JPH08231232A - ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置 - Google Patents
ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置Info
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- JPH08231232A JPH08231232A JP4081995A JP4081995A JPH08231232A JP H08231232 A JPH08231232 A JP H08231232A JP 4081995 A JP4081995 A JP 4081995A JP 4081995 A JP4081995 A JP 4081995A JP H08231232 A JPH08231232 A JP H08231232A
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- Japan
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- glass sheet
- glass plate
- glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B25/00—Annealing glass products
- C03B25/04—Annealing glass products in a continuous way
- C03B25/10—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products
- C03B25/12—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products of glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
- C03B17/06—Forming glass sheets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 省エネルギー下で高品質のガラス板を提供す
る。 【構成】 本発明の特徴は、溶融ガラスからガラス板に
成形する成形工程と成形後、徐々に冷却する徐冷工程と
を具備したガラス板の製造方法において、前記徐冷工程
が、ＣＶＤ法により前記ガラス板表面に薄膜を形成する
成膜工程を含むことにある。
る。 【構成】 本発明の特徴は、溶融ガラスからガラス板に
成形する成形工程と成形後、徐々に冷却する徐冷工程と
を具備したガラス板の製造方法において、前記徐冷工程
が、ＣＶＤ法により前記ガラス板表面に薄膜を形成する
成膜工程を含むことにある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス板の製造方法お
よびガラス板製造装置にかかり、特に液晶表示装置やイ
メージセンサなどの薄膜トランジスタを用いた半導体素
子形成用のガラス板の製造に関する。
よびガラス板製造装置にかかり、特に液晶表示装置やイ
メージセンサなどの薄膜トランジスタを用いた半導体素
子形成用のガラス板の製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイやイメージセン
サなどの透光性基板としては、無アルカリガラスが用い
られている。しかしながら、このガラス基板にはわずか
ながらアルカリ金属が含まれており、多結晶シリコンを
半導体層とする多結晶シリコン薄膜トランジスタのよう
に５００℃程度の高温プロセスを含む半導体素子では、
ガラス基板からのアルカリ金属の拡散によりトランジス
タ特性が経時変化を起こすという問題があった。
サなどの透光性基板としては、無アルカリガラスが用い
られている。しかしながら、このガラス基板にはわずか
ながらアルカリ金属が含まれており、多結晶シリコンを
半導体層とする多結晶シリコン薄膜トランジスタのよう
に５００℃程度の高温プロセスを含む半導体素子では、
ガラス基板からのアルカリ金属の拡散によりトランジス
タ特性が経時変化を起こすという問題があった。
【０００３】このような問題を解決するための手段とし
て例えば特開昭６０−１７０９７２号や特開平５−５５
５８２号に示されているように、ガラス基板と薄膜半導
体素子との間に不純物イオンの拡散を阻止するための拡
散阻止層（バッファ層）を設ける方法が提案されてい
る。バッファ層を有する多結晶シリコン薄膜トランジス
タの断面構造を図１に示す。ガラス基板１１上に減圧Ｃ
ＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法により膜厚５００nm程
度のバッファ層１２を形成する。そしてこの上層に多結
晶シリコン膜からなる半導体層１５、ソース拡散層１
３，ドレイン拡散層１４、ゲート絶縁膜１６、ゲート電
極１７をそれぞれ形成したものである。
て例えば特開昭６０−１７０９７２号や特開平５−５５
５８２号に示されているように、ガラス基板と薄膜半導
体素子との間に不純物イオンの拡散を阻止するための拡
散阻止層（バッファ層）を設ける方法が提案されてい
る。バッファ層を有する多結晶シリコン薄膜トランジス
タの断面構造を図１に示す。ガラス基板１１上に減圧Ｃ
ＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法により膜厚５００nm程
度のバッファ層１２を形成する。そしてこの上層に多結
晶シリコン膜からなる半導体層１５、ソース拡散層１
３，ドレイン拡散層１４、ゲート絶縁膜１６、ゲート電
極１７をそれぞれ形成したものである。
【０００４】また、特開平５−２１３６６２７では、特
に多結晶シリコン薄膜トランジスタプロセス用にアルカ
リ金属が極めて少なく、また熱歪みも小さいガラス基板
を用いたディスプレー装置が提案されている。
に多結晶シリコン薄膜トランジスタプロセス用にアルカ
リ金属が極めて少なく、また熱歪みも小さいガラス基板
を用いたディスプレー装置が提案されている。
【０００５】このように、従来はガラス基板を製造する
側と、そのガラス基板を用いて半導体素子を製造する側
との両方で不純物イオン拡散の防止策が取られてきた。
側と、そのガラス基板を用いて半導体素子を製造する側
との両方で不純物イオン拡散の防止策が取られてきた。
【０００６】ところでこのような対策においては、エネ
ルギーを多大に消費するとい問題があった。すなわち、
半導体素子を作成する工程では、例えば１辺が数十ｃｍ
の長方形とするなど適当な大きさにカットされたガラス
基板を数百度の高温に加熱し、１枚ごとにバッファ層を
成膜する。一方ガラス板の製造工程では、例えば１００
℃以上に加熱された溶融ガラスを幅０．５〜２ｍ程度の
板状に成形した後、徐冷し、さらに上記適当な大きさに
カットする。したがってガラスは板状に成形されるとき
と、バッファ層を形成する際とで少なくとも２回の加熱
工程を必要とし、このための熱エネルギーは膨大な量で
ある。
ルギーを多大に消費するとい問題があった。すなわち、
半導体素子を作成する工程では、例えば１辺が数十ｃｍ
の長方形とするなど適当な大きさにカットされたガラス
基板を数百度の高温に加熱し、１枚ごとにバッファ層を
成膜する。一方ガラス板の製造工程では、例えば１００
℃以上に加熱された溶融ガラスを幅０．５〜２ｍ程度の
板状に成形した後、徐冷し、さらに上記適当な大きさに
カットする。したがってガラスは板状に成形されるとき
と、バッファ層を形成する際とで少なくとも２回の加熱
工程を必要とし、このための熱エネルギーは膨大な量で
ある。
【０００７】また、ガラス板を用いて半導体素子を製造
する際、加工に先立ち、汚染物質の混入を防ぐために、
表面洗浄を行うが、ガラスは耐酸性が低いため、フッ酸
などの反応性の高い洗浄液を用いることはできないとい
う問題があった。
する際、加工に先立ち、汚染物質の混入を防ぐために、
表面洗浄を行うが、ガラスは耐酸性が低いため、フッ酸
などの反応性の高い洗浄液を用いることはできないとい
う問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、汚染が少なく高品質のガラス板を製造すべく、鋭意
研究を重ねた結果、省エネルギーを実現するガラス板の
製造方法を提供することを目的とする。
は、汚染が少なく高品質のガラス板を製造すべく、鋭意
研究を重ねた結果、省エネルギーを実現するガラス板の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、ガラ
ス板に成形した後の徐冷工程で同時にバッファ層を成膜
するようにしている。
ス板に成形した後の徐冷工程で同時にバッファ層を成膜
するようにしている。
【００１０】すなわち、本発明の特徴は、溶融ガラスか
らガラス板に成形する成形工程と、成形後、徐々に冷却
する徐冷工程とを具備したガラス板の製造方法におい
て、前記徐冷工程が、ＣＶＤ法により前記ガラス板表面
に薄膜を形成する成膜工程を含むことにある。
らガラス板に成形する成形工程と、成形後、徐々に冷却
する徐冷工程とを具備したガラス板の製造方法におい
て、前記徐冷工程が、ＣＶＤ法により前記ガラス板表面
に薄膜を形成する成膜工程を含むことにある。
【００１１】また、前記徐冷工程は、温度がほぼ一定と
なる定温ゾーンを具備し、前記成膜工程は、この定温ゾ
ーン内で、前記ガラス板表面に、反応性ガスを供給する
ことにより薄膜を形成する工程であることを特徴とす
る。
なる定温ゾーンを具備し、前記成膜工程は、この定温ゾ
ーン内で、前記ガラス板表面に、反応性ガスを供給する
ことにより薄膜を形成する工程であることを特徴とす
る。
【００１２】望ましくは徐冷に際し、ガラス板を徐冷し
ながら、常圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜、ＰＳＧ
膜、ＢＰＳＧ膜のいずれかあるいはこれらの積層膜を成
膜する。
ながら、常圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜、ＰＳＧ
膜、ＢＰＳＧ膜のいずれかあるいはこれらの積層膜を成
膜する。
【００１３】本発明の第２の特徴は、溶融ガラスを供給
する溶融炉と、この溶融炉内の前記溶融ガラスから、ガ
ラス板を成形する成形部と、この成形部で成形された溶
融ガラスを徐冷する徐冷炉とを具備し、前記徐冷炉が、
前記ガラス板表面に反応性ガスを供給し、薄膜を形成す
る成膜部を具備したことにある。
する溶融炉と、この溶融炉内の前記溶融ガラスから、ガ
ラス板を成形する成形部と、この成形部で成形された溶
融ガラスを徐冷する徐冷炉とを具備し、前記徐冷炉が、
前記ガラス板表面に反応性ガスを供給し、薄膜を形成す
る成膜部を具備したことにある。
【００１４】
【作用】本発明によれば、ガラス板に成形後の徐冷工程
で同時にバッファ層の成膜を行うようにしているため、
改めてバッファ層を成膜するための加熱エネルギーが不
要となり、エネルギーの節約をはかることが可能とな
る。
で同時にバッファ層の成膜を行うようにしているため、
改めてバッファ層を成膜するための加熱エネルギーが不
要となり、エネルギーの節約をはかることが可能とな
る。
【００１５】また、幅０．５〜２ｍ程度のガラス板の状
態で一括してバッファ層を成膜することができるため、
個々に成膜していたときに比べ、スループットが大幅に
向上し、低コスト化をはかることが可能となる。
態で一括してバッファ層を成膜することができるため、
個々に成膜していたときに比べ、スループットが大幅に
向上し、低コスト化をはかることが可能となる。
【００１６】さらにまた、表面がバッファ層で覆われて
いるため、加工に先立ち、フッ酸系の洗浄液など強酸を
用いて洗浄することができる。従って、極めて清浄な表
面を得ることができるため、この表面に半導体装置を形
成する際、素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができる。
いるため、加工に先立ち、フッ酸系の洗浄液など強酸を
用いて洗浄することができる。従って、極めて清浄な表
面を得ることができるため、この表面に半導体装置を形
成する際、素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００１８】図２はダウンドロー法によるガラス板の製
造装置を示したものである。この装置は溶融ガラスを供
給する溶融炉１と、この溶融炉の底面に設けられたオリ
フィス２を介して、射出せしめられた溶融体を、板状に
成形し、走行せしめるローラ３と、この成形されたガラ
ス板４を徐冷する徐冷炉５と、徐冷炉５の領域内で前記
ガラス板表面に反応ガスを供給し、絶縁膜を成膜せしめ
る成膜部６とから構成されている。
造装置を示したものである。この装置は溶融ガラスを供
給する溶融炉１と、この溶融炉の底面に設けられたオリ
フィス２を介して、射出せしめられた溶融体を、板状に
成形し、走行せしめるローラ３と、この成形されたガラ
ス板４を徐冷する徐冷炉５と、徐冷炉５の領域内で前記
ガラス板表面に反応ガスを供給し、絶縁膜を成膜せしめ
る成膜部６とから構成されている。
【００１９】ここで成膜部は反応ガス供給管６ａと排出
管６ｂとを具備し、この反応ガス供給管６ａから、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）ガスと酸素（Ｏ2 ）ガスとの混合ガスを
ガラス板４表面に吹き付け、酸化シリコン膜を成膜せし
めるようになっている。
管６ｂとを具備し、この反応ガス供給管６ａから、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）ガスと酸素（Ｏ2 ）ガスとの混合ガスを
ガラス板４表面に吹き付け、酸化シリコン膜を成膜せし
めるようになっている。
【００２０】ここで成膜部は温度一定となるように構成
されており、基板温度が３００〜７００℃、望ましくは
４００〜５００℃となるように、徐冷炉５の温度プロフ
ァイルが構成されている。
されており、基板温度が３００〜７００℃、望ましくは
４００〜５００℃となるように、徐冷炉５の温度プロフ
ァイルが構成されている。
【００２１】なおここではガラス板４表面に形成される
酸化シリコン膜の膜厚は０．１〜３μm 望ましくは０．
３μm 〜１μm とする。０．１μm 以下では不純物の拡
散防止が不十分であり、一方３μm 以上では膜ストレス
により剥がれが生じやすいという問題がある。
酸化シリコン膜の膜厚は０．１〜３μm 望ましくは０．
３μm 〜１μm とする。０．１μm 以下では不純物の拡
散防止が不十分であり、一方３μm 以上では膜ストレス
により剥がれが生じやすいという問題がある。
【００２２】なおこの成膜部で供給されるガスに微量の
ホスフィン（ＰＨ3 ）を添加することにより、ＰＳＧ膜
を形成することができる。さらにこの反応ガスに微量の
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）またはトリクロロボロン（ＢＣ
ｌ3 ）を添加することにより、ＢＰＳＧ膜を得ることが
できる。これらの膜は酸化シリコン膜に比べて不純物の
拡散阻止能に優れているという特徴がある。
ホスフィン（ＰＨ3 ）を添加することにより、ＰＳＧ膜
を形成することができる。さらにこの反応ガスに微量の
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）またはトリクロロボロン（ＢＣ
ｌ3 ）を添加することにより、ＢＰＳＧ膜を得ることが
できる。これらの膜は酸化シリコン膜に比べて不純物の
拡散阻止能に優れているという特徴がある。
【００２３】さらにまた、これらの反応ガスとは別に、
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）とＯ3 （オ
ゾン）との混合ガスを用いても酸化シリコン膜を形成す
ることができる。またこの混合ガス中に微量のホスフィ
ン（ＰＨ3 ）を添加することにより、同様にＰＳＧ膜を
形成することができる。さらにこの反応ガスに微量のボ
ラン（Ｂ2 Ｈ6 ）またはトリクロロボロン（ＢＣｌ3 ）
を添加することにより、同様にＢＰＳＧ膜を得ることが
できる。特にＴＥＯＳを原料ガスとして用いた場合は成
膜中、膜の流動性が高いため、ガラス表面に微小な凹凸
や傷がある場合でも、ある程度平坦化が可能なため、こ
の上に作成されるデバイスの歩留まりの向上をはかるこ
とができる。同様の効果はＴＥＯＳ以外にもテトラエチ
ルシランなどの有機シランを用いても得られる。
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）とＯ3 （オ
ゾン）との混合ガスを用いても酸化シリコン膜を形成す
ることができる。またこの混合ガス中に微量のホスフィ
ン（ＰＨ3 ）を添加することにより、同様にＰＳＧ膜を
形成することができる。さらにこの反応ガスに微量のボ
ラン（Ｂ2 Ｈ6 ）またはトリクロロボロン（ＢＣｌ3 ）
を添加することにより、同様にＢＰＳＧ膜を得ることが
できる。特にＴＥＯＳを原料ガスとして用いた場合は成
膜中、膜の流動性が高いため、ガラス表面に微小な凹凸
や傷がある場合でも、ある程度平坦化が可能なため、こ
の上に作成されるデバイスの歩留まりの向上をはかるこ
とができる。同様の効果はＴＥＯＳ以外にもテトラエチ
ルシランなどの有機シランを用いても得られる。
【００２４】また原料ガスとしてＳｉＨ4 もしくは有機
シランと、ＮＨ3 （アンモニア）もしくはＮ2 Ｈ4 （ヒ
ドラジン）もしくはＨＮ3 （アジ化水素）を用いること
により窒化シリコン膜を得ることができる。
シランと、ＮＨ3 （アンモニア）もしくはＮ2 Ｈ4 （ヒ
ドラジン）もしくはＨＮ3 （アジ化水素）を用いること
により窒化シリコン膜を得ることができる。
【００２５】さらにまた原料ガスとして、Ｓｎ（Ｃ
Ｈ3 ）4 とＯ2 ガスもしくはＯ3 ガスを用いることによ
り導電性のＳｎＯ2 膜を得ることもできる。
Ｈ3 ）4 とＯ2 ガスもしくはＯ3 ガスを用いることによ
り導電性のＳｎＯ2 膜を得ることもできる。
【００２６】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００２７】図３は本発明の第２の実施例のガラス板の
製造装置を示したものである。前記第１の実施例の装置
では、絶縁膜を形成する反応部６は１つのガス供給管６
ａで構成されていたが、この例では、反応部６に代え
て、徐冷炉２５を挟んで第１の反応部２６ａと第２の反
応部２６ｂと具備し、いずれも同様にガス供給管を具備
し、ガラス板４の両面からガスを吹き付けるように構成
されている。
製造装置を示したものである。前記第１の実施例の装置
では、絶縁膜を形成する反応部６は１つのガス供給管６
ａで構成されていたが、この例では、反応部６に代え
て、徐冷炉２５を挟んで第１の反応部２６ａと第２の反
応部２６ｂと具備し、いずれも同様にガス供給管を具備
し、ガラス板４の両面からガスを吹き付けるように構成
されている。
【００２８】この装置では、第１の反応部２６ａでは、
ＳｉＨ4 ガスとＯ2 ガスとＰＨ3 ガスとの混合ガスをガ
ラス板４表面および裏面に吹き付け、ＰＳＧ膜を形成す
る。そして第２の反応部２６ｂでは、ＳｉＨ4 ガスとＯ
2 ガスとの混合ガスをガラス板４表面および裏面に吹き
付け、酸化シリコン膜を形成する。
ＳｉＨ4 ガスとＯ2 ガスとＰＨ3 ガスとの混合ガスをガ
ラス板４表面および裏面に吹き付け、ＰＳＧ膜を形成す
る。そして第２の反応部２６ｂでは、ＳｉＨ4 ガスとＯ
2 ガスとの混合ガスをガラス板４表面および裏面に吹き
付け、酸化シリコン膜を形成する。
【００２９】したがってこの装置ではガラス板の表面お
よび裏面に第１層としてＰＳＧ膜を形成するとともに、
第２層として酸化シリコン膜を形成することができ、基
板表面からの不純物の拡散を防止することができる。
よび裏面に第１層としてＰＳＧ膜を形成するとともに、
第２層として酸化シリコン膜を形成することができ、基
板表面からの不純物の拡散を防止することができる。
【００３０】また、ガス供給管すなわち反応部の数を増
やすことにより３層以上の膜を形成することが可能であ
る。
やすことにより３層以上の膜を形成することが可能であ
る。
【００３１】この場合、成膜ゾーンが長くなることがあ
るが、成膜温度を適温に保つため、保温構造をもつ領域
を含むようにしてもよいしまたヒータを付加するように
してもよい。
るが、成膜温度を適温に保つため、保温構造をもつ領域
を含むようにしてもよいしまたヒータを付加するように
してもよい。
【００３２】保温用ヒータを付加しても、その消費電力
は従来の方法に比べればわずかであり、加熱のためのエ
ネルギーを節約するという本来の目的は達成される。
は従来の方法に比べればわずかであり、加熱のためのエ
ネルギーを節約するという本来の目的は達成される。
【００３３】なお、前記実施例では、ダウンフロー法を
用いたガラス板製造装置について説明したが、フュージ
ョン法、リドロー法、フロート法、ロールアウト法、コ
ルバーン法、旭法、ピッツバーグ法などの他のガラス製
板法にも適用可能である。
用いたガラス板製造装置について説明したが、フュージ
ョン法、リドロー法、フロート法、ロールアウト法、コ
ルバーン法、旭法、ピッツバーグ法などの他のガラス製
板法にも適用可能である。
【００３４】このようにして得られたガラス基板は、１
辺が数十ｃｍの長方形にカットされ、必要に応じて搬送
され、フッ酸を用いて表面を洗浄し、この後多結晶シリ
コン膜の形成、ゲート絶縁膜およびゲート電極の形成、
ソースドレイン拡散等の工程を経て、図１に示したよう
な薄膜トランジスタを形成する。
辺が数十ｃｍの長方形にカットされ、必要に応じて搬送
され、フッ酸を用いて表面を洗浄し、この後多結晶シリ
コン膜の形成、ゲート絶縁膜およびゲート電極の形成、
ソースドレイン拡散等の工程を経て、図１に示したよう
な薄膜トランジスタを形成する。
【００３５】このプロセスにおいては、多結晶シリコン
膜の形成工程等で５００℃程度の加熱工程が入るが、前
記バッファ層の存在により、ガラス基板から素子領域へ
の不純物の拡散は素子され、信頼性の高い薄膜トランジ
スタを得ることができる。
膜の形成工程等で５００℃程度の加熱工程が入るが、前
記バッファ層の存在により、ガラス基板から素子領域へ
の不純物の拡散は素子され、信頼性の高い薄膜トランジ
スタを得ることができる。
【００３６】なお前記実施例では、特に高温の熱工程を
要する多結晶シリコン薄膜トランジスタについて説明し
たが、半導体層としてアモルファスシリコンを用いた薄
膜トランジスタ、さらには結晶半導体や非単結晶半導体
からなる太陽電池やフォトダイオード、フォトトランジ
スタなど他の素子にも適用可能であることはいうまでも
ない。
要する多結晶シリコン薄膜トランジスタについて説明し
たが、半導体層としてアモルファスシリコンを用いた薄
膜トランジスタ、さらには結晶半導体や非単結晶半導体
からなる太陽電池やフォトダイオード、フォトトランジ
スタなど他の素子にも適用可能であることはいうまでも
ない。
【００３７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、熱エネルギーを大幅に節減することができるととも
に表面の汚染を防止し、安定で信頼性の高いガラス板を
得ることが可能となる。
ば、熱エネルギーを大幅に節減することができるととも
に表面の汚染を防止し、安定で信頼性の高いガラス板を
得ることが可能となる。
【図１】ガラス基板を用いた薄膜トランジスタを示す図
【図２】本発明の第１の実施例のガラス基板製造装置を
示す図
示す図
【図３】本発明の第２の実施例のガラス基板製造装置を
示す図
示す図
１ 溶融炉 ２ オリフィス ３ ローラ ４ ガラス板 ５ 徐冷炉 ６ 反応部 ６ａ 反応ガス供給管 ６ｂ 反応ガス排出管 １１ ガラス基板 １２ バッファ層 １３ ソース拡散層 １４ ドレイン拡散層 １５ 半導体層 １６ ゲート絶縁膜 １７ ゲート電極 ２５ 徐冷炉 ２６ａ 第１の反応部 ２６ｂ 第２の反応部
Claims (3)
- 【請求項１】 溶融ガラスからガラス板に成形する成形
工程と、 成形後、このガラス板を徐々に冷却する徐冷工程とを具
備したガラス板の製造方法において、 前記徐冷工程が、ＣＶＤ法により前記ガラス板表面に薄
膜を形成する成膜工程を含むことを特徴とするガラス板
の製造方法。 - 【請求項２】 前記徐冷工程は、温度がほぼ一定となる
定温ゾーンを具備し、 前記成膜工程は、この定温ゾーン内で、前記ガラス板表
面に、反応性ガスを供給することにより薄膜を形成する
工程であることを特徴とする請求項１に記載のガラス板
の製造方法。 - 【請求項３】 溶融ガラスを供給する溶融炉と、 この溶融炉内の前記溶融ガラスから、ガラス板を成形す
る成形部と、 この成形部で成形された溶融ガラスを徐冷する徐冷炉と
を具備し、 前記徐冷炉が、前記ガラス板表面に反応性ガスを供給
し、薄膜を形成する成膜部を具備したことを特徴とする
ガラス板製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081995A JPH08231232A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081995A JPH08231232A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231232A true JPH08231232A (ja) | 1996-09-10 |
Family
ID=12591275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4081995A Pending JPH08231232A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08231232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100754758B1 (ko) * | 2001-08-08 | 2007-09-04 | 피트블라도 리차드 비. | 시트 글래스 형성 장치 |
| JP2011140425A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 薄板ガラス条の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP4081995A patent/JPH08231232A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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