JPH08274057A - 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成 方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成 方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】化学薬品、超純水を多量に使用することなく、
ウェーハ表面上の有機ならびに金属不純物の除去が可能
な洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液生の成方法を提供
し、半導体装置製造コストの削減と環境負荷の低減を図
る。 【構成】ＰＥＥＫ材からなる洗浄槽６に純水供給口２よ
り純水を入れ、Ｃｌ2 供給口１Ａより純水中にＣｌ2 を
バブリングさせ塩素イオンと次亜塩素酸イオンと塩素酸
イオンを含む洗浄液を生成し、この洗浄液中にウェーハ
５を浸漬させて洗浄する。
ウェーハ表面上の有機ならびに金属不純物の除去が可能
な洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液生の成方法を提供
し、半導体装置製造コストの削減と環境負荷の低減を図
る。 【構成】ＰＥＥＫ材からなる洗浄槽６に純水供給口２よ
り純水を入れ、Ｃｌ2 供給口１Ａより純水中にＣｌ2 を
バブリングさせ塩素イオンと次亜塩素酸イオンと塩素酸
イオンを含む洗浄液を生成し、この洗浄液中にウェーハ
５を浸漬させて洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスに用いられる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並
びに洗浄液の生成方法に関する。
セスに用いられる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並
びに洗浄液の生成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスでは、そ
の微細化、高集積化に伴い、各工程間で半導体基板表面
の清浄化のため、様々な汚染物を除去する目的で清浄度
の高い有機溶剤や強酸、強アルカリ等の化学薬品を使用
したウェット清浄処理が不可欠であり、しかも、様々な
場面でこれら薬液を多量に使用せざるを得ない。
の微細化、高集積化に伴い、各工程間で半導体基板表面
の清浄化のため、様々な汚染物を除去する目的で清浄度
の高い有機溶剤や強酸、強アルカリ等の化学薬品を使用
したウェット清浄処理が不可欠であり、しかも、様々な
場面でこれら薬液を多量に使用せざるを得ない。
【０００３】例えば、半導体基板表面の金属汚染除去を
目的とした洗浄工程では、塩酸（３７％）と過酸化水素
水（３０％）と純水を１：１：６の容量比率で混合した
薬液（以下ＨＰＭ液という）などが多量に使用される。
この様な高純度かつ高濃度の薬品の多量の消費は地球環
境に与える負荷は大きい。さらに、高純度薬品の製造コ
スト、廃液処理コストが嵩むことを考慮し、化学薬品の
大量消費型のウェット洗浄工程の見直しが検討され始め
ている。
目的とした洗浄工程では、塩酸（３７％）と過酸化水素
水（３０％）と純水を１：１：６の容量比率で混合した
薬液（以下ＨＰＭ液という）などが多量に使用される。
この様な高純度かつ高濃度の薬品の多量の消費は地球環
境に与える負荷は大きい。さらに、高純度薬品の製造コ
スト、廃液処理コストが嵩むことを考慮し、化学薬品の
大量消費型のウェット洗浄工程の見直しが検討され始め
ている。
【０００４】用途は異なるが、特開昭５６−１５０８１
８号公報によれば、高濃度の化学薬品を使用せずに純水
中に塩素ガスを微量溶解させ、水と反応させて生成する
次亜塩素酸、次亜塩素酸イオンを純水供給配管中に発生
するバクテリアの除去と、半導体基板の洗浄処理に用い
ている。この場合は純水の代替えとして使用するもので
ある。そのため、多量の塩素ガスを純水中に溶解させた
洗浄液を使用すると、半導体基板上に塩素が残留し、ア
ルミニウム系の金属配線の腐食などの半導体デバイスの
特性に影響を与える可能性があるので、次亜塩素酸並び
に次亜塩素酸イオンの量を０．１ｐｐｍ以下に押さえて
いる。
８号公報によれば、高濃度の化学薬品を使用せずに純水
中に塩素ガスを微量溶解させ、水と反応させて生成する
次亜塩素酸、次亜塩素酸イオンを純水供給配管中に発生
するバクテリアの除去と、半導体基板の洗浄処理に用い
ている。この場合は純水の代替えとして使用するもので
ある。そのため、多量の塩素ガスを純水中に溶解させた
洗浄液を使用すると、半導体基板上に塩素が残留し、ア
ルミニウム系の金属配線の腐食などの半導体デバイスの
特性に影響を与える可能性があるので、次亜塩素酸並び
に次亜塩素酸イオンの量を０．１ｐｐｍ以下に押さえて
いる。
【０００５】発明者等は、高純度、高濃度の化学薬品を
大幅に削減できる画期的なウェット処理方法を発明し既
に出願している（特願平６−５６１０６）。これは、微
量の電解質が添加された純水を電気分解し、その結果得
られた特殊な水、すなわち電解活性水を用いて半導体基
板のウェット処理を行うというものである。特に半導体
基板表面の金属不純物の除去に関して、ここでは電解質
としてハロゲン系ガスを用いている。これは、電解活性
水の製造にあたり、電気分解部の陽極部において、塩素
ガスあるいは塩化水素ガスあるいは臭化水素ガスあるい
はヨウ化水素ガスの内の少なくとも１種類を含む気体を
予め溶存させ、電気分解処理して得られる電解活性水を
用いて、半導体基板表面上の金属不純物除去を可能とす
るものである。
大幅に削減できる画期的なウェット処理方法を発明し既
に出願している（特願平６−５６１０６）。これは、微
量の電解質が添加された純水を電気分解し、その結果得
られた特殊な水、すなわち電解活性水を用いて半導体基
板のウェット処理を行うというものである。特に半導体
基板表面の金属不純物の除去に関して、ここでは電解質
としてハロゲン系ガスを用いている。これは、電解活性
水の製造にあたり、電気分解部の陽極部において、塩素
ガスあるいは塩化水素ガスあるいは臭化水素ガスあるい
はヨウ化水素ガスの内の少なくとも１種類を含む気体を
予め溶存させ、電気分解処理して得られる電解活性水を
用いて、半導体基板表面上の金属不純物除去を可能とす
るものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体基板上に何らか
の要因で残留した金属不純物は、シリコンと結合してい
たり、酸化物として存在していたりして容易に除去しに
くい状態となっている。また、フォトレジスト起因等の
有機物は酸化性の酸化洗浄液でも微量残留し、除去しき
れなくなっている。特開昭５６−１５０８１８号公報に
おいては、０．１ｐｐｍ以下に押さえた塩素バブリング
水を純水の代替えとして使用している。しかしながら、
この様な方法で得られる洗浄液中の塩素は遊離塩素とし
て存在しており、たとえば加熱などによって容易に塩素
イオンになるなど、安定性がなく、微量金属不純物除去
を目的として用いてもほとんど効果がなかった。
の要因で残留した金属不純物は、シリコンと結合してい
たり、酸化物として存在していたりして容易に除去しに
くい状態となっている。また、フォトレジスト起因等の
有機物は酸化性の酸化洗浄液でも微量残留し、除去しき
れなくなっている。特開昭５６−１５０８１８号公報に
おいては、０．１ｐｐｍ以下に押さえた塩素バブリング
水を純水の代替えとして使用している。しかしながら、
この様な方法で得られる洗浄液中の塩素は遊離塩素とし
て存在しており、たとえば加熱などによって容易に塩素
イオンになるなど、安定性がなく、微量金属不純物除去
を目的として用いてもほとんど効果がなかった。
【０００７】発明者等が既に出願している発明（特願平
６−５６１０６）における目的の一つは化学薬品の使用
量の大幅な削減である。電解活性水の使用は高純度化学
薬品の使用量を大幅に削減できる。しかしながら、電解
効率を上げる手段として電解質の添加に加えて、印加電
圧を上げる手段がとられている。そのため、電力消費量
の大幅な削減は今のところ難しい。
６−５６１０６）における目的の一つは化学薬品の使用
量の大幅な削減である。電解活性水の使用は高純度化学
薬品の使用量を大幅に削減できる。しかしながら、電解
効率を上げる手段として電解質の添加に加えて、印加電
圧を上げる手段がとられている。そのため、電力消費量
の大幅な削減は今のところ難しい。
【０００８】さらに、電解活性水はその寿命に不安定さ
がある。不安定さは洗浄効果が大きいことに繋がるが、
一方で洗浄時までに効果が低下する可能性があることも
意味している。適応する洗浄工程によっては安定性が重
要である。たとえば、陽極水は陰極水よりも劣化の度合
いは小さいが、室温下で製造直後に１２００ｍＶあった
ＯＲＰ（酸化還元電位）が約７０時間経過後には１００
０ｍＶ以下まで低下している。ところがｐＨ（水素イオ
ン濃度）は不変であった。金属不純物除去には洗浄液の
ｐＨの値と共にＯＲＰの値が除去性能を左右する。有機
不純物の除去にはＯＲＰの値が除去性能を左右する。通
常の化学薬品の様に安定な状態を保持するのには従来の
技術では限界があった。
がある。不安定さは洗浄効果が大きいことに繋がるが、
一方で洗浄時までに効果が低下する可能性があることも
意味している。適応する洗浄工程によっては安定性が重
要である。たとえば、陽極水は陰極水よりも劣化の度合
いは小さいが、室温下で製造直後に１２００ｍＶあった
ＯＲＰ（酸化還元電位）が約７０時間経過後には１００
０ｍＶ以下まで低下している。ところがｐＨ（水素イオ
ン濃度）は不変であった。金属不純物除去には洗浄液の
ｐＨの値と共にＯＲＰの値が除去性能を左右する。有機
不純物の除去にはＯＲＰの値が除去性能を左右する。通
常の化学薬品の様に安定な状態を保持するのには従来の
技術では限界があった。
【０００９】本発明の目的は、これらの課題を解決し、
半導体装置の製造コストの大幅な削減と環境負荷の低減
であり、化学薬品を多量に使用することなく、また電力
消費量を極力抑え、しかも半導体基板表面の金属あるい
は有機物を除去する性能は従来と同等あるいはそれ以上
となる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液
の生成方法を提供することにある。
半導体装置の製造コストの大幅な削減と環境負荷の低減
であり、化学薬品を多量に使用することなく、また電力
消費量を極力抑え、しかも半導体基板表面の金属あるい
は有機物を除去する性能は従来と同等あるいはそれ以上
となる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液
の生成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体基板
の洗浄装置は、高純度塩素ガスを純水中にバブリングさ
せる機構を有しており、また、紫外線（＜３４０ｎｍ）
照射機構と外部からの光を遮断する設備を内蔵してい
る。また、ウェット処理時に処理液の温度を０〜７０℃
の間で可変できる加熱ならびに冷却機構を備えている。
更に洗浄液内の金属錯塩ならびに塩素イオンの除去可能
な高交換容量の強酸陽イオン交換樹脂を内蔵している。
の洗浄装置は、高純度塩素ガスを純水中にバブリングさ
せる機構を有しており、また、紫外線（＜３４０ｎｍ）
照射機構と外部からの光を遮断する設備を内蔵してい
る。また、ウェット処理時に処理液の温度を０〜７０℃
の間で可変できる加熱ならびに冷却機構を備えている。
更に洗浄液内の金属錯塩ならびに塩素イオンの除去可能
な高交換容量の強酸陽イオン交換樹脂を内蔵している。
【００１１】第２の発明の半導体基板の洗浄方法は、純
水中に次亜塩素酸イオンと塩素酸イオンと塩素イオンを
同時に含ませた洗浄液を用いるものである。
水中に次亜塩素酸イオンと塩素酸イオンと塩素イオンを
同時に含ませた洗浄液を用いるものである。
【００１２】第３の発明の洗浄液の生成方法は、純水中
に塩素ガスをバブリングさせ、０．００３〜０．３重量
（ｗｔ）％の塩素イオを溶存させ、少くとも次亜塩素酸
イオンと塩素酸イオンを含ませるものである。
に塩素ガスをバブリングさせ、０．００３〜０．３重量
（ｗｔ）％の塩素イオを溶存させ、少くとも次亜塩素酸
イオンと塩素酸イオンを含ませるものである。
【００１３】
【作用】本発明による洗浄液の構成は、１８ＭΩ・ｃｍ
以上の超純水中に次亜塩素酸イオン、塩素酸イオンそし
て塩素イオンを同時に含み、陽イオンは水素イオンのみ
とし、ナトリウム、アンモニウム等のアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、第四級アミン類を含まない。この様な
構成の洗浄液を使用した場合、半導体基板上に吸着した
金属不純物は、酸性領域下で酸化力の強い次亜塩素酸イ
オンならびに塩素酸イオンの作用により酸化溶解し、塩
素イオンにより金属錯塩を形成する為再付着が防止され
る。
以上の超純水中に次亜塩素酸イオン、塩素酸イオンそし
て塩素イオンを同時に含み、陽イオンは水素イオンのみ
とし、ナトリウム、アンモニウム等のアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、第四級アミン類を含まない。この様な
構成の洗浄液を使用した場合、半導体基板上に吸着した
金属不純物は、酸性領域下で酸化力の強い次亜塩素酸イ
オンならびに塩素酸イオンの作用により酸化溶解し、塩
素イオンにより金属錯塩を形成する為再付着が防止され
る。
【００１４】有機不純物の除去に関しても同様に、次亜
塩素酸イオン、塩素酸イオンにより有機不純物は分解さ
れ、二酸化炭素ならびに水として溶解除去される。有機
物を単に半導体基板から脱離するのではなく、最小単位
まで分解するので再付着の心配はない。
塩素酸イオン、塩素酸イオンにより有機不純物は分解さ
れ、二酸化炭素ならびに水として溶解除去される。有機
物を単に半導体基板から脱離するのではなく、最小単位
まで分解するので再付着の心配はない。
【００１５】この洗浄液の生成方法は、高純度塩素ガス
を超純水中（１８ＭΩ以上）にバブリングさせる。塩素
ガスを純水中にバブリングさせると、ナトリウム、アン
モニウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、第四級
アミン類を含まずに、塩素ガスと水の反応により、高収
率の次亜塩素酸イオン、塩素酸イオンが生成する。次の
（１）（２）（３）式に塩素ガスと水の反応式を示す。
を超純水中（１８ＭΩ以上）にバブリングさせる。塩素
ガスを純水中にバブリングさせると、ナトリウム、アン
モニウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、第四級
アミン類を含まずに、塩素ガスと水の反応により、高収
率の次亜塩素酸イオン、塩素酸イオンが生成する。次の
（１）（２）（３）式に塩素ガスと水の反応式を示す。
【００１６】 Ｃl 2 ＋２Ｈ2 Ｏ→２Ｈ+ ＋２ＨＣl Ｏ＋２ｅ- …（１） ２ＨＣl Ｏ→２Ｈ+ ＋２ＨＣl Ｏ- …（２） Ｃl 2 ＋６Ｈ2 Ｏ→１２Ｈ+ ＋２Ｃl Ｏ3 - ＋１０ｅ- …（３） 塩素ガスの飽和溶存量は約０．６ｗｔ％である。しか
し、飽和溶存量に近い多量の塩素ガスを純水中に溶解さ
せても、効率よく塩素酸系のイオン種は生成せず、塩素
ガスとして残留している塩素ガスが大気拡散する可能性
がある為非常に危険である。そこで、塩素ガスの溶存量
の範囲を０．３〜０．００３ｗｔ％とする。この濃度範
囲はｐＨが３以上で酸化還元電位が１０００ｍＶ以上の
洗浄液が供給できる。また、この時の塩素酸系イオンの
生成は０．１〜０．００１ｗｔ％となる。
し、飽和溶存量に近い多量の塩素ガスを純水中に溶解さ
せても、効率よく塩素酸系のイオン種は生成せず、塩素
ガスとして残留している塩素ガスが大気拡散する可能性
がある為非常に危険である。そこで、塩素ガスの溶存量
の範囲を０．３〜０．００３ｗｔ％とする。この濃度範
囲はｐＨが３以上で酸化還元電位が１０００ｍＶ以上の
洗浄液が供給できる。また、この時の塩素酸系イオンの
生成は０．１〜０．００１ｗｔ％となる。
【００１７】洗浄液を活性な状態で使用するために紫外
線照射を施す。塩素酸系のイオン種のうち次亜塩素酸イ
オンは紫外線ｈνを照射することで（４）式に示す分解
反応が促進する。
線照射を施す。塩素酸系のイオン種のうち次亜塩素酸イ
オンは紫外線ｈνを照射することで（４）式に示す分解
反応が促進する。
【００１８】Ｃl ０- →Ｃl - ＋（０）…（４） そのため、活性酸素（０）が発生し、金属あるいは有機
物の分解除去が効率よくおこなわれる。しかしながら、
次亜塩素酸イオンは紫外線ならびに可視光によって分解
してしまう性質を持っている。そこで洗浄時以外は、こ
れらの光を遮断することで次亜塩素酸イオンの不必要な
分解反応を阻止し、効率よい洗浄を可能にする。
物の分解除去が効率よくおこなわれる。しかしながら、
次亜塩素酸イオンは紫外線ならびに可視光によって分解
してしまう性質を持っている。そこで洗浄時以外は、こ
れらの光を遮断することで次亜塩素酸イオンの不必要な
分解反応を阻止し、効率よい洗浄を可能にする。
【００１９】又、洗浄液を活性な状態で使用するために
加温する。熱によっても（４）式の分解反応は促進され
る。しかしながら、活性酸素の寿命は短い。そのため、
加温時間の短縮をはかるため、μ波による加熱方式を用
いる。さらに、熱による不必要な次亜塩素酸イオンの分
解を避けるため、使用時以外は冷却手段により冷温保存
して洗浄液の劣化を防ぐ。洗浄液の温度は０〜７０℃と
する。０℃以下では洗浄液が凍結し、又７０℃以上では
溶存する塩素が飛散する為好ましくない。
加温する。熱によっても（４）式の分解反応は促進され
る。しかしながら、活性酸素の寿命は短い。そのため、
加温時間の短縮をはかるため、μ波による加熱方式を用
いる。さらに、熱による不必要な次亜塩素酸イオンの分
解を避けるため、使用時以外は冷却手段により冷温保存
して洗浄液の劣化を防ぐ。洗浄液の温度は０〜７０℃と
する。０℃以下では洗浄液が凍結し、又７０℃以上では
溶存する塩素が飛散する為好ましくない。
【００２０】更に洗浄液をリサイクルするため、洗浄液
内の金属錯塩ならびに塩素の除去可能な高交換容量を有
する強酸陽イオン交換樹脂を用いて、クリーンな液を再
生し、過剰な超純水を使用せずとも塩素ガスのバブリン
グにより新たな洗浄液を生成する。このイオン交換樹脂
は架橋度１５〜２０％のスチレン系基材をスルホン酸基
で修飾したＨ+ 型樹脂とＨをＡｇに置換したＡｇ+ 型樹
脂の二種類の樹脂を充填して用いる。Ｈ+ 型樹脂は遷移
金属に高い選択性を持っている。Ａｇ+ 型樹脂は処理液
中のＣl - ，Ｂｒ- ，Ｉ- をハロゲン化銀として析出さ
せて除去するのに適している。
内の金属錯塩ならびに塩素の除去可能な高交換容量を有
する強酸陽イオン交換樹脂を用いて、クリーンな液を再
生し、過剰な超純水を使用せずとも塩素ガスのバブリン
グにより新たな洗浄液を生成する。このイオン交換樹脂
は架橋度１５〜２０％のスチレン系基材をスルホン酸基
で修飾したＨ+ 型樹脂とＨをＡｇに置換したＡｇ+ 型樹
脂の二種類の樹脂を充填して用いる。Ｈ+ 型樹脂は遷移
金属に高い選択性を持っている。Ａｇ+ 型樹脂は処理液
中のＣl - ，Ｂｒ- ，Ｉ- をハロゲン化銀として析出さ
せて除去するのに適している。
【００２１】
【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例について説
明する。図１は本発明の第１の実施例の半導体基板の洗
浄装置の構成図である。
明する。図１は本発明の第１の実施例の半導体基板の洗
浄装置の構成図である。
【００２２】図１において洗浄装置は、洗浄槽６と、こ
の洗浄槽６に設けられた純水供給口２と洗浄液の排出口
３と、純水中に塩素ガスをバブリングさせる為のＣｌ2
供給口１Ａを有する配管１とから主に構成され、塩素ガ
スをバブリングすることで効率よく塩素酸系イオン種を
含んだ洗浄液の実現をするために適したものとなってい
る。
の洗浄槽６に設けられた純水供給口２と洗浄液の排出口
３と、純水中に塩素ガスをバブリングさせる為のＣｌ2
供給口１Ａを有する配管１とから主に構成され、塩素ガ
スをバブリングすることで効率よく塩素酸系イオン種を
含んだ洗浄液の実現をするために適したものとなってい
る。
【００２３】この中で洗浄槽６、純水供口２、排出口３
はＰＥＥＫ（パーエーテルエーテルケトン）材を使用し
ている。Ｃl 2 供給配管１は内部にＰＥＥＫ、外部はク
ロム不導体化したステンレスを使用している。また、ウ
ェーハキャリア４についてもＰＥＥＫを使用している。
ＰＥＥＫは、ＰＴＥＥ（ポリテトラフロロエチレン）や
ＰＰ（ポリプロピレン）等の他の樹脂に比べてパーティ
クルや有機不純物の溶出が少なく、熱変形温度は１５２
℃、引張強度は９３０ｋｇｆ／ｃｍ2 であり熱や多少の
圧力に耐えうるためである。さらに、周知の通りＰＥＥ
Ｋは黒色のため光（紫外光ならびに可視光）を遮断する
機能を有している。
はＰＥＥＫ（パーエーテルエーテルケトン）材を使用し
ている。Ｃl 2 供給配管１は内部にＰＥＥＫ、外部はク
ロム不導体化したステンレスを使用している。また、ウ
ェーハキャリア４についてもＰＥＥＫを使用している。
ＰＥＥＫは、ＰＴＥＥ（ポリテトラフロロエチレン）や
ＰＰ（ポリプロピレン）等の他の樹脂に比べてパーティ
クルや有機不純物の溶出が少なく、熱変形温度は１５２
℃、引張強度は９３０ｋｇｆ／ｃｍ2 であり熱や多少の
圧力に耐えうるためである。さらに、周知の通りＰＥＥ
Ｋは黒色のため光（紫外光ならびに可視光）を遮断する
機能を有している。
【００２４】次にこの洗浄槽６で塩素バブリング水を生
成する方法について説明する。まず、純水供給口２から
超純水を供給し、ついでＣl 2 供給口１Ａより高純度Ｃ
l 2を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力
押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で
２０℃常温で行った。Ｃｌ2 の供給を制御し、Ｃｌ2の
溶存量を０．３％とした。そしてシリコン表面を意図的
に、１×１０12原子／ｃｍ2 オーダーのＦｅ，Ｃｕで汚
染したウェーハをウェハキャリア４を用いて洗浄槽で生
成した洗浄液中に浸漬して洗浄したときの金属除去効果
を調べた。図２はこの時のＦｅとＣｕの汚染除去効果を
示すものである。従来のＨＰＭ液洗浄と比較して、Ｃｕ
量は１×１０10原子／ｃｍ2 オーダーまで減少し、塩素
バブリング水洗浄の方が若干良い。Ｆｅ量は、ＨＰＭ洗
浄、塩素バブリング水洗浄とも１×１０10原子／ｃｍ2
オーダーまで減少し、ほぼ同等の除去効果が得られた。
成する方法について説明する。まず、純水供給口２から
超純水を供給し、ついでＣl 2 供給口１Ａより高純度Ｃ
l 2を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力
押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で
２０℃常温で行った。Ｃｌ2 の供給を制御し、Ｃｌ2の
溶存量を０．３％とした。そしてシリコン表面を意図的
に、１×１０12原子／ｃｍ2 オーダーのＦｅ，Ｃｕで汚
染したウェーハをウェハキャリア４を用いて洗浄槽で生
成した洗浄液中に浸漬して洗浄したときの金属除去効果
を調べた。図２はこの時のＦｅとＣｕの汚染除去効果を
示すものである。従来のＨＰＭ液洗浄と比較して、Ｃｕ
量は１×１０10原子／ｃｍ2 オーダーまで減少し、塩素
バブリング水洗浄の方が若干良い。Ｆｅ量は、ＨＰＭ洗
浄、塩素バブリング水洗浄とも１×１０10原子／ｃｍ2
オーダーまで減少し、ほぼ同等の除去効果が得られた。
【００２５】図３は本発明の第２の実施例の半導体基板
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、洗浄槽６の側面に加熱用のμ波発振器７
と、洗浄槽６の底面下に冷却装置８を設けたことであ
る。
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、洗浄槽６の側面に加熱用のμ波発振器７
と、洗浄槽６の底面下に冷却装置８を設けたことであ
る。
【００２６】この洗浄槽６で上述と同様に洗浄液として
の塩素バブリング水を生成した。図１の洗浄槽と同様に
配管系はＰＥＥＫを使用している。この時のＣｌ2 の溶
存量も０．３％である。まず、純水供給口２から超純水
を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純度Ｃｌ2 を
供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力押さえ
る目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で行っ
た。そして、μ波による加熱機構７により、１５〜２０
℃／ｍｉｎ．の昇温レートで６０℃まで加温した。
の塩素バブリング水を生成した。図１の洗浄槽と同様に
配管系はＰＥＥＫを使用している。この時のＣｌ2 の溶
存量も０．３％である。まず、純水供給口２から超純水
を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純度Ｃｌ2 を
供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力押さえ
る目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で行っ
た。そして、μ波による加熱機構７により、１５〜２０
℃／ｍｉｎ．の昇温レートで６０℃まで加温した。
【００２７】そして、Ｆｅ，Ｃｕで汚染させたシリコン
ウェーハを前述の洗浄液を用いて洗浄した。この時の金
属除去の評価結果を図４に示す。従来のＨＰＭ液洗浄と
比較して、第２の実施例での洗浄では、Ｆｅ除去におい
ては１×１０10原子／ｃｍ2オーダーで若干よく、Ｃｕ
ではほぼ同等レベルの除去性能が得られた。さらに、図
２と図４を比較すると、μ波加熱を施してある本第２の
実施例の方が第１の実施例に比較して洗浄液が活性な状
態なので、固体差が少なく除去性能も良いものであっ
た。
ウェーハを前述の洗浄液を用いて洗浄した。この時の金
属除去の評価結果を図４に示す。従来のＨＰＭ液洗浄と
比較して、第２の実施例での洗浄では、Ｆｅ除去におい
ては１×１０10原子／ｃｍ2オーダーで若干よく、Ｃｕ
ではほぼ同等レベルの除去性能が得られた。さらに、図
２と図４を比較すると、μ波加熱を施してある本第２の
実施例の方が第１の実施例に比較して洗浄液が活性な状
態なので、固体差が少なく除去性能も良いものであっ
た。
【００２８】図５は本発明の第３の実施例の半導体基板
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、洗浄槽６Ａを高純度の石英製とし、その
側面及び底面に紫外線ランプ９を設けたことである。
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、洗浄槽６Ａを高純度の石英製とし、その
側面及び底面に紫外線ランプ９を設けたことである。
【００２９】この洗浄槽６Ａで上述と同様に洗浄液とし
ての塩素バブリング水を生成した。図１および図３の洗
浄槽と同様に配管系はＰＥＥＫを使用している。この時
の溶存Ｃｌ2 量も０．３％である。まず、純水供給口２
から超純水を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純
度Ｃｌ2 を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を
極力押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状
態で２０℃常温で行った。そして、ウェーハ洗浄時に紫
外光を照射した。この時の洗浄槽６ＡにはＰＥＥＫ材で
はなくて高純度の石英を用い、紫外線照射が洗浄液全体
に行き渡るようにした。この時、Ｆｅ，Ｃｕで強制汚染
させたシリコンウェーハの金属除去は、前述の第２の実
施例のμ波加熱の場合とほぼ同等の結果が得られた。
ての塩素バブリング水を生成した。図１および図３の洗
浄槽と同様に配管系はＰＥＥＫを使用している。この時
の溶存Ｃｌ2 量も０．３％である。まず、純水供給口２
から超純水を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純
度Ｃｌ2 を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を
極力押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状
態で２０℃常温で行った。そして、ウェーハ洗浄時に紫
外光を照射した。この時の洗浄槽６ＡにはＰＥＥＫ材で
はなくて高純度の石英を用い、紫外線照射が洗浄液全体
に行き渡るようにした。この時、Ｆｅ，Ｃｕで強制汚染
させたシリコンウェーハの金属除去は、前述の第２の実
施例のμ波加熱の場合とほぼ同等の結果が得られた。
【００３０】図６は本発明の第４の実施例の半導体基板
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、金属錯塩及び塩素を除去する為のイオン
交換樹脂１０を充填した配管を排出口３Ａと純水供給口
２の間に設け、洗浄液をリサイクルできるようにしたこ
とである。
の洗浄装置の構成図であり、図１に示した第１の実施例
と異なる所は、金属錯塩及び塩素を除去する為のイオン
交換樹脂１０を充填した配管を排出口３Ａと純水供給口
２の間に設け、洗浄液をリサイクルできるようにしたこ
とである。
【００３１】この洗浄槽で上述と同様に洗浄液としての
塩素バブリング水を生成した。まず、純水供給口２から
超純水を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純度Ｃ
ｌ2を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力
押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で
２０℃の常温で行った。この洗浄液を用いて１〜１０12
原子／ｃｍ2 オーダーのＦｅ，Ｃｕで汚染したウェーハ
を洗浄した。
塩素バブリング水を生成した。まず、純水供給口２から
超純水を供給し、ついでＣｌ2 供給口１Ａより高純度Ｃ
ｌ2を供給する。この時、生成する洗浄液の劣化を極力
押さえる目的で紫外光ならびに可視光を遮断した状態で
２０℃の常温で行った。この洗浄液を用いて１〜１０12
原子／ｃｍ2 オーダーのＦｅ，Ｃｕで汚染したウェーハ
を洗浄した。
【００３２】次に、この処理液を排水口３Ａより流し、
高交換容量の強酸陽イオン交換樹脂１０を通過させ、Ｍ
（Ｃｌ）x 等の金属錯塩、ならびに塩素イオンを除去
し、再度洗浄槽６に戻した。この時、速やかなイオン交
換反応を引き起こすためにキャリア液として純水または
希薄なアルカリ液をキャリア液供給口１１に供給し、排
出口１２から出るように循環させた。そして、一定量の
容積にするために純水供給口２より超純水を補給した。
そして、再度、塩素バブリング水を生成した。リサイク
ル前後における洗浄液中のＦｅ，Ｃｕの量を表１に示
す。表１に示したように洗浄処理後ではウェーハ表面か
ら溶出したＦｅ，Ｃｕ量が増加しているが、リサイクル
後の洗浄液はウェーハ洗浄前の水準に戻っている。この
リサイクルシステムは、樹脂の交換容量（約１０％程
度）を越えるまで可能である。Ｃｌ2 の含有量が０．３
％で約１０回の連続使用が可能である。その後、樹脂部
を取り外し、強酸と有機溶剤で洗浄し、再度使用でき
る。
高交換容量の強酸陽イオン交換樹脂１０を通過させ、Ｍ
（Ｃｌ）x 等の金属錯塩、ならびに塩素イオンを除去
し、再度洗浄槽６に戻した。この時、速やかなイオン交
換反応を引き起こすためにキャリア液として純水または
希薄なアルカリ液をキャリア液供給口１１に供給し、排
出口１２から出るように循環させた。そして、一定量の
容積にするために純水供給口２より超純水を補給した。
そして、再度、塩素バブリング水を生成した。リサイク
ル前後における洗浄液中のＦｅ，Ｃｕの量を表１に示
す。表１に示したように洗浄処理後ではウェーハ表面か
ら溶出したＦｅ，Ｃｕ量が増加しているが、リサイクル
後の洗浄液はウェーハ洗浄前の水準に戻っている。この
リサイクルシステムは、樹脂の交換容量（約１０％程
度）を越えるまで可能である。Ｃｌ2 の含有量が０．３
％で約１０回の連続使用が可能である。その後、樹脂部
を取り外し、強酸と有機溶剤で洗浄し、再度使用でき
る。
【００３３】
【表１】
【００３４】なお、上記実施例ははそれぞれ独立に説明
したが、これらの実施例を適宜組み合わせることが可能
である。そうすれば、金属ならびに有機物の洗浄除去性
能が向上する。
したが、これらの実施例を適宜組み合わせることが可能
である。そうすれば、金属ならびに有機物の洗浄除去性
能が向上する。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、洗浄槽
に純水を入れ高純度の塩素ガスをバブリングすること
で、アルカリ金属、アルカリ土類金属そして第四級アミ
ン類を含まずに、効率よく次亜塩素酸イオン、塩素酸イ
オン等の酸化性の強いイオン種を含む洗浄液が速やかに
が生成できる。そして紫外光ならびに可視光を遮断し、
冷温保存することで、この洗浄液の劣化を極力抑えるこ
とができる。又、ウェーハの洗浄時に洗浄液をμ波加熱
または紫外線照射することでより活性な状態で使用可能
となる。このとき、洗浄に関与せずに自己分解し、液自
体が劣化するのを防ぐために、μ波による急速加熱や洗
浄時のみの紫外線照射を施す。
に純水を入れ高純度の塩素ガスをバブリングすること
で、アルカリ金属、アルカリ土類金属そして第四級アミ
ン類を含まずに、効率よく次亜塩素酸イオン、塩素酸イ
オン等の酸化性の強いイオン種を含む洗浄液が速やかに
が生成できる。そして紫外光ならびに可視光を遮断し、
冷温保存することで、この洗浄液の劣化を極力抑えるこ
とができる。又、ウェーハの洗浄時に洗浄液をμ波加熱
または紫外線照射することでより活性な状態で使用可能
となる。このとき、洗浄に関与せずに自己分解し、液自
体が劣化するのを防ぐために、μ波による急速加熱や洗
浄時のみの紫外線照射を施す。
【００３６】更に、使用済みの洗浄液中に含まれている
金属錯塩や塩素イオンを高交換容量の強酸陽イオン交換
樹脂により除去し、リサイクルすることで常にクリーン
な液で洗浄ができるため純水や薬品の消費量の大幅な削
減ができ、半導体装置の製造コストのダウンと地球環境
に与える負荷の低減が実現される。
金属錯塩や塩素イオンを高交換容量の強酸陽イオン交換
樹脂により除去し、リサイクルすることで常にクリーン
な液で洗浄ができるため純水や薬品の消費量の大幅な削
減ができ、半導体装置の製造コストのダウンと地球環境
に与える負荷の低減が実現される。
【図１】本発明の第１の実施例の洗浄装置の構成図。
【図２】第１の実施例で洗浄した場合のＦｅ，Ｃｕの汚
染除去効果を示す図。
染除去効果を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例の洗浄装置の構成図。
【図４】第２の実施例で洗浄した場合のＦｅ，Ｃｕの汚
染除去効果を示す図。
染除去効果を示す図。
【図５】本発明の第３の実施例の洗浄装置の構成図。
【図６】本発明の第４の実施例の洗浄装置の構成図。
１ 配管 １Ａ Ｃｌ2 供給口 ２ 純水供給口 ３，３Ａ 排出口 ４ ウェーハキャリア ５ ウェーハ ６，６Ａ 洗浄槽 ７ μ波発振器 ８ 冷却装置 ９ 紫外線ランプ １０ イオン交換樹脂 １１ キャリア液供給口 １２ キャリア液排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｂ //(Ｃ１１Ｄ 7/60 7:18 7:10）
Claims (9)
- 【請求項１】 洗浄槽と、この洗浄槽に設けたれた純水
供給口と洗浄液排出口と、前記洗浄槽に設けられ純水中
に塩素ガスをバブリングさせる為の塩素ガス供給口を有
する配管とを含むことを特徴とする半導体基板の洗浄装
置。 - 【請求項２】 紫外線照射手段を備えている請求項１記
載の半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項３】 外部からの光を遮断する手段を備えてい
る請求項１又は請求項２記載の半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項４】 洗浄液の加熱手段及び冷却手段を備えて
いる請求項１又は請求項２又は請求項３記載の半導体基
板の洗浄装置。 - 【請求項５】 加熱手段はμ波を用いるものである請求
項４記載の半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項６】 洗浄液中の金属錯塩及び塩素を除去する
為の強酸陽イオン交換樹脂を備えている請求項１又は請
求項２又は請求項３又は請求項４又は請求項５記載の半
導体基板の洗浄装置。 - 【請求項７】 洗浄槽内の洗浄液に半導体基板を浸漬す
る半導体基板の洗浄方法において、前記洗浄液として純
水中に塩素イオンと次亜塩素酸イオンと塩素酸イオンを
同時に含ませた液を用いることを特徴とする半導体基板
の洗浄方法。 - 【請求項８】 純水中に塩素ガスをバブリングさせ少く
とも次亜塩素酸イオンと塩素酸イオンを含ませることを
特徴とする洗浄液の生成方法。 - 【請求項９】 塩素ガスの溶存量は０．００３〜０．３
重量％である請求項８記載の洗浄液の生成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7072927A JP2677235B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成方法 |
| KR1019960009306A KR100194010B1 (ko) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | 반도체 기판의 세정방법 및 시스템과 세정액 제조방법 |
| CN96107259A CN1080454C (zh) | 1995-03-30 | 1996-03-30 | 半导体基片的清洗方法、清洗系统和制造清洗液的方法 |
| US08/627,242 US6116254A (en) | 1995-03-30 | 1996-04-01 | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7072927A JP2677235B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274057A true JPH08274057A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2677235B2 JP2677235B2 (ja) | 1997-11-17 |
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ID=13503489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7072927A Expired - Fee Related JP2677235B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6116254A (ja) |
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| CN (1) | CN1080454C (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7422681B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-09-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US7521406B2 (en) | 2004-02-11 | 2009-04-21 | Mallinckrodt Baker, Inc | Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof |
| JP2016171189A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 表面平坦化方法 |
| WO2020049955A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6074960A (en) * | 1997-08-20 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Method and composition for selectively etching against cobalt silicide |
| JP2000294530A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| TW465008B (en) * | 2000-06-14 | 2001-11-21 | United Microelectronics Corp | Cassette seat for cleaning device |
| US7144551B2 (en) * | 2002-04-05 | 2006-12-05 | Dh Technologies, L.L.P. | Mold remediation system and method |
| US20070212256A1 (en) * | 2002-04-05 | 2007-09-13 | Helton Danny O | Mold remediation system and method |
| WO2004045655A2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-06-03 | Selective Micro Technologies, Llc | Cleaning methods using chlorine dioxine solutions |
| JP4319510B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| EP1840659A3 (en) | 2004-02-11 | 2009-12-02 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Composition for cleaning microelectronic substrates containing halogen oxygen acids and derivatives thereof |
| CN100353466C (zh) * | 2004-06-21 | 2007-12-05 | 苏州双林电脑器件有限公司 | 聚焦电位器基片的清洗方法 |
| US20080185459A1 (en) * | 2004-12-31 | 2008-08-07 | An Doo-Keun | Fluid Supply System Used in an Apparatus for Manufacturing Integrated Circuits |
| TWI262827B (en) * | 2005-12-13 | 2006-10-01 | Ind Tech Res Inst | Cleaning device and method of bubble reaction |
| DE102006049683B3 (de) * | 2006-10-13 | 2008-05-29 | Q-Cells Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Charakterisieren von Wafern bei der Herstellung von Solarzellen |
| JP2009164214A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法 |
| CN102243984B (zh) * | 2010-05-11 | 2013-05-08 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种去除芯片上硼斑的方法 |
| JP2014062297A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 処理装置、処理液の製造方法、および電子デバイスの製造方法 |
| CN104741335A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-01 | 中建材浚鑫科技股份有限公司 | 扩散用石英舟的清洗方法 |
| CN104923518A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 中建材浚鑫科技股份有限公司 | 石墨舟清洗工艺 |
| CN104808369B (zh) * | 2015-05-22 | 2018-03-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种清洗设备 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856253B2 (ja) * | 1980-04-23 | 1983-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の洗浄方法 |
| JPH03159237A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Seiko Epson Corp | 洗浄装置 |
| JPH03228328A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体基板の水洗方法 |
| JPH0812852B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1996-02-07 | ローム株式会社 | 半導体製造における洗浄用純水循環経路の滅菌洗浄方法 |
| JPH03270132A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH03283429A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JP2524869B2 (ja) * | 1990-07-23 | 1996-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法および装置 |
| JP3133054B2 (ja) * | 1990-07-26 | 2001-02-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄処理方法及び洗浄処理装置 |
| JPH04127431A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体の洗浄方法 |
| JPH04302144A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hitachi Ltd | 洗浄方法 |
| JPH04348029A (ja) * | 1991-05-25 | 1992-12-03 | Toshiba Corp | 半導体基板処理方法及びその処理装置 |
| JPH04357836A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハー洗浄装置 |
| JP2906986B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | ウエット処理装置および電解活性水生成方法およびウエット処理方法 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7072927A patent/JP2677235B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-29 KR KR1019960009306A patent/KR100194010B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-03-30 CN CN96107259A patent/CN1080454C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-01 US US08/627,242 patent/US6116254A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521406B2 (en) | 2004-02-11 | 2009-04-21 | Mallinckrodt Baker, Inc | Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof |
| US7422681B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-09-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| JP2016171189A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 表面平坦化方法 |
| WO2020049955A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法 |
| JPWO2020049955A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2021-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法 |
| US11505743B2 (en) | 2018-09-06 | 2022-11-22 | Fujifilm Corporation | Chemical solution and method for treating substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1140331A (zh) | 1997-01-15 |
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