JP2002246886A - 半導体回路部品 - Google Patents

半導体回路部品

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JP2002246886A
JP2002246886A JP2001035502A JP2001035502A JP2002246886A JP 2002246886 A JP2002246886 A JP 2002246886A JP 2001035502 A JP2001035502 A JP 2001035502A JP 2001035502 A JP2001035502 A JP 2001035502A JP 2002246886 A JP2002246886 A JP 2002246886A
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Shuji Mayama
修二 真山
Keizo Ikeda
啓三 池田
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Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/48—Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従前の機械式リレーと同様に外付けされるス
イッチ手段のオンオフ操作に応じて負荷の動作を切り換
え、かつ、スイッチ手段のリークに起因する負荷の誤動
作を回避することができるようにする。 【解決手段】 制御端子付きの負荷制御用半導体スイッ
チ素子であるＭＯＳＦＥＴ１２と、このＭＯＳＦＥＴ１
２のゲートＧに制御信号を供給してＭＯＳＦＥＴ１２を
駆動させるチャージポンプ回路からなる制御信号供給回
路１４と、外付けされるスイッチＳＷがオン操作された
ときにのみ制御信号供給回路１４にバッテリー電源から
の電源電圧が供給されて制御信号が出力されるようにす
る駆動制御回路１６とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外付けされるスイ
ッチ手段がオン操作されて電源電圧が供給されることに
より駆動可能にされる半導体回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、車載電装部品に供給される電源電
圧のオンオフ制御には主として機械式リレーが用いられ
てきた。すなわち、図６に示すように、機械式リレー１
０１は、リレーコイル１０２とリレー接点１０３とを有
しており、リレーコイル１０２の一方端子Ｔ１がスイッ
チ１０４を介してバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続され
ると共に他方端子Ｔ２が接地され、リレー接点１０３の
一方端子Ｔ３がリレーコイル１０２の一方端子Ｔ１に接
続されると共に他方端子Ｔ４が一端を接地した負荷１０
５の他端に接続されるようになっている。このリレー回
路においては、電源側のスイッチ１０４がオンにされる
と、リレー接点１０３が閉路されることで負荷１０５が
駆動されることになる。
【０００３】また、図７に示すように、リレーコイル１
０２の一方端子Ｔ１がバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続
されると共に他方端子Ｔ２がスイッチ１０６を介して接
地される場合もある。なお、リレー接点１０３の各端子
Ｔ３，Ｔ４の接続は、図６に示すものと同様である。こ
のリレー回路においては、接地側のスイッチ１０６がオ
ンにされると、リレー接点１０３が閉路されることで負
荷１０５が駆動されることになる。
【０００４】また、図８に示すように、リレーコイル１
０２の一方端子Ｔ１がスイッチ１０７を介してバッテリ
ー電源の＋Ｂ端子に接続されると共に他方端子Ｔ２がス
イッチＴ１０８を介して接地される場合もある。この場
合も、リレー接点１０３の各端子Ｔ３，Ｔ４の接続は、
図６に示すものと同様である。このリレー回路において
は、電源側のスイッチ１０７と接地側のスイッチ１０８
とが同時にオンにされると、リレー接点１０３が閉路さ
れることで負荷１０５が駆動されることになる。なお、
いずれのリレー回路も、機械式リレー１０１が電気接続
箱に収納されるバスバー回路基板のバスバー端子に装着
されることで構成されるものである。
【０００５】一方、近年の急速な半導体製造技術の進歩
により、図９に概略的に示すように、小型化、低コスト
化、高信頼性化等の面で機械式リレーよりも優れたスイ
ッチ機能を有する半導体回路部品１０９が開発され、多
用されるようになってきている。この半導体回路部品１
０９は、ＭＯＳＦＥＴ１１０と、このＭＯＳＦＥＴ１１
０のゲートＧに制御信号を供給するチャージポンプ回路
からなる制御信号供給回路１１１とを備えたものであ
り、制御信号供給回路１１１の電源入力端１１２とＭＯ
ＳＦＥＴ１１０のドレインＤとが第１外部引出端子Ｔ１
１に接続されると共に、制御信号供給回路１１１の接地
端１１３が第２外部引出端子Ｔ１２に接続され、ＭＯＳ
ＦＥＴ１１０のソースＳが第３外部引出端子Ｔ１３に接
続されたものである。
【０００６】このように構成された半導体回路部品１０
９では、例えば、第１外部引出端子Ｔ１１をスイッチを
介してバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続すると共に、第
２外部引出端子Ｔ１２を接地し、第３外部引出端子Ｔ１
３を一端が接地された負荷の他端に接続するようにする
と、図６で示すリレー回路と近似したスイッチ動作を行
うものとすることができる。また、第１外部引出端子Ｔ
１１をバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続すると共に、第
２外部引出端子Ｔ１２をスイッチを介して接地し、第３
外部引出端子Ｔ１３を負荷に接続するようにすると、図
７で示すリレー回路と近似したスイッチ動作を行うもの
とすることができる。
【０００７】また、第１外部引出端子Ｔ１１をスイッチ
を介してバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続すると共に、
第２外部引出端子Ｔ１２をスイッチを介して接地し、第
３外部引出端子Ｔ１３を負荷に接続するようにすると、
図８で示すリレー回路と近似したスイッチ動作を行うも
のとすることができる。このため、いずれのリレー回路
においても、バスバー回路基板の回路構成に実質的な変
更を加えることなく機械式リレー１０１を半導体回路部
品にそのまま置き換えて用いるようにすることが考えら
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記図６乃至８に示す
外付けされるスイッチ１０４，１０６，１０７，１０８
では、結露等により接点間に例えば１０ＫΩ程度のリー
ク抵抗が形成される場合がある。同図に示す機械式リレ
ー１０１を用いた回路の場合、この程度のリーク抵抗で
はリレーコイル１０２に流れる電流が微小であることか
ら機械式リレー１０１が動作することはない。しかしな
がら、半導体回路部品１０９を用いた回路の場合、第１
外部引出端子Ｔ１１と第２外部引出端子Ｔ１２との間の
回路インピーダンスがスイッチの接点間に形成されるリ
ーク抵抗よりもはるかに高いため、第１外部引出端子Ｔ
１１側あるいは第２外部引出端子Ｔ１２側に接続された
スイッチの接点間に結露等によりリーク抵抗が形成され
ると、実質的にスイッチがオンにされたとの同様の状態
となって半導体回路部品１０９が動作してしまい、負荷
１０５が誤動作する虞がある。このため、車載用電装部
品のオンオフ制御回路等においてはそのまま機械式リレ
ーに置き換えることは困難であるという問題があった。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、従前の機械式リレーと同様に外付けされるス
イッチ手段のオンオフ操作に応じて負荷の動作を切り換
え、かつ、スイッチ手段のリーク抵抗に起因する負荷の
誤動作を回避することができる半導体回路部品を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、外付けされるスイッチ手段がオ
ン操作されて電源電圧が供給されることで駆動可能にさ
れる半導体回路部品であって、制御端子付きの負荷制御
用半導体スイッチ素子と、この負荷制御用半導体スイッ
チ素子の制御端子に制御信号を供給して当該負荷制御用
半導体スイッチ素子を駆動させる制御信号供給回路と、
前記スイッチ手段がオン操作されたときにのみ前記制御
信号供給回路に電源電圧が供給されて前記制御信号が出
力されるようにする駆動制御回路とを備えたことを特徴
としている。
【００１１】この構成によれば、スイッチ手段がオン操
作されたときにのみ制御信号供給回路が駆動されて負荷
制御用半導体スイッチ素子の制御端子に制御信号が供給
され、これにより負荷制御用半導体スイッチ素子が導通
状態とされる。このため、スイッチ手段がオン操作され
ていないときに接点間に結露等によりリーク抵抗が形成
されても制御信号供給回路が駆動されることがなくなる
結果、外付けされるスイッチ手段に起因する負荷の誤動
作が防止され、機械式リレーと置き換えることができる
ようになる。
【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１に係る
ものにおいて、前記駆動制御回路が、電源と接地との間
に前記スイッチ手段と直列に配設され、当該スイッチ手
段がオン操作されたときにのみ前記制御信号供給回路に
電源電圧が供給されるようにするものであることを特徴
としている。
【００１３】この構成によれば、スイッチ手段がオン操
作されたときにのみ駆動制御回路に電源電圧が供給さ
れ、これにより駆動制御回路が駆動されて制御信号供給
回路に電源電圧が供給されるようになる。
【００１４】また、請求項３の発明は、請求項２に係る
ものにおいて、前記駆動制御回路が、制御端子付きの駆
動制御用半導体スイッチ素子と、前記スイッチ手段がオ
ン操作されたときに規定値の電源電圧が供給されること
で前記駆動制御用半導体スイッチ素子の制御端子に駆動
電圧を供給する電圧供給回路とを備え、前記駆動制御用
半導体スイッチ素子が、前記電圧供給回路から駆動電圧
が供給されて駆動されたときに前記制御信号供給回路に
電源電圧が供給されるようにするものであることを特徴
としている。
【００１５】この構成によれば、スイッチ手段がオン操
作されていないときに接点間に結露等によりリーク抵抗
が形成されても、そのリーク抵抗における電圧降下によ
り電圧供給回路に規定値の電源電圧が供給されないた
め、駆動制御用半導体スイッチ素子が導通状態となら
ず、制御信号供給回路が駆動されないようになる。この
ため、外付けされるスイッチ手段に起因する負荷の誤動
作が防止され、機械式リレーと置き換えることができる
ようになる。
【００１６】また、請求項４の発明は、請求項３に係る
ものにおいて、前記電圧供給回路が、前記スイッチ手段
を介して供給される電源電圧を分圧する分圧回路と、こ
の分圧回路により分圧された電圧を一定値に抑制する電
圧抑制回路とからなるものであることを特徴としてい
る。
【００１７】この構成によれば、スイッチ手段がオン操
作されてバッテリー電源から大きな値の電源電圧が供給
された場合でも、電圧抑制回路により駆動制御用半導体
スイッチ素子の制御端子には一定値の電圧が供給される
ことから駆動制御用半導体スイッチ素子が安定した状態
で導通される。また、スイッチ手段がオン操作されてい
ないときに接点間に結露等によりリーク抵抗が形成され
た場合、そのリーク抵抗における電圧降下により分圧回
路には小さな値の電源電圧しか供給されず、しかもその
小さな値の電源電圧が分圧されることから駆動制御用半
導体スイッチ素子が導通状態とならず、制御信号供給回
路が駆動されることがなくなる結果、外付けされるスイ
ッチ手段に起因する負荷の誤動作が防止され、機械式リ
レーと置き換えることができるようになる。
【００１８】また、請求項５の発明は、請求項３又は４
に係るものにおいて、前記駆動制御用半導体スイッチ素
子が、その一方端を前記制御信号供給回路の接地端に接
続し、前記電圧供給回路から駆動電圧が供給されて駆動
されることで前記接地端を駆動制御用半導体スイッチ素
子の他方端を介して接地することにより前記制御信号供
給回路に電源電圧が供給されるようにするものであるこ
とを特徴としている。
【００１９】この構成によれば、電圧供給回路から駆動
電圧が供給されて駆動制御用半導体スイッチ素子が駆動
されることで制御信号供給回路の接地端が接地され、こ
れにより制御信号供給回路に電源電圧が供給されること
になる。
【００２０】また、請求項６の発明は、請求項５に係る
ものにおいて、前記電圧供給回路の電源入力端に接続さ
れ、前記スイッチ手段を介して電源に接続される第１外
部引出端子と、前記駆動制御用半導体スイッチ素子の他
方端に接続され、接地される第２外部引出端子と、前記
負荷制御用半導体スイッチ素子の一方端及び前記制御信
号供給回路の電源入力端に接続され、電源に接続される
第３外部引出端子と、前記負荷制御用半導体スイッチ素
子の他方端に接続され、負荷に接続される第４外部引出
端子とを備えたことを特徴としている。
【００２１】この構成によれば、例えば、第１外部引出
端子と第２外部引出端子とをリレーコイル両端の各端子
に対応させ、第３外部引出端子と第４外部引出端子とを
リレー接点両端の端子に対応させるようにすることで、
バスバー回路基板等の回路構成を実質的に変更しないよ
うにして従来の機械式リレーと置き換えることができ
る。
【００２２】また、請求項７の発明は、請求項３又は４
に係るものにおいて、前記駆動制御用半導体スイッチ素
子が、その一方端が前記制御信号供給回路の電源入力端
に接続され、前記電圧供給回路から駆動電圧が供給され
て駆動されることで前記電源入力端を駆動制御用半導体
スイッチ素子の他方端を介して電源に接続することによ
り前記制御信号供給回路に電源電圧が供給されるように
するものであることを特徴としている。
【００２３】この構成によれば、電圧供給回路から駆動
電圧が供給されて駆動制御用半導体スイッチ素子が駆動
されることで制御信号供給回路の電源入力端が電源に接
続され、これにより制御信号供給回路に電源電圧が供給
されることになる。
【００２４】また、請求項８の発明は、請求項７に係る
ものにおいて、前記駆動制御用半導体スイッチ素子の他
方端及び前記負荷制御用半導体スイッチ素子の一方端に
接続され、電源に接続される第１外部引出端子と、前記
電圧供給回路の接地端に接続され、前記スイッチ手段を
介して接地される第２外部引出端子と、前記負荷制御用
半導体スイッチ素子の他方端に接続され、負荷に接続さ
れる第３外部引出端子と、前記制御信号供給回路の接地
端に接続され、接地される第４外部引出端子とを備えた
ことを特徴としている。
【００２５】この構成によれば、例えば、第１外部引出
端子と第２外部引出端子とをリレーコイル両端の各端子
に対応させると共に、第１外部引出端子と第３外部引出
端子とをリレー接点両端の端子に対応させ、第４外部引
出端子を接地させるようにすることで、バスバー回路基
板等の回路構成を実質的に変更しないようにして従来の
機械式リレーと置き換えることができる。
【００２６】また、請求項９の発明は、請求項１に係る
ものにおいて、前記駆動制御回路が第１駆動制御回路と
第２駆動制御回路とを備えると共に、前記スイッチ手段
が第１スイッチ手段と第２スイッチ手段とを備え、前記
第１駆動制御回路が電源と接地との間に前記第１スイッ
チ手段と直列に配設され、前記第２駆動制御回路が電源
と接地との間に前記第２スイッチ手段と直列に配設さ
れ、当該第１，第２スイッチ手段がオン操作されたとき
にのみ前記制御信号供給回路に電源電圧が供給されるよ
うにするものであることを特徴としている。
【００２７】この構成によれば、第１，第２スイッチ手
段が同時にオン操作されたときにのみ制御信号供給回路
に電源電圧が供給されるので、スイッチ手段に起因する
負荷の誤動作がより確実に防止され、機械式リレーと置
き換えることができるようになる。
【００２８】また、請求項１０の発明は、請求項９に係
るものにおいて、前記第１駆動制御回路が、制御端子付
きの第１駆動制御用半導体スイッチ素子と、前記第１ス
イッチ手段がオン操作されたときに規定値の電源電圧が
供給されることで前記第１駆動制御用半導体スイッチ素
子の制御端子に駆動電圧を供給する第１電圧供給回路と
を備え、前記第２駆動制御回路が、制御端子付きの第２
駆動制御用半導体スイッチ素子と、前記第２スイッチ手
段がオン操作されたときに規定値の電源電圧が供給され
ることで前記第２駆動制御用半導体スイッチ素子の制御
端子に駆動電圧を供給する第２電圧供給回路とを備え、
前記前記第１，第２駆動制御用半導体スイッチ素子が、
第１，第２電圧供給回路から駆動電圧が供給されて駆動
されたときに前記制御信号供給回路に電源電圧が供給さ
れるようにするものであることを特徴としている。
【００２９】この構成によれば、いずれか一方のスイッ
チ手段の接点間に形成されるリーク抵抗が例え低い値で
あっても他方のスイッチ手段の接点間におけるリーク抵
抗が高い値である限りは、その他方のスイッチ手段が接
続される電圧供給回路には規定値の電源電圧が供給され
ないことになるため、外付けされるスイッチ手段に起因
する負荷の誤動作がより確実に防止され、機械式リレー
と置き換えることができるようになる。
【００３０】また、請求項１１の発明は、請求項１０に
係るものにおいて、前記第１電圧供給回路が、前記第１
スイッチ手段を介して供給される電源電圧を分圧する第
１分圧回路と、この第１分圧回路により分圧された電圧
を一定値に抑制する第１電圧抑制回路とからなるもので
あり、前記第２電圧供給回路が、前記第２スイッチ手段
を介して供給される電源電圧を分圧する第２分圧回路
と、この第２分圧回路により分圧された電圧を一定値に
抑制する第２電圧抑制回路とからなるものであることを
特徴としている。
【００３１】この構成によれば、いずれか一方のスイッ
チ手段の接点間に形成されるリーク抵抗が例え低い値で
あっても他方のスイッチ手段の接点間におけるリーク抵
抗が高い値である限りは、その他方のスイッチ手段が接
続される電圧供給回路には小さな値の電源電圧しか供給
されず、しかもその小さな値の電源電圧が分圧されるこ
とから駆動制御用半導体スイッチ素子が導通状態となら
ず、制御信号供給回路が駆動されることがなくなる結
果、外付けされるスイッチ手段に起因する負荷の誤動作
がより確実に防止され、機械式リレーと置き換えること
ができるようになる。
【００３２】また、請求項１２の発明は、請求項１０又
は１１に係るものにおいて、前記第１駆動制御用半導体
スイッチ素子が、その一方端を前記制御信号供給回路の
接地端に接続し、前記第１電圧供給回路から駆動電圧が
供給されて駆動されることで前記接地端を第１駆動制御
用半導体スイッチ素子の他方端を介して接地し、前記第
２駆動制御用半導体スイッチ素子が、その一方端を前記
制御信号供給回路の電源入力端に接続し、前記第２電圧
供給回路から駆動電圧が供給されて駆動されることで前
記電源入力端を第２駆動制御用半導体スイッチ素子の他
方端を介して電源に接続することにより前記制御信号供
給回路に電源電圧が供給されるようにするものであるこ
とを特徴としている。
【００３３】この構成によれば、第１電圧供給回路から
駆動電圧が供給されて第１駆動制御用半導体スイッチ素
子が駆動されることで制御信号供給回路の接地端が接地
され、第２電圧供給回路から駆動電圧が供給されて第２
駆動制御用半導体スイッチ素子が駆動されることで制御
信号供給回路の電源入力端が電源に接続され、これによ
り制御信号供給回路に電源電圧が供給されることにな
る。
【００３４】また、請求項１３の発明は、請求項１２に
係るものにおいて、前記第１電圧供給回路の電源入力端
に接続され、前記第１スイッチ手段を介して電源に接続
される第１外部引出端子と、前記第２電圧供給回路の接
地端に接続され、前記第２スイッチ手段を介して接地さ
れる第２外部引出端子と、前記第２駆動制御用半導体ス
イッチ素子の他方端及び前記負荷制御用半導体スイッチ
素子の一方端に接続され、電源に接続される第３外部引
出端子と、前記負荷制御用半導体スイッチ素子の他方端
に接続され、負荷に接続される第４外部引出端子と、前
記第１駆動制御用半導体スイッチ素子の他方端に接続さ
れ、接地される第５外部引出端子とを備えたことを特徴
としている。
【００３５】この構成によれば、例えば、第１外部引出
端子と第２外部引出端子とをリレーコイル両端の各端子
に対応させると共に、第３外部引出端子と第４外部引出
端子とをリレー接点両端の各端子に対応させ、第５外部
引出端子を接地させるようにすることで、バスバー回路
基板等の回路構成を実質的に変更しないようにして従来
の機械式リレーと置き換えることができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係るスイッチ機能を有する半導体回路部品の構成を示す
図である。この図において、半導体回路部品１０は、車
載電装部品に供給される電源電圧のオンオフ制御に適用
され、従来の図６に示すリレー回路における機械式リレ
ーと置き換えの容易なものであり、制御端子付きの負荷
制御用半導体スイッチ素子であるＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ１２と、このＭＯＳＦＥＴ１２の制御端子であるゲー
トＧに制御信号を供給するチャージポンプ回路からなる
制御信号供給回路１４と、正常な電源電圧が供給された
ときにのみ制御信号供給回路１４を駆動可能にする駆動
制御回路１６とを備えている。これら各構成要素は、本
実施形態では、すべて同一の半導体基板上に一体に構成
されたものである。
【００３７】ＭＯＳＦＥＴ１２は、例えばエンハンスメ
ント形のもので、ドレインＤがバッテリー電源の＋Ｂ端
子に接続される外部引出端子１８に接続され、ソースＳ
が一端を接地した車載電装部品である負荷Ｌの他端に接
続される外部引出端子２０に接続され、制御端子である
ゲートＧが制御信号供給回路１４に接続されてなるもの
である。
【００３８】制御信号供給回路１４は、バッテリー電源
から供給される電源電圧を所定値に昇圧するもので、バ
ッテリー電源の＋Ｂ端子に接続される外部引出端子１８
に接続された電源入力端１４１と、接地される外部引出
端子２２に駆動制御回路１６を介して接続された接地端
１４２と、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧに接続された出
力端１４３とを備えている。この制御信号供給回路１４
では、電源入力端１４１が外部引出端子１８を介してバ
ッテリー電源の＋Ｂ端子に接続され、接地端１４２が駆
動制御回路１６と外部引出端子２２とを介して接地され
ることで、出力端１４３からＭＯＳＦＥＴ１２のドレイ
ンＤとソースＳ間を導通状態にする制御信号が出力され
る。
【００３９】駆動制御回路１６は、ドレインＤが制御信
号供給回路１４の接地端１４２に接続され、ソースＳが
外部引出端子２２に接続されてなる制御端子付きの駆動
制御用半導体スイッチ素子であるエンハンスメント形の
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６１と、外部のスイッチＳＷ
の一端に接続される外部引出端子２４とＭＯＳＦＥＴ１
６１のゲートＧ間に接続された第１抵抗素子１６２と、
ＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に接続され
た第２抵抗素子１６３と、アノードＡがＭＯＳＦＥＴ１
６１のソースＳに接続され、カソードＫがＭＯＳＦＥＴ
１６１のゲートＧに接続されたツェナーダイオード１６
４とを備えている。なお、スイッチＳＷの他端は、バッ
テリー電源の＋Ｂ端子に接続されるようになっている。
【００４０】これら第１抵抗素子１６２と第２抵抗素子
１６３とは、バッテリー電源から供給される電源電圧を
分圧する分圧回路を構成するものであり、バッテリー電
源が満充電状態にあるときにＭＯＳＦＥＴ１６１のドレ
インＤとソースＳ間を通常の導通状態にする（すなわ
ち、ドレイン−ソース間オン抵抗が小さな値になるよう
にする。）のに最低限必要とする値を超える大きさの電
圧を第１抵抗素子１６２と第２抵抗素子１６３の接続点
から取り出すようにしたものである。
【００４１】また、ツェナーダイオード１６４は、ＭＯ
ＳＦＥＴ１６１のドレインＤとソースＳ間に介挿する電
圧抑圧回路を構成するものであり、第１抵抗素子１６２
と第２抵抗素子１６３の接続点から取り出された分圧電
圧をツェナー電圧により決まる一定値（ドレインＤとソ
ースＳ間を通常の導通状態にするのに必要な電圧値）に
抑制してＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に
駆動電圧として供給するものである。なお、これらの第
１抵抗素子１６２及び第２抵抗素子１６３からなる分圧
回路と、ツェナーダイオード１６４からなる電圧抑圧回
路とからＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に
駆動電圧を供給する電圧供給回路を構成する。
【００４２】また、第１抵抗素子１６２及び第２抵抗素
子１６３の各抵抗値は、スイッチＳＷがオフになってい
るときにその接点間に結露等によりリーク抵抗（例え
ば、１０ＫΩ）が形成されて外部引出端子２４にバッテ
リー電源から電源電圧が供給された状態になった場合で
あっても、ＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間
にドレインＤとソースＳ間が実質的に非導通状態となる
ような値の電圧しか供給されない値に設定されている。
【００４３】すなわち、スイッチＳＷの接点間にリーク
抵抗が形成された場合、そのリーク抵抗における電圧降
下により第１抵抗素子１６２の外部引出端子２４に接続
される側である電源入力端には規定値よりも低い値の電
源電圧しか供給されないことになる。このため、第１抵
抗素子１６２及び第２抵抗素子１６３の各抵抗値は、こ
の規定値よりも低い値の電源電圧が分圧されたときにＭ
ＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間にドレインＤ
とソースＳ間が実質的に非導通状態となるような値の電
圧が供給される値に設定されることになる。
【００４４】このように回路構成された半導体回路部品
１０では、外部引出端子１８がバッテリー電源の＋Ｂ端
子に接続されると共に、外部引出端子２０が負荷Ｌに接
続され、外部引出端子２２が接地されると共に、外部引
出端子２４がスイッチＳＷを介してバッテリー電源の＋
Ｂ端子に接続される。この状態で、スイッチＳＷがオン
操作されると、バッテリー電源から供給される規定値の
電源電圧が第１抵抗素子１６２と第２抵抗素子１６３と
で分圧される一方、この分圧された電圧がツェナーダイ
オード１６４のツェナー電圧により決まる値に抑制され
てＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に供給さ
れる。
【００４５】これにより、ＭＯＳＦＥＴ１６１のドレイ
ンＤとソースＳ間が導通状態となり、制御信号供給回路
１４の接地端１４２が外部引出端子２２を介して接地さ
れることになる結果、制御信号供給回路１４にバッテリ
ー電源から電源電圧が供給される。そして、出力端１４
３から所定の制御信号が出力されてＭＯＳＦＥＴ１２の
ドレインＤとソースＳ間が導通状態となり、負荷ＬにＭ
ＯＳＦＥＴ１２を介してバッテリー電源から電源電圧が
供給される。
【００４６】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０では、スイッチＳＷがオン操作されていない
ときに接点間に結露等によりリーク抵抗が形成されたと
しても、ＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に
はドレインＤとソースＳ間が実質的に非導通状態となる
値の電圧しか供給されないように設定されているので、
スイッチＳＷをオン操作していないのに制御信号供給回
路１４が動作して負荷制御用のＭＯＳＦＥＴ１２のドレ
インＤとソースＳ間が導通状態になり、負荷Ｌが誤動作
するようなことが確実に阻止されることになる。
【００４７】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０では、例えば、図２に示すように、各外部引
出端子１８，２０，２２，２４を２列に並んだ状態で一
方向に引き出すようにしたＤＩＰ型、あるいは、図３に
示すように、各外部引出端子１８，２０，２２，２４を
１列に並んだ状態で一方向に引き出すようにしたＳＩＰ
型等に構成し、各外部引出端子１８，２０，２２，２４
をバスバー回路基板のバスバー端子に装着することで、
バスバー回路を変更することなく、あるいは、バスバー
端子の形、位置、個数を変更する等の僅かな変更のみ
（すなわち、バスバー回路基板を実質的に変更しないよ
うにして）で従来の図６に示すリレー回路の機械式リレ
ーに置き換えて用いることが可能になる。また、従来の
機械式リレーと特性的にも同等のものとなり不都合なく
置き換えが可能となる。
【００４８】すなわち、図６に示すリレー回路におい
て、機械式リレー１０１の端子Ｔ１が差し込まれるバス
バー端子に半導体回路部品１０の外部引出端子２４を差
し込み、機械式リレー１０１の端子Ｔ２が差し込まれる
バスバー端子に半導体回路部品１０の外部引出端子２２
を差し込み、機械式リレー１０１の端子Ｔ３が差し込ま
れるバスバー端子に半導体回路部品１０の外部引出端子
１８を差し込み、機械式リレー１０１の端子Ｔ４が差し
込まれるバスバー端子に半導体回路部品１０の外部引出
端子２０を差し込むようにすればよい。
【００４９】図４は、本発明の第２実施形態に係るスイ
ッチ機能を有する半導体回路部品の構成を示す図であ
る。この第２実施形態の半導体回路部品１０ａは、従来
の図７に示すリレー回路における機械式リレーと置き換
えの容易なものであり、第１実施形態の半導体回路部品
１０における駆動制御回路１６と同一の機能を有する駆
動制御回路１６ａが制御信号供給回路１４の電源入力端
１４１側に接続されている点で相違しているだけで基本
的な構成は第１実施形態のものと同一であるため、同一
の構成要素については同一の符号を付すことで詳細な説
明を省略し、以下においては主として第１実施形態の半
導体回路部品１０との相違点を中心に説明する。
【００５０】すなわち、この半導体回路部品１０ａは、
駆動制御回路１６ａが制御信号供給回路１４の電源入力
端１４１側に接続されるものであるため、駆動制御回路
１６におけるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６１に代えてＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴ１６５が用いられ、ツェナーダイ
オード１６４はアノードＡがＭＯＳＦＥＴ１６５のゲー
トＧに接続され、カソードＫがＭＯＳＦＥＴ１６５のソ
ースＳに接続されている。
【００５１】また、ＭＯＳＦＥＴ１６５のソースＳが負
荷制御用のＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤと共にバッテ
リー電源の＋Ｂ端子に接続される外部引出端子２６に接
続され、ＭＯＳＦＥＴ１６５のドレインＤが制御信号供
給回路１４の電源入力端１４１に接続され、駆動制御回
路１６ａを構成する分圧回路における第１抵抗素子１６
２の接地側である一方端がスイッチＳＷの一端に接続さ
れる外部引出端子２８に接続されている。なお、スイッ
チＳＷの他端は接地されるようになっている。また、負
荷制御用のＭＯＳＦＥＴ１２のソースＳが一端を接地し
た負荷Ｌの他端に接続される外部引出端子３０に接続さ
れ、制御信号供給回路１４の接地端１４２が接地される
外部引出端子３２に接続されている。
【００５２】このように回路構成された半導体回路部品
１０ａでは、外部引出端子２６がバッテリー電源の＋Ｂ
端子に接続されると共に、外部引出端子２８がスイッチ
ＳＷを介して接地され、外部引出端子３０が負荷Ｌに接
続されると共に、外部引出端子３２が接地される。この
状態で、スイッチＳＷがオン操作されると、バッテリー
電源から規定値の電源電圧が第１抵抗素子１６２と第２
抵抗素子１６３とからなる分圧回路に供給されて分圧さ
れる一方、この分圧された電圧が電圧抑制回路を構成す
るツェナーダイオード１６４のツェナー電圧により決ま
る値に抑制されてＭＯＳＦＥＴ１６５のゲートＧとソー
スＳ間に駆動電圧として供給される。なお、これらの第
１抵抗素子１６２及び第２抵抗素子１６３からなる分圧
回路と、ツェナーダイオード１６４からなる電圧抑圧回
路とからＭＯＳＦＥＴ１６５のゲートＧとソースＳ間に
駆動電圧を供給する電圧供給回路を構成する。
【００５３】これにより、ＭＯＳＦＥＴ１６５のドレイ
ンＤとソースＳ間が導通状態となり、制御信号供給回路
１４の電源入力端１４１がＭＯＳＦＥＴ１６５と外部引
出端子２６とを介してバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続
されることになる結果、制御信号供給回路１４にバッテ
リー電源からの電源電圧が供給される。そして、出力端
１４３から所定の制御信号が出力されてＭＯＳＦＥＴ１
２のドレインＤとソースＳ間が導通状態となり、負荷Ｌ
にＭＯＳＦＥＴ１２を介してバッテリー電源からの電源
電圧が供給される。
【００５４】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０ａでは、スイッチＳＷがオン操作されていな
いときに接点間に結露等によりリーク抵抗が形成された
としても、ＭＯＳＦＥＴ１６５のゲートＧとソースＳ間
には第１実施形態の場合と同様にドレインＤとソースＳ
間が実質的に非導通状態となる値の電圧しか供給されな
いように第１抵抗素子１６２と第２抵抗素子１６３の抵
抗値が設定されているので、スイッチＳＷをオン操作し
ていないのに制御信号供給回路１４が動作して負荷制御
用のＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤとソースＳ間が導通
状態となり、負荷Ｌが誤動作するようなことが確実に阻
止されることになる。
【００５５】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０ａでは、各外部引出端子２６，２８，３０，
３２を第１実施形態の半導体回路部品１０と同様に図２
や図３に示すようなＤＩＰ型やＳＩＰ型等に構成し、各
外部引出端子２６，２８，３０，３２をバスバー回路基
板のバスバー端子に装着することで、バスバー回路基板
を実質的に変更しないで従来の図７に示すリレー回路の
機械式リレーに置き換えて用いることが可能になる。ま
た、従来の機械式リレーと特性的にも同等のものとなり
不都合なく置き換えが可能となる。
【００５６】すなわち、図７に示す機械式リレー１０１
の端子Ｔ１が差し込まれるバスバー端子に半導体回路部
品１０ａの外部引出端子２６を差し込み、機械式リレー
１０１の端子Ｔ２が差し込まれるバスバー端子に半導体
回路部品１０ａの外部引出端子２８を差し込み、機械式
リレー１０１の端子Ｔ４が差し込まれるバスバー端子に
半導体回路部品１０ａの外部引出端子３０を差し込むよ
うにすればよい。また、機械式リレー１０１の端子Ｔ３
に代えて接地されるバスバー端子を１つ新設しておき、
この新設したバスバー端子に半導体回路部品１０ａの外
部引出端子３２を差し込むようにすればよい。
【００５７】図５は、本発明の第３実施形態に係るスイ
ッチ機能を有する半導体回路部品の構成を示す図であ
る。この第３実施形態の半導体回路部品１０ｂは、従来
の図８に示すリレー回路における機械式リレーと置き換
えの容易なものであり、第１実施形態の半導体回路部品
１０における駆動制御回路１６を制御信号供給回路１４
の電源入力端１４１側にも設けるようにしたものであ
り、基本的な構成は第１，第２実施形態のものと同一で
あるため、同一の構成要素については同一の符号を付す
ことで詳細な説明を省略し、以下においては第１，第２
実施形態との相違点を中心に説明する。
【００５８】すなわち、この半導体回路部品１０ｂは、
第１実施形態における駆動制御回路１６と同一の機能を
有する第１駆動制御回路１６ｂと第２駆動制御回路１６
ｃとを備えており、第１駆動制御回路１６ｂを第１実施
形態の駆動制御回路１６と同様に制御信号供給回路１４
の接地端１４２側に接続すると共に、第２駆動制御回路
１６ｃを第２実施形態の駆動制御回路１６ａと同様に制
御信号供給回路１４の電源入力端１４１側に接続するよ
うにしたものである。
【００５９】第１駆動制御回路１６ｂは、第１実施形態
の駆動制御回路１６と同一の構成要素で構成され、第１
抵抗素子１６２の電源電圧の入力側である一方端（電源
入力端）が外付けされる第１スイッチＳＷ１の一端に接
続される外部引出端子３４に接続され、ＭＯＳＦＥＴ１
６１のドレインＤが制御信号供給回路１４の接地端１４
２に接続され、ＭＯＳＦＥＴ１６１のソースＳが接地さ
れる外部引出端子３６に接続されている。
【００６０】第２駆動制御回路１６ｃは、第２実施形態
の駆動制御回路１６ａと同一の構成要素で構成され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１６５のソースＳが負荷制御用のＭＯＳＦＥ
Ｔ１２のドレインＤと共にバッテリー電源の＋Ｂ端子に
接続される外部引出端子３８に接続され、ＭＯＳＦＥＴ
１６５のドレインＤが制御信号供給回路１４の電源入力
端１４１に接続され、第１抵抗素子１６２の接地側であ
る一方端（接地端）が外付けされる第２スイッチＳＷ２
の一端に接続される外部引出端子４０に接続されてい
る。
【００６１】また、負荷制御用のＭＯＳＦＥＴ１２のソ
ースＳが負荷Ｌに接続される外部引出端子４２に接続さ
れている。なお、第１スイッチＳＷ１の他端はバッテリ
ー電源の＋Ｂ端子に接続され、第２スイッチＳＷ２の他
端は接地されるようになっている。これら第１，第２ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２は連動構造となっていることが両
者を操作する上で好ましい。
【００６２】このように回路構成された半導体回路部品
１０ｂでは、外部引出端子３８がバッテリー電源の＋Ｂ
端子に接続されると共に、外部引出端子４２が負荷Ｌに
接続され、外部引出端子３６が接地されると共に、外部
引出端子３４が第１スイッチＳＷ１を介してバッテリー
電源の＋Ｂ端子に接続され、外部引出端子４０が第２ス
イッチＳＷ２を介して接地される。この状態で、第１，
第２スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン操作されると、バッ
テリー電源から供給される規定値の電源電圧が第１駆動
制御回路１６ｂ及び第２駆動制御回路１６ｃの各第１抵
抗素子１６２と第２抵抗素子１６３とで分圧される一
方、この各分圧された電圧が電圧抑制回路を構成するツ
ェナーダイオード１６４のツェナー電圧により決まる値
に抑制されてＭＯＳＦＥＴ１６１，１６５の各ゲートＧ
とソースＳ間に駆動電圧として供給される。
【００６３】なお、第１駆動制御回路１６ｂにおける第
１抵抗素子１６２及び第２抵抗素子１６３からなる分圧
回路と、ツェナーダイオード１６４からなる電圧抑圧回
路とからＭＯＳＦＥＴ１６１のゲートＧとソースＳ間に
駆動電圧を供給する第１電圧供給回路を構成し、第２駆
動制御回路１６ｃにおける第１抵抗素子１６２及び第２
抵抗素子１６３からなる分圧回路と、ツェナーダイオー
ド１６４からなる電圧抑圧回路とからＭＯＳＦＥＴ１６
５のゲートＧとソースＳ間に駆動電圧を供給する第２電
圧供給回路を構成する。
【００６４】これにより、ＭＯＳＦＥＴ１６１，１６５
のドレインＤとソースＳ間が導通状態となり、制御信号
供給回路１４の接地端１４２がＭＯＳＦＥＴ１６１と外
部引出端子３６とを介して接地され、制御信号供給回路
１４の電源入力端１４１がＭＯＳＦＥＴ１６５と外部引
出端子３８とを介してバッテリー電源の＋Ｂ端子に接続
されることになる結果、制御信号供給回路１４にバッテ
リー電源から電源電圧が供給される。そして、出力端１
４３から所定の制御信号が出力されてＭＯＳＦＥＴ１２
のドレインＤとソースＳ間が導通状態となり、負荷Ｌに
ＭＯＳＦＥＴ１２を介してバッテリー電源から電源電圧
が供給される。
【００６５】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０ｂでは、第１，第２スイッチＳＷ１，ＳＷ２
がオン操作されていないときに各接点間に結露等により
リーク抵抗が形成されたとしても、ＭＯＳＦＥＴ１６
１，１６５の各ゲートＧとソースＳ間には第１，第２実
施形態と同様にドレインＤとソースＳ間が実質的に非導
通状態となる値の電圧しか供給されないように第１抵抗
素子１６２と第２抵抗素子１６３の抵抗値が設定されて
いるので、スイッチＳＷ１，ＳＷ２をオン操作していな
いのに制御信号供給回路１４が動作して負荷制御用のＭ
ＯＳＦＥＴ１２のドレインＤとソースＳ間が導通状態に
なり、負荷Ｌが誤動作するようなことが確実に阻止され
ることになる。
【００６６】また、このように回路構成された半導体回
路部品１０ｂでは、外部引出端子３４，３６，３８，４
０，４２を第１，第２実施形態の半導体回路部品１０，
１０ａと同様に図２や図３に示すようなＤＩＰ型やＳＩ
Ｐ型等に構成し、各外部引出端子３４，３６，３８，４
０，４２をバスバー回路基板のバスバー端子に装着する
ことで、バスバー回路基板を実質的に変更しないように
して従来の図８に示すリレー回路の機械式リレーに置き
換えて用いることが可能になる。また、従来の機械式リ
レーと特性的にも同等のものとなり不都合なく置き換え
が可能となる。
【００６７】すなわち、図８に示す機械式リレー１０１
の端子Ｔ１が差し込まれるバスバー端子に半導体回路部
品１０ｂの外部引出端子３４を差し込み、機械式リレー
１０１の端子Ｔ２が差し込まれるバスバー端子に半導体
回路部品１０ｂの外部引出端子４０を差し込み、機械式
リレー１０１の端子Ｔ３が差し込まれるバスバー端子に
半導体回路部品１０ｂの外部引出端子３８を差し込み、
機械式リレー１０１の端子Ｔ４が差し込まれるバスバー
端子に半導体回路部品１０ｂの外部引出端子４２を差し
込むようにすればよい。また、接地されるバスバー端子
を１つ新設しておき、この新設したバスバー端子に半導
体回路部品１０ｂの外部引出端子３６を差し込むように
すればよい。
【００６８】本発明は、上記各実施形態において説明し
たように、制御端子付きの負荷制御用半導体スイッチ素
子であるＭＯＳＦＥＴ１２と、このＭＯＳＦＥＴ１２の
制御端子であるゲートＧに制御信号を供給してＭＯＳＦ
ＥＴ１２を駆動させる制御信号供給回路１４と、外付け
のスイッチＳＷ，ＳＷ１，ＳＷ２がオン操作されたとき
にのみ制御信号供給回路１４に電源電圧が供給されて制
御信号が出力されるようにする駆動制御回路１６，１６
ａ，１６ｂ，１６ｃとを備えたものである。
【００６９】このため、従前の機械式リレーと同様に、
外付けされるスイッチ手段のオンオフ操作に応じて負荷
の動作を切り換え、かつ、外付けのスイッチＳＷ，ＳＷ
１，ＳＷ２の接点間に結露等によりリーク抵抗が形成さ
れたとしても負荷が誤動作することを確実に防止するこ
とができる。また、配設される外部引出端子を例えば従
来の機械式リレーと同様の配置構成とすることで、バス
バー回路基板等の回路構成を実質的に変更しないように
して従来の機械式リレーに置き換えることができるよう
になる。
【００７０】なお、本発明は、上記各実施形態のものに
限定されるものではなく、以下に述べるような種々の変
形態様を採用することができる。
【００７１】（１）上記実施形態では、各半導体回路部
品１０，１０ａ，１０ｂが各構成要素を同一の半導体基
板上に形成する半導体集積回路技術を用いて構成された
ものであるが、これに限るものではない。例えば、配線
パターンが形成されたアルミナ等の絶縁基板上にディス
クリート部品を搭載することにより所定の電気回路を形
成する混成集積回路技術を用いて構成することも可能で
ある。
【００７２】（２）上記実施形態では、各半導体回路部
品１０，１０ａ，１０ｂに外付けされるスイッチＳＷ，
ＳＷ１，ＳＷ２について特に構造的に言及していない
が、例えば、２つの接点間を接触板により機械的に断続
させる機械式スイッチや、２つの接点間（電極間）を電
気的に断続させる半導体スイッチ等を用いることができ
る。いずれのスイッチを用いる場合でも、本発明の半導
体回路部品１０，１０ａ，１０ｂでは負荷の誤動作を確
実に防止することができる。
【００７３】（３）上記実施形態では、負荷制御用半導
体スイッチ素子をＭＯＳＦＥＴ１２で構成し、駆動制御
用半導体スイッチ素子をＭＯＳＦＥＴ１６１，１６５で
構成しているが、これに限るものではない。例えば、バ
イポーラトランジスタや、ＭＯＳＦＥＴとバイポーラト
ランジスタを一体化したＩＧＢＴ等の他の半導体スイッ
チ素子を用いることも可能である。
【００７４】（４）上記実施形態では、駆動制御回路１
６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃにおける分圧回路を第１抵
抗素子１６２及び第２抵抗素子１６３からなる分圧回路
により構成しているが、これに限るものではない。例え
ば、半導体素子を用いて構成することも可能である。
【００７５】（５）上記実施形態では、駆動制御回路１
６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃにおける電圧抑制回路をツ
ェナーダイオード１６４により構成しているが、これに
限るものではない。例えば、ツェナーダイオードと実質
的に同一の機能を有する他の半導体素子や、トランジス
タ等の複数の回路素子でツェナーダイオードと実質的に
同一の機能を有するように構成することも可能である。
【００７６】（６）上記実施形態では、制御信号供給回
路１４をＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧに制御信号を供給
するものとしてしか説明していないが、過大な電源電圧
から保護する過電圧保護回路、回路が短絡する等して過
電流が流れたときにその電流を抑制する電流制限回路等
の種々の機能を付加したものを用い、半導体回路部品１
０，１０ａ，１０ｂをいわゆるインテリジェントパワー
デバイス（ＩＰＤ）として構成することも可能である。
【００７７】（７）上記実施形態では、制御信号供給回
路１４をＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧに制御信号を供給
するものとしてしか説明していないが、この制御信号を
パルス信号で形成し、このパルス信号のデューティを変
更することで負荷に供給される電力を制御するＰＷＭ制
御方式を採用したものとすることもできる。
【００７８】（８）上記実施形態では、半導体回路部品
１０，１０ａ，１０ｂをバスバー回路基板のバスバー端
子に装着するものとして説明しているが、これに限るも
のではない。例えば、プリント回路基板に装着して用い
ることも可能である。この場合、半導体回路部品１０，
１０ａ，１０ｂを上述のようなＤＩＰ構造やＳＩＰ構造
にする他、外部引出端子１８，２０，……，４０，４２
を金属板や金属膜等で形成してＳＭＤ構造（表面実装構
造）とすることもできる。
【００７９】（９）上記実施形態では、半導体回路部品
１０（図１）における外部引出端子１８は、制御信号供
給回路１４の電源入力端１４１とＭＯＳＦＥＴ１２のド
レインＤとに接続されたものであるが、この外部引出端
子１８を２つの外部引出端子に分け、一方を制御信号供
給回路１４の電源入力端１４１に接続し、他方をＭＯＳ
ＦＥＴ１２のドレインＤに接続するようにしてもよい。
【００８０】また、半導体回路部品１０ａ（図４）にお
ける外部引出端子２６は、ＭＯＳＦＥＴ１６５のソース
ＳとＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤとに接続されたもの
であるが、この外部引出端子２６を２つの外部引出端子
に分け、一方をＭＯＳＦＥＴ１６５のソースＳに接続
し、他方をＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤに接続するよ
うにしてもよい。
【００８１】また、半導体回路部品１０ｂ（図５）にお
ける外部引出端子３８は、ＭＯＳＦＥＴ１６５のソース
ＳとＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤとに接続されたもの
であるが、この外部引出端子３８を２つの外部引出端子
に分け、一方をＭＯＳＦＥＴ１６５のソースＳに接続
し、他方をＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤに接続するよ
うにしてもよい。いずれの場合も、２つに分けた外部引
出端子がバッテリー電源の＋Ｂ端子等に接続されるよう
にすればよい。
【００８２】（１０）上記実施形態では、半導体回路部
品１０，１０ａ，１０ｂを車載電装部品に供給される電
源電圧のオンオフ操作に適用されるものとして説明して
いるが、これに限るものではない。例えば、車載電装部
品以外の電気部品に供給される電源電圧のオンオフ操作
に用いることができることは勿論のこと、他の種々の電
気回路におけるスイッチ手段として用いることができ
る。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
制御端子付きの負荷制御用半導体スイッチ素子と、この
負荷制御用半導体スイッチ素子の制御端子に制御信号を
供給して当該負荷制御用半導体スイッチ素子を駆動させ
る制御信号供給回路と、外付けされるスイッチ手段がオ
ン操作されたときにのみ制御信号供給回路に電源電圧が
供給されて制御信号が出力されるようにする駆動制御回
路とを備えているので、従前の機械式リレーと同様に外
付けされるスイッチ手段のオンオフ操作に応じて負荷の
動作を切り換え、かつ、スイッチ手段のリークに起因す
る負荷の誤動作を回避することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体回路部品の
回路構成を示す図である。
【図２】ＤＩＰ型に構成した半導体回路部品の外部引出
端子の配置を示す外観斜視図である。
【図３】ＳＩＰ型に構成した半導体回路部品の外部引出
端子の配置を示す外観斜視図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体回路部品の
回路構成を示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る半導体回路部品の
回路構成を示す図である。
【図６】従来のリレー回路の構成を示す図である。
【図７】従来のリレー回路の他の構成を示す図である。
【図８】従来のリレー回路のさらに他の構成を示す図で
ある。
【図９】従来の半導体回路部品の概略構成を示す図であ
る。
【符号の説明】
１０，１０ａ，１０ｂ 半導体回路部品 １２ ＭＯＳＦＥＴ（負荷制御用半導体スイッチ素子） １４ 制御信号供給回路 １６ 駆動制御回路 １６１，１６５ ＭＯＳＦＥＴ（駆動制御用半導体スイ
ッチ素子） １６２ 第１抵抗素子（抵抗分圧回路） １６３ 第２抵抗素子（抵抗分圧回路） １６４ ツェナーダイオード（電圧抑制素子） ２４，２６，３４ 外部引出端子（第１外部引出端子） ２２，２８，４０ 外部引出端子（第２外部引出端子） １８，３０，３８ 外部引出端子（第３外部引出端子） ２０，３２，４２ 外部引出端子（第４外部引出端子） ３６ 外部引出端子（第５外部引出端子） ＳＷ スイッチ（スイッチ手段） ＳＷ１ 第１スイッチ（第１スイッチ手段） ＳＷ２ 第２スイッチ（第２スイッチ手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真山 修二 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社オートネットワーク技術研究所内 (72)発明者 池田 啓三 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社オートネットワーク技術研究所内 Ｆターム(参考） 5J055 AX28 AX64 BX16 CX28 DX13 DX15 DX22 DX53 DX54 EY03 EY13 EY21 EZ43 EZ55 EZ57 GX01 GX09

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外付けされるスイッチ手段がオン操作さ
    れて電源電圧が供給されることで駆動可能にされる半導
    体回路部品であって、制御端子付きの負荷制御用半導体
    スイッチ素子と、この負荷制御用半導体スイッチ素子の
    制御端子に制御信号を供給して当該負荷制御用半導体ス
    イッチ素子を駆動させる制御信号供給回路と、前記スイ
    ッチ手段がオン操作されたときにのみ前記制御信号供給
    回路に電源電圧が供給されて前記制御信号が出力される
    ようにする駆動制御回路とを備えたことを特徴とする半
    導体回路部品。
  2. 【請求項２】 前記駆動制御回路は、電源と接地との間
    に前記スイッチ手段と直列に配設され、当該スイッチ手
    段がオン操作されたときにのみ前記制御信号供給回路に
    電源電圧が供給されるようにするものであることを特徴
    とする請求項１記載の半導体回路部品。
  3. 【請求項３】 前記駆動制御回路は、制御端子付きの駆
    動制御用半導体スイッチ素子と、前記スイッチ手段がオ
    ン操作されたときに規定値の電源電圧が供給されること
    で前記駆動制御用半導体スイッチ素子の制御端子に駆動
    電圧を供給する電圧供給回路とを備え、前記駆動制御用
    半導体スイッチ素子は、前記電圧供給回路から駆動電圧
    が供給されて駆動されたときに前記制御信号供給回路に
    電源電圧が供給されるようにするものであることを特徴
    とする請求項２記載の半導体回路部品。
  4. 【請求項４】 前記電圧供給回路は、前記スイッチ手段
    を介して供給される電源電圧を分圧する分圧回路と、こ
    の分圧回路により分圧された電圧を一定値に抑制する電
    圧抑制回路とからなるものであることを特徴とする請求
    項３記載の半導体回路部品。
  5. 【請求項５】 前記駆動制御用半導体スイッチ素子は、
    その一方端が前記制御信号供給回路の接地端に接続さ
    れ、前記電圧供給回路から駆動電圧が供給されて駆動さ
    れることで前記接地端を駆動制御用半導体スイッチ素子
    の他方端を介して接地することにより前記制御信号供給
    回路に電源電圧が供給されるようにするものであること
    を特徴とする請求項３又は４記載の半導体回路部品。
  6. 【請求項６】 前記電圧供給回路の電源入力端に接続さ
    れ、前記スイッチ手段を介して電源に接続される第１外
    部引出端子と、前記駆動制御用半導体スイッチ素子の他
    方端に接続され、接地される第２外部引出端子と、前記
    負荷制御用半導体スイッチ素子の一方端及び前記制御信
    号供給回路の電源入力端に接続され、電源に接続される
    第３外部引出端子と、前記負荷制御用半導体スイッチ素
    子の他方端に接続され、負荷に接続される第４外部引出
    端子とを備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体
    回路部品。
  7. 【請求項７】 前記駆動制御用半導体スイッチ素子は、
    その一方端が前記制御信号供給回路の電源入力端に接続
    され、前記電圧供給回路から駆動電圧が供給されて駆動
    されることで前記電源入力端を駆動制御用半導体スイッ
    チ素子の他方端を介して電源に接続することにより前記
    制御信号供給回路に電源電圧が供給されるようにするも
    のであることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体
    回路部品。
  8. 【請求項８】 前記駆動制御用半導体スイッチ素子の他
    方端及び前記負荷制御用半導体スイッチ素子の一方端に
    接続され、電源に接続される第１外部引出端子と、前記
    電圧供給回路の接地端に接続され、前記スイッチ手段を
    介して接地される第２外部引出端子と、前記負荷制御用
    半導体スイッチ素子の他方端に接続され、負荷に接続さ
    れる第３外部引出端子と、前記制御信号供給回路の接地
    端に接続され、接地される第４外部引出端子とを備えた
    ことを特徴とする請求項７記載の半導体回路部品。
  9. 【請求項９】 前記駆動制御回路は第１駆動制御回路と
    第２駆動制御回路とを備えると共に、前記スイッチ手段
    は第１スイッチ手段と第２スイッチ手段とを備え、前記
    第１駆動制御回路は電源と接地との間に前記第１スイッ
    チ手段と直列に配設され、前記第２駆動制御回路は電源
    と接地との間に前記第２スイッチ手段と直列に配設さ
    れ、当該第１，第２スイッチ手段がオン操作されたとき
    にのみ前記制御信号供給回路に電源電圧が供給されるよ
    うにするものであることを特徴とする請求項１記載の半
    導体回路部品。
  10. 【請求項１０】 前記第１駆動制御回路は、制御端子付
    きの第１駆動制御用半導体スイッチ素子と、前記第１ス
    イッチ手段がオン操作されたときに規定値の電源電圧が
    供給されることで前記第１駆動制御用半導体スイッチ素
    子の制御端子に駆動電圧を供給する第１電圧供給回路と
    を備え、 前記第２駆動制御回路は、制御端子付きの第２駆動制御
    用半導体スイッチ素子と、前記第２スイッチ手段がオン
    操作されたときに規定値の電源電圧が供給されることで
    前記第２駆動制御用半導体スイッチ素子の制御端子に駆
    動電圧を供給する第２電圧供給回路とを備え、 前記前記第１，第２駆動制御用半導体スイッチ素子は、
    第１，第２電圧供給回路から駆動電圧が供給されて駆動
    されたときに前記制御信号供給回路に電源電圧が供給さ
    れるようにするものであることを特徴とする請求項９記
    載の半導体回路部品。
  11. 【請求項１１】 前記第１電圧供給回路は、前記第１ス
    イッチ手段を介して供給される電源電圧を分圧する第１
    分圧回路と、この第１分圧回路により分圧された電圧を
    一定値に抑制する第１電圧抑制回路とからなるものであ
    り、前記第２電圧供給回路は、前記第２スイッチ手段を
    介して供給される電源電圧を分圧する第２分圧回路と、
    この第２分圧回路により分圧された電圧を一定値に抑制
    する第２電圧抑制回路とからなるものであることを特徴
    とする請求項１０記載の半導体回路部品。
  12. 【請求項１２】 前記第１駆動制御用半導体スイッチ素
    子は、その一方端が前記制御信号供給回路の接地端に接
    続され、前記第１電圧供給回路から駆動電圧が供給され
    て駆動されることで前記接地端を第１駆動制御用半導体
    スイッチ素子の他方端を介して接地し、前記第２駆動制
    御用半導体スイッチ素子は、その一方端が前記制御信号
    供給回路の電源入力端に接続され、前記第２電圧供給回
    路から駆動電圧が供給されて駆動されることで前記電源
    入力端を第２駆動制御用半導体スイッチ素子の他方端を
    介して電源に接続することにより前記制御信号供給回路
    に電源電圧が供給されるようにするものであることを特
    徴とする請求項１０又は１１記載の半導体回路部品。
  13. 【請求項１３】 前記第１電圧供給回路の電源入力端に
    接続され、前記第１スイッチ手段を介して電源に接続さ
    れる第１外部引出端子と、前記第２電圧供給回路の接地
    端に接続され、前記第２スイッチ手段を介して接地され
    る第２外部引出端子と、前記第２駆動制御用半導体スイ
    ッチ素子の他方端及び前記負荷制御用半導体スイッチ素
    子の一方端に接続され、電源に接続される第３外部引出
    端子と、前記負荷制御用半導体スイッチ素子の他方端に
    接続され、負荷に接続される第４外部引出端子と、前記
    第１駆動制御用半導体スイッチ素子の他方端に接続さ
    れ、接地される第５外部引出端子とを備えたことを特徴
    とする請求項１２記載の半導体回路部品。
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