JPH08255376A - 一体型基板を用いたｍｏｄ、ｓｄ及びその製造方法 - Google Patents
一体型基板を用いたｍｏｄ、ｓｄ及びその製造方法Info
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- JPH08255376A JPH08255376A JP8012138A JP1213896A JPH08255376A JP H08255376 A JPH08255376 A JP H08255376A JP 8012138 A JP8012138 A JP 8012138A JP 1213896 A JP1213896 A JP 1213896A JP H08255376 A JPH08255376 A JP H08255376A
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Y10S428/90—Magnetic feature
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最終的に製造されたディスクの劣化を防止
し、機械的特性を向上させ、製造時間を減らして製造単
価を節減し得るようにする一体型基板と、この基板を使
用したＭＯＤ及びＳＤ及びその製造方法を提供すること
である。 【解決手段】 スタンパー１３ａ，１３ｂを製造する段
階と、前記スタンパー１３ａ，１３ｂの二つを成形型１
１，１４の両面に装着して基板１２の両面にグルーブ及
びピットを同時に形成させる段階と、前記基板１２の両
面にターゲットをかけて基板１２の両面に同時に成膜さ
せる段階を経る一体型基板１２を使用したＭＯＤ、ＳＤ
の製造方法、及びこれにより製造されたＭＯＤ（magnet
o-opticaldisk）、ＳＤ（superdensity disk ）。
し、機械的特性を向上させ、製造時間を減らして製造単
価を節減し得るようにする一体型基板と、この基板を使
用したＭＯＤ及びＳＤ及びその製造方法を提供すること
である。 【解決手段】 スタンパー１３ａ，１３ｂを製造する段
階と、前記スタンパー１３ａ，１３ｂの二つを成形型１
１，１４の両面に装着して基板１２の両面にグルーブ及
びピットを同時に形成させる段階と、前記基板１２の両
面にターゲットをかけて基板１２の両面に同時に成膜さ
せる段階を経る一体型基板１２を使用したＭＯＤ、ＳＤ
の製造方法、及びこれにより製造されたＭＯＤ（magnet
o-opticaldisk）、ＳＤ（superdensity disk ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一体型基板と、こ
れを用いたＭＯＤ（Magneto-Optical Disk）、ＳＤ（Su
perdensity Disk ）、及びその製造方法に関するもの
で、製造時、基板の両面にピットとグルーブを同時に形
成して接合部のない一体型基板を提供することにより、
最終的に製造された基板の劣化を防止し、機械的特性を
向上させ、製造時間を減らして製造単価を低めることが
できる、一体型基板を用いたＭＯＤ、ＳＤ及びその製造
方法に関するものである。
れを用いたＭＯＤ（Magneto-Optical Disk）、ＳＤ（Su
perdensity Disk ）、及びその製造方法に関するもの
で、製造時、基板の両面にピットとグルーブを同時に形
成して接合部のない一体型基板を提供することにより、
最終的に製造された基板の劣化を防止し、機械的特性を
向上させ、製造時間を減らして製造単価を低めることが
できる、一体型基板を用いたＭＯＤ、ＳＤ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現代の情報化社会で要求されるデータ保
管の信頼性及びドライブ間のマージン（margin）を考慮
して高記録感度の媒体に対する要求が増加しており、高
密度，高容量及び迅速なデータ伝送率に対する要求に応
じて台頭したものとして最も代表的なものにはＭＯＤと
ＳＤとがある。
管の信頼性及びドライブ間のマージン（margin）を考慮
して高記録感度の媒体に対する要求が増加しており、高
密度，高容量及び迅速なデータ伝送率に対する要求に応
じて台頭したものとして最も代表的なものにはＭＯＤと
ＳＤとがある。
【０００３】記録層である磁性層を基板上に成膜してデ
ータの記録及び再生を可能にしたＭＯＤと、別の記録層
なしに、スタンパーの製造時にデータがピットに入力さ
れて、使用時に再記録が不可能な再生専用のＳＤは、従
来の磁気記録媒体に比べて１０〜６００倍以上の高記録
密度とヘッドとメディア間の非接触により、情報保存の
半永久的な面が脚光を浴びている。
ータの記録及び再生を可能にしたＭＯＤと、別の記録層
なしに、スタンパーの製造時にデータがピットに入力さ
れて、使用時に再記録が不可能な再生専用のＳＤは、従
来の磁気記録媒体に比べて１０〜６００倍以上の高記録
密度とヘッドとメディア間の非接触により、情報保存の
半永久的な面が脚光を浴びている。
【０００４】図３は従来の光磁気ディスクの基板を射出
成形により製造する方法を概略的に示す断面図であり、
図５は従来のＳＤの層構造を概略的に示す断面図であ
り、図７は従来のＭＯＤの層構造を概略的に示す断面図
である。
成形により製造する方法を概略的に示す断面図であり、
図５は従来のＳＤの層構造を概略的に示す断面図であ
り、図７は従来のＭＯＤの層構造を概略的に示す断面図
である。
【０００５】従来の光磁気記録媒体（ＭＯＤ）は、図７
に示すように、ポリカーボネート基板２０ａ（又は２０
ｂ）上に四層の薄膜２１，２２，２３，２４（又は２
５，２６，２７，２８）を形成したディスク二枚をシー
ルコーティング膜２９ａ，２９ｂを介してホットメルト
接着剤又はＵＶ接着部５０により接合して表面にハード
コーティング保護膜６０ａ，６０ｂを成膜した両面構造
として使用している。
に示すように、ポリカーボネート基板２０ａ（又は２０
ｂ）上に四層の薄膜２１，２２，２３，２４（又は２
５，２６，２７，２８）を形成したディスク二枚をシー
ルコーティング膜２９ａ，２９ｂを介してホットメルト
接着剤又はＵＶ接着部５０により接合して表面にハード
コーティング保護膜６０ａ，６０ｂを成膜した両面構造
として使用している。
【０００６】又、従来の高密度記録媒体（ＳＤ）は、図
５に示すように、単一基板７７上にピットとグルーブを
形成してから反射膜７６及びシールコーティング保護膜
７５を被せたディスクと、単一基板７１上にピットとグ
ルーブを形成してから半透明膜７２及びシールコーティ
ング保護膜７３を被せたディスクとがホットメルト接着
剤又はＵＶ接着部７４により接合された構造として使用
している。
５に示すように、単一基板７７上にピットとグルーブを
形成してから反射膜７６及びシールコーティング保護膜
７５を被せたディスクと、単一基板７１上にピットとグ
ルーブを形成してから半透明膜７２及びシールコーティ
ング保護膜７３を被せたディスクとがホットメルト接着
剤又はＵＶ接着部７４により接合された構造として使用
している。
【０００７】従来のこのようなディスクの製造に際して
は、図３に示すように、固定金型４内に一枚のスタンパ
ー３を付着し、射出成形により基板２の一側面のみにグ
ルーブとピットを形成した後、光磁気ディスク（ＭＯ
Ｄ）である場合はその上に四層膜及び保護膜を形成させ
（図７参照）、高密度記録媒体（ＳＤ）である場合は２
層を形成した（図５参照）後、このような形態のディス
ク二枚をホットメルト接着剤又はＵＶ接着部５０，７４
により接合して使用している。
は、図３に示すように、固定金型４内に一枚のスタンパ
ー３を付着し、射出成形により基板２の一側面のみにグ
ルーブとピットを形成した後、光磁気ディスク（ＭＯ
Ｄ）である場合はその上に四層膜及び保護膜を形成させ
（図７参照）、高密度記録媒体（ＳＤ）である場合は２
層を形成した（図５参照）後、このような形態のディス
ク二枚をホットメルト接着剤又はＵＶ接着部５０，７４
により接合して使用している。
【０００８】しかし、このような構造のものとすること
によって、データ伝送率に関係する高い回転数にディス
クを回転させるのに問題がある可能性が高い。
によって、データ伝送率に関係する高い回転数にディス
クを回転させるのに問題がある可能性が高い。
【０００９】一方、二枚のディスクの接合方法として
は、ホットメルト接着剤による接合方法とＵＶ硬化樹脂
による接合方法とがある。前者はＰＣ基板の情報面にき
ずが生じないように保護層としてシールコーティング合
成樹脂をコーティングし、ディスク二枚を接着するため
にホットメルト接着剤を使用し、後者はディスク二枚を
接合するために紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射
して硬化させる方法で、接合時間が節減される利点があ
る。
は、ホットメルト接着剤による接合方法とＵＶ硬化樹脂
による接合方法とがある。前者はＰＣ基板の情報面にき
ずが生じないように保護層としてシールコーティング合
成樹脂をコーティングし、ディスク二枚を接着するため
にホットメルト接着剤を使用し、後者はディスク二枚を
接合するために紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射
して硬化させる方法で、接合時間が節減される利点があ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のディスクの製造方法は、ディスクの断面に２層又は
４層の膜を製造するための基板成膜工程、スピンコーテ
ィングで保護膜を被せる工程及びディスク二枚の接合工
程を必要とし、これらの工程を経る際に機械的特性が劣
化する傾向がある。
来のディスクの製造方法は、ディスクの断面に２層又は
４層の膜を製造するための基板成膜工程、スピンコーテ
ィングで保護膜を被せる工程及びディスク二枚の接合工
程を必要とし、これらの工程を経る際に機械的特性が劣
化する傾向がある。
【００１１】又、前記ホットメルトによるディスクの接
合方法は、接着剤であるホットメルトが流出してカート
リッジにくっつくため、信頼性の問題を誘発させ、ＵＶ
硬化樹脂による接合方法は、紫外線硬化樹脂が縁部で流
動可能であるので、縁部を遮るべきであるという問題点
がある。
合方法は、接着剤であるホットメルトが流出してカート
リッジにくっつくため、信頼性の問題を誘発させ、ＵＶ
硬化樹脂による接合方法は、紫外線硬化樹脂が縁部で流
動可能であるので、縁部を遮るべきであるという問題点
がある。
【００１２】従って、本発明の目的は前述した問題点を
解決し得るようにしたホットメルト接着剤及びＵＶ硬化
樹脂による接着工程を無くし、両面が射出工程により成
形された一体型基板を提供することにある。
解決し得るようにしたホットメルト接着剤及びＵＶ硬化
樹脂による接着工程を無くし、両面が射出工程により成
形された一体型基板を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的はこのような一体型基板
を使用したＭＯＤ及びＳＤを提供することにある。
を使用したＭＯＤ及びＳＤを提供することにある。
【００１４】又、本発明のさらに他の目的は前記一体型
基板を使用してＭＯＤ及びＳＤを製造する方法を提供す
ることにある。
基板を使用してＭＯＤ及びＳＤを製造する方法を提供す
ることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の一体型基板は、ＭＯＤ，ＳＤ等に使用される
基板において、中央部に接合部なしに両面にグループと
ピットが形成されたものである。
の本発明の一体型基板は、ＭＯＤ，ＳＤ等に使用される
基板において、中央部に接合部なしに両面にグループと
ピットが形成されたものである。
【００１６】前記目的を達成するための本発明の一体型
基板を用いたＭＯＤは、中央に接合部なしに両面にグル
ーブとピットが形成された一体型基板の上部に反射膜、
誘電体膜、磁性記録膜、半透明膜及びシールコーティン
グ膜が順次形成され、基板の下部には前記層が逆順に積
層されたことを包含する。
基板を用いたＭＯＤは、中央に接合部なしに両面にグル
ーブとピットが形成された一体型基板の上部に反射膜、
誘電体膜、磁性記録膜、半透明膜及びシールコーティン
グ膜が順次形成され、基板の下部には前記層が逆順に積
層されたことを包含する。
【００１７】前記さらに他の目的を達成するための本発
明の一体型基板を用いたＳＤは、中央に接合部なしに両
面にグルーブとピットが形成された一体型基板の上部に
半透明膜と保護膜が、下部には反射膜と保護膜が積層さ
れたことを包含する。
明の一体型基板を用いたＳＤは、中央に接合部なしに両
面にグルーブとピットが形成された一体型基板の上部に
半透明膜と保護膜が、下部には反射膜と保護膜が積層さ
れたことを包含する。
【００１８】前記さらに他の目的を達成するための本発
明の一体型基板を用いたＭＯＤの製造方法は、スタンパ
ーを製造する段階、前記スタンパーの二つを成形型の両
面に装着して基板の両面にグルーブ及びピットを同時に
形成する段階及び前記基板の両面にターゲットをかけて
基板の両面に同時に成膜させる段階を経るものである。
明の一体型基板を用いたＭＯＤの製造方法は、スタンパ
ーを製造する段階、前記スタンパーの二つを成形型の両
面に装着して基板の両面にグルーブ及びピットを同時に
形成する段階及び前記基板の両面にターゲットをかけて
基板の両面に同時に成膜させる段階を経るものである。
【００１９】前記さらに他の目的を達成するための本発
明の一体型基板を用いたＳＤの製造方法は、スタンパー
を製造する段階、前記スタンパーの二つを成形型の両面
に装着して基板の両面にグループ及びピットを同時に形
成させる段階及び前記基板の両面にターゲットをかけて
前記基板に成膜させる段階を経るものである。
明の一体型基板を用いたＳＤの製造方法は、スタンパー
を製造する段階、前記スタンパーの二つを成形型の両面
に装着して基板の両面にグループ及びピットを同時に形
成させる段階及び前記基板の両面にターゲットをかけて
前記基板に成膜させる段階を経るものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいてより具体的に説明すると次のようであ
る。
図面に基づいてより具体的に説明すると次のようであ
る。
【００２１】図４は本発明による一体型基板を射出成形
により製造する実施の形態を示す断面図であって、符号
１１は成形型である可動側金型、１２は一体型基板、１
３ａ，１３ｂはスタンパー、１４は成形型である固定側
金型である。
により製造する実施の形態を示す断面図であって、符号
１１は成形型である可動側金型、１２は一体型基板、１
３ａ，１３ｂはスタンパー、１４は成形型である固定側
金型である。
【００２２】本発明による一体型基板１２は、可動側金
型１１及び固定側金型１４にスタンパー１３ａ，１３ｂ
を付着し、射出成形により製造する。
型１１及び固定側金型１４にスタンパー１３ａ，１３ｂ
を付着し、射出成形により製造する。
【００２３】図８は本発明によるＭＯＤの層構造を概略
的に示す断面図で、符号３０は一体型基板、３１，３５
は誘電体膜、３２，３６は記録膜、３３，３７は誘電体
膜、３４，３８は反射膜、３９ａ，３９ｂはシールコー
ティング膜である。
的に示す断面図で、符号３０は一体型基板、３１，３５
は誘電体膜、３２，３６は記録膜、３３，３７は誘電体
膜、３４，３８は反射膜、３９ａ，３９ｂはシールコー
ティング膜である。
【００２４】本発明によるＭＯＤは、一体型基板３０の
両面に、反射膜３４，３８、誘電体膜３３，３７、磁性
記録膜３２，３６、誘電体膜３１，３５が順次積層さ
れ、その上にシールコーティング膜３９ａ，３９ｂがコ
ーティングされる。これら積層された膜の厚さは限定さ
れるものでなく、目的によって適宜に変更することがで
きる。
両面に、反射膜３４，３８、誘電体膜３３，３７、磁性
記録膜３２，３６、誘電体膜３１，３５が順次積層さ
れ、その上にシールコーティング膜３９ａ，３９ｂがコ
ーティングされる。これら積層された膜の厚さは限定さ
れるものでなく、目的によって適宜に変更することがで
きる。
【００２５】又、前記一体型基板３０は、ピットとグル
ーブが両面に形成されたことを特徴とし、ピットとグル
ーブの長さは特別に限定されず、通常の方法により形成
できる。この際、基板物質としては種々のものが使用で
きるが、ポリカーボネートが安価等の利点のため望まし
い。
ーブが両面に形成されたことを特徴とし、ピットとグル
ーブの長さは特別に限定されず、通常の方法により形成
できる。この際、基板物質としては種々のものが使用で
きるが、ポリカーボネートが安価等の利点のため望まし
い。
【００２６】磁性記録膜３２，３６は、情報が記録され
る層で、その構成物質としては、主に、ＴｂＦｅＣｏ
系、ＴｂＦｅＣｏＣｒ系、ＮｄＴｂＦｅＣｏ系、ＮｄＴ
ｂＦｅＣｏ系、ＮｄＦｅＣｏ系、ＮｄＤｙＦｅＣｏ系等
のものが使用される。
る層で、その構成物質としては、主に、ＴｂＦｅＣｏ
系、ＴｂＦｅＣｏＣｒ系、ＮｄＴｂＦｅＣｏ系、ＮｄＴ
ｂＦｅＣｏ系、ＮｄＦｅＣｏ系、ＮｄＤｙＦｅＣｏ系等
のものが使用される。
【００２７】誘電体膜３１，３３，３５，３７は、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の誘電体が使用され、これら
のうち、ＳｉＮが望ましい。
Ｎ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の誘電体が使用され、これら
のうち、ＳｉＮが望ましい。
【００２８】反射膜３４，３８は、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ
系、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等が使用され、Ａｌが望ましい。
系、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等が使用され、Ａｌが望ましい。
【００２９】図６は本発明によるＳＤの層構造を概略的
に示す断面図で、符号８１はシールコーティング保護
膜、８２は半透明膜、８３は一体型基板、８４は反射
膜、８５はシールコーティング保護膜である。
に示す断面図で、符号８１はシールコーティング保護
膜、８２は半透明膜、８３は一体型基板、８４は反射
膜、８５はシールコーティング保護膜である。
【００３０】本発明によるＳＤは、一体型基板８３の上
部に半透明膜８２、シールコーティング保護膜８１が順
次積層され、下部には反射膜８４、シールコーティング
保護膜８５が順次積層された構造を有するものである。
部に半透明膜８２、シールコーティング保護膜８１が順
次積層され、下部には反射膜８４、シールコーティング
保護膜８５が順次積層された構造を有するものである。
【００３１】本実施形態において、一体型基板８３は両
面にピットとグルーブが形成され、これらに情報が記録
され、半透明膜８２は反射率が３０〜４０％である物質
からなり、通常、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｕ等
が望ましく、これらのうちＳｉＮが最も望ましい。又、
反射膜８４は反射率が８５％以上である物質からなるこ
とが望ましく、通常、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ等が使用され、
Ａｌが望ましい。これら積層された膜の厚さは前述した
ＭＯＤの場合に類似する。
面にピットとグルーブが形成され、これらに情報が記録
され、半透明膜８２は反射率が３０〜４０％である物質
からなり、通常、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｕ等
が望ましく、これらのうちＳｉＮが最も望ましい。又、
反射膜８４は反射率が８５％以上である物質からなるこ
とが望ましく、通常、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ等が使用され、
Ａｌが望ましい。これら積層された膜の厚さは前述した
ＭＯＤの場合に類似する。
【００３２】以下、本発明によるＭＯＤ及びＳＤの製造
過程を添付図面に基づいて説明する。
過程を添付図面に基づいて説明する。
【００３３】本発明のＭＯＤ及びＳＤの製造方法は、マ
スタリング（mastering ）工程時、従来のＬＢＲの記録
方法（図１）のように時計回りに記録せず、図２に示す
ように反時計回りにマスターガラス上のフォトレジスト
をレーザー光で記録してスタンパーを製造する。この
際、前記スタンパーを反時計回りにマスターガラス上の
フォトレジストを記録して製造することは、従来の記録
・再生装置の場合、二枚が接合されたポリカーボネート
基板の側面からレーザー光が入射されて記録・再生され
るように考案されているので、従来のドライブとの互換
性のため、マスタリング工程時のＬＢＲ（Laser beam R
ecord ）記録方法を従来のマスタリング工程と反対方向
に記録したのである。
スタリング（mastering ）工程時、従来のＬＢＲの記録
方法（図１）のように時計回りに記録せず、図２に示す
ように反時計回りにマスターガラス上のフォトレジスト
をレーザー光で記録してスタンパーを製造する。この
際、前記スタンパーを反時計回りにマスターガラス上の
フォトレジストを記録して製造することは、従来の記録
・再生装置の場合、二枚が接合されたポリカーボネート
基板の側面からレーザー光が入射されて記録・再生され
るように考案されているので、従来のドライブとの互換
性のため、マスタリング工程時のＬＢＲ（Laser beam R
ecord ）記録方法を従来のマスタリング工程と反対方向
に記録したのである。
【００３４】次いで、図４に示すように、従来の成形工
程（図３）と異なり、二つのスタンパー１３ａ，１３ｂ
を固定側金型１４と可動側金型１１に装着させ、射出成
形によりＰＣ基板の両面に所望のグルーブとピットを形
成した後、スパッター（sputter ）Ｍ／Ｃのチャンバー
（chamber ）の両面にターゲットをかけ、単一基板３０
の両面に同時に蒸着させる成膜工程からなる。この際、
成形方法は最終目的物の用途によって圧縮成形方法、射
出成形方法又は圧縮射出成形方法などがあるが、射出成
形方法が望ましい。又、成膜工程の蒸着条件、成分及び
厚さは目的によって適宜変更可能である。
程（図３）と異なり、二つのスタンパー１３ａ，１３ｂ
を固定側金型１４と可動側金型１１に装着させ、射出成
形によりＰＣ基板の両面に所望のグルーブとピットを形
成した後、スパッター（sputter ）Ｍ／Ｃのチャンバー
（chamber ）の両面にターゲットをかけ、単一基板３０
の両面に同時に蒸着させる成膜工程からなる。この際、
成形方法は最終目的物の用途によって圧縮成形方法、射
出成形方法又は圧縮射出成形方法などがあるが、射出成
形方法が望ましい。又、成膜工程の蒸着条件、成分及び
厚さは目的によって適宜変更可能である。
【００３５】ここで、図８に示すＭＯＤの場合は、一般
に、一体型基板３０の両面にＡｌ反射膜３４，３８、Ｓ
ｉＮ誘電体膜３３，３７、磁性記録膜３２，３６及びＳ
ｉＮ誘電体膜３１，３５を順次積層し、終わりに保護膜
としてシールコーティング合成樹脂を被覆してシールコ
ーティング膜３９ａ，３９ｂを積層する工程からなり、
図６に示すＳＤの場合は、一体型基板８３の上部にＳｉ
Ｎ半透明膜８２、シールコーティング保護膜８１が順次
積層され、下部にはＡｌ反射膜８４、シールコーティン
グ保護膜８５が順次積層される工程からなる。
に、一体型基板３０の両面にＡｌ反射膜３４，３８、Ｓ
ｉＮ誘電体膜３３，３７、磁性記録膜３２，３６及びＳ
ｉＮ誘電体膜３１，３５を順次積層し、終わりに保護膜
としてシールコーティング合成樹脂を被覆してシールコ
ーティング膜３９ａ，３９ｂを積層する工程からなり、
図６に示すＳＤの場合は、一体型基板８３の上部にＳｉ
Ｎ半透明膜８２、シールコーティング保護膜８１が順次
積層され、下部にはＡｌ反射膜８４、シールコーティン
グ保護膜８５が順次積層される工程からなる。
【００３６】本発明は一枚の基板の両面にグルーブとピ
ットを形成することにより、従来２枚を接着して得た容
量を単一基板で得ることができる。又、単一基板の両面
に２層及び４層の膜を形成することにより、成膜過程で
発生可能な応力による曲がりが殆どない優れた機械的特
性のディスクを製造することができる。
ットを形成することにより、従来２枚を接着して得た容
量を単一基板で得ることができる。又、単一基板の両面
に２層及び４層の膜を形成することにより、成膜過程で
発生可能な応力による曲がりが殆どない優れた機械的特
性のディスクを製造することができる。
【００３７】従って、本発明による光磁気ディスクは一
枚で二倍の密度に高めうるとともに、接触時間（tact t
ime ）を１／３以下に減らすことにより生産性を大きく
向上させることができる。
枚で二倍の密度に高めうるとともに、接触時間（tact t
ime ）を１／３以下に減らすことにより生産性を大きく
向上させることができる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例１〜２及び比較例１を通じて本
発明の効果をより具体的に説明するが、下記の例が本発
明の範疇を限定するものではない。
発明の効果をより具体的に説明するが、下記の例が本発
明の範疇を限定するものではない。
【００３９】実施例１ 反時計回りにマスターガラス上のフォトレジストをレー
ザー光で記録してスタンパーを製造し、図４に示すよう
に、二つのスタンパー１３ａ，１３ｂを固定側金型１４
と可動側金型１１に装着してポリカーボネート（ＰＣ）
基板１２の両面にグルーブとピットを形成した後、圧
力：約１０ｍｂａｒ，パワー：約２ｋＷのスパッターＭ
／Ｃのチャンバー両面にターゲットをかけ、図８に示す
ように、一体型基板３０の両面に同時にＡｌ反射膜３
４，３８を４００Å成膜し、その上にＳｉＮ誘電体膜３
３，３７を２００Å成膜し、その上に磁性記録膜３２，
３６を２００Å成膜し、その上にＳｉＮ誘電体膜３１，
３５を６００Å成膜した。その後、保護膜３９ａ，３９
ｂとしてシールコーティング合成樹脂をスピンコーティ
ングにより被覆して、本発明による光磁気ディスク（Ｍ
ＯＤ）を製造した。
ザー光で記録してスタンパーを製造し、図４に示すよう
に、二つのスタンパー１３ａ，１３ｂを固定側金型１４
と可動側金型１１に装着してポリカーボネート（ＰＣ）
基板１２の両面にグルーブとピットを形成した後、圧
力：約１０ｍｂａｒ，パワー：約２ｋＷのスパッターＭ
／Ｃのチャンバー両面にターゲットをかけ、図８に示す
ように、一体型基板３０の両面に同時にＡｌ反射膜３
４，３８を４００Å成膜し、その上にＳｉＮ誘電体膜３
３，３７を２００Å成膜し、その上に磁性記録膜３２，
３６を２００Å成膜し、その上にＳｉＮ誘電体膜３１，
３５を６００Å成膜した。その後、保護膜３９ａ，３９
ｂとしてシールコーティング合成樹脂をスピンコーティ
ングにより被覆して、本発明による光磁気ディスク（Ｍ
ＯＤ）を製造した。
【００４０】実施例２ 前記実施例１と同様にそれぞれタイトルの異なるスタン
パーを製造し、図４に示すように、二つのスタンパー１
３ａ，１３ｂを固定側金型１４と可動側金型１１に装着
してポリカーボネート基板１２の両面に情報ピットを形
成した後、圧力：約１０ｍｂａｒ，パワー：約２ｋＷの
スパッターＭ／Ｃのチャンバーにターゲットをかけ、図
６に示すように、一体型基板８３の上部にはＳｉＮ半透
明膜８２を厚さ５００Åに成膜し、下部にはＡｌ反射膜
８４を厚さ５００Åに被覆し、その両面を保護膜８１，
８５としてシールコーティング合成樹脂をスピンコーテ
ィング法によって約８〜１０μｍで被覆して、本発明に
よる高密度ディスク（ＳＤ）を製造した。
パーを製造し、図４に示すように、二つのスタンパー１
３ａ，１３ｂを固定側金型１４と可動側金型１１に装着
してポリカーボネート基板１２の両面に情報ピットを形
成した後、圧力：約１０ｍｂａｒ，パワー：約２ｋＷの
スパッターＭ／Ｃのチャンバーにターゲットをかけ、図
６に示すように、一体型基板８３の上部にはＳｉＮ半透
明膜８２を厚さ５００Åに成膜し、下部にはＡｌ反射膜
８４を厚さ５００Åに被覆し、その両面を保護膜８１，
８５としてシールコーティング合成樹脂をスピンコーテ
ィング法によって約８〜１０μｍで被覆して、本発明に
よる高密度ディスク（ＳＤ）を製造した。
【００４１】比較例１ 図３に示すように、固定側金型４のみにスタンパー３を
付着し、射出成形して、一面にだけピットとグルーブが
形成された基板２を成形した後、図７に示すように、基
板２０ａ（又は２０ｂ）の上部にＳｉＮ誘電体膜２１
（又は２５）を厚さ６００Åにし、その上に磁性記録膜
２２（又は２６）を厚さ２００Åにし、その上にＳｉＮ
誘電体膜２３（又は２７）を厚さ２００Åにし、その上
にＡｌ反射膜２４（又は２８）を厚さ４００Åにしてこ
れらを直流マグネトロンスパッタリングで順次蒸着さ
せ、このように製造されたディスク２枚をシールコーテ
ィング膜２９ａ，２９ｂを介してホットメルト接着剤５
０で接着し、ディスクの両面にスピンコーティング法で
ハードコーティング保護膜６０ａ，６０ｂを厚さ３μｍ
にコーティングして、従来の光磁気ディスク（ＭＯＤ）
を製造した。
付着し、射出成形して、一面にだけピットとグルーブが
形成された基板２を成形した後、図７に示すように、基
板２０ａ（又は２０ｂ）の上部にＳｉＮ誘電体膜２１
（又は２５）を厚さ６００Åにし、その上に磁性記録膜
２２（又は２６）を厚さ２００Åにし、その上にＳｉＮ
誘電体膜２３（又は２７）を厚さ２００Åにし、その上
にＡｌ反射膜２４（又は２８）を厚さ４００Åにしてこ
れらを直流マグネトロンスパッタリングで順次蒸着さ
せ、このように製造されたディスク２枚をシールコーテ
ィング膜２９ａ，２９ｂを介してホットメルト接着剤５
０で接着し、ディスクの両面にスピンコーティング法で
ハードコーティング保護膜６０ａ，６０ｂを厚さ３μｍ
にコーティングして、従来の光磁気ディスク（ＭＯＤ）
を製造した。
【００４２】評価例 前記比較例１と実施例１及び２により製造されたディス
クの機械的特性を小野測器（ＯＮＯ ＳＯＫＫＩ）社で
製造されたモデル名ＮＯ．ＬＭ−１００Ａを用いてディ
スクの半径：３０，４０，５０，６０ｍｍで再生パワ
ー：０．７ｍＷ，回転数：２４００ｒｐｍで測定し、平
均値を下記表１に記載した。
クの機械的特性を小野測器（ＯＮＯ ＳＯＫＫＩ）社で
製造されたモデル名ＮＯ．ＬＭ−１００Ａを用いてディ
スクの半径：３０，４０，５０，６０ｍｍで再生パワ
ー：０．７ｍＷ，回転数：２４００ｒｐｍで測定し、平
均値を下記表１に記載した。
【００４３】又、比較例１と実施例１及び２のディスク
をドライブに装着し、温度：８０℃，湿度：８５％の恒
湿槽で信頼性実験を行い、ここで測定した結果を下記表
２に記載した。
をドライブに装着し、温度：８０℃，湿度：８５％の恒
湿槽で信頼性実験を行い、ここで測定した結果を下記表
２に記載した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】その結果、比較例１の場合は１０日を過ぎ
る以前に、ホットメルトがカートリッジにくっついて信
頼性に問題を誘発させた。しかし、本発明の光磁気ディ
スク、つまり実施例１及び２のディスクは接合工程がな
かったので、ホットメルトの流出による信頼性問題を完
全に克服し得る効果があった。
る以前に、ホットメルトがカートリッジにくっついて信
頼性に問題を誘発させた。しかし、本発明の光磁気ディ
スク、つまり実施例１及び２のディスクは接合工程がな
かったので、ホットメルトの流出による信頼性問題を完
全に克服し得る効果があった。
【００４７】又、一枚の基板のみで２倍密度の容量記録
が可能であり、基板の両面の成膜で機械的特性を向上さ
せ、レーザー光が基板を通過せずして成膜面に透過する
ことにより複屈折を向上させるという効果があった。
が可能であり、基板の両面の成膜で機械的特性を向上さ
せ、レーザー光が基板を通過せずして成膜面に透過する
ことにより複屈折を向上させるという効果があった。
【００４８】更に、基板が１枚であるので、ディスクの
軽量化による接近時間の向上と接合及びスピンコーティ
ングの縮小による費用の節減が得られるという効果もあ
った。
軽量化による接近時間の向上と接合及びスピンコーティ
ングの縮小による費用の節減が得られるという効果もあ
った。
【００４９】
【発明の効果】従って、本発明による一体型基板、これ
を用いたＭＯＤ、ＳＤ及びその製造方法は、工程簡素
化、費用節減及び信頼性確保により、従来のディスク断
面と比較して記録密度を２倍に向上させる効果がある。
を用いたＭＯＤ、ＳＤ及びその製造方法は、工程簡素
化、費用節減及び信頼性確保により、従来のディスク断
面と比較して記録密度を２倍に向上させる効果がある。
【図１】従来のマスタリング工程時のＬＢＲ記録方法を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】本発明のマスタリング工程時のＬＢＲ記録方法
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図３】従来のＭＯＤ及びＳＤの基板を射出成形により
製造する方法を概略的に示す断面図である。
製造する方法を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明のＭＯＤ及びＳＤの基板を射出成形によ
り製造する方法を概略的に示す断面図である。
り製造する方法を概略的に示す断面図である。
【図５】従来の技術によるＳＤの層構造を概略的に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の技術によるＳＤの層構造を概略的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】従来の技術によるＭＯＤの層構造を概略的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】本発明の技術によるＭＯＤの層構造を概略的に
示す断面図である。
示す断面図である。
１、１１ 可動側金型 ２、１２ 基板 ３、１３ａ 右側スタンパー ４、１４ 固定側金型 １３ｂ 左側スタンパー ２０ａ、２０ｂ 基板 ２１、２５、３１、３５ 誘電体膜 ２２、２６、３２、３６ 磁性記録膜 ２３、２７、３３、３７ 誘電体膜 ２４、２８、３４、３８ 反射膜 ２９ａ、２９ｂ、３９ａ、３９ｂ シールコーティング
膜 ３０ 一体型基板 ５０、７４ ホットメルト接着剤又はＵＶ接着部 ６０ａ、６０ｂ ハードコーティング保護膜 ７３、７５、８１、８５ シールコーティング保護膜 ７２、８２ 半透明膜 ７１、７７ 基板 ７６、８４ 反射膜 ８３ 一体型基板
膜 ３０ 一体型基板 ５０、７４ ホットメルト接着剤又はＵＶ接着部 ６０ａ、６０ｂ ハードコーティング保護膜 ７３、７５、８１、８５ シールコーティング保護膜 ７２、８２ 半透明膜 ７１、７７ 基板 ７６、８４ 反射膜 ８３ 一体型基板
Claims (7)
- 【請求項１】ＭＯＤ、ＳＤ等に使用される基板におい
て、中央部に接合部なしに両面にグルーブとピットが形
成されたことを特徴とするＭＯＤ（magneto-optical di
sk）、ＳＤ（superdensity disk ）等に使用される一体
型基板。 - 【請求項２】両面にグルーブとピットが形成された一体
型基板の上部に反射膜、誘電体膜、磁性記録膜、誘電体
膜及びシールコーティング膜が順次形成され、基板の下
部には前記層が逆順に積層されたことを特徴とする一体
型基板を用いたＭＯＤ（magneto-optical disk）。 - 【請求項３】両面にグルーブとピットが形成された一体
型基板の上部に半透明膜と保護膜を、下部には反射膜と
保護膜が形成されたことを特徴とする一体型基板を用い
たＳＤ（superdensity disk ）。 - 【請求項４】スタンパーを製造する段階と、前記スタン
パーの二つを成形型の両面に装着して基板の両面にグル
ーブ及びピットを同時に形成させる段階と、前記基板の
両面にターゲットをかけて基板の両面に同時に成膜させ
る段階を経ることを特徴とする一体型基板を用いたＭＯ
Ｄの製造方法。 - 【請求項５】前記スタンパーを製造する段階は、マスタ
ーガラス上のフォトレジストをレーザー光を用いて反時
計回りに現像してスタンパーを製造することよりなるこ
とを特徴とする請求項４に記載の一体型基板を用いたＭ
ＯＤの製造方法。 - 【請求項６】スタンパーを製造する段階と、前記スタン
パーの二つを成形型の両面に装着して基板の両面にグル
ーブ及びピットを同時に形成させる段階と、前記基板の
両面にターゲットをかけて前記基板に成膜させる段階を
経ることを特徴とする一体型基板を用いたＳＤの製造方
法。 - 【請求項７】前記スタンパーを製造する段階は、マスタ
ーガラス上のフォトレジストをレーザー光を用いて反時
計回りに現像してスタンパーを製造することよりなるこ
とを特徴とする請求項６に記載の一体型基板を用いたＳ
Ｄの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950001802A KR960030116A (ko) | 1995-01-28 | 1995-01-28 | 광자기 디스크 및 이의 제조방법 |
| KR19951802 | 1995-01-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255376A true JPH08255376A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=19407572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8012138A Pending JPH08255376A (ja) | 1995-01-28 | 1996-01-26 | 一体型基板を用いたｍｏｄ、ｓｄ及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6150000A (ja) |
| JP (1) | JPH08255376A (ja) |
| KR (1) | KR960030116A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035594A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | コニカミノルタオプト株式会社 | インプリント型およびそれを用いた情報記録媒体基板の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1186353A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Pioneer Electron Corp | 光ディスク、光ディスクの射出成形用金型、及び、光ディスク製造用の射出成形機 |
| KR20030009843A (ko) * | 2001-07-24 | 2003-02-05 | 성 운 차 | 원통형 광디스크의 구조 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180540A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | デイスク型記録媒体 |
| JPH0329131A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Tosoh Corp | 光ディスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4315269A (en) * | 1977-08-29 | 1982-02-09 | Rca Corporation | Thick protective overcoat layer for optical video disc |
| JPS6486344A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Victor Company Of Japan | Information recording carrier and production thereof |
| JP2619432B2 (ja) * | 1987-11-16 | 1997-06-11 | 株式会社リコー | 光磁気ディスク |
| EP0624870B1 (en) * | 1989-03-27 | 1996-11-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for making optical discs |
| JP2808794B2 (ja) * | 1990-02-22 | 1998-10-08 | ソニー株式会社 | 両面光ディスク |
| DE69127525T2 (de) * | 1990-10-03 | 1998-01-08 | Canon Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zur dessen Herstellung |
| US5487926A (en) * | 1990-11-22 | 1996-01-30 | Tdk Corporation | Optical disk |
| JPH0589517A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Sony Corp | 光デイスク |
| US5470627A (en) * | 1992-03-06 | 1995-11-28 | Quantum Corporation | Double-sided optical media for a disk storage device |
| JP2960824B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1999-10-12 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5536585A (en) * | 1993-03-10 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and fabrication method therefor |
-
1995
- 1995-01-28 KR KR1019950001802A patent/KR960030116A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8012138A patent/JPH08255376A/ja active Pending
- 1996-01-29 US US08/591,978 patent/US6150000A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180540A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | デイスク型記録媒体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960030116A (ko) | 1996-08-17 |
| US6150000A (en) | 2000-11-21 |
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