JPS61151093A - ３−５族化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS61151093A JPS61151093A JP27805484A JP27805484A JPS61151093A JP S61151093 A JPS61151093 A JP S61151093A JP 27805484 A JP27805484 A JP 27805484A JP 27805484 A JP27805484 A JP 27805484A JP S61151093 A JPS61151093 A JP S61151093A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はｍ−ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル成
長方法に関するものである。
長方法に関するものである。
■−■族化合物半導体をデバイスとして用いる場合、基
板結晶上に液相成長法や気相成長法等によって薄膜をエ
ピタキシャル成長せしめ、この層を活性層として各種デ
バイスを作製することが行われている。この理由は、基
板結晶に比較してエピタキシャル層膜の方が、残留不純
物濃度、欠陥濃度が低く、また、デバイスに必要なキャ
リア濃度をドーパントの添加によって制御でき、性質の
異なる層を多層に積むことが可能となるからである。
板結晶上に液相成長法や気相成長法等によって薄膜をエ
ピタキシャル成長せしめ、この層を活性層として各種デ
バイスを作製することが行われている。この理由は、基
板結晶に比較してエピタキシャル層膜の方が、残留不純
物濃度、欠陥濃度が低く、また、デバイスに必要なキャ
リア濃度をドーパントの添加によって制御でき、性質の
異なる層を多層に積むことが可能となるからである。
ところで基板結晶上に気相成長法によりエピタキシャル
成長を行った場合、基板結晶と成長結晶との界面に特異
な現象がしばしば観測される。
成長を行った場合、基板結晶と成長結晶との界面に特異
な現象がしばしば観測される。
例えばクロライド法と呼ばれる、ガリウム（Ｇａ）−三
塩化砒素（Ａ ｓ Ｃ１３）−水素（Ｈ２）系によるガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）のエピタキシャル成長では、基
板結晶との境界に電子濃度の減少した高抵抗層が発生す
る〔文献ジャパニーズ・ジャーナル・オン・アプライド
・フィツクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、 ） １０． （１９７１） １９７〜
２０２〕。その原因は、次のように考えられている。
塩化砒素（Ａ ｓ Ｃ１３）−水素（Ｈ２）系によるガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）のエピタキシャル成長では、基
板結晶との境界に電子濃度の減少した高抵抗層が発生す
る〔文献ジャパニーズ・ジャーナル・オン・アプライド
・フィツクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、 ） １０． （１９７１） １９７〜
２０２〕。その原因は、次のように考えられている。
第３図はクロライド法に使用されている反応管の模式図
であり、高温に保たれた成長反応管４内にガリウム（Ｇ
ａ）ソース５を置き、導入管６よりＡｓＣβ３及び希釈
ガス（水素）を導入する。
であり、高温に保たれた成長反応管４内にガリウム（Ｇ
ａ）ソース５を置き、導入管６よりＡｓＣβ３及び希釈
ガス（水素）を導入する。
分解（分解式Ａ Ｓ Ｃ１３＋％Ｈ２−％Ａ ｓ４ ＋
３Ｈ（１）した砒素（Ａｓ４）はＧａソース５中に溶は
込み、飽和に達するとＧａ表面にＧａＡｓのクラストが
生じ、基板ホルダー７に設けられた基板結晶８上へ運ば
れる。また、塩酸（ＨＣｌ）はＧａと反応（反応式Ｇａ
＋ＨＣ（１−＝ＧａＣ（１＋ＩＨ２）して、塩化ガリウ
ム（ＧａＣｊｌりとして基板結晶８上へ運ばれＡ ｓ
４とＧａＣ１が反応（反応式％Ａｓ４ ＋Ｇａ Ｃ１＋
！４Ｈ２−Ｇａ Ａ ｓ ＋ＨＣ１）してＧａＡｓがで
き、基板結晶８上へエピタキシャル成長が行われる。
３Ｈ（１）した砒素（Ａｓ４）はＧａソース５中に溶は
込み、飽和に達するとＧａ表面にＧａＡｓのクラストが
生じ、基板ホルダー７に設けられた基板結晶８上へ運ば
れる。また、塩酸（ＨＣｌ）はＧａと反応（反応式Ｇａ
＋ＨＣ（１−＝ＧａＣ（１＋ＩＨ２）して、塩化ガリウ
ム（ＧａＣｊｌりとして基板結晶８上へ運ばれＡ ｓ
４とＧａＣ１が反応（反応式％Ａｓ４ ＋Ｇａ Ｃ１＋
！４Ｈ２−Ｇａ Ａ ｓ ＋ＨＣ１）してＧａＡｓがで
き、基板結晶８上へエピタキシャル成長が行われる。
ところでＧａソース５のクラストはＧａソースの温度、
ＡｓＣｌ３の量によって変化し、特に反応管温度の昇温
中にクラストの砒素が蒸発し、成長初期に砒素の不足し
た状態でエピタキシャル成長が行われ、これが高抵抗層
生成の原因と考えられている。
ＡｓＣｌ３の量によって変化し、特に反応管温度の昇温
中にクラストの砒素が蒸発し、成長初期に砒素の不足し
た状態でエピタキシャル成長が行われ、これが高抵抗層
生成の原因と考えられている。
また、熱分解法（ＭＯＣＶＤ）と呼ばれる、例えばトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）−アルシン（ＡＳＨ３）−水
素（Ｈ２）系によるＧａＡｓのエピタキシャル成長では
、成長初期に所望の成長層とは光学的、電気的に異なる
層が成長する。
メチルガリウム（ＴＭＧ）−アルシン（ＡＳＨ３）−水
素（Ｈ２）系によるＧａＡｓのエピタキシャル成長では
、成長初期に所望の成長層とは光学的、電気的に異なる
層が成長する。
第４図はＭＯＣＶＤ法に使用されている反応管の模式図
であり、反応管１０内の基板ホルダー１１に基板結晶１
２が置かれ、高周波加熱コイル１３により基板ホルダー
１１を通して基板結晶１２の加熱が行われる。原料ガス
は導入管１４より導入され、反応ガスは排気口１５より
排気される。
であり、反応管１０内の基板ホルダー１１に基板結晶１
２が置かれ、高周波加熱コイル１３により基板ホルダー
１１を通して基板結晶１２の加熱が行われる。原料ガス
は導入管１４より導入され、反応ガスは排気口１５より
排気される。
昇温中よりＡｓＨ３を流し、基板結晶１２の表面保護を
行う。ＡｓＨ３は基板結晶１２近傍で分解（Ａ ｓ Ｈ
３−’Ａ Ａ Ｓ ４＋％Ｈ２）し、Ａ Ｓ ４を生ず
る。ＧａＡｓの成長はＴＭＧとＡ Ｓ ４との反応によ
り進行するが成長初期はＡ ｓ ４雰囲気下にＴＭＧを
流すため、Ｇａ濃度は、反応管内の容積。
行う。ＡｓＨ３は基板結晶１２近傍で分解（Ａ ｓ Ｈ
３−’Ａ Ａ Ｓ ４＋％Ｈ２）し、Ａ Ｓ ４を生ず
る。ＧａＡｓの成長はＴＭＧとＡ Ｓ ４との反応によ
り進行するが成長初期はＡ ｓ ４雰囲気下にＴＭＧを
流すため、Ｇａ濃度は、反応管内の容積。
流速によって、一定な濃度になるまでに時間がかかりＡ
ｓ１Ｊ度とＧａ濃度との比が時間とともに変化する。こ
の結果、成長の初期には所望の成長層とは光学的、電気
的に異なる層が成長する。
ｓ１Ｊ度とＧａ濃度との比が時間とともに変化する。こ
の結果、成長の初期には所望の成長層とは光学的、電気
的に異なる層が成長する。
また、ハイドライド法と呼ばれる、例えばガリウム（Ｇ
ａ）−塩酸（ＨＣｌ）−アルシン（ＡｓＨ３）−水素（
Ｈ２）系によるＧａＡｓのエピタキシャル成長では、成
長初期における成長層が変質層になる。
ａ）−塩酸（ＨＣｌ）−アルシン（ＡｓＨ３）−水素（
Ｈ２）系によるＧａＡｓのエピタキシャル成長では、成
長初期における成長層が変質層になる。
第５図はハイドライド法に使用されている反応管の模式
図であり、高温に保たれた反応管１６内にＧａソース１
７を置き、導入管１８よりＨＣＩ及び希釈ガス（Ｈ２）
を導入し、Ｇａと反応（Ｇａ ＋ＨＣβ−ＧａＣｊｉ！
＋％Ｈ２）させて塩化ガリウム（ＧａＣｊりとし、基板
ホルダー１９に設けられた基板結晶２０上へ輸送する。
図であり、高温に保たれた反応管１６内にＧａソース１
７を置き、導入管１８よりＨＣＩ及び希釈ガス（Ｈ２）
を導入し、Ｇａと反応（Ｇａ ＋ＨＣβ−ＧａＣｊｉ！
＋％Ｈ２）させて塩化ガリウム（ＧａＣｊりとし、基板
ホルダー１９に設けられた基板結晶２０上へ輸送する。
導入管２１よりＡｓＨ３を導入し、分解生成（ＡｓＨ３
−’ＡＡｓ４ ＋％Ｈ２）したＡ Ｓ ４とＧａＣｊ！
との反応（ＧａＣ１！＋′／４Ａｓ４＋％Ｈ２→Ｇ ａ
Ａ ｓ ＋ ＨＣＩｔ）により、ＧａＡｓが基板結晶
２０にエピタキシャル成長する。
−’ＡＡｓ４ ＋％Ｈ２）したＡ Ｓ ４とＧａＣｊ！
との反応（ＧａＣ１！＋′／４Ａｓ４＋％Ｈ２→Ｇ ａ
Ａ ｓ ＋ ＨＣＩｔ）により、ＧａＡｓが基板結晶
２０にエピタキシャル成長する。
このようなハイドライド法によるエピタキシャル成長に
おいて、成長初期は、ＧａＣ１が反応管１６内の容積、
流量によって一定な濃度になるまでに時間がかかる。成
長はこの間も行われるので雰囲気が安定するまでの成長
層は変質層になってしまう。
おいて、成長初期は、ＧａＣ１が反応管１６内の容積、
流量によって一定な濃度になるまでに時間がかかる。成
長はこの間も行われるので雰囲気が安定するまでの成長
層は変質層になってしまう。
以上説明したように従来のｍ−ｖ族化合物半導体の気相
エピタキシャル成長方法では、成長結晶と基板結晶との
間に前述のような不所望な比較的厚い遷移層が形成され
る。
エピタキシャル成長方法では、成長結晶と基板結晶との
間に前述のような不所望な比較的厚い遷移層が形成され
る。
また、基板結晶については、以上説明したクロライド法
、ＭＯＣＶＤ法およびハイドライド法ともに、基板ホル
ダーにセットする前に、基板表面を硫酸、純水、過酸化
水素水の混合液よりなるエツチング液でケミカルエツチ
ングして、表面酸化膜や汚れを除去している。しかし、
ケミカルエツチング後、基板結晶を空気中に晒してしま
う場合が多く、基板表面に再び水分、酸素の作用による
酸化膜や汚れが付着する可能性が極めて高い。これら酸
化膜や汚れはその上に成長するエピタキシャル膜の表面
に現れるヒルロックと呼ばれる異常成長の大ざな原因と
なる。
、ＭＯＣＶＤ法およびハイドライド法ともに、基板ホル
ダーにセットする前に、基板表面を硫酸、純水、過酸化
水素水の混合液よりなるエツチング液でケミカルエツチ
ングして、表面酸化膜や汚れを除去している。しかし、
ケミカルエツチング後、基板結晶を空気中に晒してしま
う場合が多く、基板表面に再び水分、酸素の作用による
酸化膜や汚れが付着する可能性が極めて高い。これら酸
化膜や汚れはその上に成長するエピタキシャル膜の表面
に現れるヒルロックと呼ばれる異常成長の大ざな原因と
なる。
以上説明した種々の問題点を除去する方法として、従来
次のような手法が採られている。１つはハイドライド法
、クロライド法において行われているような１つの反応
管中に２つあるいはそれ以上の成長室を設ける方法であ
る。この方法では、成長雰囲気が安定するまで基板結晶
は成長室とは別の室に待機しており、成長室の雰囲気が
十分に安定した後、基板結晶を成長室に移動して成長を
行わせる。この方法によれば、その方式から言って前述
したような基板結晶との界面における比較的厚い遷移層
の成長を避けることができる。しかしながらこの方法で
は、反応管の構造が複雑になるという欠点の他に、基板
結晶の移動の際に生ずるガス流の乱れと基板結晶の移動
の間における遷移層の成長示避けられない。
次のような手法が採られている。１つはハイドライド法
、クロライド法において行われているような１つの反応
管中に２つあるいはそれ以上の成長室を設ける方法であ
る。この方法では、成長雰囲気が安定するまで基板結晶
は成長室とは別の室に待機しており、成長室の雰囲気が
十分に安定した後、基板結晶を成長室に移動して成長を
行わせる。この方法によれば、その方式から言って前述
したような基板結晶との界面における比較的厚い遷移層
の成長を避けることができる。しかしながらこの方法で
は、反応管の構造が複雑になるという欠点の他に、基板
結晶の移動の際に生ずるガス流の乱れと基板結晶の移動
の間における遷移層の成長示避けられない。
また、基板結晶の酸化膜や付着物の除去には成長開始直
前のガスエツチングが有効と考えられるが、鏡面性を保
つ基板結晶のガスエツチングに関しては、クロライド法
によるＧａ Ａ Ｓ結晶成長の際、第３図に示した反応
管４の導入管９からＡｓＣｌ３を基板結晶領域に導入し
てエツチングを行う手法以外には、ハイドライド法、Ｍ
ＯＣＶＤ法において鏡面性を保ったままガスエツチング
を行う手法は今だ見出されていない。
前のガスエツチングが有効と考えられるが、鏡面性を保
つ基板結晶のガスエツチングに関しては、クロライド法
によるＧａ Ａ Ｓ結晶成長の際、第３図に示した反応
管４の導入管９からＡｓＣｌ３を基板結晶領域に導入し
てエツチングを行う手法以外には、ハイドライド法、Ｍ
ＯＣＶＤ法において鏡面性を保ったままガスエツチング
を行う手法は今だ見出されていない。
本発明はこのような従来の欠点を取り除き、通常用いら
れるｌ成長室の反応管構造において、成長初期の遷移層
が極めて薄く、かつ、鏡面性に優れたエピタキシャル成
長層が得られる■−■族化合物半導体の気相エピタキシ
ャル成長方法を提供するごとにある。
れるｌ成長室の反応管構造において、成長初期の遷移層
が極めて薄く、かつ、鏡面性に優れたエピタキシャル成
長層が得られる■−■族化合物半導体の気相エピタキシ
ャル成長方法を提供するごとにある。
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル
成長において、基板結晶上へ所定以上の厚さにエピタキ
シャル成長を行う第１の工程と、この第１の工程による
成長層のみあるいは成長層と基板結晶とをガスエツチン
グする第２の工程と、ガスエツチングを施した結晶上に
再びエピタキシャル成長を行う第３の工程とを含むこと
を特徴としている。
成長において、基板結晶上へ所定以上の厚さにエピタキ
シャル成長を行う第１の工程と、この第１の工程による
成長層のみあるいは成長層と基板結晶とをガスエツチン
グする第２の工程と、ガスエツチングを施した結晶上に
再びエピタキシャル成長を行う第３の工程とを含むこと
を特徴としている。
本発明では、エピタキシャル成長層の高品質化のために
、まず基板結晶と成長結晶との界面に遷移層が存在して
も極めて薄いもの（１０Å以下）にすること、次に基板
結晶表面に存在する酸化膜や汚れを除去すること、更に
鏡面性の良い成長表面を得ることの３つが主眼点となっ
ている。後の２点については、基板結晶を鏡面にガスエ
ツチングすれば目的は達せられることになる。しかし、
前述したように鏡面ガスエツチングはクロライド法の成
長雰囲気にＡ ｓ Ｃ７Ｉ３を添加する方法を除いて現
在は実現されていない。ところが、例えばハイドライド
法によるＧａＡｓ気相成長において、基板結晶にエピタ
キシャル成長を施した後、成長雰囲気に第５図に示した
反応管の導入管２１からＨＣＩ！、ガスを添加してエツ
チングを行った結果、成長層、基板結晶ともに鏡面にガ
スエツチングされることを見出した。この事実を用いれ
ば、前述したエピタキシャル成長層の高品質化のための
３つの条件がすべて満たされたｍ−ｖ族化合物半導体の
気相エピタキシャル成長方法を実現することが可能とな
る。
、まず基板結晶と成長結晶との界面に遷移層が存在して
も極めて薄いもの（１０Å以下）にすること、次に基板
結晶表面に存在する酸化膜や汚れを除去すること、更に
鏡面性の良い成長表面を得ることの３つが主眼点となっ
ている。後の２点については、基板結晶を鏡面にガスエ
ツチングすれば目的は達せられることになる。しかし、
前述したように鏡面ガスエツチングはクロライド法の成
長雰囲気にＡ ｓ Ｃ７Ｉ３を添加する方法を除いて現
在は実現されていない。ところが、例えばハイドライド
法によるＧａＡｓ気相成長において、基板結晶にエピタ
キシャル成長を施した後、成長雰囲気に第５図に示した
反応管の導入管２１からＨＣＩ！、ガスを添加してエツ
チングを行った結果、成長層、基板結晶ともに鏡面にガ
スエツチングされることを見出した。この事実を用いれ
ば、前述したエピタキシャル成長層の高品質化のための
３つの条件がすべて満たされたｍ−ｖ族化合物半導体の
気相エピタキシャル成長方法を実現することが可能とな
る。
実施例１；
本実施例においては、Ｇａ−ＨＣｊｉ！−ＡＳＨ３−Ｈ
２系のハイドライド法によるＧａＡｓの気相成長方法に
ついて説明する。本実施例では、第５図に示した構造の
反応管■６を用いた。Ｇａソース１７の温度を８００°
Ｃに、基板結晶領域の温度を７３０℃に設定した。エピ
タキシャル成長時には導入管１８からＨＣＩを１０ｃｃ
／ｍｉｎの流量でＨ２キャリアガスとともに導入し、導
入管２１からはＡ Ｓ Ｈ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの流量
でＨ２キャリアガスとともに導入した。全流量は１００
０ｃｃ／ｍｉｎとした。基板結晶２０としては、ＧａＡ
ｓ （１００）面から＜１１０’＞方向に２°ｏｆｆ
Ｌ、、鏡面研摩した結晶を用いた。成長直前にはＨ２
ＳＣ２：Ｈ２０２：Ｈ２０＝１ ： １ ： ３の割合
による溶液で表面のケミカルエツチングを行った。基板
結晶２０を反応管１６内にセントし、ＡｓＨ３を供給し
ながら昇温し、所定の温度になった時に、導入管１８か
らＨＣｌを供給して、第１図（ａ）の基板結晶１上に、
第１図（ｂ）に示すように０゜５μｍの厚さにＧ ａ
Ａ ｓ ｆｑ ２をエピタキシャル成長させた。その後
、導入管２１からＨＣＩを１８ｃｃ／ｍｉｎの流量で導
入し、雰囲気をエツチング状態に変え、第１図（ｃ）に
示すようにエピタキシャル成長層２および基板結晶１を
１０μｍガスエツチングした。第１図（Ｃ）には、エツ
チングされたエピタキシャル層および基板結晶を点線で
示している。
２系のハイドライド法によるＧａＡｓの気相成長方法に
ついて説明する。本実施例では、第５図に示した構造の
反応管■６を用いた。Ｇａソース１７の温度を８００°
Ｃに、基板結晶領域の温度を７３０℃に設定した。エピ
タキシャル成長時には導入管１８からＨＣＩを１０ｃｃ
／ｍｉｎの流量でＨ２キャリアガスとともに導入し、導
入管２１からはＡ Ｓ Ｈ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの流量
でＨ２キャリアガスとともに導入した。全流量は１００
０ｃｃ／ｍｉｎとした。基板結晶２０としては、ＧａＡ
ｓ （１００）面から＜１１０’＞方向に２°ｏｆｆ
Ｌ、、鏡面研摩した結晶を用いた。成長直前にはＨ２
ＳＣ２：Ｈ２０２：Ｈ２０＝１ ： １ ： ３の割合
による溶液で表面のケミカルエツチングを行った。基板
結晶２０を反応管１６内にセントし、ＡｓＨ３を供給し
ながら昇温し、所定の温度になった時に、導入管１８か
らＨＣｌを供給して、第１図（ａ）の基板結晶１上に、
第１図（ｂ）に示すように０゜５μｍの厚さにＧ ａ
Ａ ｓ ｆｑ ２をエピタキシャル成長させた。その後
、導入管２１からＨＣＩを１８ｃｃ／ｍｉｎの流量で導
入し、雰囲気をエツチング状態に変え、第１図（ｃ）に
示すようにエピタキシャル成長層２および基板結晶１を
１０μｍガスエツチングした。第１図（Ｃ）には、エツ
チングされたエピタキシャル層および基板結晶を点線で
示している。
その後、導入管２１からのＨＣＩの導入を停止して、第
１図（ｄ）に示すように再びＧａＡｓ層３を約１０μｍ
エピタキシャル成長せしめた。得られた成長面は鏡面で
あり、ヒルロックと呼ばれる表面に見られる異常成長は
全く観測されなかった。このガスエツチングが鏡面に行
えるかどうかは、第１図（ｂ）におけるエピタキシャル
成長層２の厚さに依存することがわかった。第２図はエ
ピタキシャル成長層の膜厚と、基板結晶までガスエツチ
ングを施した後の表面に見られるピントの数との関係を
示したグラフである。最初のエピタキシャル層の厚さが
０．２μｍ以上であればほとんど表面にピットが表れる
ことなく鏡面のガスエツチングが可能になり、ガスエツ
チング後再び成長したエピタキシャル層３の表面は非常
に鏡面性の高いものになることがわかった。
１図（ｄ）に示すように再びＧａＡｓ層３を約１０μｍ
エピタキシャル成長せしめた。得られた成長面は鏡面で
あり、ヒルロックと呼ばれる表面に見られる異常成長は
全く観測されなかった。このガスエツチングが鏡面に行
えるかどうかは、第１図（ｂ）におけるエピタキシャル
成長層２の厚さに依存することがわかった。第２図はエ
ピタキシャル成長層の膜厚と、基板結晶までガスエツチ
ングを施した後の表面に見られるピントの数との関係を
示したグラフである。最初のエピタキシャル層の厚さが
０．２μｍ以上であればほとんど表面にピットが表れる
ことなく鏡面のガスエツチングが可能になり、ガスエツ
チング後再び成長したエピタキシャル層３の表面は非常
に鏡面性の高いものになることがわかった。
実施例２；
本実施例においては、Ｇａ （ＣＨ３） ３ Ａｆｆ
（ＣＨ３）３ ＡｓＨ３）（２系のＭＯＣＶＤ法によ
るＧａＡｓおよびＧａＡｆＡｓの気相成長に本発明を適
用した場合について述べる。本実施例では、第４図に示
した構造の反応管１０を用いた。
（ＣＨ３）３ ＡｓＨ３）（２系のＭＯＣＶＤ法によ
るＧａＡｓおよびＧａＡｆＡｓの気相成長に本発明を適
用した場合について述べる。本実施例では、第４図に示
した構造の反応管１０を用いた。
導入管１４からは、ＧａＡｓの成長時にはＧａ （Ｃ
Ｈ３）３（）リメ□チルガリウム： ＴＭＧ）を１ｃｃ
／ｍｉｎの流量で、ＡｓＨ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの流量
で供給し、Ｇ ａ ｏ、７ Ａ ｆｔ ｏコＡｓの成長
時にはＴＭＧをｌｃｃ／ｍｉｎの流量で、Ａ７！ （Ｃ
Ｈ３） ３ （トリメチルアルミニウム：ＴＭＡ）をｉ
ｃｅ／ｍｉｎの流量で、ＡｓＨ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの
流量で供給した。なお、キャリアガスはＨ２を用い、全
流量を３０００ ｃｃ／ｍｉｎとした。基板結晶１２は
、高周波加熱によるカーボン製基板ホルダー１１により
成長時には７００ ’Ｃに保った。基板結晶１２として
は、鏡面研摩したＧａＡｓ （１００）面を用いた。
Ｈ３）３（）リメ□チルガリウム： ＴＭＧ）を１ｃｃ
／ｍｉｎの流量で、ＡｓＨ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの流量
で供給し、Ｇ ａ ｏ、７ Ａ ｆｔ ｏコＡｓの成長
時にはＴＭＧをｌｃｃ／ｍｉｎの流量で、Ａ７！ （Ｃ
Ｈ３） ３ （トリメチルアルミニウム：ＴＭＡ）をｉ
ｃｅ／ｍｉｎの流量で、ＡｓＨ３を１０ｃｃ／ｍｉｎの
流量で供給した。なお、キャリアガスはＨ２を用い、全
流量を３０００ ｃｃ／ｍｉｎとした。基板結晶１２は
、高周波加熱によるカーボン製基板ホルダー１１により
成長時には７００ ’Ｃに保った。基板結晶１２として
は、鏡面研摩したＧａＡｓ （１００）面を用いた。
成長直前にはＨ２ＳＯ４： Ｈ２０□ ：Ｈ２Ｏ−１：
１：３の割合による溶液で表面のケミカルエツチングを
行った。基板結晶１２を反応管１０内にセットし、Ａ
ｓ Ｈ３を供給しながら昇温し所定の温度になった時に
ＴＭＧを供給して、第１図（ｂ）に示すようにＧａＡｓ
エピタキシャル層２を０．５μｍ成長させた。その後、
導入管１４からＨＣＮを１．５ｃｃ／ｍｉｎの流量で導
入し、雰囲気をエツチング状態に変え、第１図（Ｃ）に
示すようにエピタキシャル成長層２および基板結晶１を
１０μｍにわたってエツチングし、その後ＨＣ４の導入
を停止して、再びＧａＡｓ層３を約１０μｍエピタキシ
ャル成長せしめた。その結果得られた成長面は鏡面であ
り、ヒルロック等の異常成長は全く観測されなかった。
１：３の割合による溶液で表面のケミカルエツチングを
行った。基板結晶１２を反応管１０内にセットし、Ａ
ｓ Ｈ３を供給しながら昇温し所定の温度になった時に
ＴＭＧを供給して、第１図（ｂ）に示すようにＧａＡｓ
エピタキシャル層２を０．５μｍ成長させた。その後、
導入管１４からＨＣＮを１．５ｃｃ／ｍｉｎの流量で導
入し、雰囲気をエツチング状態に変え、第１図（Ｃ）に
示すようにエピタキシャル成長層２および基板結晶１を
１０μｍにわたってエツチングし、その後ＨＣ４の導入
を停止して、再びＧａＡｓ層３を約１０μｍエピタキシ
ャル成長せしめた。その結果得られた成長面は鏡面であ
り、ヒルロック等の異常成長は全く観測されなかった。
また、エピタキシャル成長層としてＧ ａ Ｏ，？ Ａ
ｅ（１，３Ａ Ｓを用い第１図における工程を上記と
全（同様に実施し、ガスエツチングした基板結晶上にＧ
ａ Ｏ，７Ａ ｌ ６．３ Ａ ｓ層３を約１０．ｃｒ
ｒｎ＋−ビタキシャル成長せしめた。その結果得られた
成長面は鏡面性に優れたものであった。また、基板結晶
１と成長層３の界面についてＡｌのオージェ分析を行い
遷移層の巾について調べた結果、通常の方法で基板結晶
上に直接ＧａＡβＡｓを成長させた場合には２００人程
度の遷移層を有していたが、本実施例による方法では１
０Å以下の非常に薄い遷移層しか存在しないことがわか
った。
ｅ（１，３Ａ Ｓを用い第１図における工程を上記と
全（同様に実施し、ガスエツチングした基板結晶上にＧ
ａ Ｏ，７Ａ ｌ ６．３ Ａ ｓ層３を約１０．ｃｒ
ｒｎ＋−ビタキシャル成長せしめた。その結果得られた
成長面は鏡面性に優れたものであった。また、基板結晶
１と成長層３の界面についてＡｌのオージェ分析を行い
遷移層の巾について調べた結果、通常の方法で基板結晶
上に直接ＧａＡβＡｓを成長させた場合には２００人程
度の遷移層を有していたが、本実施例による方法では１
０Å以下の非常に薄い遷移層しか存在しないことがわか
った。
以上説明したように、本発明によれば、成長初期の遷移
層が極めて薄く、かつ、鏡面性に優れたエピタキシャル
層を成長させることのできるｍ−■族化合物半導体の気
相エピタキシャル成長方法を得ることができる。そして
、この気相エピタキシャル成長方法は、構造の複雑な反
応管を用いる必要はなく、通常用いられている１成長室
の反応管を用いて実施することができるという利点をも
有している。
層が極めて薄く、かつ、鏡面性に優れたエピタキシャル
層を成長させることのできるｍ−■族化合物半導体の気
相エピタキシャル成長方法を得ることができる。そして
、この気相エピタキシャル成長方法は、構造の複雑な反
応管を用いる必要はなく、通常用いられている１成長室
の反応管を用いて実施することができるという利点をも
有している。
第１図は、本発明による気相エピタキシャル成長層の製
造過程を示す図、 第２図は、最初のエピタキシャル成長層の膜厚とガスエ
ツチング後の表面のピット数との関係を示すグラフを表
す図、 第３図は、クロライド法による反応管の模式図、第４図
は、熱分解法による反応管の模式図、第５図は、ハイド
ライド法による反応管の模式％式％ ２．３・・・・・・・・エピタキシャル層４．１０．１
６・・・・反応管 ５．１７・・・・・・・Ｇａソース ６．９，１４．１８・・導入管 ７．１１．１９・・・・基板ホルダー １３・・・・・・・・・高周波加熱コイル１５・・・・
・・・・・排気口 （改） （Ｃ） 第３図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８
１．０エピク〜ン’＝ＩしＩｃ４３ＰＩＡ−７’
−”第２図 第４図 第５図 手続補正書（自発） ６０．８．１４ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２７８０５４号
２、発明の名称 Ｘ−Ｖ族化合物半導体の気相エピタ
キシャル成長方法 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者関本忠弘 ４、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 。 ６、補正の内容 （１）明細書第１４頁第１３行目の後に次の文を挿入す
る。 ［なお、インジウムリン（Ｉｎｐ）基板結晶を用いた場
合においても、本発明による方法を用いることにより、
鏡面性に優れたガスエツチング面が得られ、その上に形
成するエピタキシャル成長層が高品質になることがわか
った。」
造過程を示す図、 第２図は、最初のエピタキシャル成長層の膜厚とガスエ
ツチング後の表面のピット数との関係を示すグラフを表
す図、 第３図は、クロライド法による反応管の模式図、第４図
は、熱分解法による反応管の模式図、第５図は、ハイド
ライド法による反応管の模式％式％ ２．３・・・・・・・・エピタキシャル層４．１０．１
６・・・・反応管 ５．１７・・・・・・・Ｇａソース ６．９，１４．１８・・導入管 ７．１１．１９・・・・基板ホルダー １３・・・・・・・・・高周波加熱コイル１５・・・・
・・・・・排気口 （改） （Ｃ） 第３図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８
１．０エピク〜ン’＝ＩしＩｃ４３ＰＩＡ−７’
−”第２図 第４図 第５図 手続補正書（自発） ６０．８．１４ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２７８０５４号
２、発明の名称 Ｘ−Ｖ族化合物半導体の気相エピタ
キシャル成長方法 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者関本忠弘 ４、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 。 ６、補正の内容 （１）明細書第１４頁第１３行目の後に次の文を挿入す
る。 ［なお、インジウムリン（Ｉｎｐ）基板結晶を用いた場
合においても、本発明による方法を用いることにより、
鏡面性に優れたガスエツチング面が得られ、その上に形
成するエピタキシャル成長層が高品質になることがわか
った。」
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル成
長において、基板結晶上へ所定以上の厚さにエピタキシ
ャル成長を行う第１の工程と、この第１の工程による成
長層のみあるいは成長層と基板結晶とをガスエッチング
する第２の工程と、ガスエッチングを施した結晶上に再
びエピタキシャル成長を行う第３の工程とを含むことを
特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャ
ル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27805484A JPS61151093A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ３−５族化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27805484A JPS61151093A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ３−５族化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151093A true JPS61151093A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17592010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27805484A Pending JPS61151093A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ３−５族化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151093A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531221A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Hikari Ishii | テーピングサポータ |
| JP2007525402A (ja) * | 2004-03-01 | 2007-09-06 | クリー インコーポレイテッド | 炭化珪素エピキタシーにおけるニンジン状欠陥の低減 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233478A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Nec Corp | Gaseous epitaxial growth process |
| JPS5965434A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nec Corp | 化合物半導体の気相エツチング方法 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27805484A patent/JPS61151093A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233478A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Nec Corp | Gaseous epitaxial growth process |
| JPS5965434A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nec Corp | 化合物半導体の気相エツチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531221A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Hikari Ishii | テーピングサポータ |
| JP2007525402A (ja) * | 2004-03-01 | 2007-09-06 | クリー インコーポレイテッド | 炭化珪素エピキタシーにおけるニンジン状欠陥の低減 |
| US9903046B2 (en) | 2004-03-01 | 2018-02-27 | Cree, Inc. | Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy |
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