JPH0818904B2 - ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH0818904B2 JPH0818904B2 JP63274171A JP27417188A JPH0818904B2 JP H0818904 B2 JPH0818904 B2 JP H0818904B2 JP 63274171 A JP63274171 A JP 63274171A JP 27417188 A JP27417188 A JP 27417188A JP H0818904 B2 JPH0818904 B2 JP H0818904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iii
- crystal
- single crystal
- compound semiconductor
- semiconductor single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液体封止チョクラルスキー法（以下、「LE
C法」という）によるIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製
造方法に関する。
C法」という）によるIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製
造方法に関する。
［従来の技術］ 一般に、GaAs,InP,GaP,InAs等のIII−Ｖ族化合物半導
体は、揮発性物質であるＶ族元素を含むため、融液（溶
融原料）からＶ族元素が蒸発し易い。そこで、III−Ｖ
族化合物半導体単結晶の製造方法としては、Ｖ族元素の
蒸発を防止できるLEC法が工業的に利用されている。
体は、揮発性物質であるＶ族元素を含むため、融液（溶
融原料）からＶ族元素が蒸発し易い。そこで、III−Ｖ
族化合物半導体単結晶の製造方法としては、Ｖ族元素の
蒸発を防止できるLEC法が工業的に利用されている。
LEC法は、原料をるつぼ内に入れるとともに、その原
料を液体封止液で封止し、これをN2ガスや不活性ガス等
の高圧ガス雰囲気とした高圧容器内で加圧し、原料を加
熱して溶融し、融液に種結晶を浸漬し、るつぼと種結晶
とを相対的に回転させながら種結晶を一定速度で引き上
げることにより、結晶を製造するものである。このLEC
法によれば、融液の表面を不活性物質である液体封止剤
で覆い、さらに高圧の不活性ガス等雰囲気中で結晶を成
長させるために、揮発性物質であるＶ族元素が融液から
蒸発するのを防止できるもので、従来、液体封止剤とし
ては、アンドープのB2O3が用いられていた。
料を液体封止液で封止し、これをN2ガスや不活性ガス等
の高圧ガス雰囲気とした高圧容器内で加圧し、原料を加
熱して溶融し、融液に種結晶を浸漬し、るつぼと種結晶
とを相対的に回転させながら種結晶を一定速度で引き上
げることにより、結晶を製造するものである。このLEC
法によれば、融液の表面を不活性物質である液体封止剤
で覆い、さらに高圧の不活性ガス等雰囲気中で結晶を成
長させるために、揮発性物質であるＶ族元素が融液から
蒸発するのを防止できるもので、従来、液体封止剤とし
ては、アンドープのB2O3が用いられていた。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、アンドープのB2O3は、引上げ結晶とのぬれ性
が悪く、引上げた結晶の表面が分解し易いために、転位
密度が高くなるという問題があった。また、アンドープ
のB2O3は、透明であるため、融液からの熱輻射による熱
の放散が大きく、単結晶引上げ時の熱環境の制御が難し
い。したがって、引上げ結晶に双晶や多結晶が発生し易
く、単結晶化率が低くなってしまうという問題があっ
た。
が悪く、引上げた結晶の表面が分解し易いために、転位
密度が高くなるという問題があった。また、アンドープ
のB2O3は、透明であるため、融液からの熱輻射による熱
の放散が大きく、単結晶引上げ時の熱環境の制御が難し
い。したがって、引上げ結晶に双晶や多結晶が発生し易
く、単結晶化率が低くなってしまうという問題があっ
た。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、転位密度の低減を図ることができ、単結晶化率を高
めることができるIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造
方法を提供することを目的とする。
で、転位密度の低減を図ることができ、単結晶化率を高
めることができるIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造
方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明は、LEC法によっ
てIII−Ｖ族化合物半導体単結晶を製造するにあたり、I
II族のリン酸塩を、液体封止剤が半透明または不透明と
なる量だけ添加したB2O3液体封止剤として用いることと
した。
てIII−Ｖ族化合物半導体単結晶を製造するにあたり、I
II族のリン酸塩を、液体封止剤が半透明または不透明と
なる量だけ添加したB2O3液体封止剤として用いることと
した。
［作用］ 上記III−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法によれ
ば、B2O3にIII族のリン酸塩を、液体封止剤が半透明ま
たは不透明となる量だけ添加しているので、液体封止剤
の粘性が増加する。また、液体封止剤は、半透明または
不透明になる。
ば、B2O3にIII族のリン酸塩を、液体封止剤が半透明ま
たは不透明となる量だけ添加しているので、液体封止剤
の粘性が増加する。また、液体封止剤は、半透明または
不透明になる。
したがって、結晶を引上げた際にB2O3の一部が結晶表
面に付着し易くなり、結晶表面の分解を防止でき、転位
密度の低減を図ることができる。また、融液からの熱輻
射による熱の放散を抑制でき、結晶育成時の潜熱が結晶
と融液の固液界面を通して結晶を伝わって外方に放散し
易くなり、双晶や多結晶化を抑制し易く、単結晶化率を
高めることができる。
面に付着し易くなり、結晶表面の分解を防止でき、転位
密度の低減を図ることができる。また、融液からの熱輻
射による熱の放散を抑制でき、結晶育成時の潜熱が結晶
と融液の固液界面を通して結晶を伝わって外方に放散し
易くなり、双晶や多結晶化を抑制し易く、単結晶化率を
高めることができる。
［実施例］ 本実施例は、LEC法によりGaAs単結晶の育成を行っ
た。
た。
液体封止剤として、市販のアンドープB2O3600gに高純
度（5N）のGaPO4を0.4mol％添加し、約100℃にて融解、
攪拌することにより、B2O3−GaPO4二元系を作成した。
通常のB2O3は透明であるのに対し、作成した二元系の液
体封止剤は、橙色の不透明であった、次に、この液体封
止剤を高純度（7N）のAs及びGa計4kgとともにpBN製のる
つぼに仕込み、加熱を行った。加熱の途中で液体封止剤
が溶解し、原料のAsおよびGaを封止し、その後、AsとGa
とが反応してGaAsとなった。GaAsが融解したところで、
種結晶を融液に浸漬し、回転しつつ結晶の引上げを行っ
た。
度（5N）のGaPO4を0.4mol％添加し、約100℃にて融解、
攪拌することにより、B2O3−GaPO4二元系を作成した。
通常のB2O3は透明であるのに対し、作成した二元系の液
体封止剤は、橙色の不透明であった、次に、この液体封
止剤を高純度（7N）のAs及びGa計4kgとともにpBN製のる
つぼに仕込み、加熱を行った。加熱の途中で液体封止剤
が溶解し、原料のAsおよびGaを封止し、その後、AsとGa
とが反応してGaAsとなった。GaAsが融解したところで、
種結晶を融液に浸漬し、回転しつつ結晶の引上げを行っ
た。
育成した結晶は単結晶であり、SSMSによる分析の結
果、引上げ結晶中からＰ等の不純物は検出されず、高純
度の結晶であることが判った。また、従来のようにアン
ドープB2O3を液体封止剤した例では、転位密度が５×10
4cm-2であったのに対し、本実施例で得た引上げ結晶の
転位密度は１×104cm-2であり、転位密度が低減した。
さらに、本実施例では、従来のような双晶や多結晶化が
生じなくなり、単結晶をほぼ100％の割合で得ることが
可能となった。
果、引上げ結晶中からＰ等の不純物は検出されず、高純
度の結晶であることが判った。また、従来のようにアン
ドープB2O3を液体封止剤した例では、転位密度が５×10
4cm-2であったのに対し、本実施例で得た引上げ結晶の
転位密度は１×104cm-2であり、転位密度が低減した。
さらに、本実施例では、従来のような双晶や多結晶化が
生じなくなり、単結晶をほぼ100％の割合で得ることが
可能となった。
なお、上記実施例では、B2O3にリン酸塩としてGaPO4
を添加した例を示したが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではなく、その他のリン酸塩を添加してもよ
い。例えば、AlPO4,BPO4,BiPO4等もそれぞれ数mol％添
加することにより、不透明となり、上記実施例と同様の
効果が得られ、CrPO4,FePO4でも同様の効果が得られ
た。
を添加した例を示したが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではなく、その他のリン酸塩を添加してもよ
い。例えば、AlPO4,BPO4,BiPO4等もそれぞれ数mol％添
加することにより、不透明となり、上記実施例と同様の
効果が得られ、CrPO4,FePO4でも同様の効果が得られ
た。
［発明の効果］ 以上のように、本発明のIII−Ｖ族化合物半導体単結
晶の製造方法によれば、III族のリン酸塩を、液体封止
液が半透明または不透明となる量だけ添加したB2O3を液
体封止剤として用いるので、B2O3と引上げ結晶とのぬれ
性が良くなり、引上げ結晶表面の分解を防止でき、結晶
の転位密度を低減することができる。また、液体封止剤
は半透明または不透明となるので、双晶や多結晶の発生
を抑制でき、単結晶化率を高めることができる。
晶の製造方法によれば、III族のリン酸塩を、液体封止
液が半透明または不透明となる量だけ添加したB2O3を液
体封止剤として用いるので、B2O3と引上げ結晶とのぬれ
性が良くなり、引上げ結晶表面の分解を防止でき、結晶
の転位密度を低減することができる。また、液体封止剤
は半透明または不透明となるので、双晶や多結晶の発生
を抑制でき、単結晶化率を高めることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−201096（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−11597（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−286298（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−14193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−60693（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】液体封止チョクラルスキー法によってIII
−Ｖ族化合物半導体単結晶を製造するにあたり、III族
のリン酸塩を、液体封止剤が半透明または不透明となる
量だけ添加したB2O3を液体封止剤として用いることを特
徴とするIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274171A JPH0818904B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274171A JPH0818904B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120297A JPH02120297A (ja) | 1990-05-08 |
| JPH0818904B2 true JPH0818904B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17538028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63274171A Expired - Lifetime JPH0818904B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818904B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5729182B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-06-03 | 株式会社リコー | ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板 |
| JP6282497B2 (ja) | 2014-03-19 | 2018-02-21 | 川崎重工業株式会社 | 鞍乗型車両のハンドルマウント構造 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018635B2 (ja) * | 1981-10-02 | 1985-05-11 | 日本電信電話株式会社 | 封止剤 |
| JPS6114193A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS61286298A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶の育成方法 |
| JP2527718B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1996-08-28 | 三菱化学株式会社 | 液体カプセル引き上げ法用封止剤及び単結晶の成長方法 |
| JPS63201096A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体結晶の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63274171A patent/JPH0818904B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02120297A (ja) | 1990-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0751242B1 (en) | Process for bulk crystal growth | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| US3623905A (en) | Gallium compounds with reduced silicon contamination and a method of manufacturing them | |
| JPH0818904B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0234597A (ja) | 水平ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法 | |
| US3615205A (en) | Method for the synthesis and growth of high purity iii{14 v semiconductor compositions in bulk | |
| JPH0543679B2 (ja) | ||
| JPS61197499A (ja) | 無機化合物単結晶の成長方法 | |
| JPS6270298A (ja) | リン化インジウム単結晶の製造方法 | |
| JPS6355195A (ja) | 無機化合物単結晶の成長方法 | |
| JP2887978B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体組成物の合成方法 | |
| JP2003146791A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS6230697A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造法 | |
| JPS6153186A (ja) | 抵抗加熱用ヒ−タ | |
| JPS6389497A (ja) | 珪素添加ガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
| JPS623097A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体混晶の製造方法 | |
| JP2873449B2 (ja) | 化合物半導体浮遊帯融解単結晶成長方法 | |
| JPH0761917B2 (ja) | ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 | |
| JPS6036397A (ja) | 化合物単結晶育成装置 | |
| JPS623408Y2 (ja) | ||
| JPH10167874A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0772120B2 (ja) | Ｃｒドープ半絶縁性砒化ガリウム結晶の製造方法 | |
| JPS62191500A (ja) | 砒化ガリウム化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0222200A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH02129099A (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 13 |