KR19990080822A - 메모리 모듈 감지 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 메모리 모듈 감지 방법은, 메모리 모듈 내의 접지 라인에 연결된 감지 단자를 상기 메모리 모듈에 마련하는 단계를 포함한다. 이 감지 단자의 외부 연결 라인에는 전압 인가 단자가 접속된다. 그리고, 이 전압 인가 단자의 전압 변동 상태에 따라 메모리 모듈의 존재 여부가 감지된다.
Description
본 발명은, 메모리 모듈 감지 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 중앙 처리 소자(Central Processing Unit)가 메모리 모듈의 존재 여부를 감지하게 하는 메모리 모듈 감지 방법에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 통상적인 메모리 모듈(11)에는 접지 단자(GND), 전원 인가 단자(Vcc), 어드레스 입력 단자들(ADDRESS), 데이터 입출력 단자들(DATA) 및 판독/기록 제어 단자(R/W)가 마련되어 있다. 이와 같은 구조를 가진 메모리 모듈(11)의 단자들이 중앙 처리 장치로부터의 커넥터에 삽입됨으로써, 메모리 모듈(11)은 중앙 처리 소자에 의하여 동작된다. 즉, 접지 단자(GND)와 전원 인가 단자(Vcc)에 전압이 인가되고, 판독/기록 제어 단자(R/W)의 입력 상태에 따라 지정된 어드레스의 데이터가 판독되거나 기록된다.
이와 같은 통상적인 메모리 모듈(11)의 존재 여부를 파악하려면, 중앙 처리 소자는 별도의 메모리 모듈 감지 프로그램을 실행하여야 한다. 이에 따라, 적용 시스템의 부팅 시간이 상대적으로 길어지고, 중앙 처리 소자는 메모리 모듈(11)의 삽입/취출 여부를 즉각적으로 감지할 수 없다.
본 발명의 목적은, 중앙 처리 소자가 별도의 프로그램을 실행하지 않고서도 메모리 모듈의 존재 여부를 감지할 수 있게 하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 통상적인 메모리 모듈의 단자들의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 메모리 모듈의 단자들의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 메모리 모듈들의 감지 단자의 결선 방법을 보여주는 회로도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
SENSE...감지 단자, 2...복합 메모리 모듈,
41, 42...감지 단자의 외부 연결 라인, 43, 44...전압 인가 단자,
V1, V2...전원 전압, 45, 46...풀업 저항기,
S1, S2...메모리 감지 신호.
상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 메모리 모듈 감지 방법은, 메모리 모듈 내의 접지 라인에 연결된 감지 단자를 상기 메모리 모듈에 마련하는 단계를 포함한다. 상기 감지 단자의 외부 연결 라인에는 전압 인가 단자가 접속된다. 그리고, 상기 전압 인가 단자의 전압 변동 상태에 따라 상기 메모리 모듈의 존재 여부가 감지된다. 이에 따라, 중앙 처리 소자가 별도의 프로그램을 실행하지 않고서도 상기 메모리 모듈의 존재 여부를 감지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 전압 인가 단자에 인가되는 전압은, 전원 전압이 저항기를 통하여 강하된 전압이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 메모리 모듈의 단자들의 구성을 보여준다. 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 메모리 모듈(21)에는 감지 단자(SENSE), 접지 단자(GND), 전원 인가 단자(Vcc), 어드레스 입력 단자들(ADDRESS), 데이터 입출력 단자들(DATA) 및 판독/기록 제어 단자(R/W)가 마련되어 있다. 즉, 본 발명에 따른 메모리 모듈(21)을 통상적인 메모리 모듈(도 1의 11)과 비교하면, 내부의 접지 라인을 통하여 접지 단자(GND)와 연결된 감지 단자(SENSE)가 추가됨을 알 수 있다.
도 3은 도 2의 메모리 모듈들(21, 22)의 감지 단자(SENSE)의 결선 방법을 보여준다. 도 3을 참조하면, 각각의 메모리 모듈(21, 22)의 감지 단자(SENSE)의 외부 연결 라인(41, 42)에는 전압 인가 단자(43, 44)가 접속된다. 각각의 전압 인가 단자(43, 44)에 인가되는 전압들은, 각각의 전원 전압(V1, V2)이 각각의 풀업(pull-up) 저항기(45, 46)를 통하여 강하된 전압들이다. 데이터 버퍼(3)에는 전압 인가 단자(43, 44)가 접속될 수 있도록 두 입력 단자들이 마련되어 있다. 즉, 데이터 버퍼(3)는, 전압 인가 단자들(43, 44)의 전압 변동 상태에 따라 메모리 감지 신호들(S1, S2)을 발생시킨다. 이 메모리 감지 신호들(S1, S2)이 데이터 버스를 통하여 중앙 처리 소자에 입력됨에 따라, 중앙 처리 소자는 각각의 메모리 모듈(21, 22)의 존재 여부를 감지할 수 있다. 메모리 감지 신호들(S1, S2)의 발생 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
첫째, 메모리 모듈들(21, 22)이 모두 존재하는 경우, 감지 단자(SENSE)들의 외부 연결 라인들(41, 42)이 접지된 상태가 된다. 이에 따라, 전압 인가 단자들(43, 44)의 전압들은 0 볼트[V]에 근접되고, 데이터 버퍼(3)로부터의 감지 신호들(S1, S2)은 디지털 논리 '00' 상태가 된다. 감지 신호들(S1, S2)이 디지털 논리 '00' 상태이면, 중앙 처리 소자는 메모리 모듈들(21, 22)이 모두 존재한다고 감지한다.
둘째, 제1 메모리 모듈(21)이 존재하고 제2 메모리 모듈(22)이 존재하지 않은 경우, 제1 연결 라인(41)이 접지되고 제2 연결 라인(42)이 개방된 상태이다. 이에 따라, 제1 전압 인가 단자(43)의 전압은 0 볼트[V]에 근접되고, 제2 전압 인가 단자(44)에는 소정 크기 이상의 전압이 유지된다. 그리고, 데이터 버퍼(3)로부터의 감지 신호들(S1, S2)은 디지털 논리 '01' 상태가 된다. 감지 신호들(S1, S2)이 디지털 논리 '01' 상태이면, 중앙 처리 소자는, 제1 메모리 모듈(21)이 존재하고 제2 메모리 모듈(22)이 존재하지 않다고 감지한다.
셋째, 제1 메모리 모듈(21)이 존재하지 않고 제2 메모리 모듈(22)이 존재하는 경우, 제1 연결 라인(41)이 개방되고 제2 연결 라인(42)이 접지된 상태이다. 이에 따라, 제1 전압 인가 단자(43)에는 소정 크기 이상의 전압이 유지되고, 제2 전압 인가 단자(44)의 전압은 0 볼트[V]에 근접된다. 그리고, 데이터 버퍼(3)로부터의 감지 신호들(S1, S2)은 디지털 논리 '10' 상태가 된다. 감지 신호들(S1, S2)이 디지털 논리 '10' 상태이면, 중앙 처리 소자는, 제1 메모리 모듈(21)이 존재하지 않고 제2 메모리 모듈(22)이 존재한다고 감지한다.
그리고 넷째, 메모리 모듈들(21, 22)이 모두 존재하지 않은 경우, 감지 단자(SENSE)들의 외부 연결 라인들(41, 42)이 개방된(floated) 상태가 된다. 이에 따라, 전압 인가 단자들(43, 44)에는 소정 크기 이상의 전압이 유지되고, 데이터 버퍼(3)로부터의 감지 신호들(S1, S2)은 디지털 논리 '11' 상태가 된다. 감지 신호들(S1, S2)이 디지털 논리 '11' 상태이면, 중앙 처리 소자는 메모리 모듈들(21, 22)이 모두 존재하지 않는다고 감지한다.
한편, 메모리 모듈들(21, 22)이 한 복합 메모리 모듈(2)을 구성한 경우, 중앙 처리 소자는 감지 신호들(S1, S2)의 디지털 논리 상태에 따라 복합 메모리 모듈(2)의 데이터 폭을 감지할 수 있다. 제1 메모리 모듈(21)의 데이터 폭이 8 비트이고, 제2 메모리 모듈(22)의 데이터 폭이 16 비트인 경우, 중앙 처리 소자는 복합 메모리 모듈(2)의 데이터 폭을 다음과 같이 감지한다. 첫째, 감지 신호들(S1, S2)의 디지털 논리 상태가 '00'이면, 복합 메모리 모듈(2)의 데이터 폭은 24 비트이다. 둘째, 감지 신호들(S1, S2)의 디지털 논리 상태가 '01'이면, 복합 메모리 모듈(2)의 데이터 폭은 8 비트이다. 그리고 셋째, 감지 신호들(S1, S2)의 디지털 논리 상태가 '10'이면, 복합 메모리 모듈(2)의 데이터 폭은 16 비트이다. 물론, 감지 신호들(S1, S2)의 디지털 논리 상태가 '11'이면, 중앙 처리 소자는 복합 메모리 모듈(2)이 존재하지 않는다고 감지한다.
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 메모리 모듈 감지 방법에 의하면, 중앙 처리 소자가 별도의 프로그램을 실행하지 않고서도 메모리 모듈의 존재 여부를 감지할 수 있게 함에 따라, 적용 시스템의 부팅 시간이 상대적으로 짧아지고, 중앙 처리 소자는 메모리 모듈의 삽입/취출 여부를 즉각적으로 감지할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.
Claims (3)
- 메모리 모듈 내의 접지 라인에 연결된 감지 단자를 상기 메모리 모듈에 마련하는 단계;상기 감지 단자의 외부 연결 라인에 전압 인가 단자를 접속시키는 단계; 및상기 전압 인가 단자의 전압 변동 상태에 따라 상기 메모리 모듈의 존재 여부를 감지하는 단계;를 포함한 메모리 모듈 감지 방법.
- 제1항에 있어서,상기 전압 인가 단자에 소정 크기 이상의 전압이 유지되면 상기 메모리 모듈이 존재한다고 감지하며, 그렇지 않으면 존재하지 않는다고 감지하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 감지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전압 인가 단자에 인가되는 전압이,전원 전압이 저항기를 통하여 강하된 전압인 메모리 모듈 감지 방법.
Priority Applications (1)
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| KR19990080822A true KR19990080822A (ko) | 1999-11-15 |
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Citations (5)
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