JPH0831555B2 - Sipの製造方法 - Google Patents

Sipの製造方法

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JPH0831555B2
JPH0831555B2 JP62032826A JP3282687A JPH0831555B2 JP H0831555 B2 JPH0831555 B2 JP H0831555B2 JP 62032826 A JP62032826 A JP 62032826A JP 3282687 A JP3282687 A JP 3282687A JP H0831555 B2 JPH0831555 B2 JP H0831555B2
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JP
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island
lead
tie bar
connecting piece
sip
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JP62032826A
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Inventor
伴  博行
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日本電装株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はSIPのリードフレーム構造に関し、特にSIPの
リードフレームのアイランド保持構造に関する。本発明
は例えばレジンモールドSIPを使用する半導体集積回路
素子に使用される。
[従来の技術] 関連する従来技術が以下に説明される。
SIP(シングル・インライン・パッケージ)は周知で
ある。
例えば第2図は従来のSIPの1例であり、チップを搭
載する大体方形のアイランド1の第1辺1a、第2辺1b、
第3辺1cの周縁に近接して複数のリード2の第1端2Xが
配設されている。
そして上記各リード2とアイランド1は連結片3によ
って囲まれている。それぞれリード2とアイランド1を
含む各単位フレームは上記の連結片3によって連結され
て、リードフレーム全体を構成している。そして各リー
ド2はダイバー4によって隣接するリードまたは連結片
3に接続されて支持される。
そして、上記のアイランド1は中央のリード2aの第1
端にタイバー5a、5bによって接続されて支持される。そ
して各リードの第2端2Yはアイランドの第2辺1bに平行
な連結片3の第2片3bに接続されて支持される。本発明
のSIPのリードフレーム構造に関連を持つ周知のDIP(デ
ュアル・インライン・パッケージ)が以下に説明され
る。
DIPリードフレームにおいて、方形のアイランドの全
辺に近接して各リードの第1端が配列される。そして各
リードの第2端はアイランドの互いに対向する第2辺と
第4辺に平行な連結片の第2片と第4片のどちらかに接
続されて支持される。当然、上記第2片と第4片は連結
片3の1部であり、一体化して形成されている。そして
上記連結片の第2片と第4片はアイランドとリードをは
さんで対向して配置される。
そしてアイランドは第1のアイランド・タイバーによ
って連結片の第1片に接続されて支持され、同様に第2
のアイランド・タイバーによって連結片3の第3片に接
続されて支持される。
そして、上記第1アイランド・タイバーはアイランド
の第1辺の中央部に接続され、上記第2アイランド・タ
イバーはアイランドの第3辺の中央部に接続される。そ
の結果、上記2個のアイランド・タイバーはアイランド
を挟んで対向して配設されている。
すなわち、DIPのリードフレームにおいてアイランド
を支持する第1と第2のアイランド・タイバーはアイラ
ンドを挟んで対向してアイランドに接続され、そしてア
イランドの残りの周縁部に近接して、各リードの第1端
が配列される。
[発明が解決しようとする問題点] 上記の先行技術にも関らず、改善が期待される第1の
問題は従来のSIPのリードフレーム構造において、中央
リード(第2図の2a)はレジンモールド後もアイランド
に接続されるので、必然的にリード2aにICチップの基板
電位を供給する必要がある事である。即ち、上記中央リ
ード2aは基板電源端子としてのみ使用される。そして上
記の中央リードは一般にバイポーラICにおいてGND端子
に接続され、一般にMOSICにおいて+Vddに接続される。
即ち、SIP構造を有するバイポーラICとMOSICにおいて、
中央リード2aの電源の種類は異なる欠点があった。例え
ば、多用されるNPNトランジスタICの基板にはVssが印加
され、同様に多用されるNMOSトランジスタIC(またはP
ウエルCMOSIC)の基板にはVddが印加される。
その結果、上記のSIP形式バイポーラICとSIP形式MOSI
Cを混載して実装するには大きな困難があった。
ただし、上記に説明されたようにDIPのアイランドは
各リードを介さずに第1アイランド・タイバー、第2ア
イランド・タイバーによって連結片に接続される。従っ
て、各リードの用途設定は任意である。
SIPにおいても従来のDIPと同様に専用の第1、第2ア
イランド・タイバーを設置すれば、全リードの用途設定
は自由にできる。しかし、SIPはアイランド1の第2辺1
bに平行な連結片3の第2片3bに全リード2の第2端を
接続又は近接させる必要がある。
従って、従来のDIPのようにアイランド1の第1辺と
第3辺のそれぞれ中央部からアイランド・タイバーを取
り出す場合、曲在する各リードと重なってしまう。
なお、上記アイランド1の第1辺1aと第3辺1cに近接
するリード2を細くすることによって、該リード2と上
記第1、第2アイランド・ダイバーの重なりを防止する
事は十分考えうる。しかし第2図からわかるように、ア
イランドの第1辺1a、第3辺1cに近接するリード長はア
イランドの第2辺1bに近接するリード長よりかなり長
い。そして、リード抵抗をより低減するために、アイラ
ンドの第1辺1a、第3辺1cに近接するリードの横巾はア
イランドの第2辺に近接するリードのそれに比較して広
く設定する必要がある。
上記の説明から理解されるように、リード端子配列が
任意であり、しかもリードピン数及び各リードの抵抗等
のリードフレームに与えられた要求性能を劣化させる必
要のないSIPリードフレーム構造が強く期待されてい
た。
本発明は上記の問題点を改良する事を目的とする。
従って、本発明の具体的な第1の目的は、リード端子
配列が任意であるSIPのリードフレーム構造の開発であ
る。
[問題点を解決するための手段及び作用] 本発明は、互いにほぼ対向する第1辺及び第3辺並び
に互いにほぼ対向する第2辺及び第4辺を有する略方形
のアイランドと、上記アイランドの第1辺、第2辺及び
第3辺のみに面して近接する端部を有する複数のリード
と、上記アイランド及びリードを支持するために上記ア
イランド及びリードの外側に配設される連結片とを含む
リードフレーム構造を有するSIPの製造方法において、 上記アイランドの第1辺及び第4辺が集まる上記アイ
ランドの第1頂部近傍から上記第4辺と略平行な一方向
へ延設されて上記アイランドの第1頂部近傍を上記連結
片に結合する第1のアイランド・タイバーと、上記アイ
ランドの第3辺及び第4辺が集まる上記アイランドの第
2頂部近傍から上記第4辺と略平行な他方向へ延設され
て上記アイランドの第2頂部近傍を上記連結片に結合す
る第2のアイランド・タイバーとを有し、上記アイラン
ド・タイバーの上記アイランド側の基端部は上記第1辺
及び第3辺側へ傾斜する形状で徐々に幅広化されている
SIPのリードフレームを用意する工程と、上記アイラン
ドに半導体チップを接合後、上記半導体チップと上記リ
ードとをワイヤボンデイングする工程と、上記アイラン
ド、上記リードのアイランド側の部分及び上記アイラン
ド・タイバーのアイランド側の部分をレジンモールドし
てモールドを形成する工程と、上記リードを上記連結片
又は他の上記リードに接続するタイバーと上記モールド
から突出するアイランド・タイバーの突出部分をカット
して上記アイランドタイバーを上記モールド内に埋設す
る工程とを備えることを特徴としている。
本発明の基本的要件が以下に略述される。上記アイラ
ンドはチップを搭載する金属片であり、略方形である。
上記リードはチップの電極に電気的に接続される端子
片である。上記連結片は上記リード及びアイランドを支
持する金属片である。上記アイランド・タイバーは上記
アイランドから延在する金属片である。本明細書におい
て、タイバーはいわゆるリードを支持する金属片、即
ち、リード・タイバーを指定する。以下に、本発明の特
徴がわかりやすく説明される。
本発明のSIPのリードフレーム構造はアイランドの第
4辺の両端近傍からそれぞれ反対方向に延在する2本の
アイランド・タイバーを有する。更に各リードの始端
(第1端)は上記アイランドの第1辺、第2辺、第3辺
に近傍して配置される。
従って、従来のSIPに比較して各リードのピン数及び
リード巾をほとんど低減する事なく、各リード端子を任
意に用途設定できる。
本発明の他の特徴と効果は以下の実施例によって理解
されるであろう。
[実施例] 第1図は本発明の良好な態様を表わす平面図である。
1はアイランドである。
1aはアイランドの第1辺である。
1bはアイランドの第2辺である。
1cはアイランドの第3辺である。
1dはアイランドの第4辺である。
1Xはアイランドの第1頂部である。
1Yはアイランドの第2頂部である。
2はリードである。
2Xはリードの第1端である。
3は連結片である。
3aは連結片の第1片である。
3bは連結片の第2片である。
3cは連結片の第3片である。
3dは連結片の第4片である。
4はタイバーである。
6は第1のアイランド・タイバーである。
6aは第1のアイランド・タイバーの接続部である。
6bは第1のアイランド・タイバーの接続部である。
7は第2のアイランド・タイバーである。
7aは第2のアイランド・タイバーの接続部である。
7bは第2のアイランド・タイバーの接続部である。
第1図において、アイランド・タイバー6は連結片3
の第1片3aと、アイランド1の第1頂部1Xを接続する。
同様に、アイランド・タイバー7は連結片3の第3片3c
と、アイランド1の第2頂部1Yを接続する。そして上記
のタイバー6、7によって分割されたアイランドの片側
の周縁部に近接して、各リード2の第1端2Xが順番に配
列される。さらに、各リード2はタイバー4によって連
結片3または隣接リード2に接続されている。
アイランド・タイバー6、7と連結片3の接続点は各
々1箇所以上設ける事が好ましい。本実施例では、各々
2個の接続部6a、6b、及び、7a、7bで保持している。
第1図はSIP12PINの例である。
アイランド・タイバー6、7はモールド実施時、モー
ルド内に収まる位置に設定する。アイランド・タイバー
6と7はモールドの端からある程度内側に設定すること
が好ましい。
そしてICを搭載し、ワイヤボンディングした後でレジ
ンモールドが実施する。それからリードカットが実施さ
れ、同時に、アイランド・タイバー6、7の接続部(6
a、6b、7a、7b)が分離される。従ってアイランド・タ
イバー6と7はモールド内に埋没する。
第3図の様にアイランド・タイバー6、7の接続部
(本発明でいう基端部)8、9にc=0.3程度の面取り
を実施する事によって、ワイヤボンド実施時のワイヤボ
ンドツールによる撓みの発生が抑圧される。すなわち、
アイランド・タイバー6、7の接続部8、9のアイラン
ド1の第1辺1a及び第3辺1cの側の辺を傾斜させること
により、これら接続部8、9を徐々に幅広化することに
より、ワイヤボンド実施時にこの接続部8、9の曲げ応
力が掛かってそれらが撓むことが抑止される。これによ
り、アイランド1の整形時におけるアイランド1のの傾
きを抑えることができる。
本発明において、ICチップ基板を接着したアイランド
1からアイランド・タイバー6と7がモールド内に延在
しているので、SIPパッケージの放熱性も向上する。
[効果] すなわち、本願発明の製造方法は、アイランド・タイ
バーがモールドに埋設されるSIPの製造方法であって、
アイランド・タイバーの互いに隣接するアイランドの第
1、第2頂部を結ぶアイランドの第4辺と略平行かつ互
いに反対方向へ向けてこれら頂部から一対のアイランド
・タイバーを延設することによりアイランドを支持し、
更に、両アイランド・タイバーの上記両頂部近傍の部分
(基端部)を、アイランドの上記第4辺と略直角に形成
されたアイランドの第1辺及び第3辺側へ傾斜する形状
で幅広化し、更に、アイランド・タイバーの突出部分を
カットしてアイランドタイバーをモールド内に埋設した
たものです。
本発明によれば、アイランド・タイバーがアイランド
の互いに隣接する2頂部側から上記2頂部を結ぶ線と略
平行に形成されているので、アイランドの上記第4辺を
除く他の3辺に広々と隣接して多数のリードを配設する
ことができ、リードフレームの小型化、多リード化を図
ることができます。
更に、このアイランド・タイバーの形状、配置では、
ワイヤボンディング時などにおいて、アイランドに外力
が加えられるとアイランド・タイバーとアイランドとを
接続する上記アイランド・タイバーの基端部において、
撓み応力が集中してアイランドが傾斜したりする問題が
発生するが、この問題は、アイランド・タイバーの上記
基端部を上記第1辺、第3辺側へ向けて徐々に幅広化す
る本発明により良好に解決され、これによりアイランド
の不所望な傾斜を防止できる。
なお、アイランド・タイバー全体を幅広化すること、
又は、アイランド・タイバーの基端部を上記第1辺、第
3辺側と反対側へ向けて幅広化することは、リード配設
スペースの縮小又はリードフレームの大型化を招くので
好ましくない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のSIPリードフレーム構造の1実施例平
面図である。 第2図は従来のSIPリードフレーム構造の1実施例平面
図である。 第3図は第1図のアイランド・タイバー部の実施例を表
す平面図ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いにほぼ対向する第1辺及び第3辺並び
    に互いにほぼ対向する第2辺及び第4辺を有する略方形
    のアイランドと、上記アイランドの第1辺、第2辺及び
    第3辺のみに面して近接する端部を有する複数のリード
    と、上記アイランド及びリードを支持するために上記ア
    イランド及びリードの外側に配設される連結片とを含む
    リードフレーム構造を有するSIPの製造方法において、 上記アイランドの第1辺及び第4辺が集まる上記アイラ
    ンドの第1頂部近傍から上記第4辺と略平行な一方向へ
    延設されて上記アイランドの第1頂部近傍を上記連結片
    に結合する第1のアイランド・タイバーと、上記アイラ
    ンドの第3辺及び第4辺が集まる上記アイランドの第2
    頂部近傍から上記第4辺と略平行な他方向へ延設されて
    上記アイランドの第2頂部近傍を上記連結片に結合する
    第2のアイランド・タイバーとを有し、上記アイランド
    ・タイバーの上記アイランド側の基端部は上記第1辺及
    び第3辺側へ傾斜する形状で徐々に幅広化されているSI
    Pのリードフレームを用意する工程と、 上記アイランドに半導体チップを接合後、上記半導体チ
    ップと上記リードとをワイヤボンデイングする工程と、 上記アイランド、上記リードのアイランド側の部分及び
    上記アイランド・タイバーのアイランド側の部分をレジ
    ンモールドしてモールドを形成する工程と、 上記リードを上記連結片又は他の上記リードに接続する
    タイバーと上記モールドから突出するアイランド・タイ
    バーの突出部分をカットして上記アイランドタイバーを
    上記モールド内に埋設する工程と、 を備えることを特徴とするSIPの製造方法。
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JP2002246886A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 半導体回路部品

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