CN109687692B - 车载用的半导体开关装置及车载用电源装置 - Google Patents

车载用的半导体开关装置及车载用电源装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及车载用的半导体开关装置及车载用电源装置，实现一种在驱动车载用的半导体开关装置的情况下接通断开动作容易稳定地进行、并且不易导致开关时间的增大的结构。车载用的半导体开关装置(10)构成为，根据从车载用的驱动电路(5B)输出的接通信号及断开信号而被控制接通断开，从而在第一导电路(61)与第二导电路(62)之间切换成接通状态和断开状态。与半导体开关元件(20)的第二半导体部(15A)电连接的多个第二端子(12A、12B、12C)中仅有一部分连结于第二导电路(62)，剩余的至少一个连结于驱动电路侧导电路(52)(与驱动电路(5B)电连接的导电路)。

Description

车载用的半导体开关装置及车载用电源装置
技术领域
本发明涉及车载用的半导体开关装置及车载用电源装置。
背景技术
在专利文献1中公开了具备降压DC/DC转换器的车载用电源装置的一个例子。该降压DC/DC转换器具备基于高侧脉冲而对高侧的开关晶体管进行开关的驱动器，驱动器的下侧电源端子连接于高侧的开关晶体管的源极。此外，在专利文献1的结构中，高侧的开关晶体管是N沟道型的结构，为了对该开关晶体管的栅极施加高于漏极及源极的电压而具备自举电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－93158号公报
专利文献2：日本特开2015－154591号公报
但是，关于在车载用的电源装置中使用的半导体开关装置(FET、双极型晶体管等)，做成用模树脂等密封材料将半导体芯片密封而成的封装体构造的半导体开关装置广为人知。例如，图8所示的半导体开关装置Dv具有半导体封装体Pa及其外围布线而构成，半导体封装体Pa构成为用密封树脂包覆作为FET(field effect transistor：场效应晶体管)元件而构成的半导体开关元件Cp(半导体芯片)而成的半导体封装体。该半导体封装体Pa具备与半导体开关元件Cp的源极电连接的多个源极端子Sp1、SP2、Sp3、与漏极电连接的多个漏极端子Dp1、Dp2、Dp3、Dp4及与栅极电连接的栅极端子Gp，构成为这些端子向密封树脂的外侧露出。
在将半导体封装体Pa(FET)用作导电路的开关的情况下，如图8所示，一般构成为将多个源极端子Sp1、SP2、Sp3全部连结于源极侧的导电路L2。另外，构成为，在由栅极驱动器驱动半导体封装体Pa(FET)的情况下，如图8所示，通过将连接于源极侧的导电路L2的驱动器侧的导电路L3与栅极驱动器连接，能够将源极电压输入到栅极驱动器。此外，在专利文献1、2中也公开了相同的结构，在这些文献中，公开了将高侧的FET的源极侧导电路与栅极驱动器电连接的结构。
但是，在如图8所示地构成的情况下，全部源极端子Sp1、Sp2、Sp3及全部分支电路Br1、Br2、Br3介于半导体开关元件Cp的源极与栅极驱动器侧导电路L3之间的路径Bs。如图9概念地示出的那样，在将该路径Bs(半导体开关元件Cp的源极与位置P2之间的路径)的电感分量(寄生电感)设为Ls的情况下，在该路径Bs中产生基于电感分量Ls和漏极电流i的时间变化di/dt的逆电动势Ls·di/dt。因此，半导体开关元件Cp的栅极与栅极驱动器侧导电路L3的电位差Vdr是从半导体开关元件Cp的栅极源极间电压Vgs减去逆电动势量(Ls·di/dt)而得到的值(Vdr＝Vgs－L·di/dt)。这样，半导体开关元件Cp的栅极与栅极驱动器侧导电路L3的电位差Vdr因为受到由于电感分量Ls(寄生电感)引起的逆电动势的影响，所以，在由栅极驱动器驱动半导体开关元件Cp(FET元件)的情况下，有可能开关时间增大、或损害接通断开动作的稳定性。
发明内容
本发明是为了解决上述课题中的至少一个而完成的，其目的在于，实现一种在驱动车载用的半导体开关装置的情况下接通断开动作容易稳定地进行、并且不易导致开关时间增大的结构。
作为本发明之一的车载用的半导体开关装置根据从车载用的驱动电路输出的接通信号及断开信号而被控制接通断开，从而在第一导电路与第二导电路之间切换成接通状态和断开状态，所述车载用的半导体开关装置具有：半导体开关元件，具备具有半导体材料而构成的第一半导体部、配置于与所述第一半导体部不同的位置并且具有半导体材料而构成的第二半导体部及作为被从所述驱动电路输入所述接通信号及所述断开信号的部位的输入部，并且在所述输入部被输入了所述接通信号的情况下成为所述接通状态，在所述输入部被输入了所述断开信号的情况下成为所述断开状态；至少一个第一端子，与所述第一半导体部电连接；多个第二端子，与所述第二半导体部电连接；及至少一个第三端子，与所述输入部电连接，所述第一端子与所述第一导电路连接，多个所述第二端子中仅有一部分第二端子连结于所述第二导电路，剩余的至少一个第二端子连结于与所述驱动电路电连接的驱动电路侧导电路。
作为本发明之一的车载用电源装置包括：上述半导体开关装置；及电压转换部，通过一个以上开关部的开关动作，使施加到一个导电路的电压进行升压或降压而向另一导电路施加，至少某一个开关部由半导体开关装置构成。
发明效果
在本发明中，半导体开关装置构成为，根据从驱动电路输出的接通信号及断开信号而被控制接通断开，从而在第一导电路与第二导电路之间切换成接通状态和断开状态。并且，与第二半导体部电连接的多个第二端子中仅有一部分第二端子连结于第二导电路，剩余的至少一个第二端子连结于驱动电路侧导电路(与驱动电路电连接的导电路)。由于是这样的结构，所以，在第二半导体部与驱动电路侧导电路之间的路径中，流过大电流的区间变得更短，能够进一步抑制由于寄生电感引起的逆电动势。因此，在驱动车载用的半导体开关装置的情况下，接通断开动作容易稳定地进行，不易导致开关时间的增大。
附图说明
图1是概略地例示出实施例1的车载用的半导体开关装置的说明图。
图2是概略地例示出构成图1的半导体开关装置的半导体封装体的俯视图。
图3是概略地例示出将图2的半导体封装体安装于基板的构造的侧视图。
图4是概念地示出图2的半导体封装体中的半导体开关元件的内部构造的剖面概念图。
图5是关于图1的半导体开关装置示出反映了寄生电感的等价电路的电路图。
图6是概略地例示出具有具备图1的半导体开关装置的车载用电源装置及其他元件的车载用电源系统的电路图。
图7是例示出图6所示的车载用电源装置中的半导体开关装置及驱动电路等的连接结构的电路图。
图8是概略地例示出作为比较例的半导体开关装置的说明图。
图9是关于图8的半导体开关装置示出反映了寄生电感的等价电路的电路图。
图10是概略地例示出其他实施例的车载用的半导体开关装置的说明图。
附图标记说明
1…车载用电源装置
3…电压转换部
5B…车载用的驱动电路
10、40、110…车载用的半导体开关装置
11A、11B、11C、11D…第一端子
12A、12B、12C…第二端子
13…第三端子
14A…第一半导体部
15A…第二半导体部
16A…输入部
18A…第三半导体部
20…半导体开关元件
32…共同导电路
33A、33B、33C…分支导电路
52、54…驱动电路侧导电路
61、63…第一导电路
62、64…第二导电路
71…一个导电路
72…另一导电路
93…接地部
具体实施方式
在这里，示出发明的优选的例子。
多个第二端子也可以构成为由同一导电性部件构成并且一体地连结。
该半导体开关装置构成为多个第二端子由同一导电性部件构成并且一体地连结，在第二半导体部与驱动电路侧导电路之间的路径中，流过大电流的区间也变得更短，能够进一步抑制由于寄生电感引起的逆电动势。
在上述半导体开关装置中，半导体开关元件也可以在第一半导体部与第二半导体部之间设置第三半导体部。并且，半导体开关元件也可以构成为，在输入部被输入了接通信号的情况下，在第一半导体部与第二半导体部之间电流经由第三半导体部而流过，在输入部被输入了断开信号的情况下，电流不会流经第三半导体部。并且，多个第二端子中的、直至第三半导体部为止的路径的长度最短的端子也可以连结于驱动电路侧导电路。
这样，如果多个第二端子中的、直至第三半导体部为止的路径的长度最短的端子连结于驱动电路侧导电路，则从连结于驱动电路侧导电路的第二端子至第三半导体部为止的路径变得更短。因此，该半导体开关装置成为进一步抑制从连结于驱动电路侧导电路的第二端子至第三半导体部为止的路径的寄生电感的结构，成为在实现接通断开动作的稳定化及开关时间的抑制这方面更加有利的结构。
在多个第二端子中，连结于第二导电路的端子的数量也可以多于连结于驱动电路侧导电路的端子的数量。
这样构成的半导体开关装置能够在第二半导体部与驱动电路侧导电路之间的路径中，抑制由于寄生电感引起的逆电动势，并且，另一方面，进一步抑制第二半导体部与第二导电路之间的寄生电感。
在多个第二端子中，连结于驱动电路侧导电路的端子的数量也可以多于连结于第二导电路的端子的数量。
这样构成的半导体开关装置不仅在第二半导体部与驱动电路侧导电路之间的路径中，通过流过大电流的路径的缩短化而抑制由于寄生电感引起的逆电动势，还能够通过将更多的第二端子连结于驱动电路侧导电路的结构，进一步抑制第二半导体部与驱动电路侧导电路之间的寄生电感。
在上述车载用电源装置中，电压转换部也可以构成为，高侧的开关部及低侧的开关部或二极管串联连接于一个导电路及另一导电路中的一方与接地部之间。高侧的开关部也可以由半导体开关装置构成。
在车载用电源装置的电压转换部中，高侧的开关部由于容易产生由于寄生电感引起的开关时间的增大的问题，所以，如果将上述半导体开关装置应用于高侧的开关部，则更有效果。
＜实施例1＞
下面，说明使本发明具体化而得到的实施例1。
图1～图3所示的半导体开关装置10例如在图6所示的后述的车载用电源装置2(下面也称为电源装置2)中，被用作电压转换部3的开关部(例如，高侧的开关部)等。在图6的例子中，半导体开关装置10构成为，根据从车载用的驱动电路5B(下面也称为驱动电路5B)输出的接通信号及断开信号而被控制接通断开，在第一导电路61与第二导电路62之间切换成接通状态和断开状态。此外，关于电源装置2的结构及动作，在后面叙述。
如图1～图3所示，半导体开关装置10具有例如作为SOP(Small Outline Package：小引出线封装)等而构成的半导体封装体10A及连结于半导体封装体10A的各端子的布线部(第二导电路62、驱动电路侧导电路52各自的一部分)而成。半导体封装体10A具备半导体开关元件20、多个第一端子11A、11B、11C、11D、多个第二端子12A、12B、12C及第三端子13。在图3的例子中，半导体封装体10A通过表面安装方式安装于基板B，多个第一端子11A、11B、11C、11D、多个第二端子12A、12B、12C、第三端子13通过焊接分别接合到形成于基板B的表面部Ba的布线图案。
如图2、图3所示，半导体封装体10A设为如下封装体结构：具备由金属材料构成的多个引线部件21A、21B、21C，将管芯焊盘23设置于引线部件21A的中央部，将作为半导体芯片构成的半导体开关元件20搭载于管芯焊盘23，用密封树脂24覆盖管芯焊盘23及半导体开关元件20，并且引线部件21A、21B、21C各自的一部分向密封树脂24的外侧露出。
半导体开关元件20例如由作为FET(field effect transistor：场效应晶体管)而构成的半导体芯片构成，成为在图4中概略地示出的剖面构造。如图4所示，半导体开关元件20具备：具有半导体材料而构成的第一半导体部14A；配置于与第一半导体部14A不同的位置并且具有半导体材料而构成的第二半导体部15A；及作为被从驱动电路5B输入接通信号及断开信号的部位的输入部16A。第一半导体部14A是作为FET的漏极发挥功能的N型半导体区域的部分，第二半导体部15A是作为FET的源极发挥功能的N型半导体区域的部分。在第一半导体部14A与第二半导体部15A之间，构成有P型半导体区域18，P型半导体区域18的一部分作为FET的沟道发挥功能。P型半导体区域18中的作为沟道发挥功能的部分是第三半导体部18A。输入部16A是作为栅极电极发挥功能的部分。
在半导体开关元件20(半导体芯片)的表面侧，以与第二半导体部15A接触的结构设置有作为导电性的电极层而构成的源极电极15B。另外，在半导体开关元件20(半导体芯片)的表面侧，在从源极电极15B的区域偏离的位置处设置有作为导电性的电极层而构成的输入部16A(栅极电极)。在半导体开关元件20的背面侧，以与第一半导体部14A接触的结构设置有漏极电极14B。将漏极电极14B压焊到管芯焊盘23。在输入部16A(栅极电极)的周围，以使输入部16A与第一半导体部14A、第二半导体部15A、P型半导体区域18绝缘的结构，设置有绝缘膜17。
供漏极电极14B接合的管芯焊盘23构成引线部件21A的一部分，与多个第一端子11A、11B、11C、11D一体地形成。第一端子11A、11B、11C、11D是与第一半导体部14A电连接的端子。作为栅极电极而构成的输入部16A经由接合线22C与引线部件21C电连接。在图2等所示的例子中，引线部件21C作为第三端子13(与输入部16A电连接的端子)而构成。源极电极15B经由多根接合线22B与引线部件21B电连接。引线部件21B是形成有多个第二端子12A、12B、12C的金属部件。第二端子12A、12B、12C是与第二半导体部15A电连接的端子。在图2等所示的例子中，第二端子12A、12B、12C构成为由同一导电性部件(构成引线部件21B的金属部件)构成并且一体地连结。在图1～图3所示的例子中，构成为多个第一端子11A、11B、11C、11D、多个第二端子12A、12B、12C及第三端子13各自的一部分向密封树脂24的外侧露出。
在图1的例子中，多个第一端子11A、11B、11C、11D均以连结于第一导电路61的结构与第一导电路61电连接。第一导电路61例如具有形成于图3所示的基板B的表面部Ba的第一布线图案，多个第一端子11A、11B、11C、11D全部通过焊接接合到该第一布线图案。
在图1的例子中，多个第二端子12A、12B、12C中的仅一部分(第二端子12A、12B)连结于第二导电路62，剩余的一个(第二端子12C)连结于与驱动电路5B电连接的驱动电路侧导电路52。第二导电路62例如具有形成于基板B的表面部Ba的第二布线图案，将第二端子12A、12B通过焊接接合到该第二布线图案。另外，驱动电路侧导电路52具有形成于图3所示的基板B的表面部Ba的第三布线图案，将第二端子12C通过焊接接合到该第三布线图案。在图1的例子中，在多个第二端子12A、12B、12C中，连结于第二导电路62的端子的数量多于连结于驱动电路侧导电路52的端子的数量。
如图1所示，半导体封装体10A具备一端侧与第二半导体部15A电连接的共同导电路32及在共同导电路32的另一端侧以分支的构造设置的多个分支导电路33A、33B、33C。将第二端子12A设置于分支导电路33A，将第二端子12B设置于分支导电路33B，将第二端子12C设置于分支导电路33C。并且，将多个第二端子12A、12B、12C中的、直至共同导电路32为止的路径的长度最短的端子(第二端子12C)连结于驱动电路侧导电路52。而且，也可以将多个第二端子12A、12B、12C中的、作为直至第三半导体部18A为止的路径的长度最短的端子(即，直至输入部16A为止的路径的长度最短的端子)的第二端子12C连结于驱动电路侧导电路52。具体来说，如果对电流从第三半导体部18A(沟道区域)经由第二半导体部15A(源极区域)及接合线22B流至第二端子12A时的最短的电流路径(第一路径)、电流从第三半导体部18A经由第二半导体部15A及接合线22B流至第二端子12B时的最短的电流路径(第二路径)与电流从第三半导体部18A经由第二半导体部15A及接合线22B流至第二端子12C时的最短的电流路径(第三路径)进行比较，则第三路径最短，将作为该第三路径的端子的第二端子12C连结于驱动电路侧导电路52。具体来说，在将在第二端子12A处接合到第二导电路62的接合面的中心位置设为Pt1、将在第二端子12B处接合到第二导电路62的接合面的中心位置设为Pt2、将在第二端子12C处接合到驱动电路侧导电路52的接合面的中心位置设为Pt3的情况下，在第三半导体部18A的端部Pc1(离作为导电部件的接合线22B最近的位置)与位置Pt1之间经由接合线22B流过电流时的最短路径是第一路径，在端部Pc1与位置Pt2之间经由接合线22B流过电流时的最短路径是第二路径，在端部Pc1与位置Pt3之间经由接合线22B流过电流时的最短路径是第三路径。并且，第三路径最短。
在图1的例子中，第三端子13连结于信号线51，输入部16A(栅极电极)与信号线51电连接。信号线51是由驱动电路5B施加接通信号或断开信号的布线部，具有形成于图3所示的基板B的表面部Ba的信号线用的布线图案。第三端子13通过焊接接合到该信号线用的布线图案。
这样构成的半导体开关装置10中，在向输入部16A(栅极电极)输入了接通信号的情况下，半导体开关元件20成为接通状态，在向输入部16A输入了断开信号的情况下，半导体开关元件20成为断开状态。接通信号是至少半导体开关元件20的栅极源极间电压Vgs大于栅极阈值电压Vgs(th)的信号，例如是能够将半导体开关元件20切换成接通状态的预定电压的H电平信号。断开信号是至少半导体开关元件20的栅极源极间电压Vgs小于栅极阈值电压Vgs(th)的信号，例如是能够将半导体开关元件20切换成断开状态的预定电压的L电平信号。例如在由后述的驱动电路5B(图6)向输入部16A(栅极电极)输入了接通信号的情况下，设置于第一半导体部14A(漏极区域)与第二半导体部15A(源极区域)之间的第三半导体部18A作为沟道区域发挥功能，在第一半导体部14A与第二半导体部15A之间，经由第三半导体部18A流过电流。另一方面，在向输入部16A(栅极电极)输入了断开信号的情况下，第三半导体部18A不作为沟道区域发挥功能，在第一半导体部14A与第二半导体部15A之间，不会产生经由第三半导体部18A的电流。
如图1、图2所示，在半导体开关装置10中，与第二半导体部15A电连接的多个第二端子12A、12B、12C中的仅一部分(第二端子12A、12B)连结于第二导电路62，剩余的一个(第二端子12C)连结于驱动电路侧导电路52。由于是这样的结构，所以，在通过半导体开关元件20的接通动作而如图1、图5所示在第一导电路61与第二导电路62之间流过电流Is的情况下，在第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的路径中流过电流Is的路径仅为共同导电路32，所以，流过大电流的区间变得更短，在该路径中，能够进一步抑制由于寄生电感引起的逆电动势。因此，在将驱动电路侧导电路52的电压输入到驱动电路5B来驱动半导体开关装置10的情况下，接通断开动作容易稳定地进行，不易导致开关时间的增大。此外，在图5中，将从位置P1(共同导电路32的端部)起的第二导电路62侧的寄生电感设为Ls1，将从位置P1起的驱动电路侧导电路52侧的寄生电感设为Ls2。另外，将从输入部16A(栅极电极)起的信号线51侧的寄生电感设为Lg1，将从第一半导体部14A(漏极区域)起的第一导电路61侧的寄生电感设为Ld1。
接下来，说明使用上述半导体开关装置10的电源装置2。图6所示的车载用的电源系统1构成为具备作为车载用的电源部而构成的第一电源部91和第二电源部92及作为降压型DCDC转换器而构成的电源装置2、并且能够将电力供给到搭载于车辆的负载94的系统。负载94是公知的车载用电气元件，其种类、数量不受限定。
第一电源部91例如由锂离子电池或双电层电容器等蓄电单元构成，产生第一预定电压。第一电源部91的高电位侧的端子与设置于车辆内的布线部81电连接，第一电源部91对布线部81施加预定电压。布线部81与电源装置2的一个导电路71(下面也简称为导电路71)电连接。导电路71是作为上述第一导电路61发挥功能的导电路。
第二电源部92例如由铅蓄电池等蓄电单元构成，产生比由第一电源部91产生的第一预定电压低的第二预定电压。第二电源部92的高电位侧的端子与设置于车辆内的布线部82电连接，第二电源部92对布线部82施加预定电压。布线部82与电源装置2的另一导电路72(下面也简称为导电路72)电连接。
接地部93作为车辆的接地部而构成，保持于恒定的地电位(0V)。该接地部93与第一电源部91的低电位侧的端子及第二电源部92的低电位侧的端子电连接，而且，还与后述的半导体开关装置40的源极电连接。
电源装置2作为车载用的降压型DCDC转换器而构成，构成为使施加到输入侧的导电路(导电路71)的直流电压降压而输出到输出侧的导电路(导电路72)。电源装置2主要具备导电路71、导电路72、电压转换部3、控制部5、电压检测电路9、电流检测部7等。
输入侧的导电路71作为被施加相对高的电压的初级侧(高压侧)的电源线而构成，构成为经由布线部81与第一电源部91的高电位侧的端子电连接、并且被从第一电源部91施加预定的直流电压。输出侧的导电路72作为被施加相对低的电压的次级侧(低压侧)的电源线而构成，构成为经由布线部82与第二电源部92的高电位侧的端子电连接、并且被从第二电源部92施加小于第一电源部91的输出电压的直流电压。
电压转换部3设置于导电路71与导电路72之间，具备：由连接于导电路71的上述半导体开关装置10(以下也称为开关装置10)构成的高侧的第一开关部；由连接于导电路71与接地部93(保持为比导电路71的电位低的预定的基准电位的导电路)之间的半导体开关装置40(下面也称为开关装置40)构成的低侧的第二开关部；及电连接于开关装置10和开关装置40与导电路72之间的电感器3A。在该例子中，高侧的第一开关部(开关装置10)和低侧的第二开关部(开关装置40)串联连接于一个导电路71与接地部93之间。电压转换部3构成开关方式的降压型DCDC转换器的主要部分，通过开关装置10的接通动作与断开动作的切换，能够进行使施加到导电路71的电压降压而向导电路72输出的降压动作。
开关装置10及开关装置40均具备作为N沟道型的MOSFET而构成的半导体开关元件(半导体芯片)。对高侧的开关装置10的漏极电连接导电路71(第一导电路61)的一端，对源极电连接第二导电路62、并且经由第二导电路62电连接低侧的开关装置40的漏极及电感器3A的一端。将信号线51与开关装置10的栅极电连接，对该栅极输入来自驱动电路5B(栅极驱动器)的接通信号(驱动信号)及断开信号(非驱动信号)。开关装置10根据来自驱动电路5B的信号而切换成接通状态和断开状态。
低侧的开关装置40的漏极与第一导电路63电连接，经由第一导电路63与开关装置10的源极及电感器3A的一端电连接。开关装置40的源极与第二导电路64电连接，经由第二导电路64与接地部93电连接。将信号线53与开关装置40的栅极电连接，对该栅极输入来自驱动电路5B(栅极驱动器)的接通信号(驱动信号)及断开信号(非驱动信号)。开关装置40根据来自驱动电路5B的信号而切换成接通状态和断开状态。
电感器3A的一端连接于开关装置10与开关装置40之间的连接部，另一端连接于导电路72(具体来说，导电路72中的比电流检测部7靠电压转换部3侧的部分)。电流检测部7具有电阻器7A及差动放大器7B，将表示流过导电路72的电流的值(具体来说，与流过导电路72的电流的值相应的模拟电压)输入到控制电路5A。电压检测电路9构成为与导电路72连接并且将与导电路72的电压相应的值输入到控制电路5A。电压检测电路9是能够将表示导电路72的电压的值输入到控制电路5A的公知的电压检测电路即可，例如，作为对导电路72的电压进行分压而输入到控制电路5A的分压电路而构成。
控制部5具备控制电路5A和驱动电路5B。控制电路5A例如作为微型计算机而构成，具备进行各种运算处理的CPU、存储程序等信息的ROM、临时存储所产生的信息的RAM、将所输入的模拟电压转换成数字值的A/D转换器等。控制电路5A在使电压转换部3进行降压动作的情况下，一边由电压检测电路9检测导电路72的电压，一边以使施加到导电路72的电压接近于所设定的目标值的方式进行反馈运算，产生PWM信号。
图6、图7所示的驱动电路5B作为栅极驱动器而构成，基于从控制电路5A提供的PWM信号，将用于使开关装置10及开关装置40分别以各控制周期交替地接通的接通信号施加到开关装置10及开关装置40的栅极。关于施加到开关装置10的栅极的接通信号，提供相对于提供给开关装置40的栅极的接通信号而相位大致反转、并且确保了所谓死区时间的接通信号。如图7所示，驱动电路5B具备上支路侧电路，该上支路侧电路被从电连接于半导体开关元件20的源极与半导体开关元件40A的漏极之间的导电路的驱动电路侧导电路52输入电压，基于输入到驱动电路侧导电路52的电压，生成使半导体开关元件20接通的接通信号及使半导体开关元件20断开的断开信号。另外，驱动电路5B具备下支路侧电路，该下支路侧电路被从电连接于半导体开关元件40A的源极与接地部93之间的导电路的驱动电路侧导电路54输入电压，基于输入到驱动电路侧导电路54的电压，生成使半导体开关元件40A接通的接通信号及使半导体开关元件40A断开的断开信号。此外，在图6中，省略示出驱动电路侧导电路52、54等。
这样构成的电源装置2作为同步整流方式的降压型DCDC转换器发挥功能，对高侧的开关装置10的接通断开进行切换，并且与高侧的开关装置10的动作同步而互补地进行低侧的开关装置40的接通动作与断开动作的切换，从而使施加到导电路71的直流电压降压而输出到导电路72。导电路72的输出电压根据提供给开关装置10的栅极的PWM信号的占空比而确定。
此外，在上述说明中，示出了作为电源装置2的高侧的开关部而设置有半导体开关装置10的例子，但也可以将低侧的开关部设为与半导体开关装置10相同的连接结构。例如，在图6的结构中，在将半导体开关装置40设为与图1～图3等所示的半导体开关装置10相同的结构的情况下，能够如图7所示地构成，在该情况下，将半导体开关元件40A设为与半导体开关元件20相同的结构，构成为将设置于半导体开关装置40的栅极端子(与第三端子13相同的端子)接合到来自驱动电路5B的信号线53，将设置于半导体开关装置40的漏极端子(与第一端子11A、11B、11C、11D相同的端子)接合到第一导电路63，将设置于半导体开关装置40的一部分源极端子(与第二端子12A、12B相同的端子)接合到第二导电路64，将设置于半导体开关装置40的剩余源极端子(与第二端子12C相同的端子)接合到驱动电路侧导电路54即可。
下面，例示出本结构的效果。
半导体开关装置10构成为，通过从驱动电路5B输出的接通信号及断开信号来控制接通断开，在第一导电路61与第二导电路62之间切换成接通状态和断开状态。并且，与第二半导体部15A电连接的多个第二端子12A、12B、12C中的仅一部分第二端子连结于第二导电路62，剩余的至少一个第二端子连结于驱动电路侧导电路52(与驱动电路5B电连接的导电路)。由于是这样的结构，所以，在第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的路径中，流过大电流的区间变得更短，能够进一步抑制由于寄生电感引起的逆电动势。因此，在驱动半导体开关装置10的情况下，接通断开动作容易稳定地进行，不易导致开关时间的增大。
另外，半导体开关装置10在构成为多个第二端子12A、12B、12C由同一导电性部件构成并且一体地连结的情况下，能够进一步缩短在第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的路径中寄生电感的影响变大的区间(可能流过大电流的区间)，能够进一步抑制由于寄生电感引起的逆电动势。
另外，半导体开关装置10构成为具备一端侧与第二半导体部15A电连接的共同导电路32及在共同导电路32的另一端侧以分支的构造设置的多个分支导电路33A、33B、33C。并且，将多个第二端子12A、12B、12C分别设置于多个分支导电路33A、33B、33C。并且，多个第二端子12A、12B、12C中的、直至共同导电路32为止的路径的长度最短的端子连结于驱动电路侧导电路52。如上所述，将在第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的路径中流过大电流的区间作为共同导电路32而较短地构成，从而抑制由于寄生电感引起的逆电动势，而且，更短地构成从连结于驱动电路侧导电路52的第二端子12A、12B、12C至共同导电路32为止的路径，所以，能够进一步抑制该路径的寄生电感。因此，该半导体开关装置10成为在实现接通断开动作的稳定化及开关时间的抑制这方面变得更有利的结构。
在半导体开关元件20中，多个第二端子12A、12B、12C中的、直至第三半导体部18A为止的路径的长度最短的端子(第二端子12C)连结于驱动电路侧导电路52。如果这样将多个第二端子12A、12B、12C中的、直至第三半导体部18A为止的路径的长度最短的端子(第二端子12C)连结于驱动电路侧导电路52，则从连结于驱动电路侧导电路52的端子(第二端子12C)至第三半导体部18A为止的路径变得更短。因此，该半导体开关装置10成为进一步抑制从连结于驱动电路侧导电路52的第二端子12C至第三半导体部18A为止的路径的寄生电感的结构，成为在实现接通断开动作的稳定化及开关时间的抑制这方面更加有利的结构。
关于多个第二端子12A、12B、12C，连结于第二导电路62的端子的数量多于连结于驱动电路侧导电路52的端子的数量。该半导体开关装置10能够在第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的路径中抑制由于寄生电感引起的逆电动势，并且另一方面，在第二半导体部15A与第二导电路62之间进一步抑制寄生电感。
在电源装置2中，电压转换部3构成为高侧的开关部和低侧的开关部串联连接于一个导电路71与接地部93之间。并且，高侧的开关部由半导体开关装置10构成。高侧的开关部因为容易产生由于寄生电感引起的开关时间增大的问题，所以，如果将上述半导体开关装置10应用于高侧的开关部，则更有效果。
＜其他实施例＞
本发明不限定于通过上述叙述及附图而说明的实施例，例如如下的实施例也包括在本发明的技术范围内。另外，上述实施例、后述的实施例能够在不矛盾的范围内进行组合。
也可以如图10所示地变更图1的结构。图10所示的半导体开关装置110构成为仅将第二端子12A连结于第二导电路62，将第二端子12B及第二端子12C连结于驱动电路侧导电路52。在图10的结构中，在多个第二端子12A、12B、12C中，连结于驱动电路侧导电路52的端子的数量多于连结于第二导电路62的端子的数量。该半导体开关装置110不仅在第二半导体部15A(图4)与驱动电路侧导电路52之间的路径中通过流过大电流的路径的缩短化而抑制由于寄生电感引起的逆电动势，还能够通过将更多的第二端子连结于驱动电路侧导电路52的结构，进一步抑制第二半导体部15A与驱动电路侧导电路52之间的寄生电感。此外，图10所示的半导体开关装置110中仅第二导电路62及驱动电路侧导电路52的连结构造与实施例1的半导体开关装置10不同，除此以外，与半导体开关装置10相同。例如，在半导体开关装置110中，半导体封装体10A成为与图1等所示的半导体开关装置10的半导体封装体10A相同的结构。
在上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置中，半导体开关元件都不限定于N沟道型MOSFET，既可以变更成作为P沟道型的MOSFET而构成的半导体开关元件，也可以设为MOSFET以外的FET，也可以设为双极型晶体管、IGBT等半导体开关元件。
在上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置中，第一端子的数量都既可以是4个以外的单个或多个，在存在多个第一端子的情况下也可以将它们全部连结于第一导电路，也可以仅将某一部分连结于第一导电路，第二端子的数量也可以是3个以外的多个，第三端子的数量也可以是2个以上。
在上述实施例中，作为在半导体开关装置10中包括的半导体封装体，例示出作为SOP而构成的半导体封装体10A，但上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置都能够以SOP以外的公知的封装体构造而构成半导体封装体。
在上述实施例中，示出了将半导体开关装置10应用于作为降压型的DCDC转换器而构成的电源装置2的例子，但上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置都既可以应用于升压型的DCDC转换器，也可以应用于升降压型的DCDC转换器，也可以应用于对从一侧输入的电压进行转换而输出到另一侧的单向型的DCDC转换器，也可以应用于双向型的DCDC转换器。作为应用对象的电路结构也不受限定，例如也可以应用于H电桥型的DCDC转换器。例如，以将电感器3A配置于图6所示的半导体开关装置10的位置、将半导体开关装置10配置于图6所示的电感器3A的位置的方式变更成公知的升压型的配置，从而能够构成为使输入到一个导电路71的电压升压而向另一导电路72输出的升压型DCDC转换器。在该情况下，在串联设置于另一导电路72与接地部93之间的任意开关部中，都能够应用与图1～图5所示的半导体开关装置10相同的连接构造。
在上述实施例或变更上述实施例而得到的任意电源装置中，都能够采用二极管整流方式。例如，在图6所示的电源装置2中，也可以将低侧的开关部设为二极管而设为二极管整流方式的DCDC转换器。当在升压型DCDC转换器等中将高侧设为二极管而由开关部构成低侧的情况下，也可以将上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置应用于低侧的开关部。
在上述实施例中，例示出单相式的DCDC转换器，但上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子的半导体开关装置都能够应用于多相式的DCDC转换器。
在上述实施例中，省略示出连接于导电路71、导电路72的发电机、负载等，但在上述实施例或变更上述实施例而得到的任意例子中，都能够将各种装置、电子元件连接于导电路71、导电路72。

Claims (6)

1.一种车载用的半导体开关装置，根据从车载用的驱动电路输出的接通信号及断开信号而被控制接通断开，从而在第一导电路与第二导电路之间切换成接通状态和断开状态，
所述车载用的半导体开关装置具有：
半导体开关元件，具备具有半导体材料而构成的第一半导体部、配置于与所述第一半导体部不同的位置并且具有半导体材料而构成的第二半导体部及作为被从所述驱动电路输入所述接通信号及所述断开信号的部位的输入部，并且在所述输入部被输入了所述接通信号的情况下成为所述接通状态，在所述输入部被输入了所述断开信号的情况下成为所述断开状态；
至少一个第一端子，与所述第一半导体部电连接；
多个第二端子，与所述第二半导体部电连接；及
至少一个第三端子，与所述输入部电连接，
所述第一端子与所述第一导电路连接，
多个所述第二端子中仅有一部分第二端子连结于所述第二导电路，剩余的至少一个第二端子连结于与所述驱动电路电连接的驱动电路侧导电路，
所述半导体开关元件构成为，在所述第一半导体部与所述第二半导体部之间设置第三半导体部，在所述输入部被输入了所述接通信号的情况下，在所述第一半导体部与所述第二半导体部之间电流经由所述第三半导体部而流过，在所述输入部被输入了所述断开信号的情况下，电流不会流经所述第三半导体部，
多个所述第二端子中的、从各所述第二端子至所述第三半导体部为止的路径的长度最短的端子连结于所述驱动电路侧导电路。
2.根据权利要求1所述的车载用的半导体开关装置，其中，
多个所述第二端子构成为由同一导电性部件构成并且一体地连结。
3.根据权利要求1或2所述的车载用的半导体开关装置，其中，
在多个所述第二端子中，连结于所述第二导电路的端子的数量多于连结于所述驱动电路侧导电路的端子的数量。
4.根据权利要求1或2所述的车载用的半导体开关装置，其中，
在多个所述第二端子中，连结于所述驱动电路侧导电路的端子的数量多于连结于所述第二导电路的端子的数量。
5.一种车载用电源装置，包括：
权利要求1～4中任一项所述的车载用的半导体开关装置；及
电压转换部，通过一个以上开关部的开关动作，使施加到一个导电路的电压进行升压或降压而向另一导电路施加，
至少某一个所述开关部由所述半导体开关装置构成。
6.根据权利要求5所述的车载用电源装置，其中，
所述电压转换部构成为，高侧的所述开关部与低侧的所述开关部串联连接于所述一个导电路及所述另一导电路中的一方与接地部之间，或者高侧的所述开关部与二极管串联连接于所述一个导电路及所述另一导电路中的一方与接地部之间，
高侧的所述开关部由所述半导体开关装置构成。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7264095B2 (ja) * 2020-03-16 2023-04-25 株式会社豊田自動織機 電力変換装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101345472A (zh) * 2007-07-12 2009-01-14 株式会社日立制作所 电压驱动型半导体元件的驱动电路和逆变器装置
CN102195502A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 松下电器产业株式会社 半导体装置
CN105391323A (zh) * 2014-08-20 2016-03-09 株式会社日立制作所 电力变换装置以及使用该电力变换装置的电梯

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3450803B2 (ja) * 2000-06-22 2003-09-29 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
JP4115882B2 (ja) * 2003-05-14 2008-07-09 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP5193657B2 (ja) * 2008-04-03 2013-05-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ装置
JP2010267640A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd パワーｍｏｓｆｅｔと電池監視装置
GB0912745D0 (en) * 2009-07-22 2009-08-26 Wolfson Microelectronics Plc Improvements relating to DC-DC converters
JP5959901B2 (ja) * 2012-04-05 2016-08-02 株式会社日立製作所 半導体駆動回路および電力変換装置
US10263612B2 (en) * 2013-11-20 2019-04-16 Rohm Co., Ltd. Switching device and electronic circuit
JP2015154591A (ja) 2014-02-14 2015-08-24 ローム株式会社 ゲート駆動回路および電源装置
JP6444647B2 (ja) * 2014-08-06 2018-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6391402B2 (ja) * 2014-10-03 2018-09-19 古河電気工業株式会社 Ｄｃｄｃコンバータ故障診断装置及び故障診断方法
JP6478789B2 (ja) * 2015-04-27 2019-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、電力制御用半導体装置、車載用電子制御ユニット及びそれを備えた車両
JP6901238B2 (ja) * 2015-06-29 2021-07-14 ローム株式会社 スイッチングレギュレータ及び集積回路パッケージ
JP2017093158A (ja) 2015-11-10 2017-05-25 ローム株式会社 降圧ｄｃ／ｄｃコンバータおよびその制御回路、制御方法、ならびに車載用電源装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101345472A (zh) * 2007-07-12 2009-01-14 株式会社日立制作所 电压驱动型半导体元件的驱动电路和逆变器装置
CN102195502A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 松下电器产业株式会社 半导体装置
CN105391323A (zh) * 2014-08-20 2016-03-09 株式会社日立制作所 电力变换装置以及使用该电力变换装置的电梯

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