JPH08293739A - 電力増幅回路の温度検出素子の実装構造 - Google Patents
電力増幅回路の温度検出素子の実装構造Info
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- JPH08293739A JPH08293739A JP7099281A JP9928195A JPH08293739A JP H08293739 A JPH08293739 A JP H08293739A JP 7099281 A JP7099281 A JP 7099281A JP 9928195 A JP9928195 A JP 9928195A JP H08293739 A JPH08293739 A JP H08293739A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 例えば振動した場合であっても熱結合の度合
いを一定にすることができ、しかも大量生産に適用する
ことができる電力増幅回路の温度検出素子の実装構造を
提供する。 【構成】 高周波電力増幅回路のための電力増幅用トラ
ンジスタＴＲ１，ＴＲ２が装着されてケースに固定され
る主基板１０とは別の副基板１１に、高周波電力増幅回
路における電力増幅の動作安定化のための温度検出素子
としてサーミスタＴＨ１とバリスタＤ１を面実装し、温
度検出素子ＴＨ１，Ｄ１がそれぞれ電力トランジスタＴ
Ｒ１，ＴＲ２に熱結合するように副基板１１を主基板１
０にコンタクトピン１１，１２なる支持部材により支持
した。ここで、副基板１１には好ましくは、電力増幅回
路のための帰還回路が実装される。
いを一定にすることができ、しかも大量生産に適用する
ことができる電力増幅回路の温度検出素子の実装構造を
提供する。 【構成】 高周波電力増幅回路のための電力増幅用トラ
ンジスタＴＲ１，ＴＲ２が装着されてケースに固定され
る主基板１０とは別の副基板１１に、高周波電力増幅回
路における電力増幅の動作安定化のための温度検出素子
としてサーミスタＴＨ１とバリスタＤ１を面実装し、温
度検出素子ＴＨ１，Ｄ１がそれぞれ電力トランジスタＴ
Ｒ１，ＴＲ２に熱結合するように副基板１１を主基板１
０にコンタクトピン１１，１２なる支持部材により支持
した。ここで、副基板１１には好ましくは、電力増幅回
路のための帰還回路が実装される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばサーミスタやバ
リスタなどの、電力増幅回路の温度検出素子の実装構造
に関する。
リスタなどの、電力増幅回路の温度検出素子の実装構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、比較的電力の大きい電力増幅回路
においては、その安定動作をはかるために電力増幅器の
電力能動素子のバイアス電流を温度補正する方法がとら
れる。例えば電力トランジスタを使用した電力増幅回路
においては、そのバイアスを維持安定させるために、ベ
ースバイアスにダイオードやバリスタに接続し、当該ダ
イオードやバリスタを上記電力トランジスタに熱結合さ
せている。また、バイアスに電力を必要とする場合はバ
イアス用としてトランジスタを使用した回路を用いるた
め、さらにこのトランジスタの温度補正も必要となり、
ここにもダイオード等をこのバイアス用トランジスタに
熱結合して用いることとなる。さらに、大電力の増幅回
路は熱発生が多いため、その温度上昇を検出して冷却設
備を作動させたり、電力を下げたりしてその動作を制限
することも行われる。
においては、その安定動作をはかるために電力増幅器の
電力能動素子のバイアス電流を温度補正する方法がとら
れる。例えば電力トランジスタを使用した電力増幅回路
においては、そのバイアスを維持安定させるために、ベ
ースバイアスにダイオードやバリスタに接続し、当該ダ
イオードやバリスタを上記電力トランジスタに熱結合さ
せている。また、バイアスに電力を必要とする場合はバ
イアス用としてトランジスタを使用した回路を用いるた
め、さらにこのトランジスタの温度補正も必要となり、
ここにもダイオード等をこのバイアス用トランジスタに
熱結合して用いることとなる。さらに、大電力の増幅回
路は熱発生が多いため、その温度上昇を検出して冷却設
備を作動させたり、電力を下げたりしてその動作を制限
することも行われる。
【０００３】この熱検出の素子として前述のダイオー
ド、バリスタや、サーミスタ等の温度による抵抗変化素
子、温度スイッチが用いられるが、これらも検知が必要
な電力素子に熱結合させている。
ド、バリスタや、サーミスタ等の温度による抵抗変化素
子、温度スイッチが用いられるが、これらも検知が必要
な電力素子に熱結合させている。
【０００４】図３は、従来例の無線機の高周波電力増幅
器の一部の平面図である。図３に示すように、電力トラ
ンジスタＴＲ３を装着すべきプリント基板１２上の位置
の周辺の導体パターンにピン１４，１５をハンダ付けし
て立設し、温度検出用バリスタＤ２とインダクタＬ１と
の直列回路がピン１４，１５の間に、ピン１４，１５に
ハンダ付けで電気的に接続される。次いで、電力トラン
ジスタＴＲ３をハンダ付けしてプリント基板１２に装着
した後、電力トランジスタＴＲ３の上表面の中央部に熱
伝導用コンパウンド２３を塗布する。そして、上記直列
回路のリード線を折り曲げて、バリスタＤ２をコンパウ
ンド２３を介して電力トランジスタＴＲ３に押し付けて
熱結合させている。一方、電力トランジスタＴＲ３の１
つの電極に接続された導体パターン１２ｅに、温度補正
用のサーミスタＴＨ２のリング取付端子ＴＨ２Ｒがネジ
止めにより装着されて熱結合されている。
器の一部の平面図である。図３に示すように、電力トラ
ンジスタＴＲ３を装着すべきプリント基板１２上の位置
の周辺の導体パターンにピン１４，１５をハンダ付けし
て立設し、温度検出用バリスタＤ２とインダクタＬ１と
の直列回路がピン１４，１５の間に、ピン１４，１５に
ハンダ付けで電気的に接続される。次いで、電力トラン
ジスタＴＲ３をハンダ付けしてプリント基板１２に装着
した後、電力トランジスタＴＲ３の上表面の中央部に熱
伝導用コンパウンド２３を塗布する。そして、上記直列
回路のリード線を折り曲げて、バリスタＤ２をコンパウ
ンド２３を介して電力トランジスタＴＲ３に押し付けて
熱結合させている。一方、電力トランジスタＴＲ３の１
つの電極に接続された導体パターン１２ｅに、温度補正
用のサーミスタＴＨ２のリング取付端子ＴＨ２Ｒがネジ
止めにより装着されて熱結合されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記電力増幅回路をプ
リント基板１２上に装着する場合、図３に示すように、
これらの熱検出素子Ｄ２は直接に素子の上に熱結合して
のせなければならないため、その他の部分は基板上にあ
ってもこの熱検出素子Ｄ２だけは、後加工において、増
幅素子の表面上に熱伝導用コンパウンド２３を塗布し熱
結合してのせるための工程が必要となる。この熱検出素
子Ｄ２はリード線を伴った従来部品で構成される。この
従来例では、リード線を長く伸ばして熱結合させるた
め、機械的に不安定で、例えば振動した場合に、熱結合
の度合いが一定にならない場合があるという問題点があ
った。
リント基板１２上に装着する場合、図３に示すように、
これらの熱検出素子Ｄ２は直接に素子の上に熱結合して
のせなければならないため、その他の部分は基板上にあ
ってもこの熱検出素子Ｄ２だけは、後加工において、増
幅素子の表面上に熱伝導用コンパウンド２３を塗布し熱
結合してのせるための工程が必要となる。この熱検出素
子Ｄ２はリード線を伴った従来部品で構成される。この
従来例では、リード線を長く伸ばして熱結合させるた
め、機械的に不安定で、例えば振動した場合に、熱結合
の度合いが一定にならない場合があるという問題点があ
った。
【０００６】図３の従来例の高周波電力増幅回路におい
ては、リード線を長く伸ばした部分に高周波が回りこ
み、バイアス変動や熱検出の誤動作もおこすことがあ
る。接触防止やリードの長さを一定にするためチューブ
を通したり、はんだ付け、素子表面へのせたりの後加工
が多く、工程が複雑になって製造コストが高くなり、か
つ大量生産に適用することは難しいという問題点があっ
た。また、この高周波電力増幅回路の周辺は耐電力が必
要な大型部品が多く配置されており、他の部分にも３次
元的に組み立て加工が必要な場合が多くなり、場所的に
作業性が悪くなるという問題点があった。
ては、リード線を長く伸ばした部分に高周波が回りこ
み、バイアス変動や熱検出の誤動作もおこすことがあ
る。接触防止やリードの長さを一定にするためチューブ
を通したり、はんだ付け、素子表面へのせたりの後加工
が多く、工程が複雑になって製造コストが高くなり、か
つ大量生産に適用することは難しいという問題点があっ
た。また、この高周波電力増幅回路の周辺は耐電力が必
要な大型部品が多く配置されており、他の部分にも３次
元的に組み立て加工が必要な場合が多くなり、場所的に
作業性が悪くなるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は以上の問題点を解決し、例
えば振動した場合であっても熱結合の度合いを一定にす
ることができ、しかも大量生産に適用することができる
電力増幅回路の温度検出素子の実装構造を提供すること
にある。
えば振動した場合であっても熱結合の度合いを一定にす
ることができ、しかも大量生産に適用することができる
電力増幅回路の温度検出素子の実装構造を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造は、電力増
幅回路のための電力増幅用能動素子が装着されてケース
に固定される主基板とは別の副基板に、電力増幅の動作
安定化のための温度検出素子を装着し、上記温度検出素
子が上記能動素子に熱結合するように上記副基板を上記
主基板又は上記ケースに支持部材により支持したことを
特徴とする。
載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造は、電力増
幅回路のための電力増幅用能動素子が装着されてケース
に固定される主基板とは別の副基板に、電力増幅の動作
安定化のための温度検出素子を装着し、上記温度検出素
子が上記能動素子に熱結合するように上記副基板を上記
主基板又は上記ケースに支持部材により支持したことを
特徴とする。
【０００９】また、請求項２記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造は、請求項１記載の電力増幅回路の
温度検出素子の実装構造において、上記温度検出素子
は、上記副基板に面実装されたことを特徴とする。
検出素子の実装構造は、請求項１記載の電力増幅回路の
温度検出素子の実装構造において、上記温度検出素子
は、上記副基板に面実装されたことを特徴とする。
【００１０】さらに、請求項３記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造は、請求項１又は２記載の電力増
幅回路の温度検出素子の実装構造において、上記支持部
材は、上記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設されて
固定された複数のピンであることを特徴とする。
度検出素子の実装構造は、請求項１又は２記載の電力増
幅回路の温度検出素子の実装構造において、上記支持部
材は、上記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設されて
固定された複数のピンであることを特徴とする。
【００１１】また、請求項４記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造は、請求項１乃至３のうちの１つに
記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
て、上記副基板に、上記電力増幅回路の帰還回路が設け
られたことを特徴とする。
検出素子の実装構造は、請求項１乃至３のうちの１つに
記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
て、上記副基板に、上記電力増幅回路の帰還回路が設け
られたことを特徴とする。
【００１２】さらに、請求項５記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造は、請求項１乃至４のうちの１つ
に記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
て、上記電力増幅回路は、無線機の高周波電力増幅回路
であることを特徴とする。
度検出素子の実装構造は、請求項１乃至４のうちの１つ
に記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
て、上記電力増幅回路は、無線機の高周波電力増幅回路
であることを特徴とする。
【００１３】
【作用】請求項１記載の電力増幅回路の温度検出素子の
実装構造においては、電力増幅回路のための電力増幅用
能動素子が装着されてケースに固定される主基板とは別
の副基板に、電力増幅の動作安定化のための温度検出素
子を装着し、上記温度検出素子が上記能動素子に熱結合
するように上記副基板を上記主基板又は上記ケースに支
持部材により支持される。従って、当該電力増幅回路に
対して振動が加わった場合であっても、上記能動素子と
上記温度検出素子との間の熱結合の度合いを一定に保持
することができる。これにより、当該電力増幅回路の回
路動作をさらに安定化することができる。
実装構造においては、電力増幅回路のための電力増幅用
能動素子が装着されてケースに固定される主基板とは別
の副基板に、電力増幅の動作安定化のための温度検出素
子を装着し、上記温度検出素子が上記能動素子に熱結合
するように上記副基板を上記主基板又は上記ケースに支
持部材により支持される。従って、当該電力増幅回路に
対して振動が加わった場合であっても、上記能動素子と
上記温度検出素子との間の熱結合の度合いを一定に保持
することができる。これにより、当該電力増幅回路の回
路動作をさらに安定化することができる。
【００１４】また、請求項２記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造においては、上記温度検出素子は、
好ましくは、上記副基板に面実装される。従って、図３
の従来例のように後工程により、温度検出素子をハンダ
付けする必要がない。すなわち、上記主基板と副基板上
にそれぞれ必要な素子を装着実装した後、上記支持部材
により支持するので、製造工程が従来例に比較してきわ
めて簡単になる。従って、従来例に比較して製造工程の
作業性を改善することができるとともに、大量生産に適
用することができる。
検出素子の実装構造においては、上記温度検出素子は、
好ましくは、上記副基板に面実装される。従って、図３
の従来例のように後工程により、温度検出素子をハンダ
付けする必要がない。すなわち、上記主基板と副基板上
にそれぞれ必要な素子を装着実装した後、上記支持部材
により支持するので、製造工程が従来例に比較してきわ
めて簡単になる。従って、従来例に比較して製造工程の
作業性を改善することができるとともに、大量生産に適
用することができる。
【００１５】さらに、請求項３記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造においては、上記支持部材は、好
ましくは、上記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設さ
れて固定された複数のピンである。従って、上記主基板
と副基板上にそれぞれ必要な素子を装着実装した後、上
記複数のピンを用いて支持することにより、製造工程が
従来例に比較してきわめて簡単になる。従って、従来例
に比較して製造工程の作業性を改善することができると
ともに、大量生産に適用することができる。
度検出素子の実装構造においては、上記支持部材は、好
ましくは、上記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設さ
れて固定された複数のピンである。従って、上記主基板
と副基板上にそれぞれ必要な素子を装着実装した後、上
記複数のピンを用いて支持することにより、製造工程が
従来例に比較してきわめて簡単になる。従って、従来例
に比較して製造工程の作業性を改善することができると
ともに、大量生産に適用することができる。
【００１６】また、請求項４記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造においては、上記副基板に、好まし
くは、上記電力増幅回路の帰還回路が設けられる。従っ
て、電力増幅用能動素子から上記帰還回路へのリード線
を従来例に短くすることができ、不必要な高周波などの
周波数成分の回りこみを防止することができる。言い換
えれば、上記副基板上に帰還回路などの電力増幅のため
の周辺回路を実装することができ、これにより、上記主
基板における必要な回路スペースを小さくすることがで
きる。
検出素子の実装構造においては、上記副基板に、好まし
くは、上記電力増幅回路の帰還回路が設けられる。従っ
て、電力増幅用能動素子から上記帰還回路へのリード線
を従来例に短くすることができ、不必要な高周波などの
周波数成分の回りこみを防止することができる。言い換
えれば、上記副基板上に帰還回路などの電力増幅のため
の周辺回路を実装することができ、これにより、上記主
基板における必要な回路スペースを小さくすることがで
きる。
【００１７】さらに、請求項５記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造においては、上記電力増幅回路
は、好ましくは、無線機の高周波電力増幅回路である。
上記温度検出素子の面実装により、そのリード線を短く
することができるので、高周波の当該温度検出素子への
回り込みを防止することができる。
度検出素子の実装構造においては、上記電力増幅回路
は、好ましくは、無線機の高周波電力増幅回路である。
上記温度検出素子の面実装により、そのリード線を短く
することができるので、高周波の当該温度検出素子への
回り込みを防止することができる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る実施例に
ついて説明する。図１は、本発明に係る一実施例である
主基板１０と副基板１１を備えた無線機の高周波電力増
幅回路の一部の縦断面図であり、図２は、図１の副基板
１１の裏表面を示す平面図である。本実施例は、図１に
示すように、高周波電力増幅回路のための電力増幅用ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２が装着されてケース（図示せ
ず。）に固定される主基板１０とは別の副基板１１に、
高周波電力増幅回路における電力増幅の動作安定化のた
めの温度検出素子としてサーミスタＴＨ１とバリスタＤ
１を面実装し、温度検出素子ＴＨ１，Ｄ１がそれぞれ電
力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２に熱結合するように副基
板１１を主基板１０にコンタクトピン１１，１２なる支
持部材により支持したことを特徴としている。
ついて説明する。図１は、本発明に係る一実施例である
主基板１０と副基板１１を備えた無線機の高周波電力増
幅回路の一部の縦断面図であり、図２は、図１の副基板
１１の裏表面を示す平面図である。本実施例は、図１に
示すように、高周波電力増幅回路のための電力増幅用ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２が装着されてケース（図示せ
ず。）に固定される主基板１０とは別の副基板１１に、
高周波電力増幅回路における電力増幅の動作安定化のた
めの温度検出素子としてサーミスタＴＨ１とバリスタＤ
１を面実装し、温度検出素子ＴＨ１，Ｄ１がそれぞれ電
力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２に熱結合するように副基
板１１を主基板１０にコンタクトピン１１，１２なる支
持部材により支持したことを特徴としている。
【００１９】図１に示すように、電力増幅用トランジス
タＴＲ１，ＴＲ２や電力増幅回路のための回路素子（図
示せず。）が主基板１０のおもて表面上にハンダ付けな
どにより装着実装され、この主基板１０には複数のピン
挿入孔３１，３２が形成される。そして、当該ピン挿入
孔３１，３２にそれぞれコンタクトピン１２，１３が挿
入され、コンタクトピン１２，１３の下側先端が主基板
１０の導体パターン（図示せず。）にハンダ付けされ
て、コンタクトピン１２，１３が主基板１０に対して垂
直に立設される。そして、当該主基板１０は無線機のケ
ース（図示せず。）にネジ止めにより固定される。
タＴＲ１，ＴＲ２や電力増幅回路のための回路素子（図
示せず。）が主基板１０のおもて表面上にハンダ付けな
どにより装着実装され、この主基板１０には複数のピン
挿入孔３１，３２が形成される。そして、当該ピン挿入
孔３１，３２にそれぞれコンタクトピン１２，１３が挿
入され、コンタクトピン１２，１３の下側先端が主基板
１０の導体パターン（図示せず。）にハンダ付けされ
て、コンタクトピン１２，１３が主基板１０に対して垂
直に立設される。そして、当該主基板１０は無線機のケ
ース（図示せず。）にネジ止めにより固定される。
【００２０】副基板１１のおもて表面には当該電力増幅
回路のための帰還回路Ｆ１，Ｆ２のキャパシタＣ１，Ｃ
２と抵抗Ｒ１，Ｒ２とがハンダ付けにより実装される一
方、副基板１１の裏表面には、図２に示すように、副基
板１１の主基板１０への装着時における電力トランジス
タＴＲ１，ＴＲ２の表面に対応する位置にそれぞれ温度
検出用サーミスタＴＨ１と、温度補償用バリスタＤ１と
が面実装される。また、副基板１１には、副基板１１の
主基板１０への装着時における主基板１０のピン挿入孔
３１，３２に対応する位置にそれぞれピン挿入孔４１，
４２が形成される。
回路のための帰還回路Ｆ１，Ｆ２のキャパシタＣ１，Ｃ
２と抵抗Ｒ１，Ｒ２とがハンダ付けにより実装される一
方、副基板１１の裏表面には、図２に示すように、副基
板１１の主基板１０への装着時における電力トランジス
タＴＲ１，ＴＲ２の表面に対応する位置にそれぞれ温度
検出用サーミスタＴＨ１と、温度補償用バリスタＤ１と
が面実装される。また、副基板１１には、副基板１１の
主基板１０への装着時における主基板１０のピン挿入孔
３１，３２に対応する位置にそれぞれピン挿入孔４１，
４２が形成される。
【００２１】ここで、サーミスタＴＨ１とバリスタＤ１
とは面実装素子であり、サーミスタＴＨ１は、過温度保
護用の温度検出素子であって、電力トランジスタＴＲ１
の温度が所定のしきい値以上となったとき、電力トラン
ジスタＴＲ１，ＴＲ２への供給電流を制限しかつ空冷用
ファン（図示せず。）をオンするために設けられる。ま
た、バリスタＤ１は、温度変化に対して抵抗が変化する
温度検出素子であって、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ
２の温度に応じて、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２へ
のアイドル電流を安定に供給するための温度検出素子と
して動作する。
とは面実装素子であり、サーミスタＴＨ１は、過温度保
護用の温度検出素子であって、電力トランジスタＴＲ１
の温度が所定のしきい値以上となったとき、電力トラン
ジスタＴＲ１，ＴＲ２への供給電流を制限しかつ空冷用
ファン（図示せず。）をオンするために設けられる。ま
た、バリスタＤ１は、温度変化に対して抵抗が変化する
温度検出素子であって、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ
２の温度に応じて、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２へ
のアイドル電流を安定に供給するための温度検出素子と
して動作する。
【００２２】そして、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２
の上表面には、例えばシリコングリスなる材料にてなる
熱伝導用コンパウンド２１，２２が塗布される。次い
で、主基板１０に立設されたコンタクトピン１２，１３
をそれぞれ、副基板１１のピン挿入孔４１，４２に貫通
挿入して、面実装されたサーミスタＴＨ１とバリスタＤ
１とがそれぞれコンパウンド２１，２２を介して電力ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２の上表面に熱結合して接触す
るように副基板１１を押し下げる。そして、コンタクト
ピン１２，１３はそれぞれ、副基板１１のピン挿入孔４
１，４２の周辺の導体パターン（図示せず。）にハンダ
付けされて副基板１１に対しても垂直に立設されること
になる。これにより、副基板１１は、電力トランジスタ
ＴＲ１，ＴＲ２上に搭載された状態となるとともに、副
基板１１は電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２とコンタク
トピン１２，１３により主基板１０に支持固定される。
の上表面には、例えばシリコングリスなる材料にてなる
熱伝導用コンパウンド２１，２２が塗布される。次い
で、主基板１０に立設されたコンタクトピン１２，１３
をそれぞれ、副基板１１のピン挿入孔４１，４２に貫通
挿入して、面実装されたサーミスタＴＨ１とバリスタＤ
１とがそれぞれコンパウンド２１，２２を介して電力ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２の上表面に熱結合して接触す
るように副基板１１を押し下げる。そして、コンタクト
ピン１２，１３はそれぞれ、副基板１１のピン挿入孔４
１，４２の周辺の導体パターン（図示せず。）にハンダ
付けされて副基板１１に対しても垂直に立設されること
になる。これにより、副基板１１は、電力トランジスタ
ＴＲ１，ＴＲ２上に搭載された状態となるとともに、副
基板１１は電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２とコンタク
トピン１２，１３により主基板１０に支持固定される。
【００２３】上記コンタクトピン１２，１３は副基板１
１を主基板１０に支持するための支持部材として働くと
ともに、主基板１０の導体パターンと副基板１１の導体
パターンとの間の接続導体として働く。
１を主基板１０に支持するための支持部材として働くと
ともに、主基板１０の導体パターンと副基板１１の導体
パターンとの間の接続導体として働く。
【００２４】本実施例においては、温度検出素子である
サーミスタＴＨ１及びバリスタＤ１が、主基板１０とは
別の副基板１１に面実装されて、副基板１１が複数のコ
ンタクトピン１２，１３により、ケースに固定された主
基板１０に支持固定されているので、当該電力増幅回路
に対して振動が加わった場合であっても、電力トランジ
スタＴＲ１，ＴＲ２と温度検出素子であるサーミスタＴ
Ｈ１やバリスタＤ１との間の熱結合の度合いを一定に保
持することができる。これにより、当該電力増幅回路の
回路動作をさらに安定化することができる。
サーミスタＴＨ１及びバリスタＤ１が、主基板１０とは
別の副基板１１に面実装されて、副基板１１が複数のコ
ンタクトピン１２，１３により、ケースに固定された主
基板１０に支持固定されているので、当該電力増幅回路
に対して振動が加わった場合であっても、電力トランジ
スタＴＲ１，ＴＲ２と温度検出素子であるサーミスタＴ
Ｈ１やバリスタＤ１との間の熱結合の度合いを一定に保
持することができる。これにより、当該電力増幅回路の
回路動作をさらに安定化することができる。
【００２５】また、温度検出素子であるサーミスタＴＨ
１及びバリスタＤ１が、主基板１０とは別の副基板１１
に面実装されているので、図３の従来例のように後工程
により、温度検出素子をハンダ付けする必要がない。す
なわち、２つの基板１０，１１上にそれぞれ必要な素子
を装着実装した後、コンタクトピン１２，１３により支
持するので、製造工程が従来例に比較してきわめて簡単
になる。従って、従来例に比較して製造工程の作業性を
改善することができるとともに、大量生産に適用するこ
とができる。また、温度検出素子であるサーミスタＴＨ
１及びバリスタＤ１の面実装により、そのリード線を短
くすることができるので、高周波の当該温度検出素子へ
の回り込みを防止することができる。
１及びバリスタＤ１が、主基板１０とは別の副基板１１
に面実装されているので、図３の従来例のように後工程
により、温度検出素子をハンダ付けする必要がない。す
なわち、２つの基板１０，１１上にそれぞれ必要な素子
を装着実装した後、コンタクトピン１２，１３により支
持するので、製造工程が従来例に比較してきわめて簡単
になる。従って、従来例に比較して製造工程の作業性を
改善することができるとともに、大量生産に適用するこ
とができる。また、温度検出素子であるサーミスタＴＨ
１及びバリスタＤ１の面実装により、そのリード線を短
くすることができるので、高周波の当該温度検出素子へ
の回り込みを防止することができる。
【００２６】さらに、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２
の直上の副基板１１に当該電力増幅回路のための帰還回
路Ｆ１，Ｆ２が設けられているので、電力トランジスタ
ＴＲ１，ＴＲ２から帰還回路Ｆ１，Ｆ２へのリード線を
従来例に短くすることができ、不必要な高周波の回りこ
みを防止することができる。言い換えれば、副基板１１
上に帰還回路Ｆ１，Ｆ２などの電力増幅のための周辺回
路を実装することができ、これにより、主基板１０にお
ける必要な回路スペースを小さくすることができる。
の直上の副基板１１に当該電力増幅回路のための帰還回
路Ｆ１，Ｆ２が設けられているので、電力トランジスタ
ＴＲ１，ＴＲ２から帰還回路Ｆ１，Ｆ２へのリード線を
従来例に短くすることができ、不必要な高周波の回りこ
みを防止することができる。言い換えれば、副基板１１
上に帰還回路Ｆ１，Ｆ２などの電力増幅のための周辺回
路を実装することができ、これにより、主基板１０にお
ける必要な回路スペースを小さくすることができる。
【００２７】以上の実施例においては、複数のコンタク
トピン１１，１２を用いて副基板１１を主基板１０に対
して支持しているが、主基板１０上にボードコネクタを
設けて当該ボードコネクタに副基板１１を挿入して支持
してもよいし、主基板１０と副基板１１のための２つの
ボードコネクタをケースに設けて、各ボードコネクタに
それぞれ主基板１０と副基板１１に挿入して支持するよ
うにしてもよい。この場合においても、温度検出素子で
あるサーミスタＴＨ１やバリスタＤ１はコンパウンド２
１，２２を介して電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２の上
表面に熱結合して接触するように主基板１０と副基板１
１とが支持固定される。
トピン１１，１２を用いて副基板１１を主基板１０に対
して支持しているが、主基板１０上にボードコネクタを
設けて当該ボードコネクタに副基板１１を挿入して支持
してもよいし、主基板１０と副基板１１のための２つの
ボードコネクタをケースに設けて、各ボードコネクタに
それぞれ主基板１０と副基板１１に挿入して支持するよ
うにしてもよい。この場合においても、温度検出素子で
あるサーミスタＴＨ１やバリスタＤ１はコンパウンド２
１，２２を介して電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２の上
表面に熱結合して接触するように主基板１０と副基板１
１とが支持固定される。
【００２８】以上の実施例においては、温度検出素子と
して、サーミスタＴＨ１とバリスタＤ１とを用いている
が、本発明はこれに限らず、温度検出用ダイオードなど
の温度検出素子を用いてもよい。
して、サーミスタＴＨ１とバリスタＤ１とを用いている
が、本発明はこれに限らず、温度検出用ダイオードなど
の温度検出素子を用いてもよい。
【００２９】以上の実施例においては、電力増幅用能動
素子として、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２を用いて
いるが、本発明はこれに限らず、電力増幅用ＦＥＴを用
いてもよい。
素子として、電力トランジスタＴＲ１，ＴＲ２を用いて
いるが、本発明はこれに限らず、電力増幅用ＦＥＴを用
いてもよい。
【００３０】以上の実施例においては、無線機の高周波
電力増幅回路について説明しているが、本発明はこれに
限らず、低周波又は高周波の電力増幅回路に広く適用す
ることができる。
電力増幅回路について説明しているが、本発明はこれに
限らず、低周波又は高周波の電力増幅回路に広く適用す
ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る請求項
１記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
ては、電力増幅回路のための電力増幅用能動素子が装着
されてケースに固定される主基板とは別の副基板に、電
力増幅の動作安定化のための温度検出素子を装着し、上
記温度検出素子が上記能動素子に熱結合するように上記
副基板を上記主基板又は上記ケースに支持部材により支
持される。従って、当該電力増幅回路に対して振動が加
わった場合であっても、上記能動素子と上記温度検出素
子との間の熱結合の度合いを一定に保持することができ
る。これにより、当該電力増幅回路の回路動作をさらに
安定化することができる。
１記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構造におい
ては、電力増幅回路のための電力増幅用能動素子が装着
されてケースに固定される主基板とは別の副基板に、電
力増幅の動作安定化のための温度検出素子を装着し、上
記温度検出素子が上記能動素子に熱結合するように上記
副基板を上記主基板又は上記ケースに支持部材により支
持される。従って、当該電力増幅回路に対して振動が加
わった場合であっても、上記能動素子と上記温度検出素
子との間の熱結合の度合いを一定に保持することができ
る。これにより、当該電力増幅回路の回路動作をさらに
安定化することができる。
【００３２】また、請求項２記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造においては、上記温度検出素子は、
上記副基板に面実装される。従って、図３の従来例のよ
うに後工程により、温度検出素子をハンダ付けする必要
がない。すなわち、上記主基板と副基板上にそれぞれ必
要な素子を装着実装した後、上記支持部材により支持す
るので、製造工程が従来例に比較してきわめて簡単にな
る。従って、従来例に比較して製造工程の作業性を改善
することができるとともに、大量生産に適用することが
できる。
検出素子の実装構造においては、上記温度検出素子は、
上記副基板に面実装される。従って、図３の従来例のよ
うに後工程により、温度検出素子をハンダ付けする必要
がない。すなわち、上記主基板と副基板上にそれぞれ必
要な素子を装着実装した後、上記支持部材により支持す
るので、製造工程が従来例に比較してきわめて簡単にな
る。従って、従来例に比較して製造工程の作業性を改善
することができるとともに、大量生産に適用することが
できる。
【００３３】さらに、請求項３記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造においては、上記支持部材は、上
記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設されて固定され
た複数のピンである。従って、上記主基板と副基板上に
それぞれ必要な素子を装着実装した後、上記複数のピン
を用いて支持することにより、製造工程が従来例に比較
してきわめて簡単になる。従って、従来例に比較して製
造工程の作業性を改善することができるとともに、大量
生産に適用することができる。
度検出素子の実装構造においては、上記支持部材は、上
記主基板と上記副基板とにそれぞれ立設されて固定され
た複数のピンである。従って、上記主基板と副基板上に
それぞれ必要な素子を装着実装した後、上記複数のピン
を用いて支持することにより、製造工程が従来例に比較
してきわめて簡単になる。従って、従来例に比較して製
造工程の作業性を改善することができるとともに、大量
生産に適用することができる。
【００３４】また、請求項４記載の電力増幅回路の温度
検出素子の実装構造においては、上記副基板に、上記電
力増幅回路の帰還回路が設けられる。従って、電力増幅
用能動素子から上記帰還回路へのリード線を従来例に短
くすることができ、不必要な高周波などの周波数成分の
回りこみを防止することができる。言い換えれば、上記
副基板上に帰還回路などの電力増幅のための周辺回路を
実装することができ、これにより、上記主基板における
必要な回路スペースを小さくすることができる。
検出素子の実装構造においては、上記副基板に、上記電
力増幅回路の帰還回路が設けられる。従って、電力増幅
用能動素子から上記帰還回路へのリード線を従来例に短
くすることができ、不必要な高周波などの周波数成分の
回りこみを防止することができる。言い換えれば、上記
副基板上に帰還回路などの電力増幅のための周辺回路を
実装することができ、これにより、上記主基板における
必要な回路スペースを小さくすることができる。
【００３５】さらに、請求項５記載の電力増幅回路の温
度検出素子の実装構造においては、上記電力増幅回路
は、無線機の高周波電力増幅回路である。上記温度検出
素子の面実装により、そのリード線を短くすることがで
きるので、高周波の当該温度検出素子への回り込みを防
止することができる。
度検出素子の実装構造においては、上記電力増幅回路
は、無線機の高周波電力増幅回路である。上記温度検出
素子の面実装により、そのリード線を短くすることがで
きるので、高周波の当該温度検出素子への回り込みを防
止することができる。
【図１】 本発明に係る一実施例である主基板と副基板
を備えた無線機の高周波電力増幅回路の一部の縦断面図
である。
を備えた無線機の高周波電力増幅回路の一部の縦断面図
である。
【図２】 図１の副基板の裏表面を示す平面図である。
【図３】 従来例の無線機の高周波電力増幅回路の一部
の平面図である。
の平面図である。
１０…主基板、 １１…副基板、 １２，１３…コンタクトピン、 ２１，２２…コンパウンド、 ３１，３２，４１，４２…ピン挿入孔、 Ｄ１…バリスタ、 Ｆ１，Ｆ２…帰還回路、 ＴＨ１…サーミスタ、 ＴＲ１，ＴＲ２…電力トランジスタ。
Claims (5)
- 【請求項１】 電力増幅回路のための電力増幅用能動素
子が装着されてケースに固定される主基板とは別の副基
板に、電力増幅の動作安定化のための温度検出素子を装
着し、上記温度検出素子が上記能動素子に熱結合するよ
うに上記副基板を上記主基板又は上記ケースに支持部材
により支持したことを特徴とする電力増幅回路の温度検
出素子の実装構造。 - 【請求項２】 上記温度検出素子は、上記副基板に面実
装されたことを特徴とする請求項１記載の電力増幅回路
の温度検出素子の実装構造。 - 【請求項３】 上記支持部材は、上記主基板と上記副基
板とにそれぞれ立設されて固定された複数のピンである
ことを特徴とする請求項１又は２記載の電力増幅回路の
温度検出素子の実装構造。 - 【請求項４】 上記副基板に、上記電力増幅回路の帰還
回路が設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のう
ちの１つに記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構
造。 - 【請求項５】 上記電力増幅回路は、無線機の高周波電
力増幅回路であることを特徴とする請求項１乃至４のう
ちの１つに記載の電力増幅回路の温度検出素子の実装構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7099281A JPH08293739A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 電力増幅回路の温度検出素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7099281A JPH08293739A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 電力増幅回路の温度検出素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293739A true JPH08293739A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14243281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7099281A Pending JPH08293739A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 電力増幅回路の温度検出素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293739A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018014356A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| CN110336264A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-15 | 成都铁达电子股份有限公司 | 一种限压电路 |
| US11264954B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-01 | Analog Devices, Inc. | Thermal temperature sensors for power amplifiers |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP7099281A patent/JPH08293739A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018014356A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| CN109478540A (zh) * | 2016-07-19 | 2019-03-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体装置 |
| CN110336264A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-15 | 成都铁达电子股份有限公司 | 一种限压电路 |
| CN110336264B (zh) * | 2019-08-22 | 2024-01-26 | 成都铁达电子股份有限公司 | 一种限压电路 |
| US11264954B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-01 | Analog Devices, Inc. | Thermal temperature sensors for power amplifiers |
| US11791775B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-10-17 | Analog Devices, Inc. | Thermal temperature sensors for power amplifiers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040907 |