JPS61134014A - 多元混晶３−５族化合物半導体の気相成長方法 - Google Patents
多元混晶３−５族化合物半導体の気相成長方法Info
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- JPS61134014A JPS61134014A JP25666884A JP25666884A JPS61134014A JP S61134014 A JPS61134014 A JP S61134014A JP 25666884 A JP25666884 A JP 25666884A JP 25666884 A JP25666884 A JP 25666884A JP S61134014 A JPS61134014 A JP S61134014A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は■−ｖ族化合物半導体の気相成長方法、特に不
純物濃度が低い高純度な結晶が得られる多元混晶■−ｖ
族化合物半導体の気相成長法に関する。
純物濃度が低い高純度な結晶が得られる多元混晶■−ｖ
族化合物半導体の気相成長法に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、多元混晶■−■族化合物半導体、例えばＧａＡｓ
、Ａ／ＧａＡｓ 、 Ｉ ｎＰ 、 Ｉ ｎＧａＡａ
、 Ｉ ｎＧａＡｓＰ等の材料を用いて種々の半導体
デバイスが作り出されている。このような半導体デバイ
スの製造において高純度のエピタキシャル層を得ること
が、デバイスの特性上要求される場合がある。例えば、
高純度化によって高い電子移動度を有する超高速デバイ
スを実現するため、あるいは受光素子等の逆バイアスデ
バイスにおける高速応答、低雑音等の特性を実現するた
め高純度エピタキシャル層が必要になってくる。
、Ａ／ＧａＡｓ 、 Ｉ ｎＰ 、 Ｉ ｎＧａＡａ
、 Ｉ ｎＧａＡｓＰ等の材料を用いて種々の半導体
デバイスが作り出されている。このような半導体デバイ
スの製造において高純度のエピタキシャル層を得ること
が、デバイスの特性上要求される場合がある。例えば、
高純度化によって高い電子移動度を有する超高速デバイ
スを実現するため、あるいは受光素子等の逆バイアスデ
バイスにおける高速応答、低雑音等の特性を実現するた
め高純度エピタキシャル層が必要になってくる。
従来、気相成長法によってｍ−ｖ族化合物半導体の高純
度なエピタキシャル層を形成する方法として （イ）原料であるメタル金属及び化合物ガスを高純度化
する方法。
度なエピタキシャル層を形成する方法として （イ）原料であるメタル金属及び化合物ガスを高純度化
する方法。
（ロ）酸素ガス、アンモニアガス等を導入させて石英管
等からのシリコン（Ｓｉ）汚染を抑制する方法。
等からのシリコン（Ｓｉ）汚染を抑制する方法。
（ハ）原料であるメタル金属がガス中の不純物を吸収す
る効果（ゲッタリング効果）を有効に使う方法。
る効果（ゲッタリング効果）を有効に使う方法。
（ニ）原料ガスの分圧を高くしたり、成長温度を変えて
成長速度を上げ単位層厚あたりの不純物の偏析を少なく
する方法。
成長速度を上げ単位層厚あたりの不純物の偏析を少なく
する方法。
などがある。
ここで（イ）の高純度原料の使用は、気相成長の根本的
な問題であり、例えばハロゲン輸送気相成長法で使用さ
れるハロゲン化水素ガスは純度保証値が９９．９％〜９
９．９９％、またＶ族元素の化合物ガスであるＡ ｓＨ
３、ＰＨ３等の純度保証値は９９．９９９％程度である
のが現状で、高純度結晶成長用の半導体材料ガスとして
はまだ純度が不十分である。
な問題であり、例えばハロゲン輸送気相成長法で使用さ
れるハロゲン化水素ガスは純度保証値が９９．９％〜９
９．９９％、またＶ族元素の化合物ガスであるＡ ｓＨ
３、ＰＨ３等の純度保証値は９９．９９９％程度である
のが現状で、高純度結晶成長用の半導体材料ガスとして
はまだ純度が不十分である。
また（口）の酸素ガスやアンモニアガス等の成長領域へ
の導入によるＳｉ 汚染を抑制する方法は簡便な方法
ではあるが、成長雰囲気にとっては異種のガスである為
結晶成長を行った場合、結晶中に不純物レベルを形成し
結晶性の悪化を生じることがある。（ニ）の結晶成長速
度を増加させる場合は、ただ単純に増加させると基板へ
の結晶成長ばかりでなく周シの石英等にも成長（管壁成
長）しはじめ、この為急激に成長速度が減少し結晶組成
等の不均一性などの問題が生じる。更に原料ガスの純度
に問題がある場合は、供給量を多くして分圧を高くする
ことはかえって結晶の純度に悪影響を与えることがある
。
の導入によるＳｉ 汚染を抑制する方法は簡便な方法
ではあるが、成長雰囲気にとっては異種のガスである為
結晶成長を行った場合、結晶中に不純物レベルを形成し
結晶性の悪化を生じることがある。（ニ）の結晶成長速
度を増加させる場合は、ただ単純に増加させると基板へ
の結晶成長ばかりでなく周シの石英等にも成長（管壁成
長）しはじめ、この為急激に成長速度が減少し結晶組成
等の不均一性などの問題が生じる。更に原料ガスの純度
に問題がある場合は、供給量を多くして分圧を高くする
ことはかえって結晶の純度に悪影響を与えることがある
。
この中で（ハ）のメタル金属が有するゲッタリング効果
を有効に活用する方法は、簡便な方法でありガス中の不
純物を除去するという点では、気相成長法において特に
有効である。しかしながら、メタル金属のゲッタリング
効果を有効に活用して高純度結晶を得る方法には次のよ
うな問題があった。以下ではハロゲン輸送気相成長法の
一つであるハイドライド気相成長法においてＩ ｎ ｘ
Ｇａ １−ＸＡ８の■−ｖ族化合物半導体を成長する場
合について述べる。第２図は、従来のノ１イドライド気
相成長法の基本的な反応系の構成を示した断面図の一例
である（例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オプ・ア
プライド・フィツクス（Ｊ ｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐ／。
を有効に活用する方法は、簡便な方法でありガス中の不
純物を除去するという点では、気相成長法において特に
有効である。しかしながら、メタル金属のゲッタリング
効果を有効に活用して高純度結晶を得る方法には次のよ
うな問題があった。以下ではハロゲン輸送気相成長法の
一つであるハイドライド気相成長法においてＩ ｎ ｘ
Ｇａ １−ＸＡ８の■−ｖ族化合物半導体を成長する場
合について述べる。第２図は、従来のノ１イドライド気
相成長法の基本的な反応系の構成を示した断面図の一例
である（例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オプ・ア
プライド・フィツクス（Ｊ ｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐ／。
Ｐｈｙｓ ） １９巻１９８０年、Ｌ１１３〜Ｌ１１６
ページを参照）。この方法の特徴は、■族をメタルとＨ
Ｃ／ガスの反応による塩化物ガスとして、また■族を水
素化合物のガスとしてそれぞれ供給することであシ、図
ではＩｎｘＧａ１＝ｘＡｓの成長例を示している。
ページを参照）。この方法の特徴は、■族をメタルとＨ
Ｃ／ガスの反応による塩化物ガスとして、また■族を水
素化合物のガスとしてそれぞれ供給することであシ、図
ではＩｎｘＧａ１＝ｘＡｓの成長例を示している。
各々の原料供給室１，２にはＧａメタル７とＩｎメタル
８が置かれており、各メタルは導入管３を通して外部か
ら導入されるＨＣｌガス９と反応としてＧａＣ／、Ｉｎ
Ｃ／の塩化物ガスとして供給される。
８が置かれており、各メタルは導入管３を通して外部か
ら導入されるＨＣｌガス９と反応としてＧａＣ／、Ｉｎ
Ｃ／の塩化物ガスとして供給される。
この時の反応式を（１）に示す。
また導入管４からはＡ ｓ Ｈ３ガス１０が導入され熱
分解によってＡｓ４ガスとして供給される。この時の反
応式を（２）に示す。
分解によってＡｓ４ガスとして供給される。この時の反
応式を（２）に示す。
ＡｓＨ３−Ａｓ４＋’Ｈ２−”・（２）（１）、（２）
の反応によって生成された物質は、成長領域５まで輸送
され式（３）の反応が生じる。
の反応によって生成された物質は、成長領域５まで輸送
され式（３）の反応が生じる。
この結果ＧａＡｓ、ＩｎＡｓの混晶であるＩｎｘＧａｔ
−ｘＡｓのエピタキシャル層が基板６に形成される。
−ｘＡｓのエピタキシャル層が基板６に形成される。
ところでこの様な成長系において、反応式（１）に示す
■族メタルとＨＣｌガスの反応過程においてガス中の不
純物がメタル中に吸収されるゲッタリング効果が知られ
ている。この効果は■族メタルの温度が高いほど、かつ
ＨＣｌガスの流速を遅くして■族メタルとの接触時間を
長くする程有効である。この為、ＨＣ１！ガスの純度保
証値は９９．９％〜９９．９９％と半導体材料ガスとし
ては極めて悪いが、■族メタルのゲッタリング効果によ
って高純度なガスに純化されている。しかしながら、Ｖ
族原料である■原水素化合物ガスに対しては、有効な不
純物除去の手段が講じられていない。実際、■原水素化
合物ガスであるＡｓＨ３，ＰＨ３等のガスでは、純度保
証値が９９．９９９％程度で高純度エピタキシャル層を
得る場合純度的に問題がある。
■族メタルとＨＣｌガスの反応過程においてガス中の不
純物がメタル中に吸収されるゲッタリング効果が知られ
ている。この効果は■族メタルの温度が高いほど、かつ
ＨＣｌガスの流速を遅くして■族メタルとの接触時間を
長くする程有効である。この為、ＨＣ１！ガスの純度保
証値は９９．９％〜９９．９９％と半導体材料ガスとし
ては極めて悪いが、■族メタルのゲッタリング効果によ
って高純度なガスに純化されている。しかしながら、Ｖ
族原料である■原水素化合物ガスに対しては、有効な不
純物除去の手段が講じられていない。実際、■原水素化
合物ガスであるＡｓＨ３，ＰＨ３等のガスでは、純度保
証値が９９．９９９％程度で高純度エピタキシャル層を
得る場合純度的に問題がある。
この様に従来の気相成長法によシ高純度結晶を得る場合
、■族元素輸送のためのハロゲン化水素ガスに対しては
■族メタルとの反応過程においてゲッタリ／−グ効果に
よってガス中の不純物が除去できたが、Ｖ族原料である
Ｖ原水素化合物ガスに対しては有効な不純物除去が講じ
られていないという問題があった。
、■族元素輸送のためのハロゲン化水素ガスに対しては
■族メタルとの反応過程においてゲッタリ／−グ効果に
よってガス中の不純物が除去できたが、Ｖ族原料である
Ｖ原水素化合物ガスに対しては有効な不純物除去が講じ
られていないという問題があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、この様な欠点を除去し多元混晶■−ｖ
族化合物半導体の製造において、特にＶ族元素の化合物
ガス中の不純物を除去して高純度結晶が得られる多元混
晶■〜Ｖ族化合物半導体の気相成長法を提供することに
ある。
族化合物半導体の製造において、特にＶ族元素の化合物
ガス中の不純物を除去して高純度結晶が得られる多元混
晶■〜Ｖ族化合物半導体の気相成長法を提供することに
ある。
（発明の構成）
本発明の多元混晶■−ｖ族化合物牛導体の気相成長方法
は複数のＶ族元素と■族元素との化合物の半導体が表面
に成長する基板を反応室内の成長領域に置き、■族元素
を反応室内の原料供給室に置き、この原料供給室に導い
たハロゲン化水素と■族元素との反応により生じたハロ
ゲン化■族元素を反応室内の成長領域に供給し、外部か
ら成長領域に■族元素の化合物ガスを供給して行う多元
混晶■−■族化合物半導体の成長方法において、Ｖ族元
素の化合物ガスを外部から成長領域に導入する過程でゲ
ッタリング効果の大きい■族元素と接触させるようにし
たことを特徴とする。
は複数のＶ族元素と■族元素との化合物の半導体が表面
に成長する基板を反応室内の成長領域に置き、■族元素
を反応室内の原料供給室に置き、この原料供給室に導い
たハロゲン化水素と■族元素との反応により生じたハロ
ゲン化■族元素を反応室内の成長領域に供給し、外部か
ら成長領域に■族元素の化合物ガスを供給して行う多元
混晶■−■族化合物半導体の成長方法において、Ｖ族元
素の化合物ガスを外部から成長領域に導入する過程でゲ
ッタリング効果の大きい■族元素と接触させるようにし
たことを特徴とする。
（発明の作用、原理）
本発明は、上述の構成をとることＫより従来技術の問題
点を解決した。、まず従来の気相成長方法では、ハロゲ
ン化水素については■族元素と反応する過程でゲッタリ
ング効果によシネ鈍物が除去されていたが、Ｖ族元素の
化合物ガスについては有効な不純物除去方法がなかった
。本発明では、■族元素の有するゲッタリング効果に注
目し、■族元素の化合物ガスが成長領域に導入する直前
Ｋ ゛ゲッタリング効果の大きい■族元素と接
触させる。
点を解決した。、まず従来の気相成長方法では、ハロゲ
ン化水素については■族元素と反応する過程でゲッタリ
ング効果によシネ鈍物が除去されていたが、Ｖ族元素の
化合物ガスについては有効な不純物除去方法がなかった
。本発明では、■族元素の有するゲッタリング効果に注
目し、■族元素の化合物ガスが成長領域に導入する直前
Ｋ ゛ゲッタリング効果の大きい■族元素と接
触させる。
このためＶ族元素の化合物ガス中の不純物が■族元素に
とシこまれ、成長領域には高純度なガスとして供給され
る。これよりｍ族原料の輸送に関与するハロゲン化水素
ばかりでなく、ｖ族元素の化合物ガスに関しても不純物
除去過程が含まれるため、高純度な結晶成長が可能にな
る。
とシこまれ、成長領域には高純度なガスとして供給され
る。これよりｍ族原料の輸送に関与するハロゲン化水素
ばかりでなく、ｖ族元素の化合物ガスに関しても不純物
除去過程が含まれるため、高純度な結晶成長が可能にな
る。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。第１図は本発明の気相成長方法の一実施例を説明
する断面図であシ、第２図と同様にハイドライド気相成
長方法にもとづくものでＩ ｎ ｘＧａ １−ＸＡＳの
■−■族化合物半導体の成長例を示している。各々の原
料供給室１，２にはＧａメタル７とエロメタル８が置か
れておシ、各メタルは導入管３全通して外部から導入さ
れるＨＣＩガス９と反応してＧａＣｌ 、 ＩｎＣｌの
塩化物ガスとして供給される。また導入管４からはＡ
ｓＨ３ガス１０が導入され熱分解によってＡｓ４として
供給される。
する。第１図は本発明の気相成長方法の一実施例を説明
する断面図であシ、第２図と同様にハイドライド気相成
長方法にもとづくものでＩ ｎ ｘＧａ １−ＸＡＳの
■−■族化合物半導体の成長例を示している。各々の原
料供給室１，２にはＧａメタル７とエロメタル８が置か
れておシ、各メタルは導入管３全通して外部から導入さ
れるＨＣＩガス９と反応してＧａＣｌ 、 ＩｎＣｌの
塩化物ガスとして供給される。また導入管４からはＡ
ｓＨ３ガス１０が導入され熱分解によってＡｓ４として
供給される。
ここで前述した（３）の反応によって基板６上にエピタ
キシャル層が形成される。この成長系においては導入さ
れたＡｓＨ３ガス１０は、本発明の特徴である成長領域
５よりも上流側に置かれたゲッタリング効果の大きい■
族メタルここではＩｎメタル１１と接触した後成長領域
５に供給される。このＩｎメタル１１との接触によって
ＡｓＨ３ガス１０は高純度化される。
キシャル層が形成される。この成長系においては導入さ
れたＡｓＨ３ガス１０は、本発明の特徴である成長領域
５よりも上流側に置かれたゲッタリング効果の大きい■
族メタルここではＩｎメタル１１と接触した後成長領域
５に供給される。このＩｎメタル１１との接触によって
ＡｓＨ３ガス１０は高純度化される。
本成長系において、ＩｎＰ基板上のＩｎｘＧａｔ−ｘＡ
ｓの成長を行う場合の成長条件としては、成長温度が〜
７００℃、原料供給用ｍ族メタル温度が〜９００℃、Ａ
ｓＨ３ガスゲッタリング用ｍ族メタル温度が〜８５０℃
ＩｎＣ／発生用のＨＣ／ガス流量は３ｃｃ／ｍｉｎ 、
ＧａＣｌ発生用のＨＣ／ガス流量はＱ、３ｃｃ／ｒｎ
ｉｎ％Ｖ族原料ガスであるＡ ｓ Ｈ３ガスの流量はｌ
ｃｃ／１７１ｉｎ 、キャリアガスＨ２を含めた全ガ
ス流量は１．６／／ｍｉｎである。この成長条件により
ＩｎＰ基板上に格子整合した良好なＩｎｘＧａｔ−ｘＡ
ａ層が得られている。
ｓの成長を行う場合の成長条件としては、成長温度が〜
７００℃、原料供給用ｍ族メタル温度が〜９００℃、Ａ
ｓＨ３ガスゲッタリング用ｍ族メタル温度が〜８５０℃
ＩｎＣ／発生用のＨＣ／ガス流量は３ｃｃ／ｍｉｎ 、
ＧａＣｌ発生用のＨＣ／ガス流量はＱ、３ｃｃ／ｒｎ
ｉｎ％Ｖ族原料ガスであるＡ ｓ Ｈ３ガスの流量はｌ
ｃｃ／１７１ｉｎ 、キャリアガスＨ２を含めた全ガ
ス流量は１．６／／ｍｉｎである。この成長条件により
ＩｎＰ基板上に格子整合した良好なＩｎｘＧａｔ−ｘＡ
ａ層が得られている。
（発明の効果）
本発明（第１図に示すもの）と従来（第２図に示すもの
）の気相成長方法によシ、ＩｎＰ基板上のＩｎｘＧａ
１−ｘＡａの成長を行い、Ｈａｌｌ測定法によりエピタ
キシャル層の結晶性の比較を行った。
）の気相成長方法によシ、ＩｎＰ基板上のＩｎｘＧａ
１−ｘＡａの成長を行い、Ｈａｌｌ測定法によりエピタ
キシャル層の結晶性の比較を行った。
その不純物濃度と電子移動度の結果を表１に示す。
成長条件としては、実施例に示した条件と同一である。
表１１表
測定法： Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法によるＨａｌｌ
測定測定温置ニア７に 従来法で得られたＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ層は、７７にの
測定で不純物濃度が２．１×１０ Ｃｍ １ 電子移動
度は２１０００ｃｍ Ｖ、 ｓｅｃ である。ところ
が本発明による気相成長法で得られたＩ ｎ ｘＧａ
５−ｘＡｓ層は不純物濃度がＺＯＸＩＯＣｍ−’、電子
移動度は４１０００ ｃｍ”Ｖ−”５ｅｃ−’である。
測定測定温置ニア７に 従来法で得られたＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ層は、７７にの
測定で不純物濃度が２．１×１０ Ｃｍ １ 電子移動
度は２１０００ｃｍ Ｖ、 ｓｅｃ である。ところ
が本発明による気相成長法で得られたＩ ｎ ｘＧａ
５−ｘＡｓ層は不純物濃度がＺＯＸＩＯＣｍ−’、電子
移動度は４１０００ ｃｍ”Ｖ−”５ｅｃ−’である。
これよシ、不純物濃度に関して約−！−糧度まで高純度
化がなされ、それに伴い７７にでの電子移動度が約２倍
径度改善がなされたことがわかる。これは、 ＡｓＨ３
ガスを■族のＩｎメタルと接触させることによりＡｓＨ
１ガス中の不純物が除去され、高純度な原料ガスが成長
領域に供給されて、高純度エピタキシャル層の形成が可
能になっ九ためと考えられる。
化がなされ、それに伴い７７にでの電子移動度が約２倍
径度改善がなされたことがわかる。これは、 ＡｓＨ３
ガスを■族のＩｎメタルと接触させることによりＡｓＨ
１ガス中の不純物が除去され、高純度な原料ガスが成長
領域に供給されて、高純度エピタキシャル層の形成が可
能になっ九ためと考えられる。
本実施例では、Ｖ族元素の化合物ガスをゲッタリングす
る■族メタルとしてＩｎメタルを使用しているが、さら
にＧａメタルあるいはＡ／メタルなどの場合も考えられ
る。
る■族メタルとしてＩｎメタルを使用しているが、さら
にＧａメタルあるいはＡ／メタルなどの場合も考えられ
る。
以上説明した様に本発明によれば、Ｖ族元素を含む化合
物ガス例えばＡｓＨ３、ＰＨ３ガス等をゲッタリング効
果の大きい■族メタルと接触させることにより、ガス中
の不純物を有効に除去することが可能である。このため
、多元混晶■−Ｖ族化合物半導体において不純物の少な
い高純度なエピタキシャルの形成が可能である。
物ガス例えばＡｓＨ３、ＰＨ３ガス等をゲッタリング効
果の大きい■族メタルと接触させることにより、ガス中
の不純物を有効に除去することが可能である。このため
、多元混晶■−Ｖ族化合物半導体において不純物の少な
い高純度なエピタキシャルの形成が可能である。
第１図は、本発明の成長系の断面図、第２図は従来例の
ハイドライド気相成長法によるＩｎｘＧａｔ−ｘＡｓの
成長系の断面図を示す。 １．２・・・・・・原料供給室、３，４・・・・・・導
入管、５・・・・・・成長領域、６・・・・・・成長用
基板、７・・・・・・Ｇａメタル、８，１１・・・・・
・Ｉｎメタル、９・・・・・・）１０／ガスとＨ２ガス
、１０・・・・・・Ａ ａ Ｈ３ガスとＨ２ガス。 、く
ハイドライド気相成長法によるＩｎｘＧａｔ−ｘＡｓの
成長系の断面図を示す。 １．２・・・・・・原料供給室、３，４・・・・・・導
入管、５・・・・・・成長領域、６・・・・・・成長用
基板、７・・・・・・Ｇａメタル、８，１１・・・・・
・Ｉｎメタル、９・・・・・・）１０／ガスとＨ２ガス
、１０・・・・・・Ａ ａ Ｈ３ガスとＨ２ガス。 、く
Claims (1)
- 反応室内の原料供給室にIII族元素を配置し、この原
料供給室に導いたハロゲン化水素と前記III族元素との
反応により生じたハロゲン化III族元素ガスと、外部か
ら導入されたＶ族元素の化合物ガスとを反応室内の結晶
成長領域に導入し、該成長領域に配置された基板上に結
晶成長を行なう多元混晶III−Ｖ族化合物半導体の気相
成長方法において、前記Ｖ族元素の化合物ガスを外部か
ら成長領域に導入する過程でゲッタリング用のIII族元
素と接触させることを特徴とする多元混晶III−Ｖ族化
合物半導体の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666884A JPS61134014A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 多元混晶３−５族化合物半導体の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666884A JPS61134014A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 多元混晶３−５族化合物半導体の気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134014A true JPS61134014A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17295808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25666884A Pending JPS61134014A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 多元混晶３−５族化合物半導体の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035690A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トランス |
| CN1300826C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25666884A patent/JPS61134014A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300826C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 |
| JP2007035690A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トランス |
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