JPH08152610A - 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置用電極基板及びその製造方法

Info

Publication number
JPH08152610A
JPH08152610A JP6295046A JP29504694A JPH08152610A JP H08152610 A JPH08152610 A JP H08152610A JP 6295046 A JP6295046 A JP 6295046A JP 29504694 A JP29504694 A JP 29504694A JP H08152610 A JPH08152610 A JP H08152610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
polysilazane
electrode substrate
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6295046A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3537197B2 (ja
Inventor
Sunao Suzuki
直 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tonen General Sekiyu KK
Original Assignee
Tonen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tonen Corp filed Critical Tonen Corp
Priority to JP29504694A priority Critical patent/JP3537197B2/ja
Publication of JPH08152610A publication Critical patent/JPH08152610A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3537197B2 publication Critical patent/JP3537197B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラスチックフィルムを基材とした液晶表示
装置用電極基板とその製造方法を提供すること。 【構成】 本発明の液晶表示装置用電極基板は、プラス
チックフィルムの少なくとも片面上にポリシラザンをセ
ラミックス化して形成した窒素を原子百分率で0.00
5〜5%含有するSiO2 膜を有することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスバリヤ性、硬度、
ITO等の透明導電性膜との密着性に優れたポリシラザ
ン由来のSiO2 膜を被覆したプラスチックフィルムか
らなる液晶表示装置用電極基板とその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の薄型軽量化に向けた開発
が進んでいる。特に、携帯性の向上、落下や外圧ストレ
スに対する耐衝撃性の向上が小型液晶表示装置を設計す
る上での重要な課題となっている。こうした課題解決の
障壁となっているものの一つが、液晶表示装置の透明電
極基板として従来より用いられているガラスである。す
なわち、ガラスは重い、薄形にできない、耐衝撃性に劣
り割れやすい、曲げられない、量産化しにくい、等の本
質的な問題を抱えている。そこで、最近では、割れな
い、薄い、軽いといった特徴を生かしたプラスチックフ
ィルム基板を電極基板として用いることにより、上記の
ような問題の解決が図られている。
【0003】液晶表示装置用電極基板には、光学特性、
耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、
ガスバリヤ性、低吸湿性、平滑性、等の特性が要求され
る。これらの要求特性をすべて満たすプラスチックフィ
ルムは入手不可能である。そのため、現在用いられてい
るプラスチックフィルム基板には、一般に、酸素等の気
体透過を防止するためのガスバリヤ層、表面を保護し且
つ耐吸湿性を付与するためのハードコート層、フィルム
に対するITO透明導電性膜の密着性及び耐溶剤性を付
与するためのアンダーコート層、をはじめとする種々の
層が設けられている。
【0004】プラスチックフィルムにガスバリヤ性、硬
度、耐熱性を付与し、しかも透明性を損なわない表面被
覆方法が以下の特許公開公報に開示されている。特開平
4−80030号公報は、ゾル−ゲル法を利用したアル
コキシシラン溶液の塗布によって無機/有機複合膜を表
面に形成する方法を開示する。特開平6−93120号
公報は、ガスバリヤ性の高い基材フィルムに真空蒸着、
イオンプレーティング、スパッタリング、等のドライプ
レーティング法によってSiO2 膜を形成する方法を開
示する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平4−80030号公報の方法には、成膜に高温が必
要であるため使用できるプラスチックフィルム基材の種
類に制限がある、得られる膜が緻密でない、膜の機械的
強度が不十分である、等の問題がある。また、上記特開
平6−93120号公報の方法には、成膜コストが非常
に高い、ガスバリヤ性に乏しい、厚膜にするとクラック
が生じる、等の問題がある。
【0006】従って、液晶表示装置用電極基板に要求さ
れるガスバリヤ層、ハードコート層及びアンダーコート
層の特性をすべて兼ね備えた膜を、プラスチックフィル
ムに損傷を与えることなく低温で、しかも低コストで簡
便に形成できる方法が望まれる。
【0007】本発明の目的は、上記の如き従来技術にお
ける問題を解決し、SiO2 膜を被覆したプラスチック
フィルムからなる液晶表示装置用電極基板とその製造方
法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】これらの及びその他の目
的は、 (1)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンをセラミックス化して形成した窒素を原子百分
率で0.005〜5%含有するSiO2 膜を有すること
を特徴とする液晶表示装置用電極基板、及び (2)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンの膜を形成する工程を含むことを特徴とする液
晶表示装置用電極基板の製造方法によって達成される。
【0009】本発明の好ましい実施態様を以下に列挙す
る。 (3)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンの膜を形成する工程と、該膜に加熱処理を施し
た後に加湿処理及び/又は触媒を含有する水溶液による
浸漬処理を施す工程とを含むことを特徴とする、SiO
2 被覆プラスチックフィルムからなる液晶表示装置用電
極基板の製造方法。 (4)前記加熱処理を150℃以下で施すことを特徴と
する前記(3)項記載の方法。
【0010】本発明によれば、出発原料としてポリシラ
ザンを用いることにより、そして特に好適には低温セラ
ミックス化処理法を採用することにより、プラスチック
フィルム基板を損なわないような低温でSiO2 膜が形
成される。本発明のSiO2膜は、液晶表示装置用電極
基板に要求されるガスバリヤ層、ハードコート層及びア
ンダーコート層の特性をすべて兼ね備え、しかも上記の
ようなドライプレーティング法に比べ格段に成膜コスト
が低く且つ簡便な塗布法によって形成することができ
る。
【0011】本発明では、低温でセラミックス化するこ
とが可能であればいずれのポリシラザンを使用してもS
iO2 膜を形成することができる。このようなポリシラ
ザンを、以降「低温セラミックス化ポリシラザン」と呼
ぶ。
【0012】本発明で使用できる低温セラミックス化ポ
リシラザンは、下記一般式(I)で表わされる単位から
なる主骨格を有する数平均分子量が100〜5万のポリ
シラザンを変性したものである。
【0013】
【化1】
【0014】上式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ
独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロア
ルキル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素
に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アル
キルアミノ基、アルコキシ基を表わす。ただし、R1
2 及びR3 の少なくとも1つは水素原子である。本発
明では、R1 、R2 及びR3 のすべてが水素原子である
ポリシラザンが特に好ましい。
【0015】このような低温セラミックス化ポリシラザ
ンの例として、本願出願人による特願平4−39595
号明細書に記載されているケイ素アルコキシド付加ポリ
シラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記
一般式(I)で表されるポリシラザンと、下記一般式
(II): Si(OR4 4 (II) (式中、R4 は、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素原子数1〜20個を有するアルキル基またはア
リール基を表し、少なくとも1個のR4 は上記アルキル
基またはアリール基である)で表されるケイ素アルコキ
シドを加熱反応させて得られる、アルコキシド由来ケイ
素/ポリシラザン由来ケイ素原子比が0.001〜3の
範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のケイ素ア
ルコキシド付加ポリシラザンである。上記R4 は、炭素
原子数1〜10個を有するアルキル基がより好ましく、
また炭素原子数1〜4個を有するアルキル基が最も好ま
しい。また、アルコキシド由来ケイ素/ポリシラザン由
来ケイ素原子比は0.05〜2.5の範囲内にあること
が好ましい。ケイ素アルコキシド付加ポリシラザンの調
製については、上記特願平4−39595号明細書を参
照されたい。
【0016】低温セラミックス化ポリシラザンの別の例
として、本出願人による特開平6−122852号公報
に記載されているグリシドール付加ポリシラザンが挙げ
られる。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で
表されるポリシラザンとグリシドールを反応させて得ら
れる、グリシドール/ポリシラザン重量比が0.001
〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のグ
リシドール付加ポリシラザンである。グリシドール/ポ
リシラザン重量比は0.01〜1であることが好まし
く、さらには0.05〜0.5であることがより好まし
い。グリシドール付加ポリシラザンの調製については、
上記特開平6−122852号公報を参照されたい。
【0017】低温セラミックス化ポリシラザンの別の例
として、本願出願人による特願平5−30750号明細
書に記載されているアルコール付加ポリシラザンが挙げ
られる。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で
表されるポリシラザンとアルコールを反応させて得られ
る、アルコール/ポリシラザン重量比が0.001〜2
の範囲内かつ数平均分子量が約100〜50万のアルコ
ール付加ポリシラザンである。上記アルコールは、沸点
110℃以上のアルコール、例えばブタノール、ヘキサ
ノール、オクタノール、ノナノール、メトキシエタノー
ル、エトキシエタノール、フルフリルアルコールである
ことが好ましい。また、アルコール/ポリシラザン重量
比は0.01〜1であることが好ましく、さらには0.
05〜0.5であることがより好ましい。アルコール付
加ポリシラザンの調製については、上記特願平5−30
750号明細書を参照されたい。
【0018】低温セラミックス化ポリシラザンのまた別
の例として、本願出願人による特願平5−93275号
明細書に記載されている金属カルボン酸塩付加ポリシラ
ザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般
式(I)で表されるポリシラザンと、ニッケル、チタ
ン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オス
ミウム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群か
ら選択される少なくとも1種の金属を含む金属カルボン
酸塩を反応させて得られる、金属カルボン酸塩/ポリシ
ラザン重量比が0.000001〜2の範囲内かつ数平
均分子量が約200〜50万の金属カルボン酸塩付加ポ
リシラザンである。上記金属カルボン酸塩は、式(RC
OO)n M〔式中、Rは炭素原子数1〜22個の脂肪族
基又は脂環式基であり、Mは上記金属群から選択される
少なくとも1種の金属を表し、そしてnは金属Mの原子
価である〕で表される化合物である。上記金属カルボン
酸塩は無水物であっても水和物であってもよい。また、
金属カルボン酸塩/ポリシラザン重量比は好ましくは
0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.5であ
る。金属カルボン酸塩付加ポリシラザンの調製について
は、上記特願平5−93275号明細書を参照された
い。
【0019】低温セラミックス化ポリシラザンのさらに
別の例として、本願出願人による特願平5−35604
号明細書に記載されているアセチルアセトナト錯体付加
ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、
上記一般式(I)で表されるポリシラザンと、金属とし
てニッケル、白金、パラジウム又はアルミニウムを含む
アセチルアセトナト錯体を反応させて得られる、アセチ
ルアセトナト錯体/ポリシラザン重量比が0.0000
01〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万
のアセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンである。上
記の金属を含むアセチルアセトナト錯体は、アセチルア
セトン(2,4−ペンタジオン)から酸解離により生じ
た陰イオンacac- が金属原子に配位した錯体であ
り、一般に式(CH3 COCHCOCH3 n M〔式
中、Mはn価の金属を表す〕で表される。アセチルアセ
トナト錯体/ポリシラザン重量比は、好ましくは0.0
01〜1、より好ましくは0.01〜0.5である。ア
セチルアセトナト錯体付加ポリシラザンの調製について
は、上記特願平5−35604号明細書を参照された
い。
【0020】その他の低温セラミックス化ポリシラザン
の例として、本願出願人による特願平5−338524
明細書に記載されている金属微粒子添加ポリシラザンが
挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般式
(I)で表されるポリシラザンを主成分とするコーティ
ング溶液に、Au、Ag、Pd、Niをはじめとする金
属の微粒子を添加して得られる変性ポリシラザンであ
る。好ましい金属はAgである。金属微粒子の粒径は
0.5μmより小さいことが好ましく、0.1μm以下
がより好ましく、さらには0.05μmより小さいこと
が好ましい。特に、粒径0.005〜0.01μmの独
立分散超微粒子を高沸点アルコールに分散させたものが
好ましい。金属微粒子の添加量は、ポリシラザン100
重量部に対して0.01〜10重量部、好ましくは0.
05〜5重量部である。金属微粒子添加ポリシラザンの
調製については、上記特願平5−338524明細書を
参照されたい。
【0021】本発明では、「低温セラミックス化ポリシ
ラザン」であればいずれも好適に使用することができ
る。特に好ましい低温セラミックス化ポリシラザンは金
属カルボン酸塩付加ポリシラザンであるが、とりわけそ
の金属がパラジウム(Pd)であるものがより好まし
い。
【0022】本発明によるSiO2 被覆プラスチックフ
ィルムは、上記の如き低温セラミックス化ポリシラザン
の膜をプラスチックフィルムの少なくとも片面に形成
し、この膜を低温でセラミックス化することにより製造
される。低温セラミックス化ポリシラザンの膜形成は、
通常低温セラミックス化ポリシラザンを溶剤に溶解させ
てコーティング用組成物を調製することによって行われ
る。
【0023】溶剤としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メ
タン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等の
エーテル類を使用することができる。好ましい溶媒は、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホル
ム、塩化エチレン、塩化エチリデン、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル、エチルブチルエー
テル、ブチルエーテル、1,2−ジオキシエタン、ジオ
キサン、ジメチルジオキサン、テトラヒドロフラン、テ
トラヒドロピラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、
イソヘキサン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタ
ン、オクタン、イソオクタン、シクロペンタン、メチル
シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等
の炭化水素等である。これらの溶剤を使用する場合、低
温セラミックス化ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速
度を調節するために、2種類以上の溶剤を混合してもよ
い。
【0024】溶剤の使用量(割合)は採用するコーティ
ング方法により作業性がよくなるように選択され、また
用いる低温セラミックス化ポリシラザンの平均分子量、
分子量分布、その構造によって異なるので、適宜、自由
に混合することができる。好ましくは固形分濃度で1〜
50重量%の範囲で混合することができる。
【0025】また、本発明のコーティング用組成物にお
いて、必要に応じて適当な充填剤及び/又は増量剤を加
えることができる。充填剤の例としてはシリカ、アルミ
ナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物系無機物あ
るいは炭化珪素、窒化珪素等の非酸化物系無機物の微粉
等が挙げられる。また用途によってはアルミニウム、亜
鉛、銅等の金属粉末の添加も可能である。さらに充填剤
の例を詳しく述べれば、シリカゾル、ジルコニアゾル、
アルミナゾル、チタニアゾル等のゾル:ケイ砂、石英、
ノバキュライト、ケイ藻土等のシリカ系:合成無定形シ
リカ:カオリナイト、雲母、滑石、ウオラストナイト、
アスベスト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム等
のケイ酸塩:ガラス粉末、ガラス球、中空ガラス球、ガ
ラスフレーク、泡ガラス球等のガラス体:窒化ホウ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、窒
化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化チタン、窒化チタン、炭
化チタン等の非酸化物系無機物:炭酸カルシウム:酸化
亜鉛、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、酸化ベリリ
ウム等の金属酸化物:硫酸バリウム、二硫化モリブデ
ン、二硫化タングステン、弗化炭素その他無機物:アル
ミニウム、ブロンズ、鉛、ステンレススチール、亜鉛等
の金属粉末:カーボンブラック、コークス、黒鉛、熱分
解炭素、中空カーボン球等のカーボン体等があげられ
る。好ましい充填剤は、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化チ
タン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどの酸化
物系無機物の超微粒子及びシリカゾルである。
【0026】これら充填剤は、針状(ウィスカーを含
む。)、粒状、鱗片状等種々の形状のものを単独又は2
種以上混合して用いることができる。これら充填剤の粒
子の大きさは1回に適用可能な膜厚よりも小さいことが
望ましい。また充填剤の添加量は低温セラミックス化ポ
リシラザン1重量部に対し、0.05〜10重量部の範
囲であり、特に好ましい添加量は0.2〜3重量部の範
囲である。
【0027】コーティング用組成物には、必要に応じて
各種顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線
吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥
促進剤、流れ止め剤、等を加えてもよい。
【0028】本発明の液晶表示装置用電極基板に使用す
るプラスチックフィルムには、種々のプラスチック材料
が包含される。耐熱性、耐溶剤性の観点から好ましい材
料として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポ
リイミド(PI;例えば、商品名カプトンで市販されて
いるピロメリット酸無水物とジアミノジフェニルエーテ
ルとの重縮合生成物)、ポリカーボネート(PC)、二
軸延伸ポリプロピレン(OPP)、ポリフェニレンスル
フィド(PPS)、ポリエチレンナフタレート(PE
N)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテル
イミド(PEI)、ポリエーテルエーテルケトン(PE
EK)、ポリアリレート(PAR)、二軸延伸パラ系ア
ラミドフィルム、ノルボルネン系ポリオレフィンフィル
ム、支持体付き極薄フィルム、等が挙げられる。プラス
チックフィルムの面積や厚さには特に制限はなく、用途
に応じた任意の面積及び厚さのフィルムを使用すること
ができる。
【0029】これらのプラスチックフィルムには、密着
性向上のためにコロナ放電処理、シランカップリング剤
の塗布、等の前処理を施すこともできる。
【0030】本発明によると、上記のようなコーティン
グ用組成物を上記のようなプラスチックフィルムの少な
くとも片面に適用することによって低温セラミックス化
ポリシラザンの膜を形成する。適用方法は、通常実施さ
れているプラスチックフィルムへの塗布方法、すなわち
浸漬、ロール塗り、バー塗り、刷毛塗り、スプレー塗
り、フロー塗り等が用いられる。特に好ましい適用方法
はグラビアコーティング法である。
【0031】このような方法でコーティングした後、プ
ラスチックフィルムを損なわない温度、好ましくは15
0℃以下で加熱処理を施す。一般に、加熱処理を150
℃以上で行うと、プラスチックフィルムが変形したり、
その強度が劣化するなど、プラスチックフィルムが損な
われる。しかしながら、ポリイミド等の耐熱性の高いプ
ラスチックフィルムの場合にはより高温での処理が可能
であり、この加熱処理温度は、フィルムの種類によって
当業者が適宜設定することができる。加熱雰囲気は酸素
中、空気中のいずれであってもよい。
【0032】上記の温度での熱処理においてはSi−
O、Si−N、Si−H、N−Hが存在する膜が形成さ
れる。この膜はまだセラミックスへの転化が不完全であ
る。この膜を、次に述べる2つの方法及びのいずれ
か一方又は両方によって、セラミックスに転化させるこ
とが可能である。
【0033】水蒸気雰囲気中での熱処理。圧力は特に
限定されるものではないが、1〜3気圧が現実的に適当
である。相対湿度は特に限定されるものではないが、1
0〜100%RHが好ましい。温度は室温以上で効果的
であるが室温〜150℃が好ましい。熱処理時間は特に
限定されるものではないが10分〜30日が現実的に適
当である。
【0034】水蒸気雰囲気中での熱処理により、低温セ
ラミックス化ポリシラザンの酸化または水蒸気との加水
分解が進行するので、上記のような低い加熱温度で、実
質的にSiO2 からなる緻密な膜の形成が可能となる。
但し、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒
素を原子百分率で0.005〜5%含有する。この窒素
含有量が5%よりも多いと膜のセラミックス化が不十分
となり所期の効果(例えばガスバリヤ性や耐磨耗性)が
得られない。一方、窒素含有量を0.005%よりも少
なくすることは困難である。好ましい窒素含有量は原子
百分率で0.1〜3%である。
【0035】触媒を含有した蒸留水中に浸す。触媒と
しては、酸、塩基が好ましく、その種類については特に
限定されないが、例えば、トリエチルアミン、ジエチル
アミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、n−エキシルアミン、n−ブチ
ルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブチルア
ミン、グアニジン、ピグアニン、イミダゾール、1,8
−ジアザビシクロ−〔5,4,0〕−7−ウンデセン、
1,4−ジアザビシクロ−〔2,2,2〕−オクタン等
のアミン類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化リチウム、ピリジン、アンモニア水等のアルカリ類;
リン酸等の無機酸類;永酢酸、無水酢酸、プロピオン
酸、無水プロピオン酸のような低級モノカルボン酸、又
はその無水物、シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、コハ
ク酸のような低級ジカルボン酸又はその無水物、トリク
ロロ酢酸等の有機酸類;過塩素酸、塩酸、硝酸、硫酸、
スルホン酸、パラトルエンスルホン酸、三フッ化ホウ素
及びその電気供与体との錯体、等;SnCl4 、ZnC
2 、FeCl3 、AlCl3 、SbCl3 、TiCl
4 などのルイス酸及びその錯体等を使用することができ
る。好ましい触媒は塩酸である。触媒の含有割合として
は0.01〜50重量%、好ましくは1〜10重量%で
ある。保持温度としては室温から沸点までの温度にわた
って有効である。保持時間としては特に限定されるもの
ではないが10分〜30日が現実的に適当である。
【0036】触媒を含有した蒸留水中に浸すことによ
り、低温セラミックス化ポリシラザンの酸化あるいは水
との加水分解が、触媒の存在により更に加速され、上記
のような低い加熱温度で、実質的にSiO2 からなる緻
密な膜の形成が可能となる。但し、先に記載したよう
に、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒素
を同様に原子百分率で0.005〜5%含有する。
【0037】1回の適用で得られるSiO2 膜の厚さ
は、好ましくは500Å〜5μm、より好ましくは10
00Å〜2μmの範囲である。膜厚が5μmよりも厚い
と熱処理時に割れが入ることが多く、また可撓性が悪く
なり、折り曲げなどによる割れや剥離も生じ易くなる。
反対に、膜厚が500Åよりも薄いと所期の効果、例え
ば所望のガスバリヤ性や硬度が得られない。この膜厚
は、コーティング用組成物の濃度を変更することによっ
て制御することができる。すなわち、膜厚を増加したい
場合にはコーティング用組成物の固形分濃度を高くする
(溶剤濃度を低くする)ことができる。また、コーティ
ング用組成物を複数回適用することによって膜厚をさら
に増加させることもできる。
【0038】その他の機能性を付与するために、従来よ
り行われている機能性フィラーの添加や、各種層を積層
させることが可能である。例えば、紫外線吸収機能を付
与するために紫外線吸収機能をもつTiO2 等の微粒子
を添加したり、屈曲性を付与するために可撓性のある中
間層を積層させる、等が可能である。
【0039】本発明によるSiO2 膜はセラミックス化
しており、塗布、硬化という通常の簡便な方法で且つ低
温で形成できる。このSiO2 膜は、従来の蒸着法によ
るSiO2 膜と同等以上のガスバリヤ性を示し、硬度
(耐磨耗性)に優れており、しかも透明であることがで
きる。また、本発明によるSiO2 膜は、液晶表示装置
用電極基板におけるITO等の透明導電性膜に対して良
好な密着性を示す。本発明による液晶表示装置用電極基
板は、従来の電極基板を置き換えることができ、プラス
チックフィルムの特性を生かした電極基板を構築するこ
とができる。
【0040】
【実施例】実施例によって本発明をさらに説明する。実施例1 東燃製ペルヒドロポリシラザンType−1(PHPS
−1;数平均分子量900)の20%キシレン溶液10
0gに酢酸パラジウム(II)(エヌ・イー・ケムキャッ
ト(株)製)の0.5%キシレン溶液40gを添加し、
更にキシレンを60g加え、大気中、20℃で3時間攪
拌しながら反応を行った。
【0041】本溶液の数平均分子量はGPCにより測定
したところ932であった。この溶液をコーティング液
とし、孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過
後、厚さ75μmのPETフィルムにディップコーティ
ング法で両面に塗布し、大気雰囲気下150℃で1時間
加熱処理した。
【0042】また、蒸留水に塩酸を1重量%加えた溶液
を調製し、この溶液に上記の加熱処理した塗膜を室温で
3時間浸漬処理し、室温で乾燥させた。この塗膜の厚さ
は約1μmであった。この塗膜のセラミックス化の進行
度を赤外分光分析法(IR)で評価したところ、Si−
Hに起因する吸収は認められなかった。また、940cm
-1にSi−OH、3400cm-1にO−Hに起因する吸収
が認められた。さらに、膜の密度を重量法によって測定
したところ2.1g/cm3 であった。また、膜の屈折
率をエリプソメーターによって測定したところ1.45
であった。これらの値は溶融石英ガラスの値(密度2.
20g/cm3 、屈折率1.46)にほぼ近いものであ
り、得られた塗膜の組成が実質的にSiO2 であること
が確認された。また、塗膜中の窒素含有量を二次イオン
質量分析法(SIMS)で評価したところ、原子百分率
で0.54%であった。
【0043】このように製造した被覆PETフィルムの
酸素及び水蒸気のガス透過率を測定した。これらの測定
には、柳本製作所(株)製の差圧式ガス透過率測定シス
テムGTR-30XD を使用した。酸素透過率の測定条件は、
測定温度:25±1℃、試験ガス:乾燥酸素(住友精化
(株)製 ZERO-U グレード)、試験ガス圧力:6.0k
gf/cm2 、ガス透過面積:15.2cm2 (直径4
4mm)、透過ガス貯蔵時間:33、37及び47時間
の3水準とした。水蒸気透過率の測定条件は、測定温
度:40±1℃、試験ガス:水蒸気+乾燥酸素の混合ガ
ス、水蒸気発生:23℃における飽和水蒸気を利用、試
験ガス圧力:約1kgf/cm2 〔うち水蒸気の分圧=
2809.6Pa≒0.0286kgf/cm2 ≒0.
028気圧(23℃における飽和水蒸気圧)〕、相対湿
度:約38%RH(測定温度と水蒸気発生温度における
飽和蒸気圧の比で定まる)、ガス透過面積:15.2c
2(直径44mm)、透過ガス貯蔵時間:33、45
及び60時間の3水準とした。測定は、試験ガスを所定
圧力で試料に負荷させてから時間が充分に経過した後に
行った。このように測定して得られた被覆PETフィル
ムのガス透過率は、酸素透過率が0.1cc/m2 ・2
4h・atm、そして水蒸気透過率が0.6g/m2
24hであった。
【0044】また、この被覆PETフィルムの鉛筆硬度
は2Hであった。さらに、型番#0000のスチールウ
ールで250gの荷重をかけながら60rpmで100
回転させた後の被覆PETフィルムは、目視では傷を確
認できなかった。
【0045】実施例2 溶液は実施例1と同様のものを用い、孔径0.1μmの
PTFE製フィルターで濾過後、厚さ75μmのPET
フィルムにディップコーティング法で両面に塗布し、大
気雰囲気下150℃で1時間加熱処理した。
【0046】この加熱処理した塗膜を80%RH(相対
湿度)中、大気圧下、95℃で3時間加熱した。この塗
膜の膜厚は約1μmであった。この塗膜のセラミックス
化の進行度をIRで評価したところ、Si−Hに起因す
る吸収は認められなかった。また、940cm-1にSi−
OH、3400cm-1にO−Hに起因する吸収が認められ
た。さらに、膜の密度を重量法によって測定したところ
2.1g/cm3 であった。また、膜の屈折率をエリプ
ソメーターによって測定したところ1.45であった。
これらの値は溶融石英ガラスの値(密度2.20g/c
3 、屈折率1.46)にほぼ近いものであり、得られ
た塗膜の組成が実質的にSiO2 であることが確認され
た。また、塗膜中の窒素含有量をSIMSで評価したと
ころ、原子百分率で1.6%であった。
【0047】このように製造した被覆PETフィルムの
ガス透過率を実施例1と同様に測定したところ、25℃
における酸素透過率が0.1cc/m2 ・24h・at
m、そして40℃における水蒸気透過率が0.9g/m
2 ・24hであった。
【0048】また、この被覆PETフィルムの鉛筆硬度
は2Hであった。さらに、型番#0000のスチールウ
ールで250gの荷重をかけながら60rpmで100
回転させた後の被覆PETフィルムは、目視では傷を確
認できなかった。
【0049】以下の表1にガスバリヤ性についてのデー
タを、また表2に硬度についてのデータをまとめて記載
する。
【0050】 表1:ガスバリヤ性 水蒸気透過率 酸素透過率 g/m2・24 h cc/m2・24 h・atm 基材PETフィルム 8.0 25.0 実施例1 0.6 0.1 実施例2 0.9 0.1
【0051】 表2:硬度 鉛筆硬度 #0000スチールウール 基材PETフィルム 3B 傷あり 実施例1 2H 傷なし 実施例2 2H 傷なし
【0052】実施例1及び実施例2で得られた両面コー
トフィルムの片面にスパッタ法でITO膜を施工し、液
晶表示装置用電極基板を製作した。この電極基板におけ
るITO/フィルム間の密着性をクロスカット試験法で
評価したところ、実施例1及び実施例2のいずれの試料
とも良好な密着性(100/100)を示した。
【0053】以上の特性を有する本発明の液晶表示装置
用電極基板は、従来基板と同等又はそれ以上の性能を示
し、高性能な電極基板を構築できることがわかった。
【0054】
【発明の効果】本発明によれば、低温でセラミックス化
するポリシラザンをプラスチックフィルムに適用するこ
とによって、プラスチックフィルム基材を損なわずにS
iO2膜を有する液晶表示装置用電極基板が得られる。
このSiO2 膜は、液晶表示装置用電極基板に要求され
るガスバリヤ層、ハードコート層及びアンダーコート層
の特性をすべて兼ね備え、しかも蒸着法等のドライプレ
ーティング法に比べ格段に成膜コストが低く且つ簡便な
塗布法によって形成することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
    上にポリシラザンをセラミックス化して形成した窒素を
    原子百分率で0.005〜5%含有するSiO2 膜を有
    することを特徴とする液晶表示装置用電極基板。
  2. 【請求項2】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
    上にポリシラザンの膜を形成する工程を含むことを特徴
    とする液晶表示装置用電極基板の製造方法。
JP29504694A 1994-11-29 1994-11-29 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3537197B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29504694A JP3537197B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29504694A JP3537197B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08152610A true JPH08152610A (ja) 1996-06-11
JP3537197B2 JP3537197B2 (ja) 2004-06-14

Family

ID=17815626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29504694A Expired - Fee Related JP3537197B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3537197B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09183949A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Tonen Corp ハードコート膜を被覆した物品及びハードコート膜の被覆方法
JP2003066423A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示素子及びその製造方法
JP2010237719A (ja) * 2004-03-24 2010-10-21 Tokuyama Corp フォトクロミック性光学物品の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101957766B1 (ko) * 2016-08-10 2019-03-14 기초과학연구원 고분자 초박막, 및 이의 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09183949A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Tonen Corp ハードコート膜を被覆した物品及びハードコート膜の被覆方法
JP2003066423A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示素子及びその製造方法
JP4701561B2 (ja) * 2001-08-22 2011-06-15 住友ベークライト株式会社 表示素子及びその製造方法
JP2010237719A (ja) * 2004-03-24 2010-10-21 Tokuyama Corp フォトクロミック性光学物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3537197B2 (ja) 2004-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3449798B2 (ja) SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法
US6083860A (en) Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics
US5922411A (en) Composition for forming ceramic material and process for producing ceramic material
JPH06299118A (ja) コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH10279362A (ja) SiO2系セラミックス膜の形成方法
JP3454110B2 (ja) 撥水性ガラス
JP2000246830A (ja) シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法
JP3414504B2 (ja) 撥水性セラミックス被膜の製法
JPH10212114A (ja) SiO2系セラミックス膜の形成方法
JPH06140657A (ja) 太陽電池
JP3902699B2 (ja) コーティング組成物及びシリカ系セラミックス膜の製造方法
JP3696311B2 (ja) ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック
JP3537197B2 (ja) 液晶表示装置用電極基板及びその製造方法
JPH09183663A (ja) プラスチックフィルムにSiO2系セラミックスを被覆する方法
JP2001205187A (ja) シリカ系膜被覆物品の製造方法、およびシリカ系膜被覆物品
JP4302782B2 (ja) 紫外線防止透明板の製造方法
JPH09175868A (ja) ハードコート膜を被覆したポリカーボネート製品及びその製法
JPH0899061A (ja) SiO2 系セラミック被膜の形成方法
JP3993330B2 (ja) SiO2系セラミックス膜の形成方法
JP3916278B2 (ja) フェニルシリル基架橋ポリシラザン及びその製造方法
JP4180667B2 (ja) 耐紫外線性木材製品とその製造方法
JPH11105186A (ja) 低誘電率シリカ質膜
JP3916272B2 (ja) 分子間架橋されたポリシラザン及びその製造方法
JPH09183949A (ja) ハードコート膜を被覆した物品及びハードコート膜の被覆方法
JP3889615B2 (ja) シリカ系薄膜の製造方法および有機−無機複合傾斜材料

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees