JPH08288286A - シリコン酸化膜の成膜方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の成膜方法Info
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- JPH08288286A JPH08288286A JP9390195A JP9390195A JPH08288286A JP H08288286 A JPH08288286 A JP H08288286A JP 9390195 A JP9390195 A JP 9390195A JP 9390195 A JP9390195 A JP 9390195A JP H08288286 A JPH08288286 A JP H08288286A
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- silicon oxide
- oxide film
- film
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜を成膜
工程だけで簡単に形成する。 【構成】 有機シランガスと酸化性ガスとを用いたプラ
ズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を基板上に成膜する
際、基板表面の温度を部分的に変化させて成膜を行う。
その基板表面の部分的な温度変化は、基板表面の一部４
にレーザ光線を照射して加熱したり、強光またはエネル
ギービームを照射して加熱することによりなされる。ま
た、基板１上に導電性パターン４が形成されている場合
には、電流を流したり、導電性パターン４を閉ループ回
路パターンにして誘導電流を流すことにより、基板表面
の温度を部分的に加熱してもよい。
工程だけで簡単に形成する。 【構成】 有機シランガスと酸化性ガスとを用いたプラ
ズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を基板上に成膜する
際、基板表面の温度を部分的に変化させて成膜を行う。
その基板表面の部分的な温度変化は、基板表面の一部４
にレーザ光線を照射して加熱したり、強光またはエネル
ギービームを照射して加熱することによりなされる。ま
た、基板１上に導電性パターン４が形成されている場合
には、電流を流したり、導電性パターン４を閉ループ回
路パターンにして誘導電流を流すことにより、基板表面
の温度を部分的に加熱してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン酸化膜の成膜
方法に関し、特に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称
する）やアクティブマトリクス基板等に用いられるシリ
コン酸化膜の成膜方法に関する。
方法に関し、特に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称
する）やアクティブマトリクス基板等に用いられるシリ
コン酸化膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴ等を備えた半導体装置の製
造において、絶縁膜として低温（４００℃以下）で被覆
性の良いシリコン酸化膜を成膜する場合、有機シランガ
スと酸化性ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によ
り成膜するのが好ましいことが知られている（Ｐｌａｓ
ｍａ ＴＥＯＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｒ
ｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ａｐｐｌｅｃａｔ
ｉｏｎｓ：Ｓｏｌｅｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ， ｐｐ．１１９−１２２（１９８８）／Ｃｈａｒ
ａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈ
ａｎｃｅｄ−Ｃｈｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉ
ｃａｔｅＯｘｉｄｅ ａｎｄ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ：Ｊａｐ
ａｎＪ．Ａｐｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．３１，ｐ
ｐ．４５７０−４５７３（１９９２））。
造において、絶縁膜として低温（４００℃以下）で被覆
性の良いシリコン酸化膜を成膜する場合、有機シランガ
スと酸化性ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によ
り成膜するのが好ましいことが知られている（Ｐｌａｓ
ｍａ ＴＥＯＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｒ
ｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ａｐｐｌｅｃａｔ
ｉｏｎｓ：Ｓｏｌｅｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ， ｐｐ．１１９−１２２（１９８８）／Ｃｈａｒ
ａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈ
ａｎｃｅｄ−Ｃｈｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉ
ｃａｔｅＯｘｉｄｅ ａｎｄ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ：Ｊａｐ
ａｎＪ．Ａｐｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．３１，ｐ
ｐ．４５７０−４５７３（１９９２））。
【０００３】ところで、モノリシックアクティブマトリ
クス基板に代表されるような半導体装置においては、１
枚の基板上に数種類以上のデバイスを作製するため、部
分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜が必要な場合があ
る。例えば、高耐圧の必要な絶縁ゲート型ＴＦＴのゲー
ト絶縁膜と、低耐圧で高容量キャパシタの絶縁膜とを同
時に作製する場合などが考えられる。図７は、従来技術
によるシリコン酸化膜の形成工程の一例である。図７
（ａ）に示すように、ガラス基板１上にベースコート膜
２が形成され、その上にポリシリコンによる凸状パター
ン３および４が形成されている。パターン３上には膜厚
の厚いシリコン酸化膜を形成し、パターン４上には膜厚
の薄いシリコン酸化膜を形成する。まず、図７（ｂ）に
示すように、全面に均一な厚みのシリコン酸化膜５を成
膜する。次に、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグ
ラフィー等により膜厚を薄くしないところだけをレジス
ト６で被覆する、。これをエッチングすることによりパ
ターン４上の膜厚を減少させて、図７（ｄ）に示すよう
な、パターン３上に膜厚の厚いシリコン酸化膜が形成さ
れ、パターン４上に膜厚の薄いシリコン酸化膜が形成さ
れる。
クス基板に代表されるような半導体装置においては、１
枚の基板上に数種類以上のデバイスを作製するため、部
分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜が必要な場合があ
る。例えば、高耐圧の必要な絶縁ゲート型ＴＦＴのゲー
ト絶縁膜と、低耐圧で高容量キャパシタの絶縁膜とを同
時に作製する場合などが考えられる。図７は、従来技術
によるシリコン酸化膜の形成工程の一例である。図７
（ａ）に示すように、ガラス基板１上にベースコート膜
２が形成され、その上にポリシリコンによる凸状パター
ン３および４が形成されている。パターン３上には膜厚
の厚いシリコン酸化膜を形成し、パターン４上には膜厚
の薄いシリコン酸化膜を形成する。まず、図７（ｂ）に
示すように、全面に均一な厚みのシリコン酸化膜５を成
膜する。次に、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグ
ラフィー等により膜厚を薄くしないところだけをレジス
ト６で被覆する、。これをエッチングすることによりパ
ターン４上の膜厚を減少させて、図７（ｄ）に示すよう
な、パターン３上に膜厚の厚いシリコン酸化膜が形成さ
れ、パターン４上に膜厚の薄いシリコン酸化膜が形成さ
れる。
【０００４】このように部分的に膜厚の異なるシリコン
酸化膜を従来の方法により形成する場合、他の方法を用
いても、成膜工程、パターニング工程、エッチング工程
等を組み合わせて用いる必要があり、製造工程が複雑に
なる。また、部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜を形
成して基板の平坦化を行う場合も、ほぼ同様の技術によ
り行うことができるが、同様の問題が生じる。さらに、
成膜速度の下地依存性を利用して部分的に膜厚の異なる
シリコン酸化膜を成膜する方法も提案されているが、レ
ジストマスクの作製工程、プラズマ処理工程、下地膜の
成膜工程などが必要であり、この場合も製造工程が複雑
になる（特開平６−４９６４３号公報）。
酸化膜を従来の方法により形成する場合、他の方法を用
いても、成膜工程、パターニング工程、エッチング工程
等を組み合わせて用いる必要があり、製造工程が複雑に
なる。また、部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜を形
成して基板の平坦化を行う場合も、ほぼ同様の技術によ
り行うことができるが、同様の問題が生じる。さらに、
成膜速度の下地依存性を利用して部分的に膜厚の異なる
シリコン酸化膜を成膜する方法も提案されているが、レ
ジストマスクの作製工程、プラズマ処理工程、下地膜の
成膜工程などが必要であり、この場合も製造工程が複雑
になる（特開平６−４９６４３号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、部分的
に膜厚の異なるシリコン酸化膜が必要な場合には、全面
成膜工程、パターニング工程、エッチング工程等を繰り
返して行う必要があり、工程が非常に長く複雑になると
いう問題があった。
に膜厚の異なるシリコン酸化膜が必要な場合には、全面
成膜工程、パターニング工程、エッチング工程等を繰り
返して行う必要があり、工程が非常に長く複雑になると
いう問題があった。
【０００６】本発明は上記従来技術の問題点を解決すべ
くなされたものであり、部分的に膜厚の異なるシリコン
酸化膜を成膜工程だけで簡単に形成できるシリコン酸化
膜の成膜方法を提供することを目的とする。
くなされたものであり、部分的に膜厚の異なるシリコン
酸化膜を成膜工程だけで簡単に形成できるシリコン酸化
膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン酸化膜
の成膜方法は、基板上にシリコン酸化膜を成膜する方法
であって、該基板の表面温度を部分的に変化させた状態
で、有機シランガスと酸化性ガスとを用いたプラズマＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜の成膜を行い、そのことに
より上記目的が達成される。
の成膜方法は、基板上にシリコン酸化膜を成膜する方法
であって、該基板の表面温度を部分的に変化させた状態
で、有機シランガスと酸化性ガスとを用いたプラズマＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜の成膜を行い、そのことに
より上記目的が達成される。
【０００８】本発明のシリコン酸化膜の成膜方法におい
て、前記基板の表面の一部にレーザ光線を照射して加熱
することにより、基板表面の温度を部分的に変化させる
ようにしてもよい。
て、前記基板の表面の一部にレーザ光線を照射して加熱
することにより、基板表面の温度を部分的に変化させる
ようにしてもよい。
【０００９】本発明のシリコン酸化膜の成膜方法におい
て、前記基板の表面の一部に強光またはエネルギービー
ムを照射して加熱することにより、基板表面の温度を部
分的に変化させるようにしてもよい。
て、前記基板の表面の一部に強光またはエネルギービー
ムを照射して加熱することにより、基板表面の温度を部
分的に変化させるようにしてもよい。
【００１０】本発明のシリコン酸化膜の成膜方法におい
て、前記基板が表面上に導電性パターンを備える場合、
該導電性パターンに電流を流すことにより、基板表面の
温度を部分的に変化させるようにしてもよい。
て、前記基板が表面上に導電性パターンを備える場合、
該導電性パターンに電流を流すことにより、基板表面の
温度を部分的に変化させるようにしてもよい。
【００１１】本発明のシリコン酸化膜の成膜方法におい
て、前記導電性パターンが閉ループ回路パターンである
場合、該閉ループ回路パターンに誘導電流を流すことに
より、基板表面の温度を部分的に変化させるようにして
もよい。
て、前記導電性パターンが閉ループ回路パターンである
場合、該閉ループ回路パターンに誘導電流を流すことに
より、基板表面の温度を部分的に変化させるようにして
もよい。
【００１２】本発明のシリコン酸化膜の成膜方法におい
て、前記有機シランガスとして、テトラエチルオルソシ
リケイト、ジエチルシラン、トリエトキシシラン、テト
ラエチルシクロテトラシロキサンおよびテトラメチルシ
クロテトラシロキサンのうちから選択される１種または
２種以上を用いることができる。
て、前記有機シランガスとして、テトラエチルオルソシ
リケイト、ジエチルシラン、トリエトキシシラン、テト
ラエチルシクロテトラシロキサンおよびテトラメチルシ
クロテトラシロキサンのうちから選択される１種または
２種以上を用いることができる。
【００１３】
【作用】有機シランガスと酸化性ガスとを用いたプラズ
マＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜する場合、成膜
速度の基板温度依存性が大きく、基板表面温度を高くす
ると成膜速度を減少でき、基板表面温度を低くすると成
膜速度を増加できる。これは、有機シランガスの反応生
成物である酸化シリコンの前駆体の基板への吸着反応に
より成膜速度が支配されるためと考えられる。本発明は
このような理論に制限されるものではないが、基板温度
依存性を積極的に利用して、基板表面を部分的に変化さ
せることにより膜厚が部分的に異なったシリコン酸化膜
が得られる。
マＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜する場合、成膜
速度の基板温度依存性が大きく、基板表面温度を高くす
ると成膜速度を減少でき、基板表面温度を低くすると成
膜速度を増加できる。これは、有機シランガスの反応生
成物である酸化シリコンの前駆体の基板への吸着反応に
より成膜速度が支配されるためと考えられる。本発明は
このような理論に制限されるものではないが、基板温度
依存性を積極的に利用して、基板表面を部分的に変化さ
せることにより膜厚が部分的に異なったシリコン酸化膜
が得られる。
【００１４】例えば、基板表面の一部にレーザ光線、強
光またはエネルギービーム等を照射して部分的に加熱し
てもよく、基板上に導電性パターンが形成されている場
合には電流を流して部分的に加熱してもよい。また、こ
の導電性パターンを閉ループ回路パターンにして誘導電
流を流すことにより基板表面温度を部分的に加熱しても
よい。いずれの場合にも、その部分に薄いシリコン酸化
膜が成膜されるので、必要な部分に膜厚の異なるシリコ
ン酸化膜を成膜し、あるいは基板の平坦化膜を成膜する
ことができる。
光またはエネルギービーム等を照射して部分的に加熱し
てもよく、基板上に導電性パターンが形成されている場
合には電流を流して部分的に加熱してもよい。また、こ
の導電性パターンを閉ループ回路パターンにして誘導電
流を流すことにより基板表面温度を部分的に加熱しても
よい。いずれの場合にも、その部分に薄いシリコン酸化
膜が成膜されるので、必要な部分に膜厚の異なるシリコ
ン酸化膜を成膜し、あるいは基板の平坦化膜を成膜する
ことができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１６】（実施例１）この実施例では、ガラス基板
上に形成されたパターン上に膜厚が異なるシリコン酸化
膜を成膜する場合について説明する。
上に形成されたパターン上に膜厚が異なるシリコン酸化
膜を成膜する場合について説明する。
【００１７】図１（ａ）にシリコン酸化膜の成膜前の基
板断面図を示す。この被成膜基板は、ガラス基板１上に
ベースコート膜２が成膜され、その上にポリシリコンか
らなる凸状パターン３および４が形成されている。この
被成膜基板に対して、図１（ｂ）に示すように、パター
ン３上は膜厚を厚く、パターン４上は膜厚を薄くしてシ
リコン酸化膜５を成膜する。
板断面図を示す。この被成膜基板は、ガラス基板１上に
ベースコート膜２が成膜され、その上にポリシリコンか
らなる凸状パターン３および４が形成されている。この
被成膜基板に対して、図１（ｂ）に示すように、パター
ン３上は膜厚を厚く、パターン４上は膜厚を薄くしてシ
リコン酸化膜５を成膜する。
【００１８】まず、図２に示すような高周波プラズマＣ
ＶＤ装置を用い、ヒーターが内蔵された基板ホルダー１
１に被成膜基板１６を取り付けて基板温度２５０℃に設
定する。この時、真空槽１０内は、真空排気口１４から
真空ポンプ（図示せず）を用いて排気する。有機シラン
ガスとしてはテトラエチルオルソシリケイト（ＴＥＯ
Ｓ）を、酸化性ガスとしては酸素を用い、これらのガス
を混合してガス導入口１３から導入し、高周波電源１７
に接続されたガス供給シャワープレート付きカソード電
極１２から真空槽１０内に供給する。成膜条件は下記表
１に示すような条件に設定し、パターン４が他の部分よ
り約１００℃高くなるようにレーザ出力を調整して、レ
ーザ光源１５からパターン４に対してレーザ光線２７を
照射しながら成膜を行った。
ＶＤ装置を用い、ヒーターが内蔵された基板ホルダー１
１に被成膜基板１６を取り付けて基板温度２５０℃に設
定する。この時、真空槽１０内は、真空排気口１４から
真空ポンプ（図示せず）を用いて排気する。有機シラン
ガスとしてはテトラエチルオルソシリケイト（ＴＥＯ
Ｓ）を、酸化性ガスとしては酸素を用い、これらのガス
を混合してガス導入口１３から導入し、高周波電源１７
に接続されたガス供給シャワープレート付きカソード電
極１２から真空槽１０内に供給する。成膜条件は下記表
１に示すような条件に設定し、パターン４が他の部分よ
り約１００℃高くなるようにレーザ出力を調整して、レ
ーザ光源１５からパターン４に対してレーザ光線２７を
照射しながら成膜を行った。
【００１９】
【表１】
【００２０】得られたシリコン酸化膜５は、図１（ｂ）
に示すように、パターン３上の膜厚が厚く、パターン４
上の膜厚が薄いシリコン酸化膜であり、１回の成膜によ
り部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜とすることがで
きた。
に示すように、パターン３上の膜厚が厚く、パターン４
上の膜厚が薄いシリコン酸化膜であり、１回の成膜によ
り部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜とすることがで
きた。
【００２１】上記実施例１においては、レーザ光線の照
射により部分的に基板温度を変化させたが、強光やエネ
ルギービームを照射してもよい。
射により部分的に基板温度を変化させたが、強光やエネ
ルギービームを照射してもよい。
【００２２】上記実施例１においては、基板温度を２５
０℃に設定し、部分的に約１００℃高くなるように加熱
したが、設定温度や加熱温度はこれらに限られず他の温
度を用いてもよい。例えば、上記表１の条件における成
膜速度の基板温度依存性は下記表２に示すようなもので
あり、これらの温度を組み合わせて用いることにより異
なった膜厚の組み合わせを得ることができる。
０℃に設定し、部分的に約１００℃高くなるように加熱
したが、設定温度や加熱温度はこれらに限られず他の温
度を用いてもよい。例えば、上記表１の条件における成
膜速度の基板温度依存性は下記表２に示すようなもので
あり、これらの温度を組み合わせて用いることにより異
なった膜厚の組み合わせを得ることができる。
【００２３】
【表２】
【００２４】（実施例２）この実施例では、段差のある
基板を平坦化するためにシリコン酸化膜を成膜する場合
について説明する。
基板を平坦化するためにシリコン酸化膜を成膜する場合
について説明する。
【００２５】図３にシリコン酸化膜成膜前の基板の平面
図を示し、図４（ａ）に図３のＡ−Ａ’線断面図を示
す。この被成膜基板は、ガラス基板１上にベースコート
膜２が成膜され、その上にＡｌからなる凸状パターン７
が線状に形成されている。この被成膜基板に対して、図
４（ｂ）に示すように、パターン７による段差を平坦化
するように、シリコン酸化膜５を成膜する。
図を示し、図４（ａ）に図３のＡ−Ａ’線断面図を示
す。この被成膜基板は、ガラス基板１上にベースコート
膜２が成膜され、その上にＡｌからなる凸状パターン７
が線状に形成されている。この被成膜基板に対して、図
４（ｂ）に示すように、パターン７による段差を平坦化
するように、シリコン酸化膜５を成膜する。
【００２６】まず、実施例１と同様に、図２に示したよ
うな高周波プラズマＣＶＤ装置の基板ホルダー１１に被
成膜基板１６を取り付けて基板温度２５０℃に設定す
る。成膜条件は下記表１に示すような条件に設定し、レ
ーザ光線は使用せずに、パターン７が他の部分より約１
００℃高くなるように、図３に示すパターン７の両端７
ａに電圧を加えて電流を流しながら成膜を行った。
うな高周波プラズマＣＶＤ装置の基板ホルダー１１に被
成膜基板１６を取り付けて基板温度２５０℃に設定す
る。成膜条件は下記表１に示すような条件に設定し、レ
ーザ光線は使用せずに、パターン７が他の部分より約１
００℃高くなるように、図３に示すパターン７の両端７
ａに電圧を加えて電流を流しながら成膜を行った。
【００２７】得られたシリコン酸化膜５は、図４（ｂ）
に示すように、パターン７上の膜厚が薄く、他の部分の
膜厚が厚いシリコン酸化膜であり、１回の成膜により基
板を平坦化することができた。
に示すように、パターン７上の膜厚が薄く、他の部分の
膜厚が厚いシリコン酸化膜であり、１回の成膜により基
板を平坦化することができた。
【００２８】上記実施例２においては、Ａｌパターンが
形成された基板にシリコン酸化膜を成膜したが、導電性
材料であれば同様に成膜を行うことができ、ポリシリコ
ンや金属等を用いてもよい。
形成された基板にシリコン酸化膜を成膜したが、導電性
材料であれば同様に成膜を行うことができ、ポリシリコ
ンや金属等を用いてもよい。
【００２９】（実施例３）この実施例では、段差のある
基板を平坦化するためにシリコン酸化膜を成膜する場合
について説明する。
基板を平坦化するためにシリコン酸化膜を成膜する場合
について説明する。
【００３０】図５にシリコン酸化膜の成膜前の基板の平
面図を示す。図５のＢ−Ｂ’線断面は図４（ａ）と同様
であり、この被成膜基板に対して、図４（ｂ）に示すよ
うに、パターン７による段差を平坦化するように、シリ
コン酸化膜５を成膜する。
面図を示す。図５のＢ−Ｂ’線断面は図４（ａ）と同様
であり、この被成膜基板に対して、図４（ｂ）に示すよ
うに、パターン７による段差を平坦化するように、シリ
コン酸化膜５を成膜する。
【００３１】まず、図５に示す線状のＡｌパターン７を
接続して、図６に示すような大きな閉ループパターン７
ｂを形成する。このような閉ループパターン７ｂは、図
２に示したような高周波プラズマＣＶＤ装置内で成膜を
行うことにより誘導電流が流れて加熱される。このた
め、電源を接続して電流を流さなくても、図４（ｂ）に
示したようなパターン７上の膜厚が薄く、他の部分の膜
厚が厚いシリコン酸化膜５が得られ、１回の成膜により
基板を平坦化することができた。その後、必要に応じて
Ａｌパターン７をエッチング等により切断して所望の配
線として用いることができる。
接続して、図６に示すような大きな閉ループパターン７
ｂを形成する。このような閉ループパターン７ｂは、図
２に示したような高周波プラズマＣＶＤ装置内で成膜を
行うことにより誘導電流が流れて加熱される。このた
め、電源を接続して電流を流さなくても、図４（ｂ）に
示したようなパターン７上の膜厚が薄く、他の部分の膜
厚が厚いシリコン酸化膜５が得られ、１回の成膜により
基板を平坦化することができた。その後、必要に応じて
Ａｌパターン７をエッチング等により切断して所望の配
線として用いることができる。
【００３２】上記実施例３においては、Ａｌパターンが
形成された基板にシリコン酸化膜を成膜したが、導電性
材料であれば同様に成膜を行うことができ、ポリシリコ
ンや金属等を用いてもよい。
形成された基板にシリコン酸化膜を成膜したが、導電性
材料であれば同様に成膜を行うことができ、ポリシリコ
ンや金属等を用いてもよい。
【００３３】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれに限定されない。
が、本発明はこれに限定されない。
【００３４】例えば、上記実施例１〜３において、有機
シランガスとしてはＴＥＯＳを用いたが、分子中にシリ
コンを有する有機性物質であって、プラズマＣＶＤ法に
より基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に用いられる
ものは全て用いることができる。特に、テトラエチルオ
ルソシリケイト（ＴＥＯＳ；（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉ）、ジ
エチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2Ｈ2）、トリエトキシシ
ラン（Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3Ｈ）、テトラエチルシクロテ
トラシロキサン（Ｃ8Ｈ24Ｓｉ4Ｏ4）およびテトラメチ
ルシクロテトラシロキサン（Ｃ4Ｈ16Ｏ4Ｓｉ4）のうち
の１種または２種以上を用いると、低温で被覆性および
電気特性の良い膜が得られ、成膜速度の基板温度依存性
を高くすることができるので好ましい。
シランガスとしてはＴＥＯＳを用いたが、分子中にシリ
コンを有する有機性物質であって、プラズマＣＶＤ法に
より基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に用いられる
ものは全て用いることができる。特に、テトラエチルオ
ルソシリケイト（ＴＥＯＳ；（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉ）、ジ
エチルシラン（Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2Ｈ2）、トリエトキシシ
ラン（Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3Ｈ）、テトラエチルシクロテ
トラシロキサン（Ｃ8Ｈ24Ｓｉ4Ｏ4）およびテトラメチ
ルシクロテトラシロキサン（Ｃ4Ｈ16Ｏ4Ｓｉ4）のうち
の１種または２種以上を用いると、低温で被覆性および
電気特性の良い膜が得られ、成膜速度の基板温度依存性
を高くすることができるので好ましい。
【００３５】上記実施例１〜３において、酸化性ガスと
しては酸素を用いたが、酸素、オゾン含有酸素、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ2等、またはこれらの混合ガスを用いてもよ
い。
しては酸素を用いたが、酸素、オゾン含有酸素、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ2等、またはこれらの混合ガスを用いてもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜を成膜
工程のみで形成でき、製造工程を大幅に短縮することが
できる。また、パターン段差の平坦化も、繁雑な工程を
用いずに成膜工程のみで容易に達成することができる。
によれば、部分的に膜厚の異なるシリコン酸化膜を成膜
工程のみで形成でき、製造工程を大幅に短縮することが
できる。また、パターン段差の平坦化も、繁雑な工程を
用いずに成膜工程のみで容易に達成することができる。
【００３７】このような本発明のシリコン酸化膜の成膜
方法は、モノリシックアクティブマトリクス基板のよう
に１枚の基板上に数種類以上のデバイスが必要な半導体
装置や基板を平坦化することが必要な半導体装置の製造
に、極めて有用である。
方法は、モノリシックアクティブマトリクス基板のよう
に１枚の基板上に数種類以上のデバイスが必要な半導体
装置や基板を平坦化することが必要な半導体装置の製造
に、極めて有用である。
【図１】（ａ）および（ｂ）は、実施例１のシリコン酸
化膜の成膜工程を示す断面図である。
化膜の成膜工程を示す断面図である。
【図２】実施例１〜３で用いた高周波プラズマＣＶＤ装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図３】実施例２の被成膜基板を示す平面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、実施例２、実施例３の
シリコン酸化膜の成膜工程を示す断面図であり、図３の
Ａ−Ａ’線部分、図５と図６のＢ−Ｂ’線部分を示す。
シリコン酸化膜の成膜工程を示す断面図であり、図３の
Ａ−Ａ’線部分、図５と図６のＢ−Ｂ’線部分を示す。
【図５】実施例３の被成膜基板を示す平面図である。
【図６】実施例３の被成膜基板を示す平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、従来のシリコン酸化膜の成
膜工程を示す断面図である。
膜工程を示す断面図である。
【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ ベースコート膜 ３ 厚いシリコン酸化膜が形成される凸状パターン ４ 薄いシリコン酸化膜が形成される凸状パターン ５ シリコン酸化膜 ６ レジスト ７ 導電性の凸状パターン １０ 真空槽 １１ ヒーター内蔵基板ホルダー １２ ガス供給シャワープレート付きカソード電極 １３ ガス導入口 １４ 真空排気口 １５ レーザ光源 １６ 被成膜基板 １７ 高周波電源 ２７ レーザ光線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｆ 21/336
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にシリコン酸化膜を成膜する方法
であって、 該基板の表面温度を部分的に変化させた状態で、有機シ
ランガスと酸化性ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法によ
りシリコン酸化膜の成膜を行うシリコン酸化膜の成膜方
法。 - 【請求項２】 前記基板の表面の一部にレーザ光線を照
射して加熱することにより、基板表面の温度を部分的に
変化させる請求項１に記載のシリコン酸化膜の成膜方
法。 - 【請求項３】 前記基板の表面の一部に強光またはエネ
ルギービームを照射して加熱することにより、基板表面
の温度を部分的に変化させる請求項１に記載のシリコン
酸化膜の成膜方法。 - 【請求項４】 前記基板が表面上に導電性パターンを備
える場合、該導電性パターンに電流を流すことにより、
基板表面の温度を部分的に変化させる請求項１に記載の
シリコン酸化膜の成膜方法。 - 【請求項５】 前記導電性パターンが閉ループ回路パタ
ーンである場合、該閉ループ回路パターンに誘導電流を
流すことにより、基板表面の温度を部分的に変化させる
請求項４に記載のシリコン酸化膜の成膜方法。 - 【請求項６】 前記有機シランガスとして、テトラエチ
ルオルソシリケイト、ジエチルシラン、トリエトキシシ
ラン、テトラエチルシクロテトラシロキサンおよびテト
ラメチルシクロテトラシロキサンのうちから選択される
１種または２種以上を用いる請求項１乃至５のいずれか
一つに記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9390195A JPH08288286A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | シリコン酸化膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9390195A JPH08288286A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | シリコン酸化膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288286A true JPH08288286A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14095394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9390195A Withdrawn JPH08288286A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | シリコン酸化膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288286A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
| US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
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| JP2013128074A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Tosoh Corp | 基体表面の傷の修復方法 |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
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| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
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| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
-
1995
- 1995-04-19 JP JP9390195A patent/JPH08288286A/ja not_active Withdrawn
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