JP3528880B2 - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁層を２つの多結晶シ
リコン層で挟むように２枚のシリコンウェーハを貼り合
わせるＳＯＩ（Silicon-On-Insulator）基板の製造方法
に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、高集積ＣＭＯＳ（Complementary
Metal Oxide Semiconductor）、ＩＣ、高耐圧素子など
がＳＯＩ基板を利用して製作されるようになってきてい
る。絶縁層の上にデバイス作製領域として使用される単
結晶シリコン層を形成したＳＯＩ基板は、高集積ＣＭＯ
Ｓの場合にはラッチアップ（寄生回路による異常発振現
象）の防止に、また高耐圧素子の場合にはベース基板と
の絶縁分離にそれぞれ有効である。このＳＯＩ基板の製
造方法には、シリコンウェーハ同士を二酸化シリコン層
（以下、シリコン酸化層という）、即ち絶縁層を介して
貼り合わせる方法、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を表面に
有する基板の上にまず多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により堆積させ、次いで
レーザーアニールによって単結晶化するＺＭＲ法、シリ
コン基板内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、高温
でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深
さの領域に埋込みシリコン酸化層（絶縁層）を形成し、
その表面側のシリコン層を活性領域とするＳＩＭＯＸ法
などがある。これらの方法の中でも、貼り合わせ法によ
り作製されたＳＯＩ基板は、ＳＯＩ層の結晶性が極めて
良好であることから、有望視されて来ている。 【０００３】このシリコンウェーハの貼り合わせ法は、
具体的にはそれぞれ約６００μｍの２枚のシリコンウェ
ーハをシリコン酸化層からなる絶縁層を介して接合し、
酸素雰囲気中、１１００℃で２時間貼り合わせ熱処理し
た後、２枚のシリコンウェーハの一方のシリコンウェー
ハの表面を砥石で研削し、更に研磨布で研磨してこのシ
リコンウェーハの厚さを約１〜１０μｍの範囲にし、こ
の研磨した側の厚さ約１〜１０μｍのシリコン層をデバ
イス形成用のＳＯＩ層としている。しかし、このＳＯＩ
基板のＳＯＩ層がデバイスプロセス中に重金属不純物に
より汚染された場合には、埋込みシリコン酸化層（絶縁
層）がゲッタリング源となって重金属不純物を捕捉した
後で、熱処理の進行に伴って結晶化した絶縁層が一旦捕
捉した重金属不純物をＳＯＩ層中に放出し再分布を生じ
易く、これに起因してＳＯＩ層の汚染による品質劣化が
生じることがあった。例えば図２に示すように、重金属
としてＣｕの汚染状況を調べると、絶縁層をピークとし
た、ＳＯＩ層側と支持基板側の両方に再分布したような
Ｃｕ濃度曲線が得られる。 【０００４】従来、この点を解決したＳＯＩ基板とし
て、デバイス形成用のＳＯＩ層内にゲッタリング源を有
するもの（特開平６−２７５５２５）や、支持基板内に
ゲッタリング源を有するもの（特開平７−２９９１１）
が提案されている。前者のＳＯＩ基板はデバイス形成用
のＳＯＩ層と絶縁層との間に多結晶シリコン層が設けら
れる。また後者のＳＯＩ基板は支持基板となるシリコン
ウェーハの両面に多結晶シリコン、非晶質シリコン等か
らなるゲッタリング層を形成し、両面のゲッタリング層
上に絶縁層を形成し、一方の絶縁層に別の活性層となる
シリコンウェーハを接合した後、このシリコンウェーハ
を研削研磨してデバイス形成用のＳＯＩ層を形成したも
のである。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平６−２
７５５２５号公報に示されるＳＯＩ基板及び特開平７−
２９９１１号公報に示されるＳＯＩ基板においては、と
もに重金属不純物に対するゲッタリング源となり得る多
結晶シリコン層は１層しかないため、デバイスプロセス
中に取り込まれた重金属を不純物を全て捕捉し留めてお
くには不十分であると考えられる。即ち、プロセス中の
熱処理により多結晶粒界が回復した場合、捕捉から外れ
た重金属不純物がＳＯＩ層中や支持基板中に再分布する
ことが容易に起こり得るため、より多くの結晶粒界を有
することが望ましい。更に、デバイスの種類によっては
絶縁層の下の支持基板もトランジスタ構造の一部として
使用する場合があるので、図２に示すような濃度分布を
示す不純物に対しては、絶縁層の両側に１層ずつ、ＳＯ
Ｉ層用と支持基板用のゲッタリング層を計２層持ち合わ
せている構造が、最も理想的な構造であると考えられ
る。 【０００６】本発明の目的は、十分大きいゲッタリング
能力を有しＳＯＩ層を重金属で汚染させないＳＯＩ基板
の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、２層の多結晶シリコン層で絶縁層を挟むことによ
り、支持基板も重金属で汚染されていないＳＯＩ基板の
製造方法を提供することにある。本発明の更に別の目的
は、２枚のシリコンウェーハの接着性が良好なＳＯＩ基
板の製造方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】図１（ａ）〜図１（ｅ）
に示すように、本発明のＳＯＩ基板１０の製造方法は、
支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の表面に第１
多結晶シリコン層１６を形成する工程と、活性層となる
第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結晶シリコン
層１７を形成する工程と、この多結晶シリコン層１７上
に絶縁層１３を熱酸化により形成する工程と、第１シリ
コンウェーハ１１と第２シリコンウェーハ１２とをＳＣ
１の洗浄液で洗浄する工程と、第１シリコンウェーハ１
１と第２シリコンウェーハ１２とを絶縁層１３を２つの
多結晶シリコン層１６，１７で挟むように接合する工程
と、接合した第１及び第２シリコンウェーハ１１，１２
を熱処理して貼り合わせる工程と、第２シリコンウェー
ハ１２を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のＳ
ＯＩ層１２ａとする工程とを含む方法である。 【０００８】以下、本発明を詳述する。本発明の第１及
び第２シリコンウェーハはＣＺ法、ＦＺ法等の方法で、
ともに同一の方法により得られたシリコン単結晶棒から
作製される。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１
シリコンウェーハ１１及び第２シリコンウェーハ１２の
片面にそれぞれ第１多結晶シリコン層１６及び第２多結
晶シリコン層１７がＣＶＤ法により形成される。これら
の多結晶シリコン層１６又は１７の厚さは約０．５〜約
２．０μｍの範囲、好ましくは約０．５〜約１．０μｍ
の範囲にある。次いで図１（ｃ）に示すように多結晶シ
リコン層１７上に絶縁層１３が形成される。絶縁層１３
の厚さは約０．５〜約１．０μｍの範囲、好ましくは約
０．５〜約０．６μｍの範囲にある。この絶縁層１３は
シリコン酸化層（ＳｉＯ2層）であって、多結晶シリコ
ン層１７を熱酸化することにより多結晶シリコン層１７
上に形成される。次に、図１（ｄ）に示すように２枚の
シリコンウェーハ１１，１２が絶縁層１３を２つの多結
晶シリコン層１６，１７で挟むように接合される。接合
しようとする表面を活性化するために所定の洗浄液でシ
リコンウェーハ１１，１２を洗浄しておくことが好まし
い。接合した後の第１及び第２シリコンウェーハ１１，
１２を乾燥酸素（ｄｒｙＯ2）雰囲気又は窒素（Ｎ2）雰
囲気中で１１００℃の温度下、１〜３時間、好ましくは
２時間程度行う。図１（ｅ）に示すように、一体化した
２枚のシリコンウェーハ１１，１２が放冷され室温にな
った後に、支持基板となる第２シリコンウェーハ１２を
砥石で研削し、その後研磨布で研磨して、約１〜１０μ
ｍの厚さの薄膜に加工する。これにより厚さ約１〜１０
μｍのデバイス形成用のＳＯＩ層１２ａが多結晶シリコ
ン層１７上に得られる。 【０００９】 【作用】２枚のシリコンウェーハの接合界面において絶
縁層１３が２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟まれ
るため、ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層１２ａがデバイスプ
ロセス中に重金属不純物により汚染された場合には、多
結晶シリコン層１６及び１７がゲッタリング源として作
用する。即ち、ＳＯＩ層１２ａ中の重金属不純物が絶縁
層１３を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉されると
ともに多結晶シリコン層１７にも捕捉される。また同様
に支持基板中１１に導入され、接合界面近傍に存在する
重金属不純物が多結晶シリコン層１７、及び絶縁層１３
を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉される。従っ
て、これらのゲッタリング層を有さない場合には図２に
示したように絶縁層を中心として左右対称に凸型の分布
となる重金属不純物が、本発明のような構造とすること
により、ＳＯＩ層及び支持基板側の両方のバルク中にお
いて再分布することがなく、高純度な結晶性を維持した
ままトランジスタ構造を作製することが可能となる。ま
た、単独に多結晶シリコン層をゲッタリング層として有
する場合に比較して、重金属不純物を捕捉する結晶粒界
が数多く存在するため、非常に大きなゲッタリング能力
を有している。 【００１０】更に本発明のＳＯＩ基板１０は、ＯＨ基の
数が単結晶シリコンウェーハ上の場合と同程度である多
結晶シリコン層１６を介して活性層となるシリコンウェ
ーハ１２を支持基板となるシリコンウェーハ１１と接合
するため、絶縁層との貼り合わせに比較して両ウェーハ
の接着性が良好となる。 【００１１】 【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。 (a) サンプルの準備と多結晶シリコン層の形成 ＣＺ法で引上げられたシリコン単結晶棒から切断され研
削研磨されたばかりの次の特性の２枚のシリコンウェー
ハを用意した。 直径： ５インチ 面方位： ＜１００＞ 伝導型： Ｐ型（ドーパントとしてボロンを添加） 抵抗率： 約１０Ωｃｍ 厚さ： 約６２０μｍ 初期格子間酸素濃度：約１．５×１０18／ｃｍ3（旧ＡＳＴＭ） 図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、２枚のシリコンウ
ェーハ１１及び１２のそれぞれの片面に次の条件で多結
晶シリコン層１５をＣＶＤ法により形成した。 雰囲気： ０．１Ｔｏｒｒの減圧雰囲気 使用ガス（流量）： ＳｉＨ4（０．１リットル／分） 温度： ６２０℃ 堆積速度： ６５オングストローム／分 多結晶シリコン層１６及び１７はシリコンウェーハ１１
及び１２上にそれぞれ約０．５μｍの厚さで形成され
た。 【００１２】(b) 絶縁層の形成 図１（ｃ）に示すように、多結晶シリコン層１７を形成
したシリコンウェーハ１２を湿潤酸素（ｗｅｔＯ2）雰
囲気中、１０００℃で３時間熱処理して厚さ０．５μｍ
のシリコン酸化層からなる絶縁層１３を多結晶シリコン
層１７上に形成した。 【００１３】(c) 接合 図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、絶縁層１３と多結
晶シリコン層１７を積層したシリコンウェーハ１２と多
結晶シリコン層１６を積層したシリコンウェーハ１１と
をそれぞれ比重０．９のＮＨ4ＯＨの水溶液と比重１．
１のＨ2Ｏ2水溶液とＨ2ＯとをＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2
Ｏ＝１：２：７の容量比で混合して調製したＳＣ１（St
andard Cleaning 1）の洗浄液で洗浄した後、両ウェー
ハ１１，１２を多結晶シリコン層１６を接合面として重
ね合せ接合した。 【００１４】(d) 貼り合わせ熱処理と研削研磨 図１（ｄ）に示すように、室温から８００℃に設定され
た熱処理炉中に１０〜１５ｃｍ／分の速度で挿入し、窒
素雰囲気中で８００℃から１０℃／分の速度で昇温し、
１１００℃に達したところで２時間維持し、次いで４℃
／分の速度で降温し、８００℃まで冷却した後、１０〜
１５ｃｍ／分の速度で炉から室温中に取出した。更に図
１（ｅ）に示すように、シリコンウェーハ１２の表面を
砥石で研削し、次いで柔らかい研磨布で研磨し、多結晶
シリコン層１７上に厚さ１〜１０μｍのＳＯＩ層１２ａ
を形成した。 【００１５】 【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、絶
縁層を２つの多結晶シリコン層で挟むように２枚のシリ
コンウェーハと接合することにより、多結晶シリコン層
がゲッタリング源として作用し、デバイスプロセス中に
生じた重金属不純物は多結晶シリコン層に捕捉される。
このとき２つの多結晶シリコン層が絶縁層を挟むため、
重金属不純物がＳＯＩ層及び支持基板側に再分布せず、
高品質のデバイス形成用のＳＯＩ層が多結晶シリコン層
上に得られる。またＳＯＩ基板は、多結晶シリコン層を
介して活性層となるシリコンウェーハを支持基板となる
シリコンウェーハと接合するため、両ウェーハの接着性
が良好となる。
リコン層で挟むように２枚のシリコンウェーハを貼り合
わせるＳＯＩ（Silicon-On-Insulator）基板の製造方法
に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、高集積ＣＭＯＳ（Complementary
Metal Oxide Semiconductor）、ＩＣ、高耐圧素子など
がＳＯＩ基板を利用して製作されるようになってきてい
る。絶縁層の上にデバイス作製領域として使用される単
結晶シリコン層を形成したＳＯＩ基板は、高集積ＣＭＯ
Ｓの場合にはラッチアップ（寄生回路による異常発振現
象）の防止に、また高耐圧素子の場合にはベース基板と
の絶縁分離にそれぞれ有効である。このＳＯＩ基板の製
造方法には、シリコンウェーハ同士を二酸化シリコン層
（以下、シリコン酸化層という）、即ち絶縁層を介して
貼り合わせる方法、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を表面に
有する基板の上にまず多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により堆積させ、次いで
レーザーアニールによって単結晶化するＺＭＲ法、シリ
コン基板内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、高温
でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深
さの領域に埋込みシリコン酸化層（絶縁層）を形成し、
その表面側のシリコン層を活性領域とするＳＩＭＯＸ法
などがある。これらの方法の中でも、貼り合わせ法によ
り作製されたＳＯＩ基板は、ＳＯＩ層の結晶性が極めて
良好であることから、有望視されて来ている。 【０００３】このシリコンウェーハの貼り合わせ法は、
具体的にはそれぞれ約６００μｍの２枚のシリコンウェ
ーハをシリコン酸化層からなる絶縁層を介して接合し、
酸素雰囲気中、１１００℃で２時間貼り合わせ熱処理し
た後、２枚のシリコンウェーハの一方のシリコンウェー
ハの表面を砥石で研削し、更に研磨布で研磨してこのシ
リコンウェーハの厚さを約１〜１０μｍの範囲にし、こ
の研磨した側の厚さ約１〜１０μｍのシリコン層をデバ
イス形成用のＳＯＩ層としている。しかし、このＳＯＩ
基板のＳＯＩ層がデバイスプロセス中に重金属不純物に
より汚染された場合には、埋込みシリコン酸化層（絶縁
層）がゲッタリング源となって重金属不純物を捕捉した
後で、熱処理の進行に伴って結晶化した絶縁層が一旦捕
捉した重金属不純物をＳＯＩ層中に放出し再分布を生じ
易く、これに起因してＳＯＩ層の汚染による品質劣化が
生じることがあった。例えば図２に示すように、重金属
としてＣｕの汚染状況を調べると、絶縁層をピークとし
た、ＳＯＩ層側と支持基板側の両方に再分布したような
Ｃｕ濃度曲線が得られる。 【０００４】従来、この点を解決したＳＯＩ基板とし
て、デバイス形成用のＳＯＩ層内にゲッタリング源を有
するもの（特開平６−２７５５２５）や、支持基板内に
ゲッタリング源を有するもの（特開平７−２９９１１）
が提案されている。前者のＳＯＩ基板はデバイス形成用
のＳＯＩ層と絶縁層との間に多結晶シリコン層が設けら
れる。また後者のＳＯＩ基板は支持基板となるシリコン
ウェーハの両面に多結晶シリコン、非晶質シリコン等か
らなるゲッタリング層を形成し、両面のゲッタリング層
上に絶縁層を形成し、一方の絶縁層に別の活性層となる
シリコンウェーハを接合した後、このシリコンウェーハ
を研削研磨してデバイス形成用のＳＯＩ層を形成したも
のである。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平６−２
７５５２５号公報に示されるＳＯＩ基板及び特開平７−
２９９１１号公報に示されるＳＯＩ基板においては、と
もに重金属不純物に対するゲッタリング源となり得る多
結晶シリコン層は１層しかないため、デバイスプロセス
中に取り込まれた重金属を不純物を全て捕捉し留めてお
くには不十分であると考えられる。即ち、プロセス中の
熱処理により多結晶粒界が回復した場合、捕捉から外れ
た重金属不純物がＳＯＩ層中や支持基板中に再分布する
ことが容易に起こり得るため、より多くの結晶粒界を有
することが望ましい。更に、デバイスの種類によっては
絶縁層の下の支持基板もトランジスタ構造の一部として
使用する場合があるので、図２に示すような濃度分布を
示す不純物に対しては、絶縁層の両側に１層ずつ、ＳＯ
Ｉ層用と支持基板用のゲッタリング層を計２層持ち合わ
せている構造が、最も理想的な構造であると考えられ
る。 【０００６】本発明の目的は、十分大きいゲッタリング
能力を有しＳＯＩ層を重金属で汚染させないＳＯＩ基板
の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、２層の多結晶シリコン層で絶縁層を挟むことによ
り、支持基板も重金属で汚染されていないＳＯＩ基板の
製造方法を提供することにある。本発明の更に別の目的
は、２枚のシリコンウェーハの接着性が良好なＳＯＩ基
板の製造方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】図１（ａ）〜図１（ｅ）
に示すように、本発明のＳＯＩ基板１０の製造方法は、
支持基板となる第１シリコンウェーハ１１の表面に第１
多結晶シリコン層１６を形成する工程と、活性層となる
第２シリコンウェーハ１２の表面に第２多結晶シリコン
層１７を形成する工程と、この多結晶シリコン層１７上
に絶縁層１３を熱酸化により形成する工程と、第１シリ
コンウェーハ１１と第２シリコンウェーハ１２とをＳＣ
１の洗浄液で洗浄する工程と、第１シリコンウェーハ１
１と第２シリコンウェーハ１２とを絶縁層１３を２つの
多結晶シリコン層１６，１７で挟むように接合する工程
と、接合した第１及び第２シリコンウェーハ１１，１２
を熱処理して貼り合わせる工程と、第２シリコンウェー
ハ１２を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のＳ
ＯＩ層１２ａとする工程とを含む方法である。 【０００８】以下、本発明を詳述する。本発明の第１及
び第２シリコンウェーハはＣＺ法、ＦＺ法等の方法で、
ともに同一の方法により得られたシリコン単結晶棒から
作製される。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１
シリコンウェーハ１１及び第２シリコンウェーハ１２の
片面にそれぞれ第１多結晶シリコン層１６及び第２多結
晶シリコン層１７がＣＶＤ法により形成される。これら
の多結晶シリコン層１６又は１７の厚さは約０．５〜約
２．０μｍの範囲、好ましくは約０．５〜約１．０μｍ
の範囲にある。次いで図１（ｃ）に示すように多結晶シ
リコン層１７上に絶縁層１３が形成される。絶縁層１３
の厚さは約０．５〜約１．０μｍの範囲、好ましくは約
０．５〜約０．６μｍの範囲にある。この絶縁層１３は
シリコン酸化層（ＳｉＯ2層）であって、多結晶シリコ
ン層１７を熱酸化することにより多結晶シリコン層１７
上に形成される。次に、図１（ｄ）に示すように２枚の
シリコンウェーハ１１，１２が絶縁層１３を２つの多結
晶シリコン層１６，１７で挟むように接合される。接合
しようとする表面を活性化するために所定の洗浄液でシ
リコンウェーハ１１，１２を洗浄しておくことが好まし
い。接合した後の第１及び第２シリコンウェーハ１１，
１２を乾燥酸素（ｄｒｙＯ2）雰囲気又は窒素（Ｎ2）雰
囲気中で１１００℃の温度下、１〜３時間、好ましくは
２時間程度行う。図１（ｅ）に示すように、一体化した
２枚のシリコンウェーハ１１，１２が放冷され室温にな
った後に、支持基板となる第２シリコンウェーハ１２を
砥石で研削し、その後研磨布で研磨して、約１〜１０μ
ｍの厚さの薄膜に加工する。これにより厚さ約１〜１０
μｍのデバイス形成用のＳＯＩ層１２ａが多結晶シリコ
ン層１７上に得られる。 【０００９】 【作用】２枚のシリコンウェーハの接合界面において絶
縁層１３が２つの多結晶シリコン層１６，１７で挟まれ
るため、ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層１２ａがデバイスプ
ロセス中に重金属不純物により汚染された場合には、多
結晶シリコン層１６及び１７がゲッタリング源として作
用する。即ち、ＳＯＩ層１２ａ中の重金属不純物が絶縁
層１３を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉されると
ともに多結晶シリコン層１７にも捕捉される。また同様
に支持基板中１１に導入され、接合界面近傍に存在する
重金属不純物が多結晶シリコン層１７、及び絶縁層１３
を通過して多結晶シリコン層１６に捕捉される。従っ
て、これらのゲッタリング層を有さない場合には図２に
示したように絶縁層を中心として左右対称に凸型の分布
となる重金属不純物が、本発明のような構造とすること
により、ＳＯＩ層及び支持基板側の両方のバルク中にお
いて再分布することがなく、高純度な結晶性を維持した
ままトランジスタ構造を作製することが可能となる。ま
た、単独に多結晶シリコン層をゲッタリング層として有
する場合に比較して、重金属不純物を捕捉する結晶粒界
が数多く存在するため、非常に大きなゲッタリング能力
を有している。 【００１０】更に本発明のＳＯＩ基板１０は、ＯＨ基の
数が単結晶シリコンウェーハ上の場合と同程度である多
結晶シリコン層１６を介して活性層となるシリコンウェ
ーハ１２を支持基板となるシリコンウェーハ１１と接合
するため、絶縁層との貼り合わせに比較して両ウェーハ
の接着性が良好となる。 【００１１】 【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。 (a) サンプルの準備と多結晶シリコン層の形成 ＣＺ法で引上げられたシリコン単結晶棒から切断され研
削研磨されたばかりの次の特性の２枚のシリコンウェー
ハを用意した。 直径： ５インチ 面方位： ＜１００＞ 伝導型： Ｐ型（ドーパントとしてボロンを添加） 抵抗率： 約１０Ωｃｍ 厚さ： 約６２０μｍ 初期格子間酸素濃度：約１．５×１０18／ｃｍ3（旧ＡＳＴＭ） 図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、２枚のシリコンウ
ェーハ１１及び１２のそれぞれの片面に次の条件で多結
晶シリコン層１５をＣＶＤ法により形成した。 雰囲気： ０．１Ｔｏｒｒの減圧雰囲気 使用ガス（流量）： ＳｉＨ4（０．１リットル／分） 温度： ６２０℃ 堆積速度： ６５オングストローム／分 多結晶シリコン層１６及び１７はシリコンウェーハ１１
及び１２上にそれぞれ約０．５μｍの厚さで形成され
た。 【００１２】(b) 絶縁層の形成 図１（ｃ）に示すように、多結晶シリコン層１７を形成
したシリコンウェーハ１２を湿潤酸素（ｗｅｔＯ2）雰
囲気中、１０００℃で３時間熱処理して厚さ０．５μｍ
のシリコン酸化層からなる絶縁層１３を多結晶シリコン
層１７上に形成した。 【００１３】(c) 接合 図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、絶縁層１３と多結
晶シリコン層１７を積層したシリコンウェーハ１２と多
結晶シリコン層１６を積層したシリコンウェーハ１１と
をそれぞれ比重０．９のＮＨ4ＯＨの水溶液と比重１．
１のＨ2Ｏ2水溶液とＨ2ＯとをＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2
Ｏ＝１：２：７の容量比で混合して調製したＳＣ１（St
andard Cleaning 1）の洗浄液で洗浄した後、両ウェー
ハ１１，１２を多結晶シリコン層１６を接合面として重
ね合せ接合した。 【００１４】(d) 貼り合わせ熱処理と研削研磨 図１（ｄ）に示すように、室温から８００℃に設定され
た熱処理炉中に１０〜１５ｃｍ／分の速度で挿入し、窒
素雰囲気中で８００℃から１０℃／分の速度で昇温し、
１１００℃に達したところで２時間維持し、次いで４℃
／分の速度で降温し、８００℃まで冷却した後、１０〜
１５ｃｍ／分の速度で炉から室温中に取出した。更に図
１（ｅ）に示すように、シリコンウェーハ１２の表面を
砥石で研削し、次いで柔らかい研磨布で研磨し、多結晶
シリコン層１７上に厚さ１〜１０μｍのＳＯＩ層１２ａ
を形成した。 【００１５】 【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、絶
縁層を２つの多結晶シリコン層で挟むように２枚のシリ
コンウェーハと接合することにより、多結晶シリコン層
がゲッタリング源として作用し、デバイスプロセス中に
生じた重金属不純物は多結晶シリコン層に捕捉される。
このとき２つの多結晶シリコン層が絶縁層を挟むため、
重金属不純物がＳＯＩ層及び支持基板側に再分布せず、
高品質のデバイス形成用のＳＯＩ層が多結晶シリコン層
上に得られる。またＳＯＩ基板は、多結晶シリコン層を
介して活性層となるシリコンウェーハを支持基板となる
シリコンウェーハと接合するため、両ウェーハの接着性
が良好となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＯＩ基板の製造方法を示す部分断面
図。 【図２】従来の２枚のシリコンウェーハを接合したとき
のＣｕ濃度曲線図 【符号の説明】 １０ ＳＯＩ基板 １１ 第１シリコンウェーハ １２ 第２シリコンウェーハ １２ａ ＳＯＩ層 １３ 絶縁層（シリコン酸化層） １６ 第１多結晶シリコン層 １７ 第２多結晶シリコン層
図。 【図２】従来の２枚のシリコンウェーハを接合したとき
のＣｕ濃度曲線図 【符号の説明】 １０ ＳＯＩ基板 １１ 第１シリコンウェーハ １２ 第２シリコンウェーハ １２ａ ＳＯＩ層 １３ 絶縁層（シリコン酸化層） １６ 第１多結晶シリコン層 １７ 第２多結晶シリコン層
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(56)参考文献 特開 平２−103950（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−250617（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−29911（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−58873（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−275525（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−221633（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−163862（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−84431（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−123014（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−283693（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−85827（ＪＰ，Ａ)
実開 平５−46028（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/12
H01L 21/322
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 支持基板となる第１シリコンウェーハ(1
1)の表面に第１多結晶シリコン層(16)を形成する工程
と、 活性層となる第２シリコンウェーハ(12)の表面に第２多
結晶シリコン層(17)を形成する工程と、 前記第２多結晶シリコン層(17)上に絶縁層(13)を熱酸化
により形成する工程と、前記第１シリコンウェーハ (11) と前記第２シリコンウェ
ーハ (12) とをＳＣ１の洗浄液で洗浄する工程と、 前記第１シリコンウェーハ(11)と前記第２シリコンウェ
ーハ(12)とを前記絶縁層(13)を２つの多結晶シリコン層
(16,17)で挟むように接合する工程と、 前記接合した第１及び第２シリコンウェーハ(11,12)を
熱処理して貼り合わせる工程と、 前記第２シリコンウェーハ(12)を所定の厚さに研削研磨
してデバイス形成用のＳＯＩ層(12a)とする工程とを含
むＳＯＩ基板の製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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| FR2810448B1 (fr) * | 2000-06-16 | 2003-09-19 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats et substrats obtenus par ce procede |
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| CN105990215B (zh) * | 2015-03-02 | 2019-04-26 | 北大方正集团有限公司 | Soi基片的制作方法和soi基片 |
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- 1995-05-24 JP JP12485495A patent/JP3528880B2/ja not_active Expired - Fee Related
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