数に限界があり、したがって大量
生産することはできない。
【0004】一方、ベースフィルムには、幅方向に4つ
のデバイス領域を備えた幅158mm(=35×4+9
×2)のものもある。このようなベースフィルムの場合
には、幅方向両側にスプロケットホールを形成し、これ
らスプロケットホールを介して搬送しながら、配線形成
工程、半導体チップボンディング工程、樹脂封止工程を
行い、次いでデバイス領域切断工程において幅方向の4
つのデバイス領域に沿って一度に切断することにより、
ベースフィルムからフィルムデバイスを4つずつ分断し
ている。したがって、この場合、幅35mmのベースフ
ィルムを用いた場合と比較して、一連の工程を経て得ら
れるフィルムデバイスの個数が4倍となり、大量生産す
ることができる。
【0005】ところで、一般に、スプロケットホール形
成工程から樹脂封止工程までをメーカー側で行い、デバ
イス領域切断工程以後をユーザー側で行っている。すな
わち、メーカー側からユーザー側にベースフィルムをロ
ール状としたまま出荷している。その理由は、メーカー
側でデバイス領域切断工程まで行うと、個々のフィルム
デバイスの状態でメーカー側からユーザー側に出荷する
ことになり、個々のフィルムデバイスの保護や出荷がき
わめて繁雑となるからである。一方、ユーザー側では、
ベースフィルムから分断されたフィルムデバイスを直ち
に他の電子部品に実装することにより、フィルムデバイ
スの管理や保管等を簡易とすることができるからであ
る。そして、後者の理由から、少量生産のユーザーでは
幅35mmのベースフィルムを求める場合が多く、大量
生産のユーザーでは幅158mmのベースフィルムを求
める場合が多い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、ユーザー
側では幅35mmと幅狭ベースフィルムを求める場合と
幅158mmと幅広ベースフィルムを求める場合とがあ
るので、メーカー側では幅の異なるベースフィルムを用
意する必要がある。しかしながら、幅狭ベースフィルム
の場合には、スプロケットホール形成工程から樹脂封止
工程までを各幅狭ベースフィルムごとに行うことになる
ので、メーカー側における生産性が悪いという問題があ
った。この発明の目的は、幅狭ベースフィルムに対する
生産性を向上することができるフィルムデバイスの製造
方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、幅方向に複
数のデバイス領域を備えた幅広の長尺なベースフィルム
の幅方向両端部にメインスプロケットホールを形成する
とともに各デバイス領域に対応する部分の各幅方向両外
側にサブスプロケットホールを形成し、前記幅広ベース
フィルムを前記メインスプロケットホールを介して搬送
しながら所定の工程を経た後、前記幅広ベースフィルム
を各デバイス領域以外の領域における前記メインスプロ
ケットホール及び前記サブスプロケットホールの各間に
て切断することにより、複数の幅狭の長尺なベースフィ
ルムを得るようにしたものである。
【0008】
【作用】この発明によれば、幅広ベースフィルムを切断
して得られる複数の幅狭ベースフィルムに対して、幅広
ベースフィルムの状態において所定の工程を行っている
ので、複数の幅狭ベースフィルムに対して所定の工程を
一度に行うことができ、したがって幅狭ベースフィルム
に対する生産性を向上することができる。この場合、複
数の幅狭ベースフィルムの各幅方向両端部にサブスプロ
ケットホールが形成されているので、後工程において幅
狭ベースフィルムをサブスプロケットホールを介して搬
送することができ、したがって後工程における幅狭ベー
スフィルムの搬送に支障を来すことがないようにするこ
とができる。
【0009】
【実施例】図1はこの発明の一実施例におけるフィルム
デバイスの製造方法を説明するために示すもので、所定
の工程を経た後における幅広ベースフィルムを切断して
複数の幅狭ベースフィルムを得るための切断装置の概略
構成を示したものである。この切断装置の左側には、図
2に示すように、長尺な幅広ベースフィルム1と保護用
の長尺な幅広スペーサ2を重ね合わせて幅広リール3に
巻き付けてロール状としてなるものが配置されている。
【0010】この場合、図3(A)に示すように、幅広
ベースフィルム1は、幅方向に一点鎖線で囲まれた4つ
のデバイス領域4を備えた幅158mm(=35×4+
9×2)のものからなっている。また、パンチングによ
る開口工程を経ることにより、幅広ベースフィルム1の
幅方向両端部にはメインスプロケットホール5が形成さ
れ、各デバイス領域4に対応する部分の各幅方向両外側
にはサブスプロケットホール6が形成され、各デバイス
領域4にはデバイスホール7及びアウタリードホール8
が形成されている。さらに、幅広ベースフィルム1をメ
インスプロケットホール5を介して搬送しながら、配線
形成工程、半導体チップボンディング工程及び樹脂封止
工程を経ることにより、図3(B)に示すように、幅広
ベースフィルム1の下面にインナーリード9、アウタリ
ード10及びその間の引き回し線11からなる配線が形
成され、また半導体チップ12の下面に設けられた突起
電極13がデバイスホール7内に突出されたインナーリ
ード9にボンデイグされ、さらに半導体チップ12の下
面側が樹脂封止材14によって封止されている。
【0011】幅広スペーサ2は幅158mmの幅広のフ
ィルムからなり、その幅方向両端部にはエンボス加工に
より突起(図示せず)がフィルムの表裏両面に交互に形
成されている。この場合の突起は、幅広ベースフィルム
1と幅広スペーサ2を重ね合わせて幅広リール3に巻き
付けてロール状としたとき、突起のみが幅広ベースフィ
ルム1と接触し、幅広スペーサ2の突起以外の部分が幅
広ベースフィルム1等と接触しないようにするためのも
のである。
【0012】図1において、この切断装置の左側に配置
された幅広リール3から幅広ベースフィルム1及び幅広
スペーサ2が繰り出されると、幅広スペーサ2は切断す
る必要がないので幅広スペーサリール15に巻き取られ
て回収される。一方、幅広ベースフィルム1は、メイン
スプロケットホール5を介して前段側の2つの幅広スプ
ロケット16、17によって搬送され、一対のロータリ
ブレード18、19間に送り込まれる。一対のロータリ
ブレード18、19は、幅広ベースフィルム1の各デバ
イス領域4以外の領域におけるメインスプロケットホー
ル5及びサブスプロケットホール6の各間に対応する位
置にブレードを備えた構造となっている。したがって、
一対のロータリブレード18、19間に送り込まれた幅
広ベースフィルム1は、図4において符号Cの実線で示
すように、各デバイス領域4以外の領域におけるメイン
スプロケットホール5及びサブスプロケットホール6の
各間にて切断され、これにより幅35mmの4つの長尺
な幅狭ベースフィルム20及び幅9mmの2つの長尺な
耳部ベースフィルム21が得られることになる。
【0013】切断後の各幅狭ベースフィルム20の幅方
向両端部にはサブスプロケットホール6が形成され、切
断後の各耳部ベースフィルム21の幅方向中央部にはメ
インスプロケットホール5が形成されている。そして、
切断後の各幅狭ベースフィルム20は、各サブスプロケ
ットホール6を介してそれぞれ対応する後段側の各2つ
ずつの幅狭スプロケット22、23によって搬送され、
各幅狭リール24に巻き取られる。この場合、各幅狭ベ
ースフィルム20は、4つの幅狭スペーサリール25か
らそれぞれ繰り出された各幅狭スペーサ26と重ね合わ
されて各幅狭リール24に巻き取られる。一方、切断後
の各耳部ベースフィルム21は、各メインスプロケット
ホール5を介してそれぞれ対応する後段側の各2つずつ
の耳部用スプロケット(図示せず)によって搬送され、
各耳部用リール27に巻き取られる。
【0014】以上のように、幅広ベースフィルム1をメ
インスプロケットホール5を介して搬送しながら、配線
形成工程、半導体チップボンディング工程及び樹脂封止
工程を行っているので、幅広ベースフィルム1を切断し
て得られる4つの幅狭ベースフィルム20に対して以上
のような所定の工程を一度に行うことができ、したがっ
て幅狭ベースフィルム20に対する生産性を向上するこ
とができる。また、幅狭ベースフィルム20を各デバイ
ス領域4ごとに切断して個々のフィルムデバイスを得る
場合には、幅狭ベースフィルム20の幅方向両端部にサ
ブスプロケットホール6が形成されているので、幅狭ベ
ースフィルム20をサブスプロケットホール6を介して
搬送しながら各デバイス領域4ごとに切断することがで
き、したがってデバイス領域切断工程等の後工程におけ
る幅狭ベースフィルム20の搬送に支障を来すことがな
いようにすることができる。
【0015】なお、上記実施例では、幅広ベースフィル
ム1の状態において配線形成工程、半導体チップボンデ
ィング工程及び樹脂封止工程を行う場合について説明し
たが、これに限定されるものではない。例えば、幅広ベ
ースフィルム1の状態において配線形成工程を行い、切
断して幅狭ベースフィルム20とした後に、半導体チッ
プボンディング工程及び樹脂封止工程を行うようにして
もよい。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、幅広ベースフィルムを切断して得られる複数の幅狭
ベースフィルムに対して、幅広ベースフィルムの状態に
おいて所定の工程を行っているので、複数の幅狭ベース
フィルムに対して所定の工程を一度に行うことができ、
したがって幅狭ベースフィルムに対する生産性を向上す
ることができる。この場合、複数の幅狭ベースフィルム
の各幅方向両端部にサブスプロケットホールが形成され
ているので、後工程において幅狭ベースフィルムをサブ
スプロケットホールを介して搬送することができ、した
がって後工程における幅狭ベースフィルムの搬送に支障
を来すことがないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例におけるフィルムデバイス
の製造方法を説明するために示すもので、所定の工程を
経た後における幅広ベースフィルムを切断して複数の幅
狭ベースフィルムを得るための切断装置の概略構成を示
す図。
【図2】幅広ベースフィルムと幅広スペーサを重ね合わ
せて幅広リールに巻き付けてロール状とした状態を示す
斜視図。
【図3】(A)は切断前の幅広ベースフィルムの一部を
示す平面図、(B)はそのB−B線に沿う断面図。
【図4】幅広ベースフィルムを切断して4つの幅狭ベー
スフィルム等を得た状態を示す一部の平面図。
【符号の説明】
1 幅広ベースフィルム 4 デバイス領域 5 メインスプロケットホール 6 サブスプロケットホール 12 半導体チップ 18、19 ロータリブレード 20 幅狭ベースフィルム

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 幅方向に複数のデバイス領域を備えた長
    尺な幅広ベースフィルムの幅方向両端部にメインスプロ
    ケットホールを形成するとともに各デバイス領域に対応
    する部分の各幅方向両外側にサブスプロケットホールを
    形成し、前記幅広ベースフィルムを前記メインスプロケ
    ットホールを介して搬送しながら所定の工程を経た後、
    前記幅広ベースフィルムを各デバイス領域以外の領域に
    おける前記メインスプロケットホール及び前記サブスプ
    ロケットホールの各間にて切断することにより、複数の
    長尺な幅狭ベースフィルムを得ることを特徴とするフィ
    ルムデバイスの製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の発明において、前記所定
    の工程は、配線形成工程であることを特徴とするフィル
    ムデバイスの製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の発明において、前記所定
    の工程は、配線形成工程、半導体チップボンディング工
    程及び樹脂封止工程であることを特徴とするフィルムデ
    バイスの製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の発明に
    おいて、切断した後の前記複数の幅狭ベースフィルムを
    個々のリールに巻き取り、この状態で後工程に送ること
    を特徴とするフィルムデバイスの製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の発明において、前記後工
    程は、前記幅狭ベースフィルムを各デバイス領域ごとに
    切断するデバイス領域切断工程であることを特徴とする
    フィルムデバイスの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100453490B1 (ko) * 2001-03-30 2004-10-20 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 다조 전자 부품 실장용 필름 캐리어 테이프 및 그 제조방법
JP2006156856A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Shindo Denshi Kogyo Kk Cofテープの製造方法、およびcofテープ
CN100359658C (zh) * 2003-02-21 2008-01-02 三井金属矿业株式会社 检查安装电子器件的薄膜载带的设备和方法

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