JPH08283931A

JPH08283931A - 膜被覆物およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08283931A
Application number: JP11394695A
Authority: JP
Inventors: Satoru Nishiyama; 哲西山; Kiyoshi Ogata; 潔緒方
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1995-04-14
Filing date: 1995-04-14
Publication date: 1996-10-29
Anticipated expiration: 2020-11-16
Also published as: JP3716451B2

Abstract

(57)【要約】【目的】基体表面の膜が硬度および靱性に優れている
膜被覆物およびその製造方法を提供する。【構成】この膜被覆物２は、基体４の表面に、窒化ク
ロム単独または窒化クロムおよびクロムから成る窒化ク
ロム系膜６を形成し、かつこの窒化クロム系膜６の表面
に、ダイヤモンド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素
の少なくとも一方から成る炭素系膜８を形成したもので
ある。このような膜被覆物２は、基体４に対して、クロ
ムの蒸着と、少なくとも窒素イオンを含むイオンビーム
の照射とを行い、次いで、炭素の蒸着と、不活性ガスイ
オンおよび窒素イオンの少なくとも一方を含むイオンビ
ームの照射とを行うことによって製造することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明、例えば磁気ヘッド、工
具、金型その他摺動部品等に用いられるものであって、
基体の耐摩耗性、摺動性、潤滑性等を向上させるため
に、基体の表面に高硬度の炭素系膜を被覆した膜被覆物
およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基体の耐摩耗性や摺動性等を
向上させるために、高硬度の炭素系膜を基体の表面に被
覆する試みが成されている。そのような炭素系膜の代表
的なものに、ダイヤモンド薄膜がある。

【０００３】このようなダイヤモンド薄膜を基体の表面
に合成する試みが近年盛んに行われているが、中でも、
特開昭６３−２０６３８７号公報に提案されているよう
な、炭素の蒸着と不活性ガスイオンの照射とを併用する
方法は、高品質のダイヤモンド薄膜が低温下で密着性良
く合成できるという利点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】基体表面にダイヤモン
ド薄膜を被覆したダイヤモンド薄膜被覆物を、基体の耐
摩耗性や摺動性等の向上を目的として工業的に応用する
場合には、硬度のみでなく、膜の靱性をも向上させなけ
ればならない。これは、膜が靱性に乏しいと、ダイヤモ
ンド薄膜被覆物を例えば工具、金型あるいは磁気ヘッド
等として使用した場合、使用中に膜が割れたり欠けたり
して、膜の特性が発揮できないからである。

【０００５】しかしながら、上記公報に提案されている
方法では膜の靱性の向上については考慮されておらず、
そのため、当該方法の効果が十分に生かされないのが実
状である。

【０００６】そこでこの発明は、基体表面の膜が硬度お
よび靱性に優れている膜被覆物およびその製造方法を提
供することを主たる目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の膜被覆物は、基体の表面に、窒化クロム
単独または窒化クロムおよびクロムから成る窒化クロム
系膜を形成し、かつこの窒化クロム系膜の表面に、ダイ
ヤモンド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素の少なく
とも一方から成る炭素系膜を形成していることを特徴と
する。

【０００８】この発明の製造方法は、真空雰囲気中で、
基体に対して、クロムの蒸着と、少なくとも窒素イオン
を含むイオンビームの照射とを行うことによって、当該
基体の表面に、窒化クロム単独または窒化クロムおよび
クロムから成る窒化クロム系膜を形成した後に、当該窒
化クロム系膜に対して、炭素の蒸着と、不活性ガスイオ
ンおよび窒素イオンの少なくとも一方を含むイオンビー
ムの照射とを行うことによって、当該窒化クロム系膜の
表面に、ダイヤモンド構造の炭素を含む炭素および窒化
炭素の少なくとも一方から成る炭素系膜を形成すること
を特徴とする。

【０００９】

【作用】上記膜被覆物において、炭素系膜を構成する窒
化炭素はダイヤモンドと同程度に高硬度であるので、ダ
イヤモンド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素の少な
くとも一方から成る炭素系膜は高硬度である。

【００１０】一方、膜の靱性の劣化の大きな原因の一つ
に、膜内に過大な内部応力がもたらされることが挙げら
れる。この内部応力は、膜と基体との格子定数や熱膨張
係数の不整合によるところが大きい。これを改善するた
めには、膜と基体との界面に靱性に優れた膜を中間層と
して形成し、この中間層が膜全体の靱性を改善するよう
にするのが有効であり、しかもこの中間層として、窒化
クロム単独または窒化クロムおよびクロムから成る窒化
クロム系膜を用いると、表面の上記のような炭素系膜の
靱性向上に特に有効であることを見い出した。

【００１１】即ち、上記のような窒化クロム系膜を炭素
系膜の中間層として設けると、この窒化クロム系膜は、
炭素系膜ほどは硬くはないけれども適度な硬度と靱性を
有しているので、炭素系膜と基体との格子定数や熱膨張
係数の不整合を緩和して炭素系膜の内部応力を緩和する
働きをすると共に、炭素系膜のクッション材的な作用を
するので、表面の炭素系膜の靱性を向上させることがで
きる。しかもこの窒化クロム系膜は、適度な硬度を有し
ているので、表面の炭素系膜の硬度を低下させる心配も
ない。

【００１２】上記のような作用により、基体表面の膜は
全体として、硬度および靱性に優れたものとなる。

【００１３】上記製造方法によれば、基体の表面におけ
る蒸着粒子と照射イオンとの衝突によって両者の反応が
起こり、それによって低温下で基体の表面に窒化クロム
単独または窒化クロムおよびクロムからなる窒化クロム
系膜を形成することができる。しかもその際、基体と窒
化クロム系膜との界面付近には、両者の構成元素が混じ
り合って成る混合層が形成される。この混合層が形成さ
れるのは、照射イオンがその運動エネルギーによって
自ら基体内に注入される（注入作用）、照射イオンの
一部が、注入と同時に基体構成元素をはじき出す（スパ
ッタ作用）、照射イオンの一部が、同時または交互に
蒸着される蒸着粒子を基体内に押し込む（押込み作
用）、といった主としてこれら３作用による。そしてこ
の混合層がいわば楔のような作用をするので、基体に対
する窒化クロム系膜の密着性が非常に高くなる。

【００１４】更に、上記窒化クロム系膜の表面における
蒸着粒子と照射イオンとの衝突によって、蒸着粒子の励
起または蒸着粒子と照射イオンとの反応が起こり、それ
によって低温下で、窒化クロム系膜の表面に、ダイヤモ
ンド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素の少なくとも
一方から成る炭素系膜を形成することができる。しかも
その際、照射イオンの上述した注入作用、スパッタ作用
および押込み作用によって、窒化クロム系膜と炭素系膜
との界面付近には、両者の構成元素が混じり合って成る
混合層が形成され、これがいわば楔のような作用をする
ので、窒化クロム系膜に対する炭素系膜の密着性も非常
に高くなる。

【００１５】従って上記製造方法によれば、基体の表面
に、硬度、靱性および密着性に優れた膜を低温下で形成
することができる。

【００１６】

【実施例】図１は、この発明に係る膜被覆物の一例を部
分的に示す断面図である。この膜被覆物２は、基体４の
表面に、窒化クロム単独または窒化クロムおよびクロム
から成る窒化クロム系膜６を形成し、かつこの窒化クロ
ム系膜６の表面に、ダイヤモンド構造の炭素を含む炭素
および窒化炭素の少なくとも一方から成る炭素系膜８を
形成している。

【００１７】基体４の材質、形状、大きさ等に限定はな
い。例えば、膜被覆物２が磁気ヘッドの場合は基体４は
そのコア等であり、膜被覆物２が工具の場合は基体４は
工具鋼であり、膜被覆物２が金型である場合は基体４は
金型材である。

【００１８】窒化クロム系膜６の組成は、窒化クロム
単独、または窒化クロムとクロムの混合物、である。

【００１９】炭素系膜８の組成は、ダイヤモンド構造
の炭素を含む炭素、窒化炭素、またはダイヤモンド
構造の炭素を含む炭素と窒化炭素との混合物、である。
上記、の炭素中に、ダイヤモンド構造の炭素が多く
含まれている方が硬度上好ましいが、その割合は１００
％である必要はない。

【００２０】炭素系膜８を構成する窒化炭素はダイヤモ
ンドと同程度に高硬度であるので、ダイヤモンド構造の
炭素を含む炭素および窒化炭素の少なくとも一方から成
る当該炭素系膜８は高硬度である。

【００２１】しかも、上記のような窒化クロム系膜６
を、基体４と炭素系膜８との間に中間層として設ける
と、窒化クロム系膜６は、炭素系膜８ほどは硬くないけ
れども適度な硬度と靱性を有しているので、炭素系膜８
と基体４との格子定数や熱膨張係数の不整合を緩和して
炭素系膜８の内部応力を緩和する働きをすると共に、炭
素系膜８のクッション材的な作用をするので、表面の炭
素系膜８の靱性を向上させることができる。しかもこの
窒化クロム系膜６は、単に靱性を有しているだけではな
く適度な硬度を有しているので、表面の炭素系膜８の硬
度を低下させる心配もない。

【００２２】上記のような作用により、基体４の表面の
膜６および８は全体として、硬度および靱性の両方に優
れたものとなる。従ってこのような膜被覆物２によれ
ば、基体４の耐摩耗性、耐食性、摺動性、潤滑性等を効
果的に向上させることができる。

【００２３】その場合、炭素系膜８中にアモルファス構
造の炭素やグラファイト構造の炭素が含まれていると、
それらは粒子が細かいため炭素系膜８の表面が滑らかに
なり、潤滑性がより向上する。

【００２４】また、窒化炭素は、化学的安定性が高くて
耐食性が高く、かつ窒化クロム系膜６中の窒化クロムと
同じ窒化物であるからそれとの格子定数および熱膨張係
数の不整合が少なくて窒化クロムとの馴染みが良いの
で、炭素系膜８中に窒化炭素が含まれていると、炭素系
膜８の耐食性および窒化クロム系膜６に対する密着性が
より向上する。炭素系膜８が窒化炭素から成る場合は、
炭素系膜８の耐食性および窒化クロム系膜６に対する密
着性は更に向上する。

【００２５】次に、上記のような膜被覆物２の製造方法
の例を図２を参照しながら説明する。

【００２６】真空容器（図示省略）内に、基体４を保持
するホルダ１０が設けられており、それに向けて蒸発源
１２およびイオン源１６が配置されている。

【００２７】蒸発源１２は、そこに収納された蒸発材料
１３を加熱蒸気化して蒸発物質１４を蒸発させ、それを
基体４の表面または同表面に形成された膜の表面に蒸着
させるものである。この蒸発物質１４として、前述した
窒化クロム系膜６の形成時はクロムを蒸発させ、炭素系
膜８の形成時は炭素を蒸発させる。この蒸発源１２の方
式は、例えば蒸発材料１３を電子ビームや高周波を用い
て加熱するものやターゲットをスパッタリングするもの
等でも良く、特定の方式に限定されない。

【００２８】イオン源１６は、そこに導入されたガス１
７をイオン化して、所定のエネルギーに加速されたイオ
ンビーム１８を引き出し、それを基体４の表面または同
表面に形成された膜の表面に照射するものである。この
イオン源１６は、例えば多極磁場型のいわゆるバケット
型イオン源が大面積大電流等の点で好ましいが、勿論そ
れ以外の方式のイオン源でも良い。

【００２９】前述した窒化クロム系膜６の形成時は、イ
オン源１６から少なくとも窒素イオンを含むイオンビー
ム１８を引き出してそれを基体４の表面に照射する。よ
り具体的には、この時のイオンビーム１８を構成するイ
オンの種類は、窒素イオンのみでも良いし、窒素イ
オンと、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン等の不活性ガスイオンとの混合イオンでも良い。
その理由は後述する。

【００３０】前述した炭素系膜８の形成時は、イオン源
１６から不活性ガスイオンおよび窒素イオンの少なくと
も一方を含むイオンビーム１８を引き出してそれを基体
４上の窒化クロム系膜６の表面に照射する。より具体的
には、この時のイオンビーム１８を構成するイオンの種
類は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン等の不活性ガスイオンのみでも良いし、窒素イ
オンのみでも良いし、前記のような不活性ガスイオン
と窒素イオンの混合イオンでも良い。その理由は後述す
る。

【００３１】図１に示したような膜被覆物２の製造に際
しては、まず、所望の基体４をホルダ１０に取り付け、
真空容器内を所定の真空度に排気した後、蒸発源１２か
ら蒸発物質１４としてクロムを蒸発させ、これを基体４
の表面に蒸着させる。かつこの蒸着と同時または交互
に、イオン源１６から少なくとも窒素イオンを含むイオ
ンビーム１８を引き出してそれを基体４の表面に照射す
る。

【００３２】これによって、基体４の表面における蒸着
粒子と照射イオンとの衝突によって両者の反応が起こ
り、それによって低温下で、基体４の表面に、窒化クロ
ム単独または窒化クロムおよびクロムから成る前述した
窒化クロム系膜６を形成することができる。しかもその
際、基体４と窒化クロム系膜６との界面５の付近には、
両者の構成元素が混じり合って成る混合層が形成され
る。この混合層が形成されるのは、照射イオンがその
運動エネルギーによって自ら基体内に注入される（注入
作用）、照射イオンの一部が、注入と同時に基体構成
元素をはじき出す（スパッタ作用）、照射イオンの一
部が、同時または交互に蒸着される蒸着粒子を基体内に
押し込む（押込み作用）、といった主としてこれら３作
用による。そしてこの混合層が言わば楔のような作用を
するので、基体４に対する窒化クロム系膜６の密着性が
非常に高くなる。

【００３３】その際、上記イオンビーム１８中に、窒素
イオンの他に不活性ガスイオンをも含めておくと、反応
に関与しない不活性ガスイオンの運動エネルギーによる
混合層形成作用のみを利用することができるので、混合
層の形成をより容易にすることができる。

【００３４】次いで、蒸発源１２から蒸発物質１４とし
て炭素を蒸発させ、これを上記先の工程によって基体４
上に形成された窒化クロム系膜６の表面に蒸着させる。
かつこの蒸着と同時または交互に、イオン源１６から不
活性ガスイオンおよび窒素イオンの少なくとも一方を含
むイオンビーム１８を引き出してそれを基体４上の窒化
クロム系膜６の表面に照射する。

【００３５】これによって、窒化クロム系膜６の表面に
おける蒸着粒子と照射イオンとの衝突によって、蒸着粒
子の励起または蒸着粒子と照射イオンとの反応が起こ
り、それによって低温下で、窒化クロム系膜６の表面
に、ダイヤモンド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素
の少なくとも一方から成る前述した炭素系膜８を形成す
ることができる。即ち、照射イオンによって炭素の蒸着
粒子が励起されて、ダイヤモンド構造の炭素が形成され
る。また、イオンビーム１８が窒素イオンで構成されて
いる、あるいは窒素イオンと不活性ガスイオンとで構成
されている場合は、蒸着炭素と窒素イオンとが反応して
窒化炭素が形成される。しかもその際、照射イオンの上
述した注入作用、スパッタ作用および押込み作用によっ
て、窒化クロム系膜６と炭素系膜８との界面７の付近に
は、両者の構成元素が混じり合って成る混合層が形成さ
れ、これが言わば楔のような作用をするので、窒化クロ
ム系膜６に対する炭素系膜８の密着性が非常に高くな
る。

【００３６】以上の工程によって、図１で説明したよう
な膜被覆物２を製造することができる。

【００３７】以上のようにして基体４上に形成した膜６
および８は全体として、硬度および靱性に優れている。
その理由は前述のとおりである。しかも各界面５および
７に混合層が形成されるので膜の密着性も非常に高い。
従って、この製造方法によれば、基体４の表面に、硬度
および靱性に優れているだけでなく密着性にも非常に優
れた膜を低温下で形成することができる。その結果、基
体４の耐摩耗性、耐食性、摺動性、潤滑性等をより一層
効果的に向上させることができる。

【００３８】尚、上記膜６および８を形成する際のイオ
ンビーム１８の加速エネルギーは、０．１ｋｅＶ以上４
０ｋｅＶ以下が好ましい。これは、０．１ｋｅＶ未満で
あると、照射イオンによる混合層の形成が不十分で膜の
密着性向上に寄与せず、また４０ｋｅＶを超えると、基
体４への熱的な損傷が過大に加えられて好ましくないか
らである。

【００３９】また、上記膜６および８を形成する際の各
イオンの照射量および蒸着速度は特に限定されず、生産
コストおよび基体４の耐熱性等を考慮して決めれば良
く、例えば耐熱性の低い基体４では照射量を低く抑えれ
ば良い。但し、窒化クロム系膜６を形成する際の膜のＣ
ｒ／Ｎ組成比は０．５以上１０以下が好ましく、この組
成比になるようにイオンの照射量とクロムの蒸着速度を
決定する。これは、Ｃｒ／Ｎ組成比が０．５未満である
と、窒素が過剰で内部応力が大きくなって膜の靱性が劣
化してしまい、１０を超えると、軟らかいクロムが多す
ぎて膜の硬度が劣化してしまい好ましくないからであ
る。また、窒化クロム系膜６中の窒化クロムの構造は、
ＣｒＮでもＣｒ₂Ｎでも良い。

【００４０】次に、この発明に従ったより具体的な実施
例と、この発明の要件を満たさない比較例の幾つかにつ
いて説明する。いずれの例も、図１に示したような装置
を用いた。

【００４１】＜実施例１＞基体４として高速度工具鋼
（ＳＫＨ５１）を用い、それをホルダ１０に設置した
後、真空容器内を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保
った。その後、電子ビーム加熱式の蒸発源１２より、ク
ロムを加熱蒸気化してそれを基体４上に蒸着させると同
時に、イオン源１６よりイオンビーム１８として窒素イ
オンを１．０ｋｅＶの加速エネルギーで引き出して基体
４に照射した。このようにして基体４上に窒化クロム系
膜６を１００ｎｍ成膜した。この時、膜のＣｒ／Ｎ組成
比が１．５になるように、クロムの蒸着速度と窒素イオ
ンの照射量とを調整した。

【００４２】その後、当該窒化クロム系膜６に対して、
蒸発源１２から炭素を加熱蒸気化して蒸着させると同時
に、イオン源１６よりイオンビーム１８としてアルゴン
イオンを１．０ｋｅＶの加速エネルギーで照射した。こ
のようにして基体４上の窒化クロム系膜６の表面に炭素
系膜８を４００ｎｍ成膜した。この時、炭素の蒸着量と
アルゴンイオンの照射量との比は２．０になるように調
整した。

【００４３】＜実施例２＞基体４として高速度工具鋼
（ＳＫＨ５１）を用い、それをホルダ１０に設置した
後、真空容器内を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保
った。その後、電子ビーム加熱式の蒸発源１２より、ク
ロムを加熱蒸気化してそれを基体４上に蒸着させると同
時に、イオン源１６よりイオンビーム１８として窒素イ
オンを０．５ｋｅＶの加速エネルギーで引き出して基体
４に照射した。このようにして基体４上に窒化クロム系
膜６を１００ｎｍ成膜した。この時、膜のＣｒ／Ｎ組成
比が２．０になるように、クロムの蒸着速度と窒素イオ
ンの照射量とを調整した。

【００４４】その後、当該窒化クロム系膜６に対して、
蒸発源１２から炭素を加熱蒸気化して蒸着させると同時
に、イオン源１６よりイオンビーム１８として窒素イオ
ンを１．０ｋｅＶの加速エネルギーで照射した。このよ
うにして基体４上の窒化クロム系膜６の表面に炭素系膜
８を４００ｎｍ成膜した。この時、炭素の蒸着量と窒素
イオンの照射量との比は１．０になるように調整した。

【００４５】＜比較例１＞基体４として高速度工具鋼
（ＳＫＨ５１）を用い、それをホルダ１０に設置した
後、真空容器内を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保
った。その後、電子ビーム加熱式の蒸発源１２より、炭
素を加熱蒸気化してそれを基体４上に蒸着させると同時
に、イオン源１６よりイオンビーム１８としてアルゴン
イオンを１．０ｋｅＶの加速エネルギーで引き出して基
体４に照射した。このようにして基体４上に、窒化クロ
ム系膜６を設けることなくいきなり炭素系膜８を５００
ｎｍ成膜した。この時、炭素の蒸着量とアルゴンイオン
の照射量との比は２．０になるように調整した。

【００４６】上記実施例１、２および比較例１で得られ
た膜被覆物について、１０ｇ荷重ビッカース硬度により
膜の硬度を測定した。また、ＡＥセンサ付きスクラッチ
試験機によって膜の密着強度を測定した。その結果を表
１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】この表１から分かるように、実施例１、２
および比較例１のいずれも、膜の硬度は優れている。実
施例２のものの硬度がより高いのは、炭素系膜８中に窒
化炭素が形成されたためであると考えられる。

【００４９】しかし、比較例１のものは、硬度を測定し
た際、ビッカース圧痕の周辺にクラックが入った。一
方、実施例１および２のものには、いずれも、ビッカー
ス圧痕の周辺にはクラックが入らず、従って実施例１お
よび２のものは、比較例１のものに比べて靱性に優れて
いることが確かめられた。

【００５０】また、膜の密着強度も、実施例１および２
のものは比較例１のものに比べて遙かに高いことが確か
められた。実施例１および２のように中間層として窒化
クロム系膜６を介在させると膜の密着性も向上するの
は、炭素系膜８と窒化クロム系膜６との間で格子定数
や熱膨張係数の不整合が少ないので炭素系膜８の窒化ク
ロム系膜６に対する密着性が高く、しかも窒化クロム
系膜６を構成するクロムは化学的に活性であるので、窒
化クロム系膜６の基体４に対する密着性も高い、ことに
よるものと考えられる。

【００５１】

【発明の効果】以上のようにこの発明の膜被覆物におい
ては、表面の、ダイヤモンド構造の炭素を含む炭素およ
び窒化炭素の少なくとも一方から成る炭素系膜は高硬度
であり、しかもその下の窒化クロム系膜は、適度な硬度
と靱性とを有していて、炭素系膜の内部応力を緩和する
と共に炭素系膜のクッション材的な作用をするので、表
面の炭素系膜の靱性を向上させることでき、従って基体
表面の膜は全体として、硬度および靱性に優れたものと
なる。しかも、窒化クロム系膜を中間層として介在させ
ると、炭素系膜を直接基体表面に形成する場合に比べ
て、膜全体の基体に対する密着性も向上する。

【００５２】また、この発明の製造方法によれば、基体
の表面に前述したような窒化クロム系膜および炭素系膜
を形成することができ、しかもその際、照射イオンの注
入作用、スパッタ作用および押込み作用によって、基体
と窒化クロム系膜との界面付近および窒化クロム系膜と
炭素系膜との界面付近には、それぞれ、その両側の構成
元素が混じり合って成る混合層が形成され、これが言わ
ば楔のような作用をするので、基体に対する窒化クロム
系膜および窒化クロム系膜に対する炭素系膜の密着性が
共に非常に高くなる。従って、基体の表面に、硬度お
よび靱性に優れているだけでなく密着性にも非常に優れ
た膜を形成することができる。

【００５３】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る膜被覆物の一例を部分的に示す
断面図である。

【図２】この発明に係る製造方法を実施する装置の一例
を示す概略図である。

【符号の説明】

２膜被覆物４基体６窒化クロム系膜８炭素系膜１２蒸発源１４蒸発物質１６イオン源１８イオンビーム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体の表面に、窒化クロム単独または窒
化クロムおよびクロムから成る窒化クロム系膜を形成
し、かつこの窒化クロム系膜の表面に、ダイヤモンド構
造の炭素を含む炭素および窒化炭素の少なくとも一方か
ら成る炭素系膜を形成していることを特徴とする膜被覆
物。
【請求項２】前記炭素系膜が、ダイヤモンド構造の炭
素を含む炭素および窒化炭素から成る請求項１記載の膜
被覆物。
【請求項３】前記炭素系膜が窒化炭素から成る請求項
１記載の膜被覆物。
【請求項４】真空雰囲気中で、基体に対して、クロム
の蒸着と、少なくとも窒素イオンを含むイオンビームの
照射とを行うことによって、当該基体の表面に、窒化ク
ロム単独または窒化クロムおよびクロムから成る窒化ク
ロム系膜を形成した後に、当該窒化クロム系膜に対し
て、炭素の蒸着と、不活性ガスイオンおよび窒素イオン
の少なくとも一方を含むイオンビームの照射とを行うこ
とによって、当該窒化クロム系膜の表面に、ダイヤモン
ド構造の炭素を含む炭素および窒化炭素の少なくとも一
方から成る炭素系膜を形成することを特徴とする膜被覆
物の製造方法。