JPH0514015A - 高周波ｓｍｄモジユール - Google Patents
高周波ｓｍｄモジユールInfo
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- JPH0514015A JPH0514015A JP3189173A JP18917391A JPH0514015A JP H0514015 A JPH0514015 A JP H0514015A JP 3189173 A JP3189173 A JP 3189173A JP 18917391 A JP18917391 A JP 18917391A JP H0514015 A JPH0514015 A JP H0514015A
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- gnd pattern
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高周波ＳＭＤモジュールに関し、
高周波ＳＭＤモジュールを小型化すると共に、良好なシ
ールド性を維持できるようにすることを目的とする。 【構成】 多層基板２の内部に、ＧＮＤパターン３によ
るシールド層を設定し、このＧＮＤパターン３より表面
側（図の上側）に高周波回路を実装する。また、高周波
回路の実装部側にシールドキャップ１を被せてＧＮＤパ
ターン３と接続し、高周波回路をシールドするが、この
場合、高周波回路の抵抗のみを、多層基板２の底面に、
印刷抵抗７として配置する。この印刷抵抗７は、ブライ
ンドスルーホール８により、他の回路部品と接続する。
高周波ＳＭＤモジュールを小型化すると共に、良好なシ
ールド性を維持できるようにすることを目的とする。 【構成】 多層基板２の内部に、ＧＮＤパターン３によ
るシールド層を設定し、このＧＮＤパターン３より表面
側（図の上側）に高周波回路を実装する。また、高周波
回路の実装部側にシールドキャップ１を被せてＧＮＤパ
ターン３と接続し、高周波回路をシールドするが、この
場合、高周波回路の抵抗のみを、多層基板２の底面に、
印刷抵抗７として配置する。この印刷抵抗７は、ブライ
ンドスルーホール８により、他の回路部品と接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波ＳＭＤモジュー
ルに関し、更に詳しく言えば、高周波用発振器、送信
器、混合器、高周波増幅器等を、多層基板を用いてＳＭ
Ｄ（表面実装型部品）化した高周波ＳＭＤモジュールに
関する。
ルに関し、更に詳しく言えば、高周波用発振器、送信
器、混合器、高周波増幅器等を、多層基板を用いてＳＭ
Ｄ（表面実装型部品）化した高周波ＳＭＤモジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来考えられていた高周波ＳＭ
Ｄモジュールを示した図であり、図４Ａは高周波増幅器
の回路例、図４Ｂは高周波ＳＭＤモジュールの断面図で
ある。
Ｄモジュールを示した図であり、図４Ａは高周波増幅器
の回路例、図４Ｂは高周波ＳＭＤモジュールの断面図で
ある。
【０００３】図中、Ｒ1 〜Ｒ4 は抵抗、Ｔｒはトランジ
スタ、Ｃ1 〜Ｃ5 はコンデンサ、Ｌはコイル、ＩＮは入
力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖｃｃは電源、１はシール
ドキャップ、２は多層基板、３はＧＮＤパターン、４は
ＧＮＤ電極、５は部品搭載面、６は実装部品（ディスク
リート部品）、７は印刷抵抗を示す。
スタ、Ｃ1 〜Ｃ5 はコンデンサ、Ｌはコイル、ＩＮは入
力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖｃｃは電源、１はシール
ドキャップ、２は多層基板、３はＧＮＤパターン、４は
ＧＮＤ電極、５は部品搭載面、６は実装部品（ディスク
リート部品）、７は印刷抵抗を示す。
【０００４】従来考えられていた高周波ＳＭＤモジュー
ルは、高周波増幅器の例であり、その回路例を図４Ａに
示す。この高周波増幅器（一段増幅）は、トランジスタ
Ｔｒ、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、コンデンサＣ1 〜Ｃ5 、コイル
Ｌ等で構成されており、入力端子ＩＮに入力した高周波
信号を増幅し、増幅した高周波信号を、出力端子ＯＵＴ
から出力する。
ルは、高周波増幅器の例であり、その回路例を図４Ａに
示す。この高周波増幅器（一段増幅）は、トランジスタ
Ｔｒ、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、コンデンサＣ1 〜Ｃ5 、コイル
Ｌ等で構成されており、入力端子ＩＮに入力した高周波
信号を増幅し、増幅した高周波信号を、出力端子ＯＵＴ
から出力する。
【０００５】このような回路構成の高周波増幅器を、多
層基板に実装し、ＳＭＤ化した高周波ＳＭＤモジュール
の断面は、図４Ｂのようになっている。図示のように、
多層基板２の内部に、ＧＮＤパターン（厚膜導体パター
ン）３が形成してあり、このＧＮＤパターンの端部は、
多層基板の側面に形成したＧＮＤ電極４と電気的に接続
してある。
層基板に実装し、ＳＭＤ化した高周波ＳＭＤモジュール
の断面は、図４Ｂのようになっている。図示のように、
多層基板２の内部に、ＧＮＤパターン（厚膜導体パター
ン）３が形成してあり、このＧＮＤパターンの端部は、
多層基板の側面に形成したＧＮＤ電極４と電気的に接続
してある。
【０００６】前記ＧＮＤパターン３は、多層基板２の所
定の層の全面にわたって厚膜導体パターンを形成したも
のであり、多層基板２の下方向（図の下方向）に対する
シールドを行うものである。
定の層の全面にわたって厚膜導体パターンを形成したも
のであり、多層基板２の下方向（図の下方向）に対する
シールドを行うものである。
【０００７】また、多層基板２の表面側（図の上側）に
は、シールドキャップ１が被せてあり、多層基板２の側
面において、ＧＮＤ電極４とシールドキャップ１とを接
続する。
は、シールドキャップ１が被せてあり、多層基板２の側
面において、ＧＮＤ電極４とシールドキャップ１とを接
続する。
【０００８】そして、シールドキャップ１と、ＧＮＤパ
ターン３とによって囲まれた領域の多層基板２には、図
４Ａに示した回路を実装する。この時、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4
は、多層基板２の部品搭載面５上に、印刷抵抗７として
実装していた。
ターン３とによって囲まれた領域の多層基板２には、図
４Ａに示した回路を実装する。この時、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4
は、多層基板２の部品搭載面５上に、印刷抵抗７として
実装していた。
【０００９】また、トランジスタＴｒ、コンデンサ
Ｃ1 、Ｃ3 等の実装部品（ディスクリート部品）６も部
品搭載面５上に搭載してあり、他の一部の部品と、一部
の配線パターンが、厚膜パターンとして多層基板２に内
蔵してある。
Ｃ1 、Ｃ3 等の実装部品（ディスクリート部品）６も部
品搭載面５上に搭載してあり、他の一部の部品と、一部
の配線パターンが、厚膜パターンとして多層基板２に内
蔵してある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなものにお
いては、次のような課題があった。 (1) 印刷抵抗が、多層基板の部品搭載面に配置されてい
ると、高周波ＳＭＤモジュールの小型化が困難である。
いては、次のような課題があった。 (1) 印刷抵抗が、多層基板の部品搭載面に配置されてい
ると、高周波ＳＭＤモジュールの小型化が困難である。
【００１１】(2) 高周波ＳＭＤモジュールを小型化する
ため、次のような方法も考えられる。即ち、高周波ＳＭ
Ｄモジュールを構成する多層基板内に、ＧＮＤパターン
を設定せず、底面側へ印刷抵抗を集中して設定する。そ
して、マザーボード上に、前記の高周波ＳＭＤモジュー
ルを実装するためのＧＮＤパターンを設定しておく方法
である。
ため、次のような方法も考えられる。即ち、高周波ＳＭ
Ｄモジュールを構成する多層基板内に、ＧＮＤパターン
を設定せず、底面側へ印刷抵抗を集中して設定する。そ
して、マザーボード上に、前記の高周波ＳＭＤモジュー
ルを実装するためのＧＮＤパターンを設定しておく方法
である。
【００１２】しかし、このような方法では、マザーボー
ドのパターニングに制約を受ける等の問題がある。本発
明は、このような課題を解決し、高周波ＳＭＤモジュー
ルを小型化すると共に、良好なシールド性を維持できる
ようにすることを目的とする。
ドのパターニングに制約を受ける等の問題がある。本発
明は、このような課題を解決し、高周波ＳＭＤモジュー
ルを小型化すると共に、良好なシールド性を維持できる
ようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
あり、図中、図４と同符号は同一のものを示す。また９
はオーバーコート層を示す。
あり、図中、図４と同符号は同一のものを示す。また９
はオーバーコート層を示す。
【００１４】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。(1) 多層基板２の内部に、ＧＮＤパタ
ーン３によるシールド層を設定し、該ＧＮＤパターン３
より表面側の多層基板２に、高周波回路を実装すると共
に、その上からシールドキャップ１を被せて、ＧＮＤパ
ターン３と接続することにより、高周波回路をシールド
した高周波ＳＭＤモジュールにおいて、前記高周波回路
を構成する抵抗を、多層基板２の底面側に、印刷抵抗７
として設定した。
ように構成した。(1) 多層基板２の内部に、ＧＮＤパタ
ーン３によるシールド層を設定し、該ＧＮＤパターン３
より表面側の多層基板２に、高周波回路を実装すると共
に、その上からシールドキャップ１を被せて、ＧＮＤパ
ターン３と接続することにより、高周波回路をシールド
した高周波ＳＭＤモジュールにおいて、前記高周波回路
を構成する抵抗を、多層基板２の底面側に、印刷抵抗７
として設定した。
【００１５】(2) 上記構成(1) において、多層基板２の
底面側に設定した印刷抵抗７と、他の回路部品間を、上
記ＧＮＤパターン３を貫通して接続した。
底面側に設定した印刷抵抗７と、他の回路部品間を、上
記ＧＮＤパターン３を貫通して接続した。
【００１６】
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図１を参照
しながら説明する。シールドキャップ１と、ＧＮＤパタ
ーン３とで囲まれた領域の多層基板２には、高周波回路
を実装するが、この時、高周波回路を構成する抵抗のみ
を、多層基板の底面に、印刷抵抗７として設定する。
しながら説明する。シールドキャップ１と、ＧＮＤパタ
ーン３とで囲まれた領域の多層基板２には、高周波回路
を実装するが、この時、高周波回路を構成する抵抗のみ
を、多層基板の底面に、印刷抵抗７として設定する。
【００１７】このようにすれば、多層基板２の表面で
は、印刷抵抗を設定するスペースが不要となり、その
分、高周波ＳＭＤモジュールの小型化ができる。また、
高周波ＳＭＤモジュールの使用時には、上記印刷抵抗７
にほとんど高周波電流が流れない。従って、高周波回路
のシールド性は良好に保たれる。
は、印刷抵抗を設定するスペースが不要となり、その
分、高周波ＳＭＤモジュールの小型化ができる。また、
高周波ＳＭＤモジュールの使用時には、上記印刷抵抗７
にほとんど高周波電流が流れない。従って、高周波回路
のシールド性は良好に保たれる。
【００１８】更に、底面側に設定した印刷抵抗７と、他
の回路部品との間は、ＧＮＤパターン３を貫通して、ブ
ラインドスルーホール８により接続する。このような接
続を行うことにより、印刷抵抗７と他の回路部品との間
は、最短距離で接続できる。このため、高周波回路の特
性は良好に保たれる。
の回路部品との間は、ＧＮＤパターン３を貫通して、ブ
ラインドスルーホール８により接続する。このような接
続を行うことにより、印刷抵抗７と他の回路部品との間
は、最短距離で接続できる。このため、高周波回路の特
性は良好に保たれる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （実施例の説明）図２〜図３は、本発明の実施例を示し
た図であり、図２は高周波ＳＭＤモジュールを示した
図、図３は図２のＡ部拡大図である。図中、図１、図４
と同符号は同一のものを示す。また、１０は電源端子、
１１は配線パターンを示す。
する。 （実施例の説明）図２〜図３は、本発明の実施例を示し
た図であり、図２は高周波ＳＭＤモジュールを示した
図、図３は図２のＡ部拡大図である。図中、図１、図４
と同符号は同一のものを示す。また、１０は電源端子、
１１は配線パターンを示す。
【００２０】この実施例の高周波ＳＭＤモジュールは、
図４Ａに示した回路構成の高周波増幅器に適用した例で
ある。図２Ａは、前記高周波ＳＭＤモジュールの断面図
であり、図２Ｂは底面図である。
図４Ａに示した回路構成の高周波増幅器に適用した例で
ある。図２Ａは、前記高周波ＳＭＤモジュールの断面図
であり、図２Ｂは底面図である。
【００２１】ところで一般的に、高周波回路をモジュー
ル化する場合、シールドを必要とする。しかし、高周波
回路に使用されている抵抗体には、ほとんど高周波電流
が流れないため、抵抗体自体はシールドしなくても、高
周波回路全体のシールド性には問題がない。
ル化する場合、シールドを必要とする。しかし、高周波
回路に使用されている抵抗体には、ほとんど高周波電流
が流れないため、抵抗体自体はシールドしなくても、高
周波回路全体のシールド性には問題がない。
【００２２】即ち、高周波モジュールでは、抵抗体は、
トランジスタのバイアス設定のために使用されることが
多い。従って、前記抵抗体には高周波の信号成分はほと
んどかからず、直流電源からの直流成分のみがかかる。
トランジスタのバイアス設定のために使用されることが
多い。従って、前記抵抗体には高周波の信号成分はほと
んどかからず、直流電源からの直流成分のみがかかる。
【００２３】例えば、図４Ａの高周波増幅器では、通常
の場合、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 は高抵抗を使用するため、抵抗
Ｒ3 は、コンデンサＣ2 により高周波電流がデカップル
される。また、抵抗Ｒ4 は、コンデンサＣ3 により高周
波電流はバイパスされる。従って、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 には
ほとんど高周波電流が流れない。
の場合、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 は高抵抗を使用するため、抵抗
Ｒ3 は、コンデンサＣ2 により高周波電流がデカップル
される。また、抵抗Ｒ4 は、コンデンサＣ3 により高周
波電流はバイパスされる。従って、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 には
ほとんど高周波電流が流れない。
【００２４】しかしながら、上記抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 は、そ
れぞれ接続される部品端子に、できるだけ近づけて配置
する必要がある。例えば抵抗Ｒ2 はトランジスタＴｒの
ベース端子に、できるだけ近づけて配置する必要があ
り、抵抗Ｒ4 はトランジスタＴｒのエミッタ端子にでき
るだけ近づけて配置する必要がある。
れぞれ接続される部品端子に、できるだけ近づけて配置
する必要がある。例えば抵抗Ｒ2 はトランジスタＴｒの
ベース端子に、できるだけ近づけて配置する必要があ
り、抵抗Ｒ4 はトランジスタＴｒのエミッタ端子にでき
るだけ近づけて配置する必要がある。
【００２５】そこでこの実施例では、上記の点を考慮し
て部品の配置を改善し、図２、図３に示した高周波ＳＭ
Ｄモジュールとしたものである。図示のように、多層基
板２の内部にはＧＮＤパターン３が形成してあり、この
ＧＮＤパターン３の端部は、多層基板２の側面に形成し
たＧＮＤ電極４と電気的に接続してある。
て部品の配置を改善し、図２、図３に示した高周波ＳＭ
Ｄモジュールとしたものである。図示のように、多層基
板２の内部にはＧＮＤパターン３が形成してあり、この
ＧＮＤパターン３の端部は、多層基板２の側面に形成し
たＧＮＤ電極４と電気的に接続してある。
【００２６】また、多層基板２の表面側（図の上側）に
はシールドキャップ１が被せてあり、多層基板２の側面
において、ＧＮＤ電極４とシールドキャップ１とを接続
する。そして、シールドキャップ１とＧＮＤパターン３
で囲まれた領域の多層基板２には、図４Ａに示した高周
波増幅器の回路の内、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 を除いた回路を実
装する。
はシールドキャップ１が被せてあり、多層基板２の側面
において、ＧＮＤ電極４とシールドキャップ１とを接続
する。そして、シールドキャップ１とＧＮＤパターン３
で囲まれた領域の多層基板２には、図４Ａに示した高周
波増幅器の回路の内、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 を除いた回路を実
装する。
【００２７】また、多層基板２の底面側（図の下側の外
側表面）には、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 を印刷抵抗７として実装
する。この場合、多層基板２の底面（シールドキャップ
１を被せた面と反対側の面）には、配線パターン１１を
厚膜パターンとして形成しておき、この配線パターン１
１に印刷抵抗（Ｒ1 〜Ｒ4 ）７をそれぞれ接続する。
側表面）には、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 を印刷抵抗７として実装
する。この場合、多層基板２の底面（シールドキャップ
１を被せた面と反対側の面）には、配線パターン１１を
厚膜パターンとして形成しておき、この配線パターン１
１に印刷抵抗（Ｒ1 〜Ｒ4 ）７をそれぞれ接続する。
【００２８】そして、これらの印刷抵抗７と、それ以外
の高周波増幅器の回路部品とは、ＧＮＤパターン３を貫
通して、ブラインドスルーホール８により接続する。Ｇ
ＮＤパターン３を貫通させるには、図３のようにして行
う。即ち、図３（図２ＡのＡ点の拡大図）に示したよう
に、ＧＮＤパターン３の一部にドーナツ状の余白（導体
の無い部分）１２を設け、このドーナツ状の余白のほぼ
中心部にスルーホール電極１３を設ける。
の高周波増幅器の回路部品とは、ＧＮＤパターン３を貫
通して、ブラインドスルーホール８により接続する。Ｇ
ＮＤパターン３を貫通させるには、図３のようにして行
う。即ち、図３（図２ＡのＡ点の拡大図）に示したよう
に、ＧＮＤパターン３の一部にドーナツ状の余白（導体
の無い部分）１２を設け、このドーナツ状の余白のほぼ
中心部にスルーホール電極１３を設ける。
【００２９】前記スルーホール電極１３は、ＧＮＤパタ
ーン３とは絶縁した状態で形成し、このスルーホール電
極に、ブラインドスルーホール８を接続することによ
り、ＧＮＤパターン３を貫通する。
ーン３とは絶縁した状態で形成し、このスルーホール電
極に、ブラインドスルーホール８を接続することによ
り、ＧＮＤパターン３を貫通する。
【００３０】上記のような貫通手段を用いて、印刷抵抗
７と、他の回路部品とを最短距離で接続し、全体として
図４Ａのように部品間の接続を行う。多層基板２の底面
には、上記のようにして印刷抵抗７を配置し、他の部品
との接続を行うが、これらの印刷抵抗７及び配線パター
ン１１を含めて、多層基板２の底面には、全面にわたっ
てオーバーコート層９を設ける。
７と、他の回路部品とを最短距離で接続し、全体として
図４Ａのように部品間の接続を行う。多層基板２の底面
には、上記のようにして印刷抵抗７を配置し、他の部品
との接続を行うが、これらの印刷抵抗７及び配線パター
ン１１を含めて、多層基板２の底面には、全面にわたっ
てオーバーコート層９を設ける。
【００３１】また、多層基板２の側面の４隅には、ＧＮ
Ｄ電極４を設け、これらのＧＮＤ電極４の間には入力端
子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ及び電源端子（Ｖｃｃ）１０を
設け、回路部品と接続する。
Ｄ電極４を設け、これらのＧＮＤ電極４の間には入力端
子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ及び電源端子（Ｖｃｃ）１０を
設け、回路部品と接続する。
【００３２】上記実施例の高周波ＳＭＤモジュールは、
表面実装型の部品であるから、多層基板２の側面に設け
た各電極を、例えばマザーボード上の配線パターンに半
田等で接続して使用する。この場合、印刷抵抗７を設定
した多層基板２の底面が、マザーボードに接するが、印
刷抵抗７はその厚さが極めて薄いため、実装上支障はな
い。
表面実装型の部品であるから、多層基板２の側面に設け
た各電極を、例えばマザーボード上の配線パターンに半
田等で接続して使用する。この場合、印刷抵抗７を設定
した多層基板２の底面が、マザーボードに接するが、印
刷抵抗７はその厚さが極めて薄いため、実装上支障はな
い。
【００３３】（他の実施例の説明）以上実施例について
説明したが、本発明は次のようにしても実施可能であ
る。 (1) 高周波増幅器だけでなく、高周波発振器、送信器、
混合器等、各種の高周波回路に適用可能である。
説明したが、本発明は次のようにしても実施可能であ
る。 (1) 高周波増幅器だけでなく、高周波発振器、送信器、
混合器等、各種の高周波回路に適用可能である。
【００３４】(2) 多層基板の側面に設けた各電極の配置
は、どのようなものでもよい。 (3) ＧＮＤパターンの設定は、多層基板内の任意の層に
行ってよい。 (4) 多層基板の底面に配置する印刷抵抗は、高周波回路
を構成する全ての抵抗でもよいが、一部の抵抗だけでも
よい。
は、どのようなものでもよい。 (3) ＧＮＤパターンの設定は、多層基板内の任意の層に
行ってよい。 (4) 多層基板の底面に配置する印刷抵抗は、高周波回路
を構成する全ての抵抗でもよいが、一部の抵抗だけでも
よい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) 印刷抵抗を、多層基板の底面に設定するので、その
分、表面側の実装面積が少なくて済む。従って、高周波
ＳＭＤモジュールが小型化できる。
のような効果がある。 (1) 印刷抵抗を、多層基板の底面に設定するので、その
分、表面側の実装面積が少なくて済む。従って、高周波
ＳＭＤモジュールが小型化できる。
【００３６】(2) 印刷抵抗を多層基板の底面に設定した
場合、これらの印刷抵抗は、シールド領域の外側の配置
となる。しかしこれらの印刷抵抗には、ほとんど高周波
電流が流れないため、高周波回路のシールド性には影響
を与えない。従って、高周波ＳＭＤモジュールのシール
ド性は良好な状態に保たれる。
場合、これらの印刷抵抗は、シールド領域の外側の配置
となる。しかしこれらの印刷抵抗には、ほとんど高周波
電流が流れないため、高周波回路のシールド性には影響
を与えない。従って、高周波ＳＭＤモジュールのシール
ド性は良好な状態に保たれる。
【００３７】(3) 多層基板の底面に設定した印刷抵抗
と、他の回路部品の間は、ＧＮＤパターンを貫通してブ
ラインドスルーホールにより最短距離で接続できる。従
って、高周波回路の特性は良好に保てる。 (4) マザーボードのパターニングには、何ら制約を受け
ることがない。
と、他の回路部品の間は、ＧＮＤパターンを貫通してブ
ラインドスルーホールにより最短距離で接続できる。従
って、高周波回路の特性は良好に保てる。 (4) マザーボードのパターニングには、何ら制約を受け
ることがない。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の実施例における高周波ＳＭＤモジュー
ルを示した図である。
ルを示した図である。
【図３】図２のＡ部拡大図である。
【図４】従来考えられていた高周波ＳＭＤモジュールの
例を示した図である。
例を示した図である。
１ シールドキャップ
２ 多層基板
３ ＧＮＤパターン
４ ＧＮＤ電極
５ 部品搭載面
６ 実装部品
７ 印刷抵抗
８ ブラインドスルーホール
９ オーバーコート層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０３Ｆ 3/19 7328−5Ｊ
Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｎ 8727−4Ｅ
1/16 Ｅ 8727−4Ｅ
3/46 Ｑ 6921−4Ｅ
9/00 Ｒ 7128−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 多層基板（２）の内部に、ＧＮＤパター
ン（３）によるシールド層を設定し、 該ＧＮＤパターン（３）より表面側の多層基板（２）
に、高周波回路を実装すると共に、 その上からシールドキャップ（１）を被せて、ＧＮＤパ
ターン（３）と接続することにより、 高周波回路をシールドした高周波ＳＭＤモジュールにお
いて、 前記高周波回路を構成する抵抗を、多層基板（２）の底
面側に、印刷抵抗（７）として設定したことを特徴とす
る高周波ＳＭＤモジュール。 - 【請求項２】 多層基板（２）の底面側に設定した印刷
抵抗（７）と、他の回路部品との間を、 上記ＧＮＤパターン（３）を貫通して接続したことを特
徴とする請求項１記載の高周波ＳＭＤモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189173A JPH0514015A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 高周波ｓｍｄモジユール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189173A JPH0514015A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 高周波ｓｍｄモジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514015A true JPH0514015A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16236707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3189173A Withdrawn JPH0514015A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 高周波ｓｍｄモジユール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514015A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1013077A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Corp | 混成集積回路のシールド構造 |
| JP2001166020A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Nippon Soken Inc | 磁気検出アンテナ |
| JP2002057268A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体集積回路装置、電気回路装置、電子機器及び制御機器 |
| US6906411B1 (en) | 2000-06-29 | 2005-06-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multilayer substrate module and portable wireless terminal |
| EP1648028A1 (en) * | 2004-06-10 | 2006-04-19 | Matsushita Electric Industries Co., Ltd. | Composite electronic component |
| US7301775B2 (en) | 2005-09-26 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Receiving device |
| EP2009692A1 (en) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | TDK Corporation | Electronic module and fabrication method thereof |
| US9252476B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module including a splitter and a mounting substrate |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP3189173A patent/JPH0514015A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1013077A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Corp | 混成集積回路のシールド構造 |
| JP2001166020A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Nippon Soken Inc | 磁気検出アンテナ |
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| US6803655B2 (en) | 2000-08-08 | 2004-10-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor integrated circuit device with EMI prevention structure |
| EP1648028A1 (en) * | 2004-06-10 | 2006-04-19 | Matsushita Electric Industries Co., Ltd. | Composite electronic component |
| EP1648028A4 (en) * | 2004-06-10 | 2010-05-26 | Panasonic Corp | COMPOSITE ELECTRONIC COMPONENT |
| US7301775B2 (en) | 2005-09-26 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Receiving device |
| EP2009692A1 (en) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | TDK Corporation | Electronic module and fabrication method thereof |
| US9252476B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module including a splitter and a mounting substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |