CN103022980B - 车载系统的高低电压自动保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种车载系统的高低电压自动保护电路,其包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、三极管、第七二极管及第八二极管,第四MOS管的栅极端通过第四百三十二电阻与漏极端连接并接地;第四MOS管的源极端与第四百三十三电阻及第三百九十二的一端连接,第四百三十三电阻的另一端与第二十电阻的一端及第二十二电阻的一端连接,且第四百三十三电阻与第二十电阻及第二十二电阻连接的一端与电源端BAT端连接;第二十电阻的另一端与三极管的基极端连接,第二十二电阻的另一端与三极管的发射极端连接。本发明结构简单紧凑,节能环保,对汽车电池进行有效保护,确保不影响车辆的正常启动,安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及一种保护电路,尤其是一种车载系统的高低电压自动保护电路,属于汽车电子的技术领域。
背景技术
现代汽车的车载电子装置越来越多,由于电子器件对过电压的敏感性,所以必须充分注意汽车电源系统工作过程中产生的过电压情况,以便对电子器件采取相应的保护措施,同时车载系统本身是一个耗能元件,如果汽车不启动,发电机不对汽车电池充电时,那么汽车电池电量最终会消耗完,最终影响到汽车的正常启动。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种车载系统的高低电压自动保护电路,其结构简单紧凑,节能环保,对汽车电池进行有效保护,确保不影响车辆的正常启动,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,所述车载系统的高低电压自动保护电路,包括第四MOS管,所述第四MOS管的栅极端通过第四百三十二电阻与第四MOS管的漏极端连接,且第四MOS管的漏极端接地;第四MOS管的源极端与第四百三十三电阻的一端及第三百九十二的一端连接,所述第四百三十三电阻的另一端与第二十电阻的一端及第二十二电阻的一端连接,且第四百三十三电阻与第二十电阻及第二十二电阻连接的一端与电源端BAT端连接;第二十电阻的另一端与第三百九十二电容的另一端连接,第二十电阻的另一端与三极管的基极端连接,第二十二电阻的另一端与三极管的发射极端连接;三极管的集电极端与第九电容的一端及第二十一电阻的一端连接;
第九电容的另一端与第八二极管的阳极端、第三MOS管的漏极端及第十九电阻的一端连接;第八二极管的阴极端通过第十七电阻与电源端BAT_SUS连接;第三MOS管的源极端接地,第三MOS管的栅极端第十四电阻的一端及第十五电阻的一端连接,第十五电阻的另一端接地;第十五电阻的两端并联有第三百七十一电容;第十四电阻的另一端与第一百二十六二极管的阳极端连接,第一百二十六二极管的阴极端与第四百三十一电阻的一端连接,第四百三十一电阻的另一端与第二MOS管的源极端连接,第二MOS管的源极端与电源端BAT连接;第二MOS管的漏极与电源端BAT_SUS连接,第二MOS管的源极端通过第十六电阻与第二MOS管的栅极端连接,第二MOS管的栅极端通过第十八电阻与第一MOS管的漏极端连接;
第十九电阻的另一端与第一MOS管的栅极端及第七二极管的阴极端连接,第七二极管的阳极端接地,第七二极管的 两端并联有第七电容及第七十二电阻,第一MOS管的源极端接地。
所述第四MOS管的栅极端与ACC_IN信号连接。所述第二MOS管为P沟道MOS增强型场效应晶体管。
本发明的优点:汽车点火信号ACC_IN利用第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管打开系统电源,并能实现汽车电源的开启、低压与高压的保护,结构简单紧凑,节能环保,对汽车电池进行有效保护,确保不影响车辆的正常启动,安全可靠。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示:为了能够对高低电压进行保护,本发明包括第四MOS管Q54,所述第四MOS管Q54的栅极端通过第四百三十二电阻R432与第四MOS管Q54的漏极端连接,且第四MOS管Q54的漏极端接地;第四MOS管Q54的源极端与第四百三十三电阻R33的一端及第三百九十二C392的一端连接,所述第四百三十三电阻R433的另一端与第二十电阻R20的一端及第二十二电阻R22的一端连接,且第四百三十三电阻R433与第二十电阻R20及第二十二电阻R22连接的一端与电源端BAT端连接;第二十电阻R20的另一端与第三百九十二电容C392的另一端连接,第二十电阻R20的另一端与三极管Q43的基极端连接,第二十二电阻R22的另一端与三极管Q43的发射极端连接;三极管Q43的集电极端与第九电容C9的一端及第二十一电阻R21的一端连接;
第九电容C9的另一端与第八二极管D8的阳极端、第三MOS管Q45的漏极端及第十九电阻R19的一端连接;第八二极管D8的阴极端通过第十七电阻R17与电源端BAT_SUS连接;第三MOS管Q45的源极端接地,第三MOS管Q45的栅极端第十四电阻R14的一端及第十五电阻R15的一端连接,第十五电阻R15的另一端接地;第十五电阻R15的两端并联有第三百七十一电容C371;第十四电阻R14的另一端与第一百二十六二极管D126的阳极端连接,第一百二十六二极管D126的阴极端与第四百三十一电阻R431的一端连接,第四百三十一电阻R431的另一端与第二MOS管Q6的源极端连接,第二MOS管Q6的源极端与电源端BAT连接;第二MOS管Q6的漏极与电源端BAT_SUS连接,第二MOS管Q6的源极端通过第十六电阻R16与第二MOS管Q6的栅极端连接,第二MOS管Q6的栅极端通过第十八电阻R18与第一MOS管Q5的漏极端连接;
第十九电阻R19的另一端与第一MOS管Q5的栅极端及第七二极管D7的阴极端连接,第七二极管D7的阳极端接地,第七二极管D7的 两端并联有第七电容C7及第七十二电阻R72,第一MOS管Q5的源极端接地。
所述第四MOS管Q54的栅极端与ACC_IN信号连接,所述ACC_IN信号为汽车点火信号。电源端BAT是汽车电池输出电源,电源端BAT_SUS是受控的车载工作电源;电源端BAT和电源端BAT_SUS通过一个P型P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P沟道MOS增强型场效应晶体管)实现电源开关。第二MOS管Q6为P沟道MOS增强型场效应晶体管。
具体地,信号ACC_IN通过第四MOS管Q54、第三MOS管Q45、第一MOS管Q5及第二MOS管Q6打开系统电源。
低电压保护部分
当汽车泊车后,系统电源通过电源端BAT_SUS维持整过系统供电,随着电池电源的消耗,电源端BAT_SUS的电压不断下降,当电源端BAT_SUS的电压低于设定的电压时,达不到第一MOS管Q5(NMos)的最小导通电压从而实现关断第二MOS管Q6使系统电源关断。
具体执行部分是第十七电阻R17、第八二极管D8、第十九电阻R19、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6;第八二极管D8是一个稳压二级管,可以通过第八二极管D8,第十七电阻R17、第九电阻R9来设定泊车后,系统的工作电压,从而达到低电压关断。
高电压关断部分
当汽车电池电源高于设定的系统工作电源通过第四百三十一电阻R431、第一百二十六二极管D126、第十四电阻R14、第三MOS管Q45来实现的,第一百二十六二极管D126为高电压稳压二级管,可以设定一个最高工作电压,电源端BAT达到这个工作电压时,第三MOS管Q45(NMOS)导通,第一MOS管Q5关闭,从而第二MOS管Q6达不到导通条件,从而关断整个系统工作电源。
本发明汽车点火信号ACC_IN利用第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、第三MOS管Q45及第四MOS管Q54打开系统电源,并能实现汽车电源的开启、低压与高压的保护,结构简单紧凑,节能环保,对汽车电池进行有效保护,确保不影响车辆的正常启动,安全可靠。
Claims (1)
1.一种车载系统的高低电压自动保护电路,其特征是:包括第四MOS管(Q54),所述第四MOS管(Q54)的栅极端通过第四百三十二电阻(R432)与第四MOS管(Q54)的漏极端连接,且第四MOS管(Q54)的漏极端接地;第四MOS管(Q54)的源极端与第四百三十三电阻(R433)的一端及第三百九十二电容(C392)的一端连接,所述第四百三十三电阻(R433)的另一端与第二十电阻(R20)的一端及第二十二电阻(R22)的一端连接,且第四百三十三电阻(R433)与第二十电阻(R20)及第二十二电阻(R22)连接的一端与电源端BAT端连接;第二十电阻(R20)的另一端与第三百九十二电容(C392)的另一端连接,第二十电阻(R20)的另一端与三极管(Q43)的基极端连接,第二十二电阻(R22)的另一端与三极管(Q43)的发射极端连接;三极管(Q43)的集电极端与第九电容(C9)的一端及第二十一电阻(R21)的一端连接;
第九电容(C9)的另一端与第八二极管(D8)的阳极端、第三MOS管(Q45)的漏极端及第十九电阻(R19)的一端连接;第八二极管(D8)的阴极端通过第十七电阻(R17)与电源端BAT_SUS连接;第三MOS管(Q45)的源极端接地,第三MOS管(Q45)的栅极端第十四电阻(R14)的一端及第十五电阻(R15)的一端连接,第十五电阻(R15)的另一端接地;第十五电阻(R15)的两端并联有第三百七十一电容(C371);第十四电阻(R14)的另一端与第一百二十六二极管(D126)的阳极端连接,第一百二十六二极管(D126)的阴极端与第四百三十一电阻(R431)的一端连接,第四百三十一电阻(R431)的另一端与第二MOS管(Q6)的源极端连接,第二MOS管(Q6)的源极端与电源端BAT连接;第二MOS管(Q6)的漏极与电源端BAT_SUS连接,第二MOS管(Q6)的源极端通过第十六电阻(R16)与第二MOS管(Q6)的栅极端连接,第二MOS管(Q6)的栅极端通过第十八电阻(R18)与第一MOS管(Q5)的漏极端连接;
第十九电阻(R19)的另一端与第一MOS管(Q5)的栅极端及第七二极管(D7)的阴极端连接,第七二极管(D7)的阳极端接地,第七二极管(D7)的 两端并联有第七电容(C7)及第七十二电阻(R72),第一MOS管(Q5)的源极端接地;
所述第四MOS管(Q54)的栅极端与ACC_IN信号连接;
所述第二MOS管(Q6)为P沟道MOS增强型场效应晶体管。
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