JP2018063993A - 半導体装置及び半導体モジュール - Google Patents
半導体装置及び半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018063993A JP2018063993A JP2016200199A JP2016200199A JP2018063993A JP 2018063993 A JP2018063993 A JP 2018063993A JP 2016200199 A JP2016200199 A JP 2016200199A JP 2016200199 A JP2016200199 A JP 2016200199A JP 2018063993 A JP2018063993 A JP 2018063993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chip
- semiconductor device
- semiconductor
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/4005—Shape
- H01L2224/4009—Loop shape
- H01L2224/40095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
【課題】ノイズを低減できる半導体装置および半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体装置100は、第1の電極4、第2の電極及び第3の電極7を有する半導体チップ1と、前記第2の電極と電気的に接続され、半導体チップ1が設置されるフレーム2と、第1の電極4に電気的に接続されるチップ接合部11と、チップ接合部11と接合しており、且つ、チップ接合部11から突出している第1接合部12と、チップ接合部11と接合し、チップ接合部11から突出し、且つ、少なくとも一部が第1接合部12と離間している第2接合部13と、を有する第1導電体10と、第3の電極7と電気的に接続される第2導電体20と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置100は、第1の電極4、第2の電極及び第3の電極7を有する半導体チップ1と、前記第2の電極と電気的に接続され、半導体チップ1が設置されるフレーム2と、第1の電極4に電気的に接続されるチップ接合部11と、チップ接合部11と接合しており、且つ、チップ接合部11から突出している第1接合部12と、チップ接合部11と接合し、チップ接合部11から突出し、且つ、少なくとも一部が第1接合部12と離間している第2接合部13と、を有する第1導電体10と、第3の電極7と電気的に接続される第2導電体20と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置および半導体モジュールに関する。
電力用スイッチング素子などに用いられる半導体装置の一つにMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)がある。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子のパッケージに封止されたMOSFETでは、ソースコネクタ及び実装されたプリント基板上に寄生インダクタンスが存在し、ドレイン電流に起因するノイズが重畳されてしまう問題があった。
本発明が解決しようとする課題は、ノイズを低減できる半導体装置および半導体モジュールを提供することである。
実施形態に係る半導体装置は、第1の電極、第2の電極、及び第3の電極を有する半導体チップと、前記第2の電極と電気的に接続され、前記半導体チップが設置されるフレームと、前記第1の電極に電気的に接続されるチップ接合部と、前記チップ接合部と接合しており、且つ前記チップ接合部から突出している第1接合部と、前記チップ接合部と接合し、前記チップ接合部から突出し、且つ少なくとも一部が前記第1接合部と離間している第2接合部と、を有する第1導電体と、前記第3の電極と電気的に接続される第2導電体と、を備える半導体装置。
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
(第1実施形態)
本実施形態に係る半導体装置の一例について、図1から図3を用いて説明する。
本実施形態に係る半導体装置の一例について、図1から図3を用いて説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置100の上面図である。また、図2は、図1のA−A’断面図である。
本実施形態に係る半導体装置100は、半導体パッケージの一種であるSOP(Small Outline Package)である場合を示している。SOPは対向する2辺から端子を突出させた構造を有しており、半導体装置100は8ピンパッケージである場合を示している。
図1、図2に表すように、半導体装置100は、半導体チップ1、フレーム2(ドレインコネクタ)、パッシベーション膜6、ソースコネクタ10(第1導電体)、ゲートコネクタ20(第2導電体)、ハンダ30、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、ゲート端子Gを有する。
半導体チップ1は、例えば、MOSFETである。また、半導体チップ1は、半導体層3、ソース電極4(第1の電極)、ドレイン電極5(第2の電極)、及びゲート電極7(第3の電極)を有する。半導体層3は、お互いに対向する第1の面と第2の面を有しており、ソース電極4とゲート電極7は第1の面に設けられており、ドレイン電極5は第2の面に設けられている。すなわち、半導体層3はソース電極4とドレイン電極5によって挟まれるように設けられている。なお、ソース電極4とゲート電極7は第1の面において、電気的に分離するように設けられている。
半導体チップ1は、ハンダ30を介してフレーム2上に設置される。その際、フレーム2とドレイン電極5は電気的に接続される。なお、フレーム2は第1方向に突出した複数のピンを有しており、本実施形態ではピンの数が4本であるように示されている。また、フレーム2から突出しているピンはドレイン端子Dの役割を有する。
ソースコネクタ10は、チップ接合部11、ソース端子接合部12(第1接合部)、及びケルビンソース端子接合部13(第2接合部)を有している。チップ接合部11はソース電極4上に設けられ、チップ接合部11の少なくとも一部はハンダ30を介してソース電極4と接続されている。
図1に示すように、ソース端子接合部12とケルビンソース端子接合部13は、チップ接合部11と接合されており、第1方向とは逆の第2方向に突出するように設けられている。すなわち、ソース端子接合部12とケルビンソース端子接合部13は、チップ接合部11を介して同じ電位を有するが、接触はしていない。また、図2に示すように、ソース端子接合部12とケルビンソース端子接合部13は、第2の面から第1の面に向かう方向において半導体チップ1から離れるように設けられており、半導体チップ1とは接触していない。
ソース端子S1は、ハンダ30を介してソース端子接合部12と接続されている。ソース端子S1は第2方向に突出したピンを有しており、本実施形態ではピンの数が2本であるように示されている。
ケルビンソース端子S2は、ハンダ30を介してケルビンソース端子接合部13と接続されている。ケルビンソース端子S2は第2方向に突出したピンを有しており、本実施形態ではピンの数が1本であるように示されている。ソース端子S1とケルビンソース端子S2は並んで設けられるが、接触はしていない。
ゲートコネクタ20の少なくとも一部は、ハンダ30を介してゲート電極7と接続されている。また、ゲート端子Gは、ハンダ30を介してゲートコネクタ20と接続されている。ゲート端子Gは第2方向に突出したピンを有しており、本実施形態ではピンの数が1本であるように示されている。
また、半導体チップ1上にはパッシベーション膜6が設けられている。パッシベーション膜6は、外部からの可動イオンや水分の侵入や、パッケージ組み立て時に接続用のハンダが配線部に付着するのを防ぐために設けられる。
半導体装置100は以上のような構成を有する。
なお、フレーム2、ソースコネクタ10、ゲートコネクタ20、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、及びゲート端子Gは、銅などの金属材料が用いられる。ソース電極4、ドレイン電極5、及びゲート電極7は、アルミニウムなどの金属材料が用いられる。パッシベーション膜6には、ポリイミドや、酸化膜や窒化膜を組み合わせた材料が用いられる。
半導体装置100は最終的に、樹脂によってモールドされる(図示無し)。その際、フレーム2、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、及びゲート端子Gに設けられたピンの一部が樹脂から露出されるように設けられる。そして、露出された複数のピンは、外部の電源等に接続される。
図3は、半導体装置100を昇圧チョッパに使用した場合における回路図を表している。ここで、半導体装置100を昇圧チョッパに使用した構造を半導体モジュール600とする。半導体モジュール600は、半導体装置100、抵抗R、静電容量C、ダイオードDi、コイルL及びゲートドライバ40を含む。ドレイン電流IDは、コイルLを通り、半導体装置100通じて、図3に図示した向きに流れる。また、ゲートドライバ40から出力される信号Hoや信号Loが、半導体装置100のゲート電極7に入力されることで、半導体装置100はオン動作またはオフ動作する。オン動作時に流れるゲート電流IGは、ゲートドライバ40から半導体装置100を通じ、ケルビンソース端子S2を通って、ゲートドライバ40へ帰還する。
<効果>
次に、本実施形態に係る半導体装置100の作用・効果について比較例を用いて説明する。図4は第1の比較例に係る半導体装置200の上面図である。
次に、本実施形態に係る半導体装置100の作用・効果について比較例を用いて説明する。図4は第1の比較例に係る半導体装置200の上面図である。
第1の比較例に係る半導体装置200が、本実施形態に係る半導体装置100と異なる点は、ケルビンソース端子接合部13が設けられていない点である。すなわち、半導体装置200のソースコネクタ10は、チップ接合部11とソース端子接合部12のみを有する。そして、ソース端子接合部12はソース端子S1に接続され、ソース端子S1は3つのピンを有している。半導体装置200のそれ以外の構成は、半導体装置100と同じ構成を有する。
図5は第1の比較例に係る半導体装置200を昇圧チョッパに使用した場合における回路図である。半導体モジュール700は、半導体装置200、抵抗R、静電容量C、ダイオードDi、コイルL及びゲートドライバ40を含む。 ゲート電極7に閾値以上の電圧が入力されると半導体装置200はオン動作し、ドレイン端子Dからソース端子S1に向かってドレイン電流IDが流れる。また、ゲート電流IGは、ゲート端子Gからソース端子S1に向かって流れる。ドレイン電流IDは、ゲート電流IGよりも遥かに大きい値を有する。
ここで、ソースコネクタ10のソース端子接合部12には寄生ソースインダクタンスが存在する。この寄生ソースインダクタンスにドレイン電流IDが流れることによって、半導体チップ1のゲート−ソース間の駆動電圧VGSは、(1)の式に示すようにゲートドライバ出力よりも電圧が上昇する。ここで、VGはゲートドライバ出力のゲート駆動電圧、VGSは半導体チップ1のゲート−ソース間の駆動電圧、IGはゲート電流、IDはドレイン電流、LSは寄生インダクタンスとする。
VGS=VG+LS・d(ID+IG)/dt ・・・(1)
このように、半導体チップ1のゲート−ソース間の駆動電圧VGSは寄生インダクタンスLSを流れるドレイン電流IDによる起電力が重畳されるため、ゲートドライバ40の出力電圧VGと異なる電圧、すなわち意図しない電圧が半導体チップ1に印加される。そのため、半導体装置200が誤動作をして、ノイズを発生することがある。
一方で、本実施形態に係る半導体装置100のケルビンソース端子S2は、ドレイン電流IDを流すソース端子S1と分離されている。そのため、ゲート−ソース間の駆動電圧VGSはドレイン電流IDの影響を受けない。ケルビンソース端子接合部13にも寄生インダクタンスは存在するが、ゲート電流IGはドレイン電流IDよりも遥かに小さい値となるためにこの影響は小さい。よって、ゲート-ソース間の駆動電圧VGSはLS’をケルビンソース端子接合部13の寄生インダクタンスとすると(2)の式に示すようになる。
VGS=VG+LS’・dIG/dt ・・・(2)
このように、ケルビンソース端子S2を設けた場合、寄生ソースインダクタンスによる起電力の影響を小さくすることができ、半導体装置の誤作動に起因するノイズ発生を抑制することができる。
また、ケルビンソース端子S2がないと、ソースコネクタの寄生インダクタンスLsに流れるドレイン電流IDを介すので、半導体チップ1の真のゲート−ソース間の駆動電圧VGSがゲートドライバ40からは分からない。ケルビンソース端子S2を設けることで、半導体チップ1にかかるゲート−ソース間の駆動電圧VGSをゲートドライバ40がモニタリングし、制御をかけることが可能である。
ここで、半導体装置の低オン抵抗化は、半導体装置に求められる特性の1つである。
半導体装置を低オン抵抗にするためには、パッケージ抵抗の低減が重要である。パッケージ抵抗を低減させる手法はいくつかあるが、配線抵抗を低くすることは手法の一つとして挙げられる。ソースコネクタ部が半導体チップのソース電極部分を覆うことで、低配線抵抗を実現でき、結果として低パッケージ抵抗を実現できる。
しかし、ノイズ発生を抑制するために、上記にて説明したケルビンソース端子接合部を半導体装置に含ませる場合、ケルビンソース端子を半導体チップから引き出す場合には、ケルビンソース端子を配線するためのチップ部分が新たに必要となる。この部分は金属コネクタ部に覆われていないために、パッケージ抵抗の低減効果が損なわれるという問題が生じてしまう。そのような構造について、図6に示す第2の比較例に係る半導体装置300の上面図を用いて説明する。
図6では、ソースコネクタ10が2つに分割されて半導体チップ1上のソース電極4に接合されている。2つに分割されたソースコネクタ10は、一方がソースコネクタ10として用いられ、他方はケルビンソース端子接合部13として用いられる。この場合、ケルビンソース端子接合部13を配線するチップ部分が増え、半導体チップ1の面積を有効に活用できなくなる。また、半導体チップ1のソース電極4の一部のみがソースコネクタ10のチップ接合部11に覆われるため、配線抵抗が増加する。さらに、ソースコネクタ10の部分点数が増え、生産性が悪化し、コストが増加してしまう。
これに対して、図1に示す本実施形態に係る半導体装置100の上面図の場合、半導体チップ1のソース電極4の大部分をソースコネクタ10で覆うことにより、ケルビンソースを配線するチップ部分が不要になり、図6の場合と比べ配線抵抗を下げることができる。また、第2の比較例に係る半導体装置300の場合と比較して、ソースコネクタ10の部分点数も少なく、製造コストの低減が可能である。
このとき、半導体装置100における寄生インダクタンスの分離による効果は、半導体装置300の場合とほぼ同様である。なぜなら、ソースコネクタ10を完全に分けても、半導体チップ1のソース電極4で電気的に接続されるからである。
また、コネクタ部の面積を増加させることが出来るため、ソース端子接合部12とケルビンソース端子接合部13の間隔は狭い方が望ましい。しかし、幅が狭くなりすぎることで2つのコネクタ部がカップリングを起こす可能性があるため、ソースコネクタ10とケルビンソース端子接合部13は、半導体チップ1に面している箇所まで一体としている。
半導体装置100は、既存のパッケージとのピン互換を持たせるために、ソースコネクタとケルビンソース端子接合部を同方向に突出しているが、異なる方向に突出させてもよい。
実施形態の一つの例としてMOSFETでの説明を行ったが、IGBT等においても同様に実施可能である。
以上から、ケルビンソース端子接合部をソースコネクタの一部分割によって作成することで、ノイズを軽減し、低配線抵抗な半導体装置を実施することが可能となる。
(本実施形態の第1変形例)
次に、本実施形態の第1変形例について説明する。図7は、本実施形態の第1変形例に係る半導体装置400の上面図である。半導体装置400が半導体装置100と異なる点は、ドレイン端子Dが、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、及びゲート端子Gと同じ方向に突出している点である。図7では、ドレイン端子D、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、ゲート端子Gの順に設けられているが、端子の並び方は限定されない。
次に、本実施形態の第1変形例について説明する。図7は、本実施形態の第1変形例に係る半導体装置400の上面図である。半導体装置400が半導体装置100と異なる点は、ドレイン端子Dが、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、及びゲート端子Gと同じ方向に突出している点である。図7では、ドレイン端子D、ソース端子S1、ケルビンソース端子S2、ゲート端子Gの順に設けられているが、端子の並び方は限定されない。
また、ソース端子接合部とケルビンソース端子接合部の間隔は狭い方が、互いのコネクタの面積を増加させることが出来るため、望ましい。しかし、幅が狭くなりすぎることで二つのコネクタがカップリングをおこすことは避ける必要がある。配線抵抗を加味し、コネクタの分かれ目は、半導体チップに面している箇所まで一体としている。
第1変形例においても、半導体装置100と同様にケルビンソースによってノイズ発生を防ぎ、コネクタ部が半導体チップ面と接合していることで配線抵抗の低下や製造コストの削減が可能である。
(本実施形態の第2変形例)
次に、本実施形態の第2変形例について説明する。図8は、本実施形態の第1変形例に係る半導体装置400の上面図である。半導体装置400は、表面実装タイプのパッケージにおけるソース端子の一部をケルビンソース端子としており、図8はリード端子が6本である例を示している。第2変形例の場合も、半導体チップ全面を覆うソースコネクタ10のチップ接合部11と、チップ接合部11から突出するソース端子S1及びケルビンソース端子S2のコネクタ接合部を有する。なお、ソース端子の本数は用途に応じて異なってよい。
次に、本実施形態の第2変形例について説明する。図8は、本実施形態の第1変形例に係る半導体装置400の上面図である。半導体装置400は、表面実装タイプのパッケージにおけるソース端子の一部をケルビンソース端子としており、図8はリード端子が6本である例を示している。第2変形例の場合も、半導体チップ全面を覆うソースコネクタ10のチップ接合部11と、チップ接合部11から突出するソース端子S1及びケルビンソース端子S2のコネクタ接合部を有する。なお、ソース端子の本数は用途に応じて異なってよい。
また、ソース端子接合部とケルビンソース端子接合部の間隔は狭い方が、互いのコネクタ部の面積を増加させることが出来るため、望ましい。しかし、幅が狭くなりすぎることで二つのコネクタ部がカップリングをおこすことは避ける必要がある。配線抵抗を加味し、コネクタの分かれ目は、半導体チップに面している箇所まで一体としている。
第2変形例の場合、既存のパッケージとのピンコンパチブルを持たせるために、ソース端子S1とケルビンソース端子S2を同方向に突出しているが、異なる方向に突出させてもよい。
第2変形例の場合においても、半導体装置100と同様にケルビンソースによってノイズ発生を防ぎ、コネクタ部が半導体チップ面と接合していることで配線抵抗の低下や製造コストの削減が可能である。
本発明の実施形態および変形例を説明したが、これらの実施形態および変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 半導体チップ
2 フレーム(ドレインコネクタ)
3 半導体層
4 ソース電極(第1の電極)
5 ドレイン電極(第2の電極)
6 パッシベーション膜
7 ゲート電極(第3の電極)
10 ソースコネクタ(第1導電体)
11 チップ接合部
12 ソース端子接合部(第1接合部)
13 ケルビンソース端子接合部(第2接合部)
20 ゲートコネクタ(第2導電体)
30 ハンダ
40 ゲートドライバ
100、200、300、400、500 半導体装置
600、700 半導体モジュール
S1 ソース端子
S2 ケルビンソース端子
G ゲート端子
D ドレイン端子
2 フレーム(ドレインコネクタ)
3 半導体層
4 ソース電極(第1の電極)
5 ドレイン電極(第2の電極)
6 パッシベーション膜
7 ゲート電極(第3の電極)
10 ソースコネクタ(第1導電体)
11 チップ接合部
12 ソース端子接合部(第1接合部)
13 ケルビンソース端子接合部(第2接合部)
20 ゲートコネクタ(第2導電体)
30 ハンダ
40 ゲートドライバ
100、200、300、400、500 半導体装置
600、700 半導体モジュール
S1 ソース端子
S2 ケルビンソース端子
G ゲート端子
D ドレイン端子
Claims (6)
- 第1の電極、第2の電極、及び第3の電極を有する半導体チップと、
前記第2の電極と電気的に接続され、前記半導体チップが設置されるフレームと、
前記第1の電極に電気的に接続されるチップ接合部と、
前記チップ接合部と接合しており、且つ前記チップ接合部から突出している第1接合部と、
前記チップ接合部と接合し、前記チップ接合部から突出し、且つ少なくとも一部が前記第1接合部と離間している第2接合部と、
を有する第1導電体と、
前記第3の電極と電気的に接続される第2導電体と、
を備える半導体装置。 - 前記第1接合部、または前記第2接合部が複数設けられた請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チップ接合部、前記第1接合部、及び前記第2接合部は同一の部材からなる請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1接合部の少なくとも一部が、前記半導体チップの直上に位置する請求項1〜3のいずれか一に記載の半導体装置。
- ゲート電圧は、前記第2接合部と前記第2導電体の間に印加されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つ以上に記載の半導体装置。
- 第1の電極、第2の電極、及び第3の電極を有する半導体チップと、
前記第2の電極と電気的に接続され、前記半導体チップが設置されるフレームと、
前記第1の電極に電気的に接続されるチップ接合部と、
前記チップ接合部と接合しており、且つ前記チップ接合部から突出している第1接合部と、
前記チップ接合部と接合し、前記チップ接合部から突出し、且つ少なくとも一部が前記第1接合部と離間している第2接合部と、
を有する第1導電体と、
前記第3の電極と電気的に接続される第2導電体と、
前記第2接合部と前記第2導電体に接続されるゲートドライバと、
を備えた半導体モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016200199A JP2018063993A (ja) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | 半導体装置及び半導体モジュール |
US15/446,589 US20180102308A1 (en) | 2016-10-11 | 2017-03-01 | Semiconductor device and semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016200199A JP2018063993A (ja) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | 半導体装置及び半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018063993A true JP2018063993A (ja) | 2018-04-19 |
Family
ID=61829107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016200199A Pending JP2018063993A (ja) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | 半導体装置及び半導体モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180102308A1 (ja) |
JP (1) | JP2018063993A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102110249B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2020-05-13 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 칩 |
KR102153550B1 (ko) * | 2019-05-08 | 2020-09-08 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11387334B2 (en) * | 2020-04-24 | 2022-07-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with electrode plating deposition |
JP2022185464A (ja) * | 2021-06-02 | 2022-12-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN116093058B (zh) * | 2023-02-28 | 2024-01-09 | 中科华艺(天津)科技有限公司 | 一种氮化镓半导体抗干扰封装结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7821116B2 (en) * | 2007-02-05 | 2010-10-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including leadframe with die attach pad with folded edge |
US20100171543A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-08 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | Packaged power switching device |
US9905500B2 (en) * | 2015-07-24 | 2018-02-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
US9653387B2 (en) * | 2015-07-24 | 2017-05-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
US9620443B2 (en) * | 2015-07-24 | 2017-04-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
-
2016
- 2016-10-11 JP JP2016200199A patent/JP2018063993A/ja active Pending
-
2017
- 2017-03-01 US US15/446,589 patent/US20180102308A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102110249B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2020-05-13 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 칩 |
KR102153550B1 (ko) * | 2019-05-08 | 2020-09-08 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
US11296221B2 (en) | 2019-05-08 | 2022-04-05 | Hyundai Mobis Co., Ltd. | Power semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180102308A1 (en) | 2018-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8049479B2 (en) | DC/DC converter package having separate logic and power ground terminals | |
KR101672605B1 (ko) | 반도체 장치 | |
CN106558583B (zh) | 半导体装置 | |
JP2018063993A (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
US10347567B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US10204849B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4973359B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10284109B2 (en) | Power module having control substrate mounted above power substrate with control substrate drivers located between the power substrate power transistors | |
US20140210061A1 (en) | Chip arrangement and chip package | |
JP5824135B2 (ja) | 半導体装置 | |
NL2020905B1 (en) | Semiconductor device | |
WO2014192348A1 (ja) | 半導体装置 | |
US9041175B2 (en) | Monolithic power converter package | |
US11069602B2 (en) | Package and terminal arrangement for semiconductor module | |
US8901742B2 (en) | Monolithic Power Converter Package with Through Substrate vias | |
US10566879B2 (en) | Electronic device | |
JP7252248B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5533923B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR102009590B1 (ko) | 반도체 장치 | |
CN117063279A (zh) | 半导体装置 | |
JPWO2007114057A1 (ja) | 半導体集積回路装置およびpdpドライバおよびプラズマディスプレイパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170929 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170929 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180831 |