JPH08235058A - メモリアクセス制御方法および制御装置 - Google Patents

メモリアクセス制御方法および制御装置

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JPH08235058A
JPH08235058A JP3746995A JP3746995A JPH08235058A JP H08235058 A JPH08235058 A JP H08235058A JP 3746995 A JP3746995 A JP 3746995A JP 3746995 A JP3746995 A JP 3746995A JP H08235058 A JPH08235058 A JP H08235058A
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JP
Japan
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memory
address
memory access
modules
access control
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Application number
JP3746995A
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English (en)
Inventor
Masatoshi Sugimoto
雅俊 杉本
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Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
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Publication date
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Priority to JP3746995A priority Critical patent/JPH08235058A/ja
Publication of JPH08235058A publication Critical patent/JPH08235058A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】メモリモジュールを複数枚に増設したときメモ
リ容量の拡大とともにメモリアクセス時間の短縮を実現
するメモリアクセス制御方法および制御装置を提供す
る。 【構成】中央処理装置と、アドレスバスAと、データバ
スFと、メモリアクセス制御回路1と、複数枚のメモリ
モジュール2,3 が選択的に実装可能なソケット4,5 と、
を備えてなるコンピュータのメモリアクセス制御方法に
おいて、アドレスバスAからのアドレスデータaをメモ
リモジュール2,3 のアドレスバスB,Cに選択的に演算・
出力するアドレス制御回路6,7 と、メモリデータバスD,
E のデータを一次的に保持するデータバッファ回路8,9
と、メモリモジュール2,3 が当該ソケット4,5 に実装さ
れているか否かを検知する検知手段と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリモジュールを複
数枚実装可能なコンピュータ装置のメモリアクセス制御
方法および制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6に従来技術によるメモリアクセス制
御装置の回路構成図、図7にこのメモリアクセス制御装
置のタイムチャート、図8にメモリマップの割付図を示
す。図6において、従来技術の複数枚のメモリモジュー
ルが選択的に実装可能なソケットを備えてなるコンピュ
ータのメモリアクセス制御装置は、図示省略されている
中央処理装置と、アドレスバスAと、データバスFと、
メモリアクセス制御回路1と、図示例では2枚で示され
ているが、複数枚のメモリモジュール2,3 が選択的に実
装可能なソケット4,5 と、を備えて構成される。
【0003】かかる構成において、アドレスバスAは、
ソケット4,5 を介してメモリモジュール2,3 に接続され
る。また、メモリアクセス制御回路1は、メモリアクセ
ス信号Qが有効になると、アドレスバスAの上位アドレ
スによりメモリイネーブル信号K,L を選択し、メモリイ
ネーブル信号K,L を有効とし、アクセス遅延時間t後
に、データが確定するタイミングで応答信号Rを有効に
する。
【0004】このメモリアクセス制御装置で、メモリモ
ジュール2,3 のメモリ領域を連続アクセスする要求が発
生したときのタイムチャートを図7に図示する。アドレ
スバスA上のアドレス値aはソケット4,5 を介しメモリ
モジュール2,3 に入力される。メモリアクセス制御回路
1は、メモリアクセス信号Qが有効になると、アドレス
バスAのアドレス値aによりメモリイネーブル信号Kと
Lのいづれか一方を選択し、このメモリイネーブル信号
KまたはLを有効にする。この結果、メモリモジュール
2または3のいづれか一方より、データバスFにデータ
値(a) がアクセス遅延時間t後に出力される。
【0005】メモリアクセス制御回路1は、データ値
(a) の確定と同期して応答信号Rを有効にし、データバ
スFに接続されたデバイス、例えば、中央処理装置にデ
ータ値(a) が読み取られる。この読み取られたデータ値
(a) は予め搭載されているプログラムに従って必要な演
算処理が行われる。次に、アドレスバスA上のアドレス
値がa+1 に更新されることにより次のデータ値(a+1) が
出力され、応答信号Rを有効にする。これらの一連の動
作は、メモリアクセス信号Qが無効になるまで繰り返さ
れる。この従来技術によるメモリアクセス制御方法で
は、メモリモジュールの実装数に拘かわらずメモリアク
セスシーケンスは固定化される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
メモリアクセス制御装置では、メモリモジュールを1枚
から複数枚に増設した場合、メモリ容量は大きくなる
が、アクセスシーケンスが1枚のときと変わらないた
め、メモリアクセス時間は速くならなかった。本発明は
上記の点にかんがみてなされたものであり、その目的は
前記した課題を解決して、メモリモジュールを1枚から
複数枚に増設した場合、アドレス信号の切り換えとアク
セスシーケンスを変更することにより、メモリ容量の拡
大とともにメモリアクセス時間の短縮を実現するメモリ
アクセス制御方法および制御装置を提供するものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、メモリモジュールを複数枚実装
可能なコンピュータ装置のメモリアクセス制御方法にお
いて、メモリモジュールの実装数を検出し、メモリモジ
ュールが1枚実装されているときにはノンインターリー
ブ方式でメモリアクセスを行い、メモリモジュールか複
数枚実装されているときには交互にメモリモジュールの
アクセスを行うインターリーブ方式でメモリアクセスを
行うものとする。
【0008】また、本発明においては、中央処理装置
と、アドレスバスと、データバスと、メモリアクセス制
御回路と、複数枚のメモリモジュールが選択的に実装可
能なソケットと、を備えてなるコンピュータのメモリア
クセス制御装置において、アドレスバスからのアドレス
データをメモリモジュールのアドレスバスに選択的に演
算・出力するアドレス制御回路と、メモリデータバスの
データ出力を制御するデータバッファ回路と、メモリモ
ジュールが当該ソケットに実装されているか否かを検知
する検知手段と、を備えるものとする。
【0009】また、アドレス制御回路は、ラッチ機能と
カウントアップ機能とを備え、中央処理装置がメモリモ
ジュールのメモリを連続アクセスするとき、アドレス制
御回路は、メモリアクセス制御回路で選択的に演算・出
力する連続アクセスするメモリのスタートアドレス値を
ラッチし、メモリアクセスに進行に従い、順次ラッチし
た前記アドレス値をカウントアップするものとする。
【0010】
【作用】上記構成により、本発明では、中央処理装置が
メモリモジュールのメモリを連続アクセスするとき、メ
モリモジュールの実装数により、メモリモジュールが1
枚実装されたときは、ノンインターリーブ方式でメモリ
アクセスを行ない、メモリモジュールが複数枚実装され
たときは、交互にメモリモジュールのアクセスを行なう
インターリーブ方式でアクセスし、複数枚のメモリモジ
ュールのメモリ空間を切り換えてアクセスを行なう。
【0011】
【実施例】図1は本発明の一実施例のメモリアクセス制
御方法の回路構成図、図2はメモリモジュールを1枚実
装したときのタイムチャート、図3はメモリモジュール
を2枚実装したときのタイムチャート、図4はメモリモ
ジュールを1枚実装したときのメモリマップ割付図、図
5はメモリモジュールを2枚実装したときのメモリマッ
プ割付図であり、図6〜図8に対応する同一機能部材に
は同じ符号が付してある。
【0012】図1において、本発明のメモリモジュール
が選択的に実装されてなるコンピュータのメモリアクセ
ス制御回路は、中央処理装置と、アドレスバスAと、デ
ータバスFと、メモリアクセス制御回路1と、複数枚の
メモリモジュール2,3 が選択的に実装可能なソケット4,
5 と、を備え、アドレスバスAからのアドレスデータa
をメモリモジュール2,3 のアドレスバスB,C に選択的に
演算・出力するアドレス制御回路6,7 と、メモリデータ
バスD,E のデータ出力を制御するデータバッファ回路8,
9 と、メモリモジュール2,3 が当該ソケット4,5 に実装
されているか否かを検知する検知手段M,N と、を備えて
構成される。また、アドレス制御回路は、ラッチ機能と
カウントアップ機能とを備えて構成される。
【0013】かかる構成において、例えば、中央処理装
置がメモリモジュール2,3 のメモリ領域を連続アクセス
するとき、メモリアクセス制御回路1は、上述の検知手
段M,N にて検出したメモリモジュールの実装数により、
アドレス制御回路6,7 を制御し、当該メモリモジュール
(2,3) のアドレス信号の切り換え(S) と、アクセスシー
ケンス(I,J) と、前記データバッファ回路(O,P) と、を
制御する。また、アドレス制御回路6,7 は、メモリアク
セス制御回路1で選択的に演算・出力する連続アクセス
するメモリのスタートアドレス値をラッチ機能にラッチ
し、メモリアクセスの進行に従い、順次ラッチした前記
アドレス値をカウントアップ機能でカウントアップを行
う。
【0014】以下、メモリモジュール2が1枚のみ実装
されたときについて図1、2、4を用いて説明する。図
1において、メモリ検出手段M,N によりメモリアクセス
制御回路1は、メモリモジュール2の1枚のみが実装さ
れていることを認識し、アドレスセレクト信号Sを使
い、アドレス制御回路6,7 にノンインタリーブ方式のア
ドレス接続を行なうように切換を行う。即ち、メモリモ
ジュール2を選択し、メモリモジュール3を非選択とす
る。このノンインタリーブ方式でのメモリマップは図4
となり、アドレスバスAのアドレス値a,a+1,a+2 …に従
って、メモリモジュール2のメモリ空間にデータバスF
からのデータ値(a),(a+1),(a+2),…が読み・書きを行う
ことができる。
【0015】また、このノンインタリーブ方式でメモリ
の連続アクセス要求が発生したときのタイムチャートが
図2である。図2において、メモリアクセス信号Qとア
ドレスバスAのアドレス値aにより、メモリアクセス制
御回路1はメモリイネーブル信号Kを有効にする。アド
レス値aはアドレスロード信号Gによりメモリアクセス
の最初の時点でアドレス制御回路6のラッチ機能にラッ
チされ、メモリアドレスバスB上にアドレス値aを出力
する。メモリアドレスバスB上のアドレス値aはソケッ
ト4を介しメモリモジュール2に入力される。この結
果、メモリモジュール2よりデータ値(a) がアクセス遅
延時間t後にメモリデータバスD上に出力される。
【0016】続いて、メモリアクセス制御回路1は、バ
スイネーブル信号Oを有効とし、メモリデータバスD上
のデータ値(a) をデータバッファ8を介しデータバスF
に出力する。また、メモリアクセス制御回路1は、デー
タバスFのデータ値(a) の確定と同期して応答信号Rを
有効にする。メモリアクセス制御回路1は、この応答信
号Rが無効になるタイミングで、アドレスカウント信号
Iにパルスを出力し、アドレス制御回路6のカウンタ機
能をカウントアップし、メモリアドレスバスBのアドレ
ス値をaからa+1 に更新させる。メモリアドレスバスB
のアドレス値の更新により、次のデータ値(a+1) が出力
され、それと同期して応答信号Rが有効になる。この一
連の動作は、メモリアクセス信号Qが無効になるまで繰
り返されメモリの連続アクセスが行われる。
【0017】次に、メモリモジュール2とメモリモジュ
ール3の2枚が実装されたときについて図1、3、5を
用いて説明する。図1において、メモリ検出手段M,N に
よりメモリアクセス制御回路1は、メモリモジュール2
とメモリモジュール3の2枚が実装されていることを認
識し、アドレスセレクト信号Sを使いアドレス制御回路
6,7 にインタリーブ方式のアドレス接続を行なうように
切換る。即ち、メモリモジュール2,3 を選択する。この
インタリーブ方式でのメモリマップは図5となり、アド
レスバスAのアドレス値a,a+1,a+2 …に従って、メモリ
モジュール2,3 のメモリ空間が交互に選択され、データ
バスFからのデータ値(a),(a+1),(a+2),…が交互にメモ
リモジュール2,3 のメモリ空間に読み・書きされる。
【0018】また、このインタリーブ方式でメモリの連
続アクセス要求が発生したときのタイムチャートが図3
である。図3において、メモリアクセス信号Qとアドレ
スバスAのアドレス値aにより、メモリアクセス制御回
路1は、メモリイネーブル信号Kとメモリイネーブル信
号Lを有効にする。アドレス値aは、アドレスロード信
号Gによりメモリアクセスの最初にアドレス制御回路6
のラッチ機能にアドレス値bとしてラッチし、メモリア
ドレスバスBにアドレス値bを出力する。このアドレス
値bは、アドレス値aをメモリモジュール実装数2(こ
の実施例では実装数が2枚)で割った値である。メモリ
アドレスバスB上のアドレス値bはソケット4を介しメ
モリモジュール2に入力される。
【0019】また、メモリアドレスバスCもメモリアド
レスバスBと同様に、メモリアクセスの最初にアドレス
値aがアドレス制御回路7のラッチ機能にアドレス値b
としてラッチされ、メモリアドレスバスCにアドレス値
bを出力する。メモリアドレスバスC上のアドレス値b
はソケット5を介しメモリモジュール3に入力される。
この結果、メモリモジュール2より、データ値(a) がア
クセス遅延時間t後にメモリデータバスD上に出力さ
れ、メモリモジュール3より、データ値(a+1) がアクセ
ス遅延時間t後にメモリデータバスE上に出力される。
メモリアクセス制御回路1は、バスイネーブル信号O,P
をアドレスバスA上のアドレス値により交互に有効と
し、メモリデータバスD上のデータ値(a) と、メモリデ
ータバスE上のデータ値(a+1) をデータバッファ8とデ
ータバッファ9を介しデータバスFに交互に出力させ
る。
【0020】また、メモリアクセス制御回路1は、デー
タバスF上のデータ値の確定と同期して応答信号Rを有
効にする。メモリアクセス制御回路1は、応答信号Rが
無効になるタイミングでアドレスカウント信号I,J に順
次パルス信号を出力し、アドレス制御回路6,7 のカウン
タ機能をカウントアップし、メモリアドレスバスB,Cの
アドレス値をbからb+1 に更新させる。メモリアドレス
バスB,C のアドレス値の更新により、次のデータ値(a+
2),(a+3) が順次出力され、それと同期して応答信号R
が有効になる。この一連の動作は、メモリアクセス信号
Qが無効になるまで繰り返されメモリの連続アクセスが
行われる。
【0021】このインタリーブ方式では、メモリモジュ
ール2,3 が交互にデータを出力することができるため、
2回目以降のサイクルから、1枚のメモリモジュールを
実装したときの半分の時間サイクルで応答信号Rを有効
にすることが可能となる。メモリモジュールが3枚以上
実装されたときでも、メモリアドレスB,C,…にアドレス
バスAのアドレス値aをメモリモジュールの実装数で割
った値を入力し、メモリモジュール2,3,…を順にアクセ
スできるシーケンスに変更することにより、より高速な
メモリアクセスが可能となる。
【0022】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、メモ
リモジュールの実装数に応じてメモリモジュールのメモ
リ空間を切り換えてアクセスを行うようにしたので、メ
モリモジュールを増設したとき、メモリ容量が大きくな
るだけでなく、メモリのアクセス時間も速くなり、コン
ピュータシステム性能の向上をはかることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施例のメモリアクセス制御方
法の回路構成図
【図2】メモリモジュールを1枚実装したときのタイム
チャート
【図3】メモリモジュールを2枚実装したときのタイム
チャート
【図4】メモリモジュールを1枚実装したときのメモリ
マップ割付図
【図5】メモリモジュールを2枚実装したときのメモリ
マップ割付図
【図6】従来技術によるメモリアクセス制御装置の回路
構成図
【図7】従来技術によるメモリアクセス制御装置のタイ
ムチャート
【図8】メモリマップの割付図
【符号の説明】
1 メモリアクセス制御回路 2、3 メモリモジュール 4、5 ソケット 6、7 アドレス制御回路 8、9 データバッファ A アドレスバス B,C メモリアドレスバス D,E メモリデータバス F データバス G,H アドレスロード I,J アドレスカウント信号 K,L メモリイネーブル M,N メモリ検出手段 O,P バスイネーブル Q メモリアクセス有効 R 応答信号 a,a+1,a+2,… アドレス値 (a),(a+1),(a+2),… データ値

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】メモリモジュールを複数枚実装可能なコン
    ピュータ装置のメモリアクセス制御方法において、 メモリモジュールの実装数を検出し、メモリモジュール
    が1枚実装されているときにはノンインターリーブ方式
    でメモリアクセスを行い、メモリモジュールか複数枚実
    装されているときには交互にメモリモジュールのアクセ
    スを行うインターリーブ方式でメモリアクセスを行う、 ことを特徴とするメモリアクセス制御方法。
  2. 【請求項2】中央処理装置と、アドレスバスと、データ
    バスと、メモリアクセス制御回路と、複数枚のメモリモ
    ジュールが選択的に実装可能なソケットと、を備えてな
    るコンピュータのメモリアクセス制御装置において、 前記アドレスバスからのアドレスデータを前記メモリモ
    ジュールのアドレスバスに選択的に演算・出力するアド
    レス制御回路と、 メモリデータバスのデータ出力を制御するデータバッフ
    ァ回路と、 前記メモリモジュールが当該ソケットに実装されている
    か否かを検知する検知手段と、を備え、 中央処理装置が前記メモリモジュールのメモリを連続ア
    クセスするとき、 メモリアクセス制御回路は、前記検知手段にて検出した
    メモリモジュールの実装数により、前記アドレス制御回
    路を制御し、当該メモリモジュールのアドレス信号の切
    り換えと、アクセスシーケンスと、前記データバッファ
    回路と、を制御する、 ことを特徴とするメモリアクセス制御装置。
  3. 【請求項3】請求項2に記載のメモリアクセス制御装置
    において、 アドレス制御回路は、ラッチ機能とカウントアップ機能
    とを備え、 中央処理装置がメモリモジュールのメモリを連続アクセ
    スするとき、アドレス制御回路は、メモリアクセス制御
    回路で選択的に演算・出力する連続アクセスするメモリ
    のスタートアドレス値をラッチし、メモリアクセスに進
    行に従い、順次ラッチした前記アドレス値をカウントア
    ップする、 ことを特徴とするメモリアクセス制御装置。
JP3746995A 1995-02-27 1995-02-27 メモリアクセス制御方法および制御装置 Pending JPH08235058A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990080822A (ko) * 1998-04-22 1999-11-15 윤종용 메모리 모듈 감지 방법
JP2010102640A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Nec Computertechno Ltd メモリコントローラ、コンピュータ、およびメモリミラーリング方法
US8762607B2 (en) * 2012-06-29 2014-06-24 Intel Corporation Mechanism for facilitating dynamic multi-mode memory packages in memory systems
KR20190110869A (ko) * 2018-03-21 2019-10-01 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법

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CN110297786A (zh) * 2018-03-21 2019-10-01 爱思开海力士有限公司 存储器控制器、具有该控制器的存储器系统及其操作方法

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