JPS61140176A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS61140176A JPS61140176A JP26328084A JP26328084A JPS61140176A JP S61140176 A JPS61140176 A JP S61140176A JP 26328084 A JP26328084 A JP 26328084A JP 26328084 A JP26328084 A JP 26328084A JP S61140176 A JPS61140176 A JP S61140176A
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- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野ｊ
本発明は、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（ＩＧＦと
いう）であって、ディト絶縁膜として窒化アルミニュー
ムまたは酸化珪素膜上に窒化アルミニュームを光化学反
応を用いたＣＶＤ （気相反応）方法により設けたもの
である。
いう）であって、ディト絶縁膜として窒化アルミニュー
ムまたは酸化珪素膜上に窒化アルミニュームを光化学反
応を用いたＣＶＤ （気相反応）方法により設けたもの
である。
ｒ従来の技術」
ＩＧＦのゲイト絶縁膜の作製方法として塩酸酸化法が知
られている。しかしＩＧＦのチャネル長が短くなるにつ
れてこのＩＧＦのゲイト絶縁膜も単に酸化珪素のみでは
不十分であることが判明した。そしてその材料として、
１−００〜３００人の厚さの酸化珪素とその上面に設け
られた窒化珪素被膜とよりなる二相構造が用いられるよ
うになった。
られている。しかしＩＧＦのチャネル長が短くなるにつ
れてこのＩＧＦのゲイト絶縁膜も単に酸化珪素のみでは
不十分であることが判明した。そしてその材料として、
１−００〜３００人の厚さの酸化珪素とその上面に設け
られた窒化珪素被膜とよりなる二相構造が用いられるよ
うになった。
しかし窒化珪素をプラズマ気相法で作らんとすると、絶
縁膜としてｗＡ縁耐圧がＩ Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度の小
さい被膜となってしまう。そのため、この点を解決する
ため、酸化珪素上に減圧気相法により窒化珪素膜を作る
ことが試みられた。
縁膜としてｗＡ縁耐圧がＩ Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度の小
さい被膜となってしまう。そのため、この点を解決する
ため、酸化珪素上に減圧気相法により窒化珪素膜を作る
ことが試みられた。
しかしこの減圧気相法の窒化珪素膜を形成するとＭＩＳ
構造のＣ−■特性においてヒステリシス特性が見られ、
スレッシュホールド電圧のドリフトがおきてしまった。
構造のＣ−■特性においてヒステリシス特性が見られ、
スレッシュホールド電圧のドリフトがおきてしまった。
さらにこれらを解決する方法として酸化珪素膜をアンモ
ニア中で１１５０〜１２００℃の高温で窒化珪素に変成
させる方法が知られている。するとこの窒化珪素がヒス
テリシス特性もなく下地酸化珪素の損傷もなく好ましい
ものであり、さらに高融点金属のゲイト電極の密着性に
も優れたものである。
ニア中で１１５０〜１２００℃の高温で窒化珪素に変成
させる方法が知られている。するとこの窒化珪素がヒス
テリシス特性もなく下地酸化珪素の損傷もなく好ましい
ものであり、さらに高融点金属のゲイト電極の密着性に
も優れたものである。
しかし、かかる高温処理は基板材料の劣化をもたらし、
超ＬＳＩにおいて不十分といわざるを得ない。
超ＬＳＩにおいて不十分といわざるを得ない。
ｒ問題を解決するための手段」
本発明はこれらの問題を解決するため、ヒステリシス特
性を本質的に有さない窒化アルミニューム被膜または酸
化珪素膜とその上に窒化アルミニュームを設けた二層膜
を形成させんとしたものである。
性を本質的に有さない窒化アルミニューム被膜または酸
化珪素膜とその上に窒化アルミニュームを設けた二層膜
を形成させんとしたものである。
「作用」
この窒化アルミニューム（以下ＡＩＮという）は窒素と
金属アルミニュームとの反応のため窒化珪素の如き可逆
的なヒステリシスを有さない。高融点金属の密着性に関
しては、窒化物であるため、窒化珪素と同様に酸化珪素
よりはるかにすぐれたものである。加えて、エネルギバ
ンド巾も７ 、 ＯｅＶと窒化珪素の５ｅＶよりも２ｅ
Ｖも大きいため、より絶縁性である。
金属アルミニュームとの反応のため窒化珪素の如き可逆
的なヒステリシスを有さない。高融点金属の密着性に関
しては、窒化物であるため、窒化珪素と同様に酸化珪素
よりはるかにすぐれたものである。加えて、エネルギバ
ンド巾も７ 、 ＯｅＶと窒化珪素の５ｅＶよりも２ｅ
Ｖも大きいため、より絶縁性である。
そのＡＩＮの作製方法として、光ＣＶＤ法を用いるなら
ば、３０〜４００人の厚さのきわめて薄い膜を下地の酸
化珪素膜に何等の損傷を与えることなく作ることができ
る。
ば、３０〜４００人の厚さのきわめて薄い膜を下地の酸
化珪素膜に何等の損傷を与えることなく作ることができ
る。
これらの特性のため、チャネル長が１μまたはそれ以下
のショートチャネルＭＩＳ、ＦＥＴにおいてもパターニ
ングを何等の問題なく処理することができる。
のショートチャネルＭＩＳ、ＦＥＴにおいてもパターニ
ングを何等の問題なく処理することができる。
実施例１
第１図に本発明のＩＧＦの縦断面図を示す。
図面において、基板（１）、フィールド絶縁物（２）。
酸化珪素膜（３）、窒化アルミニューム膜（４）よりな
るディト絶縁物（５）、ゲイト電極（６）、ソース（７
）、ドレイン（８）、チャネルカット（９）、チャネル
形成領域（１０）よりなっている。
るディト絶縁物（５）、ゲイト電極（６）、ソース（７
）、ドレイン（８）、チャネルカット（９）、チャネル
形成領域（１０）よりなっている。
図面はＮチャネルＩＧＦであり、基板（１）上にＰ（１
０）のチャネル形成領域を有し、チャネル長は１．５μ
チヤネル巾１０μとした。ゲイト電極は金属タングステ
ンとした。酸化珪素膜（３）は３００人の厚さを有せし
め、塩酸酸化法による熱酸化膜である。
０）のチャネル形成領域を有し、チャネル長は１．５μ
チヤネル巾１０μとした。ゲイト電極は金属タングステ
ンとした。酸化珪素膜（３）は３００人の厚さを有せし
め、塩酸酸化法による熱酸化膜である。
さらにその上の窒化アルミニュームはその製造方法につ
いて詳細を実施例２に示す。光化学反応により３０〜４
００人の厚さ例えば１００人の厚さに形成した。
いて詳細を実施例２に示す。光化学反応により３０〜４
００人の厚さ例えば１００人の厚さに形成した。
ゲイト電極を形成した後、ソース（７）、ドレイン（８
）をセルファライン法により作製した。
）をセルファライン法により作製した。
かかるＩＧＦにおいては、もしＡＩＮを形成しない即ち
酸化珪素のみにはみられない耐熱性金属であるＭｏ、Ｔ
ｉ、Ｗ、ＷＳｉｚ＋ Ｍｏ５ｉｚ＋Ｔｉ５ｉｚ等のリー
ド金属が下地絶縁膜と優れた密着性を有していた。絶縁
耐圧はＡＩＮのみでも４ Ｘ １０’Ｖ／ｃｍを有し、
酸化珪素の８ Ｘ １０’Ｖ／ｃｍ、窒化珪素のＩ Ｘ
１０’Ｖ／ｃｍの中間を有し、特に窒化珪素膜に比べて
４倍もの耐圧を有していた。
酸化珪素のみにはみられない耐熱性金属であるＭｏ、Ｔ
ｉ、Ｗ、ＷＳｉｚ＋ Ｍｏ５ｉｚ＋Ｔｉ５ｉｚ等のリー
ド金属が下地絶縁膜と優れた密着性を有していた。絶縁
耐圧はＡＩＮのみでも４ Ｘ １０’Ｖ／ｃｍを有し、
酸化珪素の８ Ｘ １０’Ｖ／ｃｍ、窒化珪素のＩ Ｘ
１０’Ｖ／ｃｍの中間を有し、特に窒化珪素膜に比べて
４倍もの耐圧を有していた。
さらに±３ Ｘ１０”Ｖ／ｃｍの電界に相当する電圧を
加えても、スレッシュホールド電圧の＋１ｖより士 ・
０．２ｖ以下の範囲でしかドリフトをしなかった。これ
はこの上側の被膜層して窒化珪素膜ではまった（考えら
れない優れた値であった。
加えても、スレッシュホールド電圧の＋１ｖより士 ・
０．２ｖ以下の範囲でしかドリフトをしなかった。これ
はこの上側の被膜層して窒化珪素膜ではまった（考えら
れない優れた値であった。
実施例２
以下第２図に示した図面に基づき本発明のＡＩＮの製造
の詳細を記す。
の詳細を記す。
第２図において、被形成面を有するシリコン基板（１）
はホルダ（１゛）に保持され、反応室（１２）内のハロ
ゲンヒータ（１３） （上面を水冷（３１））に近接し
て設けられている。反応室（１２）、紫外光源が配設さ
れた光源室（３５）及びヒータ（１３）が配設された加
熱室（３０）は、それぞれの圧力を１０ｔｏｒｒ以下の
概略同一の真空度に保持した。このために反応に支障の
ない気体（窒素、アルゴンまたはアンモニア）を（２８
）より（３６）に供給し、または（３６’）より排気す
ることにより成就した。また透光性遮蔽板である石英窓
（４０）により、光源室（３５）と反応室（１２）とが
仕切られている：この窓（４０）の上側にはノズル（３
４）が設けられ、このノズルはアンモニア（ＮＨａ）。
はホルダ（１゛）に保持され、反応室（１２）内のハロ
ゲンヒータ（１３） （上面を水冷（３１））に近接し
て設けられている。反応室（１２）、紫外光源が配設さ
れた光源室（３５）及びヒータ（１３）が配設された加
熱室（３０）は、それぞれの圧力を１０ｔｏｒｒ以下の
概略同一の真空度に保持した。このために反応に支障の
ない気体（窒素、アルゴンまたはアンモニア）を（２８
）より（３６）に供給し、または（３６’）より排気す
ることにより成就した。また透光性遮蔽板である石英窓
（４０）により、光源室（３５）と反応室（１２）とが
仕切られている：この窓（４０）の上側にはノズル（３
４）が設けられ、このノズルはアンモニア（ＮＨａ）。
弗化窒素（ＮＦ：＋）用のノズル（３４”）が噴出口を
下向き（窓向き） （３２）に、またメチルアルミニュ
ーム（ＡＩ （ＣＨ３） ：ｌ）用のノズル（３４’）
が噴出口を上向き（基板向き） （３３）に設けている
。このノズル（３４）はプラズマエッチにおける高周波
電源（１５） （周波数１３．５６＋１Ｈ２）の一方の
電極となっている。
下向き（窓向き） （３２）に、またメチルアルミニュ
ーム（ＡＩ （ＣＨ３） ：ｌ）用のノズル（３４’）
が噴出口を上向き（基板向き） （３３）に設けている
。このノズル（３４）はプラズマエッチにおける高周波
電源（１５） （周波数１３．５６＋１Ｈ２）の一方の
電極となっている。
光源室の排気に際し逆流により反応性気体の光源室まで
の混入防止のためヒータ（２９）を配設した。
の混入防止のためヒータ（２９）を配設した。
これにより反応性気体のうちの分解後固体となる成分を
トラップし気体のみの進入とさせた。
トラップし気体のみの進入とさせた。
移動に関し、圧力差が生じないようにしたロード・ロッ
ク方式を用いた。まず、予備室（１４）にて基板（１）
、ホルダ（１°）および基板および基板おさえ（１”）
（熱を効率よく基板に伝導させる）を挿入配設し、真空
引きをした後、ゲート弁（１６）を開とし、反応室（１
２）に移し、またゲート弁（１６）を閉として、反応室
（１２）、予備室（１４）を互いに仕切った。
ク方式を用いた。まず、予備室（１４）にて基板（１）
、ホルダ（１°）および基板および基板おさえ（１”）
（熱を効率よく基板に伝導させる）を挿入配設し、真空
引きをした後、ゲート弁（１６）を開とし、反応室（１
２）に移し、またゲート弁（１６）を閉として、反応室
（１２）、予備室（１４）を互いに仕切った。
ドーピング系（３７）は、バルブ（２２） 、流量計（
２１）よりなり、反応後固体生成物を形成させる反応性
気体は（２３） 、 （２４）より、また反応後気体生
成物は（２５） 、 （２６）より反応室（１２）へ供
給させた。反応室の圧力制御は、コントロールパルプ（
１７） 、コック（２０）を経てターボ分子ポンプ（大
阪真空製ＰＧ５５０を使用）（１８） 、ロータリーポ
ンプ（１９）を経、排気させた。
２１）よりなり、反応後固体生成物を形成させる反応性
気体は（２３） 、 （２４）より、また反応後気体生
成物は（２５） 、 （２６）より反応室（１２）へ供
給させた。反応室の圧力制御は、コントロールパルプ（
１７） 、コック（２０）を経てターボ分子ポンプ（大
阪真空製ＰＧ５５０を使用）（１８） 、ロータリーポ
ンプ（１９）を経、排気させた。
排気系（３８）はコック（２０）により予備室（１４）
を真空引きをする際はそちら側を開とし、反応室（１２
）側を閉とする。また反応室を真空引きする際は反応室
を開とし、予備室側を閉とした。
を真空引きをする際はそちら側を開とし、反応室（１２
）側を閉とする。また反応室を真空引きする際は反応室
を開とし、予備室側を閉とした。
か（して基板を反応室に図示の如く挿着した。
この反応室の真空度はｌｆｌ’ｔｏｒｒ以下とした。こ
の後（２８）より窒素を導入しさらに反応性気体を（３
７）より反応室に導入して被膜形成を行った。
の後（２８）より窒素を導入しさらに反応性気体を（３
７）より反応室に導入して被膜形成を行った。
反応用光源は低圧水銀灯（３４）とし、水冷（３１”）
を設けた。その紫外光源は、低圧水銀灯（１８５ｎｍ。
を設けた。その紫外光源は、低圧水銀灯（１８５ｎｍ。
２５４ｎｍの波長を発光する発光長４０ｃｍ、照射強度
１５ｍＷ／ｃｍ”、ランプ電力４０讐）ランプ数１６本
である。
１５ｍＷ／ｃｍ”、ランプ電力４０讐）ランプ数１６本
である。
この紫外光は、透光性遮蔽板である石英（４０）を経て
反応室（１２）の基板（１）の被形成面（１）上を照射
する。
反応室（１２）の基板（１）の被形成面（１）上を照射
する。
ヒータ（１３）は反応室の上側に位置した「ディボジッ
ション・アップ」方式とし、フレークが被形成面に付着
してピンホールの原因を作ることを避けた。
ション・アップ」方式とし、フレークが被形成面に付着
してピンホールの原因を作ることを避けた。
反応室はステンレスであり、光源室、加熱室（３０）も
ともに真空引きをし、それぞれの圧力差を１０ｔｏｒｒ
以下とした。その結果、従来例に示される如く、大面積
の照射用に石英板の面積を大きくすると圧力的に耐えら
れないという欠点を本発明は有していない。即ち、紫外
光源も真空下に保持された光源室と反応室とを囲んだス
テンレス容器内に真空に保持されている。このため、５
インチまたは６インチのウェハの大きさではなく ３０
ｃｍ ｘ ３０ｃｍの大きさの基板をも何等の工業的な
問題もなく作ることができ得る。
ともに真空引きをし、それぞれの圧力差を１０ｔｏｒｒ
以下とした。その結果、従来例に示される如く、大面積
の照射用に石英板の面積を大きくすると圧力的に耐えら
れないという欠点を本発明は有していない。即ち、紫外
光源も真空下に保持された光源室と反応室とを囲んだス
テンレス容器内に真空に保持されている。このため、５
インチまたは６インチのウェハの大きさではなく ３０
ｃｍ ｘ ３０ｃｍの大きさの基板をも何等の工業的な
問題もなく作ることができ得る。
図面の場合の被形成有効面積は３０ｃｍ Ｘ ３０ｃｍ
であり、直径５インチの基板（１）５枚がホルダ（１″
）に配設され得る構成とし、基板の温度はハロゲンヒー
タ（１３）により加熱し、室温〜５００℃までの所定の
温度とした。
であり、直径５インチの基板（１）５枚がホルダ（１″
）に配設され得る構成とし、基板の温度はハロゲンヒー
タ（１３）により加熱し、室温〜５００℃までの所定の
温度とした。
Ａｔ（ＣＨ３）：ｌを代表例とするメチルアルミニュー
ムをバブラを（２３）に連結し、１０ｃｃ／分で供給し
た。
ムをバブラを（２３）に連結し、１０ｃｃ／分で供給し
た。
（２５）よりアンモニアを３０ｃｃ／分で供給した。す
ると、メチルアルミニュームは光源室に水銀を用いるこ
となく分解し、窒化アルミニューム膜を３０〜４００人
の厚さに作ることができた。被膜形成速度は６人／分（
圧力３ｔｏｒｒ、温度３５０℃）を得ることができた。
ると、メチルアルミニュームは光源室に水銀を用いるこ
となく分解し、窒化アルミニューム膜を３０〜４００人
の厚さに作ることができた。被膜形成速度は６人／分（
圧力３ｔｏｒｒ、温度３５０℃）を得ることができた。
かくしてＡＩＮのみをゲイト絶縁膜または酸化珪素とそ
の上にＡＩＮを形成する二層膜等に対し所定の厚さの被
膜を形成させることが可能となった。エチルアルミニュ
ームＡＩ （ＣｚＨｓ） ３ 等の他のアルキル化合物
でもよい。
の上にＡＩＮを形成する二層膜等に対し所定の厚さの被
膜を形成させることが可能となった。エチルアルミニュ
ームＡＩ （ＣｚＨｓ） ３ 等の他のアルキル化合物
でもよい。
被膜形成後の窓のプラズマエツチングは（２６）よりＣ
Ｃｌ４を供給してプラズマ反応を行った。加えて（２４
）より水素を供給した。かくして窒化アルミニュームを
除去させることができた。
Ｃｌ４を供給してプラズマ反応を行った。加えて（２４
）より水素を供給した。かくして窒化アルミニュームを
除去させることができた。
この被膜形成を１０回繰り返しても、同じ膜厚を同一条
件で得ることができた。
件で得ることができた。
「効果」
本発明は以上の説明より明らかなどと（、ゲイト絶縁膜
として光ＣＶＤ法を用いた窒化アルミニューム膜を形成
したものである。
として光ＣＶＤ法を用いた窒化アルミニューム膜を形成
したものである。
その結果、高融点金属の密着性に優れ、かつ絶縁耐圧を
高くかつ比誘電率も酸化珪素より大きい６を有するため
、ゲイト電極に加えた電圧を有効に半導体（１）のチャ
ネル形成領域（１０） （第１図）に印加でき、空乏層
を設けることができた。
高くかつ比誘電率も酸化珪素より大きい６を有するため
、ゲイト電極に加えた電圧を有効に半導体（１）のチャ
ネル形成領域（１０） （第１図）に印加でき、空乏層
を設けることができた。
本発明において、窒化アルミニュームの作製方法として
光ＣＶＤ法を用いた。しかしＴＭＡとアンモニアとの反
応による減圧気相法を５００〜９００℃の温度（圧力０
．１〜３ ｔｏｒｒ）として行ってもよいことはいうま
でもない。
光ＣＶＤ法を用いた。しかしＴＭＡとアンモニアとの反
応による減圧気相法を５００〜９００℃の温度（圧力０
．１〜３ ｔｏｒｒ）として行ってもよいことはいうま
でもない。
かかる場合には第２図に示すＣＶＤ装置において基板温
度を例えば７００℃とし、紫外線照射を行うことなく、
単に熱の印加のみで被膜形成をさせればよい。
度を例えば７００℃とし、紫外線照射を行うことなく、
単に熱の印加のみで被膜形成をさせればよい。
その他のプロセスは実施例２と同様である。
本発明は、以上の説明より明らかなごとく、大面積の基
板上に被膜を形成するにあたり、窓上の不要反応生成被
膜をプラズマエツチングより完全に除去することができ
る。このため窓上面にオイルをまったく用いる必要がな
い。故に、被膜内には炭素等の不純物がはいりに＜（、
かつ、排圧を１Ｏ−７ｔｏｒｒと高真空にし得、オイル
フリーの高純度の被膜作製が可能となった。
板上に被膜を形成するにあたり、窓上の不要反応生成被
膜をプラズマエツチングより完全に除去することができ
る。このため窓上面にオイルをまったく用いる必要がな
い。故に、被膜内には炭素等の不純物がはいりに＜（、
かつ、排圧を１Ｏ−７ｔｏｒｒと高真空にし得、オイル
フリーの高純度の被膜作製が可能となった。
さらにこの光ＣＶＤ法による被膜形成に加えて、この上
に重ねて同じまたは異なる被膜を他のＣＶＤ法で形成さ
せることも可能である。そして不揮発性メモリのゲイト
絶縁膜（基板−酸化珪素−珪素のフローティングゲイト
−＾１−ゲイト電極）を設けることは有効である。
に重ねて同じまたは異なる被膜を他のＣＶＤ法で形成さ
せることも可能である。そして不揮発性メモリのゲイト
絶縁膜（基板−酸化珪素−珪素のフローティングゲイト
−＾１−ゲイト電極）を設けることは有効である。
また本発明において、チャネル形成領域は珪素にあって
はゲイト絶縁物は酸化珪素およびＡＩＮの二層膜が優れ
ていた。しかしＧａＡｓ、 ＩｎＰ等の■−■化合物に
あっては、これらの半導体と酸化珪素とが高温動作テス
トにおいて反応し劣化するため、ＡＩＮのみとする方が
好ましかった。即ち半導体にＡＩＮを直接密接させてゲ
イト電極の構造とせしめればよい。
はゲイト絶縁物は酸化珪素およびＡＩＮの二層膜が優れ
ていた。しかしＧａＡｓ、 ＩｎＰ等の■−■化合物に
あっては、これらの半導体と酸化珪素とが高温動作テス
トにおいて反応し劣化するため、ＡＩＮのみとする方が
好ましかった。即ち半導体にＡＩＮを直接密接させてゲ
イト電極の構造とせしめればよい。
なお本発明において、ゲイト電極の材料は不純物が添加
された珪素、珪素を主成分とする化合物（ＭｏＳｉｚ、
ＷＳｉｚ、Ｔｉ５ｉｚ）またはＭｏ、Ｗ、 Ｔｉを示し
た。しかしその他の導体を用いてもよい。またこれらの
ゲイト電極をも同じ反応炉または連結した反応炉を用い
ＡＩＮの表面を大気にふれさせることなく形成させるこ
とはその密着性向上にさらに優れたものであった。
された珪素、珪素を主成分とする化合物（ＭｏＳｉｚ、
ＷＳｉｚ、Ｔｉ５ｉｚ）またはＭｏ、Ｗ、 Ｔｉを示し
た。しかしその他の導体を用いてもよい。またこれらの
ゲイト電極をも同じ反応炉または連結した反応炉を用い
ＡＩＮの表面を大気にふれさせることなく形成させるこ
とはその密着性向上にさらに優れたものであった。
前記した実験例において、光ＣＶＤ用の光源として低圧
水銀灯ではな（エキシマレーザ（波長１００〜４００ｎ
ｍ） 、アルゴンレーザ、窒素レーザ等を用いてもよい
ことはいうまでもない。
水銀灯ではな（エキシマレーザ（波長１００〜４００ｎ
ｍ） 、アルゴンレーザ、窒素レーザ等を用いてもよい
ことはいうまでもない。
第１図は本発明の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置を示
す。 第２図は本発明のＣＶＤ装置である。
す。 第２図は本発明のＣＶＤ装置である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置におけるゲイト絶
縁膜として、半導体上に窒化アルミニュームまたは酸化
珪素膜と該膜上に窒化アルミニューム膜とが積層して設
けられたことを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、窒化アルミニュー
ムは３０〜４００Åの厚さを有することを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26328084A JPS61140176A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26328084A JPS61140176A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140176A true JPS61140176A (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=17387270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26328084A Pending JPS61140176A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140176A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027834A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | バッテリ充電装置 |
| KR20010035157A (ko) * | 2001-01-08 | 2001-05-07 | 장진 | 알루미늄 질화막을 완충층으로 이용한 액정디스플레이용박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| WO2004095572A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | National University Of Singapore | A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes |
| US7488640B2 (en) | 2001-01-08 | 2009-02-10 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride and aluminum oxide/aluminum nitride heterostructure gate dielectric stack based field effect transistors and method for forming same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5161265A (en) * | 1974-11-25 | 1976-05-27 | Handotai Kenkyu Shinkokai | 335 zokukagobutsuhandotaisoshi |
| JPS5972142A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26328084A patent/JPS61140176A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5161265A (en) * | 1974-11-25 | 1976-05-27 | Handotai Kenkyu Shinkokai | 335 zokukagobutsuhandotaisoshi |
| JPS5972142A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| KR20010035157A (ko) * | 2001-01-08 | 2001-05-07 | 장진 | 알루미늄 질화막을 완충층으로 이용한 액정디스플레이용박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| US7488640B2 (en) | 2001-01-08 | 2009-02-10 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride and aluminum oxide/aluminum nitride heterostructure gate dielectric stack based field effect transistors and method for forming same |
| WO2004095572A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | National University Of Singapore | A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes |
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