JPH08316443A - Ｓｏｉ基板及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08316443A JPH08316443A JP12485495A JP12485495A JPH08316443A JP H08316443 A JPH08316443 A JP H08316443A JP 12485495 A JP12485495 A JP 12485495A JP 12485495 A JP12485495 A JP 12485495A JP H08316443 A JPH08316443 A JP H08316443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline silicon
- silicon
- soi
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 57
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 57
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲッタリング能力を有しＳＯＩ層と支持基板
の両方を重金属で汚染させない。基板の構造から生じる
デバイス特性への悪影響を緩和し、２枚のウェーハの接
着性を良好にする。 【構成】 支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の
表面に第１多結晶シリコン層１６を形成し、活性層とな
る第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結晶シリコ
ン層１７を形成し、この多結晶シリコン層１７上に絶縁
層１３を形成し、２枚のシリコンウェーハ１１及び１２
を絶縁層１３を２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟
むように接合し、熱処理して貼り合わせた後、ウェーハ
１２を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のＳＯ
Ｉ層１２ａとする。
の両方を重金属で汚染させない。基板の構造から生じる
デバイス特性への悪影響を緩和し、２枚のウェーハの接
着性を良好にする。 【構成】 支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の
表面に第１多結晶シリコン層１６を形成し、活性層とな
る第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結晶シリコ
ン層１７を形成し、この多結晶シリコン層１７上に絶縁
層１３を形成し、２枚のシリコンウェーハ１１及び１２
を絶縁層１３を２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟
むように接合し、熱処理して貼り合わせた後、ウェーハ
１２を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のＳＯ
Ｉ層１２ａとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁層上にシリコン層
（以下、ＳＯＩ層という）を形成したＳＯＩ（Silicon-
On-Insulator）基板及び絶縁層を２つの多結晶シリコン
層で挟むように２枚のシリコンウェーハを貼り合わせる
ＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
（以下、ＳＯＩ層という）を形成したＳＯＩ（Silicon-
On-Insulator）基板及び絶縁層を２つの多結晶シリコン
層で挟むように２枚のシリコンウェーハを貼り合わせる
ＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高集積ＣＭＯＳ（Complementary
Metal Oxide Semiconductor）、ＩＣ、高耐圧素子など
がＳＯＩ基板を利用して製作されるようになってきてい
る。絶縁層の上にデバイス作製領域として使用される単
結晶シリコン層を形成したＳＯＩ基板は、高集積ＣＭＯ
Ｓの場合にはラッチアップ（寄生回路による異常発振現
象）の防止に、また高耐圧素子の場合にはベース基板と
の絶縁分離にそれぞれ有効である。このＳＯＩ基板の製
造方法には、シリコンウェーハ同士を二酸化シリコン層
（以下、シリコン酸化層という）、即ち絶縁層を介して
貼り合わせる方法、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を表面に
有する基板の上にまず多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により堆積させ、次いで
レーザーアニールによって単結晶化するＺＭＲ法、シリ
コン基板内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、高温
でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深
さの領域に埋込みシリコン酸化層（絶縁層）を形成し、
その表面側のシリコン層を活性領域とするＳＩＭＯＸ法
などがある。これらの方法の中でも、貼り合わせ法によ
り作製されたＳＯＩ基板は、ＳＯＩ層の結晶性が極めて
良好であることから、有望視されて来ている。
Metal Oxide Semiconductor）、ＩＣ、高耐圧素子など
がＳＯＩ基板を利用して製作されるようになってきてい
る。絶縁層の上にデバイス作製領域として使用される単
結晶シリコン層を形成したＳＯＩ基板は、高集積ＣＭＯ
Ｓの場合にはラッチアップ（寄生回路による異常発振現
象）の防止に、また高耐圧素子の場合にはベース基板と
の絶縁分離にそれぞれ有効である。このＳＯＩ基板の製
造方法には、シリコンウェーハ同士を二酸化シリコン層
（以下、シリコン酸化層という）、即ち絶縁層を介して
貼り合わせる方法、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を表面に
有する基板の上にまず多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により堆積させ、次いで
レーザーアニールによって単結晶化するＺＭＲ法、シリ
コン基板内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、高温
でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深
さの領域に埋込みシリコン酸化層（絶縁層）を形成し、
その表面側のシリコン層を活性領域とするＳＩＭＯＸ法
などがある。これらの方法の中でも、貼り合わせ法によ
り作製されたＳＯＩ基板は、ＳＯＩ層の結晶性が極めて
良好であることから、有望視されて来ている。
【０００３】このシリコンウェーハの貼り合わせ法は、
具体的にはそれぞれ約６００μｍの２枚のシリコンウェ
ーハをシリコン酸化層からなる絶縁層を介して接合し、
酸素雰囲気中、１１００℃で２時間貼り合わせ熱処理し
た後、２枚のシリコンウェーハの一方のシリコンウェー
ハの表面を砥石で研削し、更に研磨布で研磨してこのシ
リコンウェーハの厚さを約１〜１０μｍの範囲にし、こ
の研磨した側の厚さ約１〜１０μｍのシリコン層をデバ
イス形成用のＳＯＩ層としている。しかし、このＳＯＩ
基板のＳＯＩ層がデバイスプロセス中に重金属不純物に
より汚染された場合には、埋込みシリコン酸化層（絶縁
層）がゲッタリング源となって重金属不純物を捕捉した
後で、熱処理の進行に伴って結晶化した絶縁層が一旦捕
捉した重金属不純物をＳＯＩ層中に放出し再分布を生じ
易く、これに起因してＳＯＩ層の汚染による品質劣化が
生じることがあった。例えば図２に示すように、重金属
としてＣｕの汚染状況を調べると、絶縁層をピークとし
た、ＳＯＩ層側と支持基板側の両方に再分布したような
Ｃｕ濃度曲線が得られる。
具体的にはそれぞれ約６００μｍの２枚のシリコンウェ
ーハをシリコン酸化層からなる絶縁層を介して接合し、
酸素雰囲気中、１１００℃で２時間貼り合わせ熱処理し
た後、２枚のシリコンウェーハの一方のシリコンウェー
ハの表面を砥石で研削し、更に研磨布で研磨してこのシ
リコンウェーハの厚さを約１〜１０μｍの範囲にし、こ
の研磨した側の厚さ約１〜１０μｍのシリコン層をデバ
イス形成用のＳＯＩ層としている。しかし、このＳＯＩ
基板のＳＯＩ層がデバイスプロセス中に重金属不純物に
より汚染された場合には、埋込みシリコン酸化層（絶縁
層）がゲッタリング源となって重金属不純物を捕捉した
後で、熱処理の進行に伴って結晶化した絶縁層が一旦捕
捉した重金属不純物をＳＯＩ層中に放出し再分布を生じ
易く、これに起因してＳＯＩ層の汚染による品質劣化が
生じることがあった。例えば図２に示すように、重金属
としてＣｕの汚染状況を調べると、絶縁層をピークとし
た、ＳＯＩ層側と支持基板側の両方に再分布したような
Ｃｕ濃度曲線が得られる。
【０００４】従来、この点を解決したＳＯＩ基板とし
て、デバイス形成用のＳＯＩ層内にゲッタリング源を有
するもの（特開平６−２７５５２５）や、支持基板内に
ゲッタリング源を有するもの（特開平７−２９９１１）
が提案されている。前者のＳＯＩ基板はデバイス形成用
のＳＯＩ層と絶縁層との間に多結晶シリコン層が設けら
れる。また後者のＳＯＩ基板は支持基板となるシリコン
ウェーハの両面に多結晶シリコン、非晶質シリコン等か
らなるゲッタリング層を形成し、両面のゲッタリング層
上に絶縁層を形成し、一方の絶縁層に別の活性層となる
シリコンウェーハを接合した後、このシリコンウェーハ
を研削研磨してデバイス形成用のＳＯＩ層を形成したも
のである。
て、デバイス形成用のＳＯＩ層内にゲッタリング源を有
するもの（特開平６−２７５５２５）や、支持基板内に
ゲッタリング源を有するもの（特開平７−２９９１１）
が提案されている。前者のＳＯＩ基板はデバイス形成用
のＳＯＩ層と絶縁層との間に多結晶シリコン層が設けら
れる。また後者のＳＯＩ基板は支持基板となるシリコン
ウェーハの両面に多結晶シリコン、非晶質シリコン等か
らなるゲッタリング層を形成し、両面のゲッタリング層
上に絶縁層を形成し、一方の絶縁層に別の活性層となる
シリコンウェーハを接合した後、このシリコンウェーハ
を研削研磨してデバイス形成用のＳＯＩ層を形成したも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平６−２
７５５２５号公報に示されるＳＯＩ基板及び特開平７−
２９９１１号公報に示されるＳＯＩ基板においては、と
もに重金属不純物に対するゲッタリング源となり得る多
結晶シリコン層は１層しかないため、デバイスプロセス
中に取り込まれた重金属を不純物を全て捕捉し留めてお
くには不十分であると考えられる。即ち、プロセス中の
熱処理により多結晶粒界が回復した場合、捕捉から外れ
た重金属不純物がＳＯＩ層中や支持基板中に再分布する
ことが容易に起こり得るため、より多くの結晶粒界を有
することが望ましい。更に、デバイスの種類によっては
絶縁層の下の支持基板もトランジスタ構造の一部として
使用する場合があるので、図２に示すような濃度分布を
示す不純物に対しては、絶縁層の両側に１層ずつ、ＳＯ
Ｉ層用と支持基板用のゲッタリング層を計２層持ち合わ
せている構造が、最も理想的な構造であると考えられ
る。
７５５２５号公報に示されるＳＯＩ基板及び特開平７−
２９９１１号公報に示されるＳＯＩ基板においては、と
もに重金属不純物に対するゲッタリング源となり得る多
結晶シリコン層は１層しかないため、デバイスプロセス
中に取り込まれた重金属を不純物を全て捕捉し留めてお
くには不十分であると考えられる。即ち、プロセス中の
熱処理により多結晶粒界が回復した場合、捕捉から外れ
た重金属不純物がＳＯＩ層中や支持基板中に再分布する
ことが容易に起こり得るため、より多くの結晶粒界を有
することが望ましい。更に、デバイスの種類によっては
絶縁層の下の支持基板もトランジスタ構造の一部として
使用する場合があるので、図２に示すような濃度分布を
示す不純物に対しては、絶縁層の両側に１層ずつ、ＳＯ
Ｉ層用と支持基板用のゲッタリング層を計２層持ち合わ
せている構造が、最も理想的な構造であると考えられ
る。
【０００６】本発明の目的は、十分大きいゲッタリング
能力を有しＳＯＩ層を重金属で汚染させないＳＯＩ基板
及びその製造方法を提供することにある。本発明の別の
目的は、２層の多結晶シリコン層で絶縁層を挟むことに
より、支持基板も重金属で汚染されていないＳＯＩ基板
及びその製造方法を提供することにある。本発明の更に
別の目的は、２枚のシリコンウェーハの接着性が良好な
ＳＯＩ基板及びその製造方法を提供することにある。
能力を有しＳＯＩ層を重金属で汚染させないＳＯＩ基板
及びその製造方法を提供することにある。本発明の別の
目的は、２層の多結晶シリコン層で絶縁層を挟むことに
より、支持基板も重金属で汚染されていないＳＯＩ基板
及びその製造方法を提供することにある。本発明の更に
別の目的は、２枚のシリコンウェーハの接着性が良好な
ＳＯＩ基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１（ｅ）に示すよう
に、本発明のＳＯＩ基板１０は支持基板となるシリコン
ウェーハ１１上に第１多結晶シリコン層１６と絶縁層１
３と第２多結晶シリコン層１７がこの順に形成され、こ
の第２多結晶シリコン層１７上にデバイス形成用のＳＯ
Ｉ層１２ａが形成されたものである。また図１（ａ）〜
図１（ｅ）に示すように、本発明のＳＯＩ基板１０の製
造方法は、支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の
表面に第１多結晶シリコン層１６を形成する工程と、活
性層となる第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結
晶シリコン層１７を形成する工程と、この多結晶シリコ
ン層１７上に絶縁層１３を形成する工程と、第１シリコ
ンウェーハ１１と第２シリコンウェーハ１２とを絶縁層
１３を２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟むように
接合する工程と、接合した第１及び第２シリコンウェー
ハ１１，１２を熱処理して貼り合わせる工程と、第２シ
リコンウェーハ１２を所定の厚さに研削研磨してデバイ
ス形成用のＳＯＩ層１２ａとする工程とを含む方法であ
る。
に、本発明のＳＯＩ基板１０は支持基板となるシリコン
ウェーハ１１上に第１多結晶シリコン層１６と絶縁層１
３と第２多結晶シリコン層１７がこの順に形成され、こ
の第２多結晶シリコン層１７上にデバイス形成用のＳＯ
Ｉ層１２ａが形成されたものである。また図１（ａ）〜
図１（ｅ）に示すように、本発明のＳＯＩ基板１０の製
造方法は、支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の
表面に第１多結晶シリコン層１６を形成する工程と、活
性層となる第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結
晶シリコン層１７を形成する工程と、この多結晶シリコ
ン層１７上に絶縁層１３を形成する工程と、第１シリコ
ンウェーハ１１と第２シリコンウェーハ１２とを絶縁層
１３を２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟むように
接合する工程と、接合した第１及び第２シリコンウェー
ハ１１，１２を熱処理して貼り合わせる工程と、第２シ
リコンウェーハ１２を所定の厚さに研削研磨してデバイ
ス形成用のＳＯＩ層１２ａとする工程とを含む方法であ
る。
【０００８】以下、本発明を詳述する。本発明の第１及
び第２シリコンウェーハはＣＺ法、ＦＺ法等の方法で、
ともに同一の方法により得られたシリコン単結晶棒から
作製される。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１
シリコンウェーハ１１及び第２シリコンウェーハ１２の
片面にそれぞれ第１多結晶シリコン層１６及び第２多結
晶シリコン層１７がＣＶＤ法により形成される。これら
の多結晶シリコン層１６又は１７の厚さは約０．５〜約
２．０μｍの範囲、好ましくは約０．５〜約１．０μｍ
の範囲にある。次いで図１（ｃ）に示すように多結晶シ
リコン層１７上に絶縁層１３が形成される。絶縁層１３
の厚さは約０．５〜約１．０μｍの範囲、好ましくは約
０．５〜約０．６μｍの範囲にある。この絶縁層１３は
シリコン酸化層（ＳｉＯ2層）であって、多結晶シリコ
ン層１７を熱酸化することにより、或いは多結晶シリコ
ン層１７上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2を堆積することに
より形成される。次に、図１（ｄ）に示すように２枚の
シリコンウェーハ１１，１２が絶縁層１３を２つの多結
晶シリコン層１６，１７で挟むように接合される。接合
しようとする表面を活性化するために所定の洗浄液でシ
リコンウェーハ１１，１２を洗浄しておくことが好まし
い。接合した後の第１及び第２シリコンウェーハ１１，
１２を乾燥酸素（ｄｒｙＯ2）雰囲気又は窒素（Ｎ2）雰
囲気中で１１００℃の温度下、１〜３時間、好ましくは
２時間程度行う。図１（ｅ）に示すように、一体化した
２枚のシリコンウェーハ１１，１２が放冷され室温にな
った後に、支持基板となる第２シリコンウェーハ１２を
砥石で研削し、その後研磨布で研磨して、約１〜１０μ
ｍの厚さの薄膜に加工する。これにより厚さ約１〜１０
μｍのデバイス形成用のＳＯＩ層１２ａが多結晶シリコ
ン層１７上に得られる。
び第２シリコンウェーハはＣＺ法、ＦＺ法等の方法で、
ともに同一の方法により得られたシリコン単結晶棒から
作製される。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１
シリコンウェーハ１１及び第２シリコンウェーハ１２の
片面にそれぞれ第１多結晶シリコン層１６及び第２多結
晶シリコン層１７がＣＶＤ法により形成される。これら
の多結晶シリコン層１６又は１７の厚さは約０．５〜約
２．０μｍの範囲、好ましくは約０．５〜約１．０μｍ
の範囲にある。次いで図１（ｃ）に示すように多結晶シ
リコン層１７上に絶縁層１３が形成される。絶縁層１３
の厚さは約０．５〜約１．０μｍの範囲、好ましくは約
０．５〜約０．６μｍの範囲にある。この絶縁層１３は
シリコン酸化層（ＳｉＯ2層）であって、多結晶シリコ
ン層１７を熱酸化することにより、或いは多結晶シリコ
ン層１７上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2を堆積することに
より形成される。次に、図１（ｄ）に示すように２枚の
シリコンウェーハ１１，１２が絶縁層１３を２つの多結
晶シリコン層１６，１７で挟むように接合される。接合
しようとする表面を活性化するために所定の洗浄液でシ
リコンウェーハ１１，１２を洗浄しておくことが好まし
い。接合した後の第１及び第２シリコンウェーハ１１，
１２を乾燥酸素（ｄｒｙＯ2）雰囲気又は窒素（Ｎ2）雰
囲気中で１１００℃の温度下、１〜３時間、好ましくは
２時間程度行う。図１（ｅ）に示すように、一体化した
２枚のシリコンウェーハ１１，１２が放冷され室温にな
った後に、支持基板となる第２シリコンウェーハ１２を
砥石で研削し、その後研磨布で研磨して、約１〜１０μ
ｍの厚さの薄膜に加工する。これにより厚さ約１〜１０
μｍのデバイス形成用のＳＯＩ層１２ａが多結晶シリコ
ン層１７上に得られる。
【０００９】
【作用】２枚のシリコンウェーハの接合界面において絶
縁層１３が２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟まれ
るため、ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層１２ａがデバイスプ
ロセス中に重金属不純物により汚染された場合には、多
結晶シリコン層１６及び１７がゲッタリング源として作
用する。即ち、ＳＯＩ層１２ａ中の重金属不純物が絶縁
層１３を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉されると
ともに多結晶シリコン層１７にも捕捉される。また同様
に支持基板中１１に導入され、接合界面近傍に存在する
重金属不純物が多結晶シリコン層１７、及び絶縁層１３
を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉される。従っ
て、これらのゲッタリング層を有さない場合には図２に
示したように絶縁層を中心として左右対称に凸型の分布
となる重金属不純物が、本発明のような構造とすること
により、ＳＯＩ層及び支持基板側の両方のバルク中にお
いて再分布することがなく、高純度な結晶性を維持した
ままトランジスタ構造を作製することが可能となる。ま
た、単独に多結晶シリコン層をゲッタリング層として有
する場合に比較して、重金属不純物を捕捉する結晶粒界
が数多く存在するため、非常に大きなゲッタリング能力
を有している。
縁層１３が２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟まれ
るため、ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層１２ａがデバイスプ
ロセス中に重金属不純物により汚染された場合には、多
結晶シリコン層１６及び１７がゲッタリング源として作
用する。即ち、ＳＯＩ層１２ａ中の重金属不純物が絶縁
層１３を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉されると
ともに多結晶シリコン層１７にも捕捉される。また同様
に支持基板中１１に導入され、接合界面近傍に存在する
重金属不純物が多結晶シリコン層１７、及び絶縁層１３
を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉される。従っ
て、これらのゲッタリング層を有さない場合には図２に
示したように絶縁層を中心として左右対称に凸型の分布
となる重金属不純物が、本発明のような構造とすること
により、ＳＯＩ層及び支持基板側の両方のバルク中にお
いて再分布することがなく、高純度な結晶性を維持した
ままトランジスタ構造を作製することが可能となる。ま
た、単独に多結晶シリコン層をゲッタリング層として有
する場合に比較して、重金属不純物を捕捉する結晶粒界
が数多く存在するため、非常に大きなゲッタリング能力
を有している。
【００１０】更に本発明のＳＯＩ基板１０は、ＯＨ基の
数が単結晶シリコンウェーハ上の場合と同程度である多
結晶シリコン層１６を介して活性層となるシリコンウェ
ーハ１２を支持基板となるシリコンウェーハ１１と接合
するため、絶縁層との貼り合わせに比較して両ウェーハ
の接着性が良好となる。
数が単結晶シリコンウェーハ上の場合と同程度である多
結晶シリコン層１６を介して活性層となるシリコンウェ
ーハ１２を支持基板となるシリコンウェーハ１１と接合
するため、絶縁層との貼り合わせに比較して両ウェーハ
の接着性が良好となる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。 (a) サンプルの準備と多結晶シリコン層の形成 ＣＺ法で引上げられたシリコン単結晶棒から切断され研
削研磨されたばかりの次の特性の２枚のシリコンウェー
ハを用意した。 直径： ５インチ 面方位： ＜１００＞ 伝導型： Ｐ型（ドーパントとしてボロンを添加） 抵抗率： 約１０Ωｃｍ 厚さ： 約６２０μｍ 初期格子間酸素濃度：約１．５×１０18／ｃｍ3（旧ＡＳＴＭ） 図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、２枚のシリコンウ
ェーハ１１及び１２のそれぞれの片面に次の条件で多結
晶シリコン層１５をＣＶＤ法により形成した。 雰囲気： ０．１Ｔｏｒｒの減圧雰囲気 使用ガス（流量）： ＳｉＨ4（０．１リットル／分） 温度： ６２０℃ 堆積速度： ６５オングストローム／分 多結晶シリコン層１６及び１７はシリコンウェーハ１１
及び１２上にそれぞれ約０．５μｍの厚さで形成され
た。
く説明する。 (a) サンプルの準備と多結晶シリコン層の形成 ＣＺ法で引上げられたシリコン単結晶棒から切断され研
削研磨されたばかりの次の特性の２枚のシリコンウェー
ハを用意した。 直径： ５インチ 面方位： ＜１００＞ 伝導型： Ｐ型（ドーパントとしてボロンを添加） 抵抗率： 約１０Ωｃｍ 厚さ： 約６２０μｍ 初期格子間酸素濃度：約１．５×１０18／ｃｍ3（旧ＡＳＴＭ） 図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、２枚のシリコンウ
ェーハ１１及び１２のそれぞれの片面に次の条件で多結
晶シリコン層１５をＣＶＤ法により形成した。 雰囲気： ０．１Ｔｏｒｒの減圧雰囲気 使用ガス（流量）： ＳｉＨ4（０．１リットル／分） 温度： ６２０℃ 堆積速度： ６５オングストローム／分 多結晶シリコン層１６及び１７はシリコンウェーハ１１
及び１２上にそれぞれ約０．５μｍの厚さで形成され
た。
【００１２】(b) 絶縁層の形成 図１（ｃ）に示すように、多結晶シリコン層１７を形成
したシリコンウェーハ１２を湿潤酸素（ｗｅｔＯ2）雰
囲気中、１０００℃で３時間熱処理して厚さ０．５μｍ
のシリコン酸化層からなる絶縁層１３を多結晶シリコン
層１７上に形成した。
したシリコンウェーハ１２を湿潤酸素（ｗｅｔＯ2）雰
囲気中、１０００℃で３時間熱処理して厚さ０．５μｍ
のシリコン酸化層からなる絶縁層１３を多結晶シリコン
層１７上に形成した。
【００１３】(c) 接合 図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、絶縁層１３と多結
晶シリコン層１７を積層したシリコンウェーハ１２と多
結晶シリコン層１６を積層したシリコンウェーハ１１と
をそれぞれ比重０．９のＮＨ4ＯＨの水溶液と比重１．
１のＨ2Ｏ2水溶液とＨ2ＯとをＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2
Ｏ＝１：２：７の容量比で混合して調製したＳＣ１（St
andard Cleaning 1）の洗浄液で洗浄した後、両ウェー
ハ１１，１２を多結晶シリコン層１６を接合面として重
ね合せ接合した。
晶シリコン層１７を積層したシリコンウェーハ１２と多
結晶シリコン層１６を積層したシリコンウェーハ１１と
をそれぞれ比重０．９のＮＨ4ＯＨの水溶液と比重１．
１のＨ2Ｏ2水溶液とＨ2ＯとをＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2
Ｏ＝１：２：７の容量比で混合して調製したＳＣ１（St
andard Cleaning 1）の洗浄液で洗浄した後、両ウェー
ハ１１，１２を多結晶シリコン層１６を接合面として重
ね合せ接合した。
【００１４】(d) 貼り合わせ熱処理と研削研磨 図１（ｄ）に示すように、室温から８００℃に設定され
た熱処理炉中に１０〜１５ｃｍ／分の速度で挿入し、窒
素雰囲気中で８００℃から１０℃／分の速度で昇温し、
１１００℃に達したところで２時間維持し、次いで４℃
／分の速度で降温し、８００℃まで冷却した後、１０〜
１５ｃｍ／分の速度で炉から室温中に取出した。更に図
１（ｅ）に示すように、シリコンウェーハ１２の表面を
砥石で研削し、次いで柔らかい研磨布で研磨し、多結晶
シリコン層１７上に厚さ１〜１０μｍのＳＯＩ層１２ａ
を形成した。
た熱処理炉中に１０〜１５ｃｍ／分の速度で挿入し、窒
素雰囲気中で８００℃から１０℃／分の速度で昇温し、
１１００℃に達したところで２時間維持し、次いで４℃
／分の速度で降温し、８００℃まで冷却した後、１０〜
１５ｃｍ／分の速度で炉から室温中に取出した。更に図
１（ｅ）に示すように、シリコンウェーハ１２の表面を
砥石で研削し、次いで柔らかい研磨布で研磨し、多結晶
シリコン層１７上に厚さ１〜１０μｍのＳＯＩ層１２ａ
を形成した。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、絶
縁層を２つの多結晶シリコン層で挟むように２枚のシリ
コンウェーハと接合することにより、多結晶シリコン層
がゲッタリング源として作用し、デバイスプロセス中に
生じた重金属不純物は多結晶シリコン層に捕捉される。
このとき２つの多結晶シリコン層が絶縁層を挟むため、
重金属不純物がＳＯＩ層及び支持基板側に再分布せず、
高品質のデバイス形成用のＳＯＩ層が多結晶シリコン層
上に得られる。またＳＯＩ基板は、多結晶シリコン層を
介して活性層となるシリコンウェーハを支持基板となる
シリコンウェーハと接合するため、両ウェーハの接着性
が良好となる。
縁層を２つの多結晶シリコン層で挟むように２枚のシリ
コンウェーハと接合することにより、多結晶シリコン層
がゲッタリング源として作用し、デバイスプロセス中に
生じた重金属不純物は多結晶シリコン層に捕捉される。
このとき２つの多結晶シリコン層が絶縁層を挟むため、
重金属不純物がＳＯＩ層及び支持基板側に再分布せず、
高品質のデバイス形成用のＳＯＩ層が多結晶シリコン層
上に得られる。またＳＯＩ基板は、多結晶シリコン層を
介して活性層となるシリコンウェーハを支持基板となる
シリコンウェーハと接合するため、両ウェーハの接着性
が良好となる。
【図１】本発明のＳＯＩ基板の製造方法を示す部分断面
図。
図。
【図２】従来の２枚のシリコンウェーハを接合したとき
のＣｕ濃度曲線図
のＣｕ濃度曲線図
１０ ＳＯＩ基板 １１ 第１シリコンウェーハ １２ 第２シリコンウェーハ １２ａ ＳＯＩ層 １３ 絶縁層（シリコン酸化層） １６ 第１多結晶シリコン層 １７ 第２多結晶シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降屋 久 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板となるシリコンウェーハ(11)上
に第１多結晶シリコン層(16)と絶縁層(13)と第２多結晶
シリコン層(17)がこの順に形成され、前記第２多結晶シ
リコン層(17)上にデバイス形成用のＳＯＩ層(12a)が形
成されたＳＯＩ基板。 - 【請求項２】 支持基板となる第１シリコンウェーハ(1
2)の表面に第１多結晶シリコン層(16)を形成する工程
と、 活性層となる第２シリコンウェーハ(12)の表面に第２多
結晶シリコン層(17)を形成する工程と、 前記第２多結晶シリコン層(17)上に絶縁層(13)を形成す
る工程と、 前記第１シリコンウェーハ(11)と前記第２シリコンウェ
ーハ(12)とを前記絶縁層(13)を２つの多結晶シリコン層
(16,17)で挟むように接合する工程と、 前記接合した第１及び第２シリコンウェーハ(11,12)を
熱処理して貼り合わせる工程と、 前記第２シリコンウェーハ(12)を所定の厚さに研削研磨
してデバイス形成用のＳＯＩ層(12a)とする工程とを含
むＳＯＩ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12485495A JP3528880B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12485495A JP3528880B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316443A true JPH08316443A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3528880B2 JP3528880B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=14895745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12485495A Expired - Fee Related JP3528880B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528880B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030370A1 (fr) * | 1997-12-09 | 1999-06-17 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication, dispositif electro-optique et procede de fabrication, et appareil electronique y ayant recours |
| FR2777115A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement de substrats semi-conducteurs et structures obtenues par ce procede |
| JP2004503942A (ja) * | 2000-06-16 | 2004-02-05 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板製造方法及び該方法によって得られた基板 |
| CN102130039A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-20 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 |
| CN102130038A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-20 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 |
| US9299556B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-03-29 | Shanghai Simgui Technology Co. Ltd. | Method for preparing semiconductor substrate with insulating buried layer gettering process |
| JP2016119490A (ja) * | 2008-03-26 | 2016-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN105845548A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种硅衬底及其制造方法 |
| CN105990215A (zh) * | 2015-03-02 | 2016-10-05 | 北大方正集团有限公司 | Soi基片的制作方法和soi基片 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12485495A patent/JP3528880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030370A1 (fr) * | 1997-12-09 | 1999-06-17 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication, dispositif electro-optique et procede de fabrication, et appareil electronique y ayant recours |
| US6232142B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-05-15 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for making the same, electro-optical device using the same and method for making the electro-optical device, and electronic apparatus using the electro-optical device |
| FR2777115A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement de substrats semi-conducteurs et structures obtenues par ce procede |
| WO1999052145A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de traitement thermique de substrats semi-conducteurs |
| JP2004503942A (ja) * | 2000-06-16 | 2004-02-05 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板製造方法及び該方法によって得られた基板 |
| CN100349278C (zh) * | 2000-06-16 | 2007-11-14 | S.O.I.硅绝缘体技术公司 | 制备衬底的方法以及使用该方法获得的衬底 |
| JP2016119490A (ja) * | 2008-03-26 | 2016-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9633892B2 (en) | 2008-03-26 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device |
| CN102130038A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-20 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 |
| US9299556B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-03-29 | Shanghai Simgui Technology Co. Ltd. | Method for preparing semiconductor substrate with insulating buried layer gettering process |
| CN102130039A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-07-20 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 |
| CN105845548A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种硅衬底及其制造方法 |
| CN105990215A (zh) * | 2015-03-02 | 2016-10-05 | 北大方正集团有限公司 | Soi基片的制作方法和soi基片 |
| CN105990215B (zh) * | 2015-03-02 | 2019-04-26 | 北大方正集团有限公司 | Soi基片的制作方法和soi基片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3528880B2 (ja) | 2004-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0719452B1 (en) | Bonded wafer process incorporating diamond insulator | |
| JP2806277B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0719839B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH07263652A (ja) | Ｓｏｉ基板とその製造方法 | |
| JP3528880B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP4720163B2 (ja) | Ｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| CN108962815B (zh) | 一种soi材料的制备方法 | |
| JP5292810B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| CN101371348B (zh) | 玻璃和玻璃-陶瓷上锗结构 | |
| JP3412449B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH09326396A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH09162088A (ja) | 半導体基板とその製造方法 | |
| JPH08316442A (ja) | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 | |
| JPH0729911A (ja) | 半導体基板とその製造方法 | |
| JPH10256263A (ja) | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 | |
| JPH11330438A (ja) | Ｓｏｉウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるｓｏｉウエーハ | |
| JP3452123B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3484961B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3262190B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法及びこの方法により製造されたｓｏｉ基板 | |
| JPH08321509A (ja) | 半導体装置と、半導体装置およびその半導体基板の製法 | |
| JPH113842A (ja) | 半導体電子素子用基板およびその製造方法 | |
| JPH11330437A (ja) | Ｓｏｉ基板とその製造方法 | |
| JP3452122B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP2004320050A (ja) | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 | |
| JPH04199632A (ja) | Ｓｏｉウエハ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20031208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040217 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |