JPH0761917B2 - ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 - Google Patents
ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法Info
- Publication number
- JPH0761917B2 JPH0761917B2 JP63053763A JP5376388A JPH0761917B2 JP H0761917 B2 JPH0761917 B2 JP H0761917B2 JP 63053763 A JP63053763 A JP 63053763A JP 5376388 A JP5376388 A JP 5376388A JP H0761917 B2 JPH0761917 B2 JP H0761917B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- inp
- ampoule
- pbn
- compound semiconductor
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、InP化合物半導体多結晶を水平ブリッジマン
法で合成する方法に関するものであり、特には生成され
る結晶のSi汚染を簡易に防止して、高純度InP化合物半
導体多結晶を安価に生成する技術に関する。
法で合成する方法に関するものであり、特には生成され
る結晶のSi汚染を簡易に防止して、高純度InP化合物半
導体多結晶を安価に生成する技術に関する。
本発明により製造されたInP化合物半導体多結晶は従来
品に比較してキャリア濃度及びSi濃度が低く、これを原
料として作製した、InP化合物半導体単結晶の品質が向
上する。本発明は特に、半絶縁性単結晶として有用なFe
ドープInP単結晶製造用の原料として好適なInP多結晶を
製造することが出来る。
品に比較してキャリア濃度及びSi濃度が低く、これを原
料として作製した、InP化合物半導体単結晶の品質が向
上する。本発明は特に、半絶縁性単結晶として有用なFe
ドープInP単結晶製造用の原料として好適なInP多結晶を
製造することが出来る。
（従来の技術） InP、GaAs、GaP等に代表されるIII-V族化合物半導体
は、現在主として、液体封止チョクラルスキー（LEC）
法を用いて育成されている。この方法は、ルツボ内の原
料融液上に融液成分の揮散を防止する液体封止剤（B
2O3）を設けて、単結晶を液体封止剤層を通して引き上
げていくものである。原料融液としては、水平ブリッジ
マン法（HB法）や勾配凝固法（GF法）で合成した結晶が
使用される。現在のところは、上記の通り、水平ブリッ
ジマン法で一旦III-V族化合物半導体多結晶を合成し、
ついでそれを原料として単結晶を引上げるという二段階
方式が採用されている。
は、現在主として、液体封止チョクラルスキー（LEC）
法を用いて育成されている。この方法は、ルツボ内の原
料融液上に融液成分の揮散を防止する液体封止剤（B
2O3）を設けて、単結晶を液体封止剤層を通して引き上
げていくものである。原料融液としては、水平ブリッジ
マン法（HB法）や勾配凝固法（GF法）で合成した結晶が
使用される。現在のところは、上記の通り、水平ブリッ
ジマン法で一旦III-V族化合物半導体多結晶を合成し、
ついでそれを原料として単結晶を引上げるという二段階
方式が採用されている。
InPを例にとって、従来からの水平ブリッジマン法を第
４図を参照して説明する。一端側にリン（Ｐ）１そして
他端側にインジウム（In）２を収納した石英製ボート３
を配置して減圧密封した石英製アンプル４が加熱炉５内
に水平に設置される。炉内の温度分布は、第４図下方の
温度分布曲線に示されるように、リン側を450〜550℃、
インジウム側を700〜850℃そしてボート先端を950〜110
0℃として設定される。図面右（矢印）方向に石英アン
プルが移動されるにつれ、ボート先端から徐々にInP多
結晶６が成長せしめられる。尚、図示は省略したが、炉
内は高圧不活性ガスの充填が可能で、InP多結晶成長時
には、リンの蒸気圧と平衡な圧力が加えられる。
４図を参照して説明する。一端側にリン（Ｐ）１そして
他端側にインジウム（In）２を収納した石英製ボート３
を配置して減圧密封した石英製アンプル４が加熱炉５内
に水平に設置される。炉内の温度分布は、第４図下方の
温度分布曲線に示されるように、リン側を450〜550℃、
インジウム側を700〜850℃そしてボート先端を950〜110
0℃として設定される。図面右（矢印）方向に石英アン
プルが移動されるにつれ、ボート先端から徐々にInP多
結晶６が成長せしめられる。尚、図示は省略したが、炉
内は高圧不活性ガスの充填が可能で、InP多結晶成長時
には、リンの蒸気圧と平衡な圧力が加えられる。
こうして合成されたInP多結晶を原料として引上げ法に
よりInP単結晶が製造されていたものである。
よりInP単結晶が製造されていたものである。
従来法により製造された単結晶は、Siによる汚染のた
め、比較的キャリア濃度が高く、エピタキシャル成長用
基板等の高品質単結晶の品質要求には適さなかった。一
般に、キャリア濃度は（１〜５）×1016cm-3の水準にあ
った。
め、比較的キャリア濃度が高く、エピタキシャル成長用
基板等の高品質単結晶の品質要求には適さなかった。一
般に、キャリア濃度は（１〜５）×1016cm-3の水準にあ
った。
更に、このような高キャリア濃度は、半絶縁性InP結晶
を製造する場合に殊に顕著な問題となる。InPは長波長
帯での半導体レーザ、受光器の基板結晶として重要なも
のであり、最近では高速FET用材料として注目を集めて
いる。最近、同一InP基板上にフォトダイオード、FET及
び半導体レーザを集積化した光ICが開発され、この場合
InP基板としては、これら素子の電気的分離を容易なら
しめるように半絶縁性InP結晶が用いられねばならな
い。半絶縁性InP結晶はInPにFeをドーピングすることに
よって得ることが出来る。ところが、FeドープInPの場
合に、キャリア濃度が高いと、即ち、不純物（Si）量が
多いと、Feドープ量を多くせざるをえず、そうなると鉄
のリン化合物の析出とかウエハ中のFe濃度の不均一化と
いった問題が派生し、極めて不都合である。
を製造する場合に殊に顕著な問題となる。InPは長波長
帯での半導体レーザ、受光器の基板結晶として重要なも
のであり、最近では高速FET用材料として注目を集めて
いる。最近、同一InP基板上にフォトダイオード、FET及
び半導体レーザを集積化した光ICが開発され、この場合
InP基板としては、これら素子の電気的分離を容易なら
しめるように半絶縁性InP結晶が用いられねばならな
い。半絶縁性InP結晶はInPにFeをドーピングすることに
よって得ることが出来る。ところが、FeドープInPの場
合に、キャリア濃度が高いと、即ち、不純物（Si）量が
多いと、Feドープ量を多くせざるをえず、そうなると鉄
のリン化合物の析出とかウエハ中のFe濃度の不均一化と
いった問題が派生し、極めて不都合である。
InP化合物半導体への高品質化要求が益々厳しくなる中
で、InP化合物半導体多結晶の製造においてSi汚染を防
止する方法を確立する必要性が存在する。
で、InP化合物半導体多結晶の製造においてSi汚染を防
止する方法を確立する必要性が存在する。
特開昭59-8690号は、高純度でしかも低転位のGaAs単結
晶を製造することを目的として、石英反応管内に石英製
の横形ボートを配置し、ボート内にGaAsを収容してGaAs
単結晶を製造するに際して、ボートからのSi汚染を防止
するために、従来の石英製ボート（またはpBN製るつ
ぼ）に替えてボートを内外２層で構成し、半導体と接触
する内層をpBN製とすることを提唱している。
晶を製造することを目的として、石英反応管内に石英製
の横形ボートを配置し、ボート内にGaAsを収容してGaAs
単結晶を製造するに際して、ボートからのSi汚染を防止
するために、従来の石英製ボート（またはpBN製るつ
ぼ）に替えてボートを内外２層で構成し、半導体と接触
する内層をpBN製とすることを提唱している。
特公昭49-42419号は、珪素分の少ないIII-V族半導体、
実施例ではGaAsを製造することを目的として、内壁が硼
素又はアルミニウムの窒化物又は酸化物によって保護さ
れている石英容器を使用することを記載している。具体
的には、石英アンプルの壁部を窒化硼素のような不活性
物質で被覆するべく、その内部に硼素化合物及びアンモ
ニアを導入して内壁に良好に付着する窒化珪素層を形成
する方法や石英アンプル中に窒化硼素等製の管を密着状
態で挿入し、当該管の内部で操作を実施する方法を記載
している。
実施例ではGaAsを製造することを目的として、内壁が硼
素又はアルミニウムの窒化物又は酸化物によって保護さ
れている石英容器を使用することを記載している。具体
的には、石英アンプルの壁部を窒化硼素のような不活性
物質で被覆するべく、その内部に硼素化合物及びアンモ
ニアを導入して内壁に良好に付着する窒化珪素層を形成
する方法や石英アンプル中に窒化硼素等製の管を密着状
態で挿入し、当該管の内部で操作を実施する方法を記載
している。
（発明が解決しようとする課題） 上記のボートを内外２層で構成し、半導体と接触する内
層をpBN製とする方法では、それを納める石英アンプル
自体からのSi汚染を防止することができない。石英アン
プルの壁部を窒化硼素のような不活性物質で被覆するべ
く、その内部に硼素化合物及びアンモニアを導入して内
壁に良好に付着する窒化珪素層を形成する方法や石英ア
ンプル中に窒化硼素等製の管を密着状態で挿入する方法
では、非常に手間のかかるまた高価につく準備作業を必
要とする。また、これら従来技術は、主として、III-V
族化合物半導体としてGaAsを対象としたものである。
層をpBN製とする方法では、それを納める石英アンプル
自体からのSi汚染を防止することができない。石英アン
プルの壁部を窒化硼素のような不活性物質で被覆するべ
く、その内部に硼素化合物及びアンモニアを導入して内
壁に良好に付着する窒化珪素層を形成する方法や石英ア
ンプル中に窒化硼素等製の管を密着状態で挿入する方法
では、非常に手間のかかるまた高価につく準備作業を必
要とする。また、これら従来技術は、主として、III-V
族化合物半導体としてGaAsを対象としたものである。
石英アンプル自体は、InP化合物半導体多結晶合成操作
毎に廃棄されるので、こうした非常に手間のかかるまた
高価につく作業は所望されない。
毎に廃棄されるので、こうした非常に手間のかかるまた
高価につく作業は所望されない。
本発明の課題は、Si汚染のない高品質InP化合物半導体
多結晶を合成する従来より簡易で且つ安価な方法を開発
することである。
多結晶を合成する従来より簡易で且つ安価な方法を開発
することである。
（課題を解決するための手段） 水平ブリッジマン法工程におけるSi汚染は、アンプル等
の石英部材からのSiが汚染源になっている。しかし、In
P化合物半導体多結晶合成の場合には、このSi汚染は、
従来のようにアンプル内壁全体を窒化硼素のような不活
性物質で被覆するか或いは内管を密着して挿入すること
によりアンプル内壁全体を遮蔽せずとも、pBN製ボート
の開口上面を覆うように該pBN製ボート上に遮蔽体を載
置するだけで十分の許容水準まで防止することができる
ことを確認した。ボート自体は上記のような内外２層の
ボートは高価につくので全体をpBN製とする方がかえっ
て好都合である。
の石英部材からのSiが汚染源になっている。しかし、In
P化合物半導体多結晶合成の場合には、このSi汚染は、
従来のようにアンプル内壁全体を窒化硼素のような不活
性物質で被覆するか或いは内管を密着して挿入すること
によりアンプル内壁全体を遮蔽せずとも、pBN製ボート
の開口上面を覆うように該pBN製ボート上に遮蔽体を載
置するだけで十分の許容水準まで防止することができる
ことを確認した。ボート自体は上記のような内外２層の
ボートは高価につくので全体をpBN製とする方がかえっ
て好都合である。
この知見に基づいて、本発明は、Inを収納するpBN製ボ
ートを一端部にそしてＰを他端部に配置して減圧密封し
たアンプルを用いて、Ｐ側を450〜550℃、In側を700〜8
50℃そしてボート先端部を950〜1100℃の温度分布に設
定してInP化合物半導体多結晶を水平ブリッジマン法で
合成する方法において、前記アンプル内部で、前記pBN
製ボートの上面開口を覆うように該pBN製ボート上にpBN
製遮蔽体を載置して該ボート内のInのアンプル材料によ
る汚染を防止しつつ、該アンプルを移動することを特徴
とするInP化合物半導体多結晶の合成方法を提供する。
ートを一端部にそしてＰを他端部に配置して減圧密封し
たアンプルを用いて、Ｐ側を450〜550℃、In側を700〜8
50℃そしてボート先端部を950〜1100℃の温度分布に設
定してInP化合物半導体多結晶を水平ブリッジマン法で
合成する方法において、前記アンプル内部で、前記pBN
製ボートの上面開口を覆うように該pBN製ボート上にpBN
製遮蔽体を載置して該ボート内のInのアンプル材料によ
る汚染を防止しつつ、該アンプルを移動することを特徴
とするInP化合物半導体多結晶の合成方法を提供する。
（発明の具体的説明） 従来技術と関連して既に説明したように、InP合成のた
めの水平ブリッジマン法においては、Inを収納するボー
トを一端部にそしてＰを他端部に配置して減圧密封した
石英製アンプルが用いられる。ボートが石英製の場合、
Siが合成結晶中に混入する機構は、石英ボート中で、 4In（１）＋SiO2（ｓ）＝Si（１）（In融液中）＋2In2O
の反応が起こり、更にボート外で 3In2O（ｇ）＋P4（ｇ）＝In2O3（ｓ）＋4InP（ｓ）
の反応が連続的に起こり、インジウム融液中にはSiが多
量に混入することになる。
めの水平ブリッジマン法においては、Inを収納するボー
トを一端部にそしてＰを他端部に配置して減圧密封した
石英製アンプルが用いられる。ボートが石英製の場合、
Siが合成結晶中に混入する機構は、石英ボート中で、 4In（１）＋SiO2（ｓ）＝Si（１）（In融液中）＋2In2O
の反応が起こり、更にボート外で 3In2O（ｇ）＋P4（ｇ）＝In2O3（ｓ）＋4InP（ｓ）
の反応が連続的に起こり、インジウム融液中にはSiが多
量に混入することになる。
従って、ボート材質として、熱的及び化学的に安定なpB
Nを用いることによりの反応が防止される。これによ
り、キャリア濃度が石英ボートを使用した場合の（１〜
５）×1016cm-3から（１〜５）×1015cm-3へとほぼ１桁
減少する。しかし、これだけでは高純度化に限界があ
る。
Nを用いることによりの反応が防止される。これによ
り、キャリア濃度が石英ボートを使用した場合の（１〜
５）×1016cm-3から（１〜５）×1015cm-3へとほぼ１桁
減少する。しかし、これだけでは高純度化に限界があ
る。
第２図は、原料インジウム、石英ボート使用InP結合及
びpBN使用InP結晶中のSi濃度を固体質量分析法により分
析した結果である（重量基準）。Si濃度は、原料インジ
ウム中で0.003ppm以下であるのに対して、石英ボート使
用InP結晶では0.05〜0.5ppmそしてpBN使用InP結晶では
0.005〜0.05ppmである。pBNボートの使用により、Siの
混入はほぼ１桁減少することが出来たが、まだ尚、解消
せねばならないSi汚染が存在する。
びpBN使用InP結晶中のSi濃度を固体質量分析法により分
析した結果である（重量基準）。Si濃度は、原料インジ
ウム中で0.003ppm以下であるのに対して、石英ボート使
用InP結晶では0.05〜0.5ppmそしてpBN使用InP結晶では
0.005〜0.05ppmである。pBNボートの使用により、Siの
混入はほぼ１桁減少することが出来たが、まだ尚、解消
せねばならないSi汚染が存在する。
これはアンプル等の他の石英部材に起因する。即ち、ボ
ート直上の石英製アンプル天井部分にIn蒸気が付着し、
それがアンプル成分であるSiO2を巻き込んでボート内に
落下する際、更には飛来するＰ蒸気がアンプルと接触す
る際、 10SiO2（ｓ）＋P4（ｇ）＝10SiO（ｇ）＋P4O10（ｇ）
2SiO（ｇ）＝Si（１）＋SiO2（ｓ） の反応によってSiO2が同伴し、インジウム融液中に混入
する。
ート直上の石英製アンプル天井部分にIn蒸気が付着し、
それがアンプル成分であるSiO2を巻き込んでボート内に
落下する際、更には飛来するＰ蒸気がアンプルと接触す
る際、 10SiO2（ｓ）＋P4（ｇ）＝10SiO（ｇ）＋P4O10（ｇ）
2SiO（ｇ）＝Si（１）＋SiO2（ｓ） の反応によってSiO2が同伴し、インジウム融液中に混入
する。
そこで、本発明に従えば、第１図に示すようにアンプル
内部に汚染防止用の遮蔽体８が別途設けられる。遮蔽体
は、ボート開口を覆うようボート上に載置されるカバー
の形で設けられる。カバーは半円筒状に限らず、三角形
断面、四角形断面等蒸気の流通を確保するものならば任
意の形態が使用出来る。
内部に汚染防止用の遮蔽体８が別途設けられる。遮蔽体
は、ボート開口を覆うようボート上に載置されるカバー
の形で設けられる。カバーは半円筒状に限らず、三角形
断面、四角形断面等蒸気の流通を確保するものならば任
意の形態が使用出来る。
これにより、ボート直上の石英製アンプル天井部分にIn
（In）蒸気が付着し、それがアンプル成分であるSiO2を
巻き込んでボート内に落下する事態が防止される。
（In）蒸気が付着し、それがアンプル成分であるSiO2を
巻き込んでボート内に落下する事態が防止される。
遮蔽体の材質としては、熱的、化学的に安定な非汚染性
の材料であるpBNが使用される。
の材料であるpBNが使用される。
（実施例） 6Nの赤リン約600gを一端にそして6Nのインジウム約1500
gを収納するpBN製ボートを他端に配置した。第３図に示
したようなカバー形態のpBN製遮蔽体をボート上に置い
た。石英アンプルを10-16torrまで真空引きし、酸水素
バーナーで密封した。この石英アンプルを水平に炉に設
置し、リン側端を500℃に、インジウム側を850℃にそし
てボート先端部を1070℃に加熱した。アンプルの移動速
度を3mm/hrとしてInP結晶をボート先端から成長させ
た。炉内圧力はN2ガス10気圧である。成長したInP結晶
は約2kgであった。この結晶を成長方向に沿って先端
部、中間部そして後端部からウエハーを切り出し、その
キャリア濃度を測定した。第３図に結果を示す。キャリ
ア濃度は（１〜２）×1015cm-3であった。遮蔽体を使用
しないで、石英ボート及びpBNボート使用から得られたI
nP結晶に較べて良い結果を得た。
gを収納するpBN製ボートを他端に配置した。第３図に示
したようなカバー形態のpBN製遮蔽体をボート上に置い
た。石英アンプルを10-16torrまで真空引きし、酸水素
バーナーで密封した。この石英アンプルを水平に炉に設
置し、リン側端を500℃に、インジウム側を850℃にそし
てボート先端部を1070℃に加熱した。アンプルの移動速
度を3mm/hrとしてInP結晶をボート先端から成長させ
た。炉内圧力はN2ガス10気圧である。成長したInP結晶
は約2kgであった。この結晶を成長方向に沿って先端
部、中間部そして後端部からウエハーを切り出し、その
キャリア濃度を測定した。第３図に結果を示す。キャリ
ア濃度は（１〜２）×1015cm-3であった。遮蔽体を使用
しないで、石英ボート及びpBNボート使用から得られたI
nP結晶に較べて良い結果を得た。
（発明の効果） 従来からの工程スケジュールを変更することなく非常に
簡易にそして安価に高純度のInP化合物半導体多結晶の
合成を可能ならしめ、これを原料として引上げ法により
高純度の単結晶が製造出来る。特に、引上げ法によるFe
ドープInPの成長においてFeドープ量を従来より少なく
出来るので、高品質の半絶縁製基板が得られる。
簡易にそして安価に高純度のInP化合物半導体多結晶の
合成を可能ならしめ、これを原料として引上げ法により
高純度の単結晶が製造出来る。特に、引上げ法によるFe
ドープInPの成長においてFeドープ量を従来より少なく
出来るので、高品質の半絶縁製基板が得られる。
第１図はボートカバー形態の遮蔽体を使用する本発明ア
ンプル具体例の斜視図、第２図は原料インジウム、石英
ボート使用InP結晶及びpBN使用InP結晶中のSi濃度を示
すグラフ、第３図は実施例と関連してキャリア濃度を結
晶の成長方向に沿って先端部〜中間部〜後端部各位置で
示すグラフ（Ｌ＝全長、Ｘ＝先端から測定位置までの距
離）そして第４図は従来からの水平ブリッジマン法の概
要を示す説明図である。 1:P 2:In 3:pBN製ボート 4:石英アンプル 5:加熱炉 6:合成多結晶 8:pBN製遮蔽体
ンプル具体例の斜視図、第２図は原料インジウム、石英
ボート使用InP結晶及びpBN使用InP結晶中のSi濃度を示
すグラフ、第３図は実施例と関連してキャリア濃度を結
晶の成長方向に沿って先端部〜中間部〜後端部各位置で
示すグラフ（Ｌ＝全長、Ｘ＝先端から測定位置までの距
離）そして第４図は従来からの水平ブリッジマン法の概
要を示す説明図である。 1:P 2:In 3:pBN製ボート 4:石英アンプル 5:加熱炉 6:合成多結晶 8:pBN製遮蔽体
フロントページの続き (72)発明者 篠原 一雄 埼玉県戸田市新曾南３丁目17番35号 日本 鉱業株式会社電子材料・部品研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−8690（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−42419（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】Inを収納するpBN製ボートを一端部にそし
てＰを他端部に配置して減圧密封したアンプルを用い
て、Ｐ側を450〜550℃、In側を700〜850℃そしてボート
先端部を950〜1100℃の温度分布に設定してInP化合物半
導体多結晶を水平ブリッジマン法で合成する方法におい
て、前記アンプル内部で、前記pBN製ボートの上面開口
を覆うように該pBN製ボート上にpBN製遮蔽体を載置して
該ボート内のInのアンプル材料による汚染を防止しつ
つ、該アンプルを移動することを特徴とするInP化合物
半導体多結晶の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053763A JPH0761917B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053763A JPH0761917B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230493A JPH01230493A (ja) | 1989-09-13 |
| JPH0761917B2 true JPH0761917B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=12951857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053763A Expired - Lifetime JPH0761917B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761917B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866390A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 有研光电新材料有限责任公司 | 一种磷化镓多晶体中掺锌方法 |
| CN107937984A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-20 | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 | 一种磷化铟的合成方法及其合成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512380B2 (ja) * | 1972-08-25 | 1980-04-01 | ||
| JPS598690A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP63053763A patent/JPH0761917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866390A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 有研光电新材料有限责任公司 | 一种磷化镓多晶体中掺锌方法 |
| CN107937984A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-20 | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 | 一种磷化铟的合成方法及其合成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01230493A (ja) | 1989-09-13 |
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