JPH08107077A

JPH08107077A - 強誘電体膜形成方法及び装置

Info

Publication number: JPH08107077A
Application number: JP8303495A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Nakahigashi; 孝浩中東
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1994-08-10
Filing date: 1995-04-10
Publication date: 1996-04-23
Anticipated expiration: 2018-09-08
Also published as: JP3444013B2

Abstract

(57)【要約】【目的】鉛等の蒸気圧の高い原子を構成原子として含む
膜の形成において成膜原料が多量に必要となるとともに
膜厚均一性の制御が困難となる高温成膜を避けることが
でき、しかも通常のプラズマＣＶＤ法により強誘電体膜
を形成する際に生じる、膜の基体との界面付近のプラズ
マダメージによる欠陥による該膜の誘電率低下を避ける
ことができる強誘電体膜形成方法及び装置を提供する。【構成】成膜用原料ガスとして少なくとも、目的とする
強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸素
元素を含む、この有機化合物ガスとは異なる種類のガス
を用い、成膜用原料ガスを熱分解し、この分解物に基体
Ｓを曝して基体Ｓ上に強誘電体膜の界面層を形成した
後、同様の成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラ
ズマ化し、このプラズマに基体Ｓを曝して界面層上に引
き続き強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成方法及び装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はフラッシュメモリ、ガス
センサ、薄膜コンデンサ等に用いられる強誘電体膜の形
成方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、強誘電体膜の形成は熱ＣＶＤ法
により行われる。この成膜を行う装置として代表的なも
のの一つを例示すると、図５に示す熱ＣＶＤ装置があ
る。この装置は、プロセス室１及びゲート弁ａを介して
室１に連結されたロードロック室３を有している。プロ
セス室１はその中に被成膜基体Ｓを設置する基体ホルダ
４が設けられ、基体ホルダ４にはこの上に設置される基
体Ｓを成膜温度に加熱する高温型プレートヒータ４１を
付設してある。なお、輻射熱で基体Ｓを加熱するとき
は、ヒータ４１はホルダ４から分離される。

【０００３】プロセス室１には排気装置６を配管接続し
てあるが、この排気装置６は弁６１、ターボモレキュラ
ーポンプ６２、弁６３及びロータリーポンプ６４がこの
順に配管接続されたものである。また、プロセス室１に
はガス供給部２を配管接続してある。強誘電体膜を成膜
するに当たり、成膜用原料ガスとして一般に、目的とす
る強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸
素元素を含む、該有機化合物ガスとは異なる種類のガス
が用いられるが、該有機化合物は常温で液体であること
が多い。そこで、ガス供給部２は該有機化合物をバブリ
ングしてプロセス室１内へ供給できる構成となってい
る。即ち、ガス供給部２は常温で液体の有機化合物のガ
スを供給するためのバブラー部２１及び異種ガス供給部
２２からなっている。

【０００４】バブラー部２１には１又は２以上の密封可
能の容器（バブラー）２１ａ１、２１ａ２・・・が設け
られ、これらにマスフローコントローラ２１ｂ１、２１
ｂ２・・・及び弁２１ｃ１、２１ｃ２・・・を介してキ
ャリアガスのガス源２１ｄ１、２１ｄ２・・・が接続さ
れ、マスフローコントローラ２１ｂ１、２１ｂ２・・・
から延びる配管の先端はバブラー２１ａ１、２１ａ２・
・・内の底部付近に設置されている。またバブラー２１
ａ１、２１ａ２・・・内上部は開閉弁２１ｅ１、２１ｅ
２・・・及び圧力調整部２１ｆ１、２１ｆ２・・・を介
してプロセス室１に配管接続されている。圧力調整部２
１ｆ１、２１ｆ２・・・は各々圧力調整弁及び圧力計か
らなっている。バブラー２１ａ１、２１ａ２・・・には
ヒータとペルチェ素子を含む温度調節装置２１ｇ１、２
１ｇ２・・・が付設され、バブラー２１ａ１、２１ａ２
・・・からプロセス室１まで延びる配管にはヒータ２１
ｈが付設される。

【０００５】異種ガス供給部２２には、マスフローコン
トローラ２２１ａ、２２１ｂ・・・及び弁２２２ａ、２
２２ｂ・・・を介して接続された１又は２以上の異種ガ
スのガス源２２３ａ、２２３ｂ・・・が含まれ、酸素元
素含有ガス及び必要に応じてキャリアガス等の異種ガス
をプロセス室１に供給できるようになっている。また、
ロードロック室３には、外部と通じるゲート弁ｂが設け
られ、その中に基体Ｓの予熱のためのランプヒータ３１
を設けてあるとともに、排気装置８を配管接続してあ
る。排気装置８は弁８１、ターボモレキュラーポンプ８
２、弁８３及びロータリポンプ８４がこの順に配管接続
され、一方で弁８５を介して直接ロータリポンプ８４が
配管接続されたものである。ロードロック室３を大気圧
から真空引きするときには弁８５のみを開いてロータリ
ポンプ８４のみを運転し、一旦所定真空度に達すれば、
弁８５を閉じ、弁８１、８３を開き、ロータリポンプ８
４及びターボモレキュラーポンプ８２を運転し、該真空
度を維持する。

【０００６】この熱ＣＶＤ装置により例えば基体上に５
酸化２タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）膜を形成する場合、ま
ず、成膜対象基体Ｓがゲート弁ｂを通り、ランプヒータ
３１で加熱されたロードロック室３に搬入され、ゲート
弁ｂが閉じられた後、排気装置８の運転にて室３内が所
定の真空度とされる。次いで、基体Ｓがゲート弁ａを通
り、排気装置６の運転にて１００ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒ
ｒ程度の所定成膜真空度に維持されたプロセス室１に搬
入されてヒータ４１により６００〜６５０℃程度に加熱
された基体ホルダ４上に設置される。その後弁ａは閉じ
られる。次いで、ガス源２１ｄ１からキャリアガスとし
て水素（Ｈ₂）ガスを、液体のペンタエトキシタンタル
（Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）を入れたバブラー２１ａ１内
に導入してペンタエトキシタンタルをバブリングさせ、
発生したペンタエトキシタンタルガスをプロセス室１内
へ供給する。このとき、バブラー２１ａ１は温度調節装
置２１ｇ１により所定温度に加熱され、ヒータ２１ｈも
必要に応じ、ガス状態維持のためオンされる。また異種
ガス供給部２２からは酸素（Ｏ₂）ガスが供給される。
バブリングをヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）
ガス等の不活性ガス又はＨ₂ガス等のガスで行い、別
途、異種ガス供給部からＨ₂ガスを供給することもあ
る。そして、これら導入されたガスが加熱された基体Ｓ
近傍で分解されて基体Ｓ表面に所望の膜が形成される。
なお、バブラーに入れる成膜原料が常温で気体の場合等
には、温度調節装置２１ｇ１にて逆にこれを適当温度に
冷却することもある。

【０００７】以上説明した方法及び装置を用いて形成さ
れる強誘電体膜及びその成膜原料の例として、前記５酸
化２タンタル膜の他、テトラエチル鉛（Ｐｂ（Ｃ
₂Ｈ₅）₄）又はビスジバイルメタノール（Ｐｂ（ＤＰ
Ｍ）₂）とＯ₂ガスから形成される１酸化鉛（ＰｂＯ）
膜、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）又はペンタエトキシチ
タニウム（Ｔｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）又はテトライソプロ
キシチタニウム（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₄）とＯ₂
ガスから形成される２酸化チタン（ＴｉＯ₂）膜、テト
ラブトキシジルコニウム（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ
₄Ｈ₉）₄）とＯ₂ガスから形成される酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ₂）膜、ジエトキシバリウム（Ｂａ（ＯＣ₂
Ｈ ₅）₂）とＯ₂ガスから形成される酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）膜、ジエトキシストロンチウム（Ｓｒ（ＯＣ₂Ｈ
₅）₂）とＯ₂ガスから形成される酸化ストロンチウム
（ＳｒＯ）膜、ジピバロイルメタネートランタン（Ｌａ
（ＤＰＭ）₂）とＯ ₂ガスから形成される酸化ランタン
（Ｌａ₂Ｏ₃）膜等を挙げることができる。前記成膜原
料のうちテトラエチル鉛、四塩化チタン、ペンタエトキ
シチタニウム及びテトライソプロキシチタニウムは常温
で液体であり、バブリングしてプロセス室１に供給さ
れ、ビスジバイルメタノール、ジエトキシバリウム、ジ
エトキシストロンチウム及びジピバロイルメタネートラ
ンタンは常温で固体であるため、エタノール等のアルコ
ール等に溶解した後バブリングされる。また、テトラブ
トキシジルコニウムは常温で気体であり、必要に応じ、
適当温度に冷却されることがある。

【０００８】また、酸化複合膜のチタン酸ストロンチウ
ム（ＳｒＴｉＯ₃）膜、メタチタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉＯ₃）膜、ジルコニウム酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，
Ｔｉ）_xＯ₂）膜等を形成する場合は２以上のバブラー
を用いて膜構成元素を含む複数の成膜原料液をバブリン
グしてプロセス室１へ供給する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような熱
ＣＶＤ法及び装置によると、プロセス室１に供給する成
膜用原料ガスの割合と形成された強誘電体膜の組成比が
一致しないため、該膜の組成比の制御、ひいては膜質の
制御が困難である。また、成膜中の基体温度は６５０℃
以上等の高温に保たれるが、このように成膜中の基体温
度を高温に保つ場合、鉛（Ｐｂ）等の蒸気圧の高い原子
が膜から雰囲気中へ脱離し易いため、成膜原料としてこ
れらの元素を含有する有機化合物を用いる場合、それが
多量に必要となって、成膜コストが高くつき、しかも膜
厚の面内均一性の制御が困難となる。

【００１０】さらに、このような熱ＣＶＤ法及び装置に
よると、成膜速度が遅く、例えば前記のジルコニウム酸
チタン酸鉛膜の形成では成膜速度６０Å／ｍｉｎ程度が
限界である。強誘電体膜形成に当たりこのような問題を
避けるために、例えば図６に示すプラズマＣＶＤ装置を
採用することが考えられる。

【００１１】この装置は図５に示す熱ＣＶＤ装置におい
て基体ホルダ４に代えて基体ホルダを兼ねる接地電極７
が設けられ、プロセス室１内の電極７に対向する位置に
高周波電極５が設置されたものである。電極５は、電極
４との間に導入される成膜用原料ガスに高周波（ＲＦ）
電力を印加してプラズマ化させるための電力印加電極
で、マッチングボックス５１を介して高周波電源５２に
接続されている。また、電極７には基体Ｓを成膜温度に
加熱できる高温型プレートヒータ７１が付設されてい
る。

【００１２】このプラズマＣＶＤ装置により例えば、前
記５酸化２タンタル膜を形成する場合、プロセス室１内
に搬入された基体Ｓが電極７上に載置された後、図５の
装置を用いた前記熱ＣＶＤ法による５酸化２タンタル膜
形成の場合と同様にしてガス供給部２から所定量のペン
タエトキシタンタルガス及び酸素ガスがプロセス室１内
に導入されるとともに、高周波電極５に電源５２から高
周波電力が印加され、これによって導入された前記ガス
がプラズマ化され、このプラズマの下で基体Ｓ表面に５
酸化２タンタル膜が形成される。

【００１３】その他の構成及び作用は図５に示す装置と
同様である。図５の装置における部品と同一の部品につ
いては同じ参照符号を付してある。しかし、このような
プラズマＣＶＤ法及び装置によると、プラズマにより基
体上に形成された膜と基体との界面付近にプラズマダメ
ージによる欠陥が生じ、その結果、該膜の誘電率が若干
低下する。

【００１４】また、この様なプラズマＣＶＤ法及び装置
によると、プラズマ中の気相反応により発生するパーテ
ィクルが基体表面に形成される膜に付着したり、その中
に混入したりして膜質を悪化させる。そこで印加する電
力を増大させるとパーティクルが増加することを考慮し
て、ある程度までの電力しか印加しないようにすること
でパーティクル発生を抑制することが考えられるが、そ
うすると成膜速度が低下するという問題がある。

【００１５】そこで本発明は、鉛等の蒸気圧の高い原子
を構成原子として含む膜の形成において、成膜原料が多
量に必要となるとともに膜厚均一性の制御が困難となる
高温成膜を避けることができ、しかも通常のプラズマＣ
ＶＤ法により強誘電体膜を形成する際に生じる、膜の基
体との界面付近のプラズマダメージによる欠陥による該
膜の誘電率低下を避けることができる強誘電体膜形成方
法及び装置を提供することを第１の課題とする。

【００１６】また、本発明は、前記第１の課題に加え
て、膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制すると
ともに成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向
上させて成膜することができ、しかも膜組成比の制御ひ
いては膜質の制御を正確に行うことができる強誘電体膜
形成方法及び装置を提供することを第２の課題とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するために研究を重ね、熱ＣＶＤにおける高温成膜
等による問題を避けるためプラズマＣＶＤを採用するこ
ととした。そして、酸化タンタル膜等の強誘電体膜を形
成するに際して、該原料ガスとして少なくとも、目的と
する強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び
酸素元素を含む、該有機化合物ガスとは異なる種類のガ
スを用い、基体との界面層のみを熱ＣＶＤ法で形成して
おき、その後プラズマＣＶＤ法で引き続き膜形成するこ
とにより、プラズマＣＶＤにより生じる、膜の基体との
界面付近のプラズマダメージによる欠陥による該膜の誘
電率低下を回避できることを見出した。さらに、該原料
ガスのプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基
本高周波電力に該周波数の１０分の１以下の周波数で振
幅変調を施した状態の電力を印加することで行えば、パ
ーティクルの発生を大幅に抑制しつつ、成膜速度を著し
く低下させず、或いは向上させ得ることを見出した。ま
た、その場合、このような第１の振幅変調に、さらに、
該変調周波数の１００倍未満の周波数で第２の振幅変調
を施した状態の電力を印加すれば一層成膜速度が向上す
ることを見出した。

【００１８】また、このように基本となる所定周波数の
高周波電力に前記第１の振幅変調を施すことにより、プ
ラズマ中のラジカル密度が高くなるため、膜組成比等の
膜質が向上する。前記知見に基づき本発明は、成膜用原
料ガスとして少なくとも、目的とする強誘電体膜の構成
元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を含む、該有
機化合物ガスとは異なる種類のガスを用い、該成膜用原
料ガスを熱分解し、この分解物に基体を曝して該基体上
に強誘電体膜の界面層を形成した後、前記成膜用原料ガ
スを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマ
に前記基体を曝して前記界面層上に引き続き強誘電体膜
を形成することを特徴とする強誘電体膜形成方法を提供
する。

【００１９】また、前記知見に基づき本発明は、被成膜
基体を設置して成膜を行うためのプロセス室と、成膜用
原料ガスとして少なくとも、目的とする強誘電体膜の構
成元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を含む、該
有機化合物ガスとは異なる種類のガスを前記プロセス室
に供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部から前
記プロセス室内へ供給される前記原料ガスを加熱分解す
るための加熱手段と、前記ガス供給部から前記プロセス
室内へ供給される前記原料ガスに高周波電力を印加して
該ガスをプラズマ化させる高周波電力印加手段とを備え
たことを特徴とする強誘電体膜形成装置を提供する。

【００２０】本発明方法及び装置において、前記原料ガ
スの熱分解により形成される強誘電体膜の界面層の厚み
は、膜の種類により異なるが、１０〜２００Å程度であ
ることが考えられ、１０Åより薄いとプラズマダメージ
による膜欠陥を完全に避けることができず、２００Åよ
り厚いと成膜時間がかかる。本発明方法及び装置におい
て、成膜用原料ガスのプラズマ化のために印加する高周
波電力の波形は、サイン波、矩形波、のこぎり波、三角
波等であることが考えられる。

【００２１】また、前記知見に基づき、本発明方法にお
いては、前記原料ガスのプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上
の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の１０分
の１以下の周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力
を印加することで行うことが考えられ、また同様に、本
発明装置において前記高周波電力印加手段を、そのよう
な振幅変調を施した状態の電力を印加できるものとする
ことが考えられる。この場合、前記基本高周波電力の周
波数が１０ＭＨｚより低いと、効率の良いプラズマ生成
が困難であり、また、前記第１振幅変調周波数が基本高
周波電力の周波数の１０分の１より高いと、安定したプ
ラズマを発生させることが困難になる。

【００２２】また、本発明方法において、前記原料ガス
のプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下の範
囲の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の１０
万分の１以上、中でも１０００分の１以上１０分の１以
下の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を
印加することで行うことが考えられる。また同様に、本
発明装置において前記高周波電力印加手段を、そのよう
な振幅変調を施した状態の電力を印加できるものとする
ことが考えられる。

【００２３】これは前記基本高周波電力の周波数が２０
０ＭＨｚより高いと、変調を加えたとしても従来のプラ
ズマＣＶＤ法及び装置によるよりプラズマ生成の効率が
向上せず、また電源コストが増大するからであり、ま
た、前記第１振幅変調周波数が基本高周波電力の周波数
の１０万分の１より低いと、成膜速度が低下するからで
ある。中でも前記第１振幅変調周波数を基本高周波電力
の周波数の１０００分の１以上の周波数で振幅変調を施
した状態の高周波電力を印加することで行うことが考え
られるのは、前記第１振幅変調周波数が基本高周波電力
の周波数の１０００分の１より低いと、プラズマを発生
させる電力印加の振幅変調の割合が少ないため、膜堆積
に寄与する反応種を生成させることとダスト発生の原因
となる反応種の生成を抑制することをほぼ並行して行う
ことが困難になりがちだからである。

【００２４】また、前記知見に基づき、本発明方法にお
いては、前記原料ガスのプラズマ化を、前記基本高周波
電力に前記振幅変調を施し、さらに該変調周波数の１０
０倍未満の周波数で第２の振幅変調を施した状態の高周
波電力を印加することで行うことが考えられ、また同様
に、本発明装置において前記高周波電力印加手段を、そ
のような振幅変調を施した状態の電力を印加できるもの
とすることが考えられる。前記第２振幅変調の周波数が
第１振幅変調周波数の１００倍以上であると第２振幅変
調による十分な効果が得られない。

【００２５】さらに、本発明方法及び装置においては、
前記第２振幅変調の周波数を基本高周波電力の周波数の
１００倍未満で１００分の１より大きくすることが考え
られるが、これは１００分の１以下では成膜速度が低下
するからである。なお前記第１及び第２の各「振幅変
調」は勿論のこと、以下の説明及び特許請求の範囲にお
いて、「振幅変調」は、電力印加のオン・オフによるパ
ルス変調、パルス状の変調をも含む概念である。

【００２６】また、前記各振幅変調は、それには限定さ
れないが、代表例として、パーティクルの発生を効果的
に抑制するうえで電力印加のオンオフを伴う変調（換言
すればパルス変調又はパルス状の変調）を挙げることが
できる。この場合デューティ比、即ち変調波の１周期に
占める電力印加のオン時間の割合（オン／オン＋オフ）
は、任意の値に定めることができるが、それには限定さ
れないが代表的には５０％程度が考えられ、この場合、
ダストパーティクル発生量の低減と、成膜速度の著しい
低下を伴わない、或いは成膜速度が向上する成膜が程よ
く行われる。

【００２７】また、振幅変調した状態のガスプラズマ化
用の高周波電力は、代表的には、その原形を所望の高周
波信号を発生させ得る、例えばファンクションジエネレ
ータと一般に称されているもののような、高周波信号発
生器により作り、これを増幅器で増幅して得ることが考
えられるが、周波数が１０ＭＨｚ以上で、例えば２００
ＭＨｚ以下の範囲の基本高周波電力を生成し、これに振
幅変調を施して得ること等も考えられ、この点について
特に制限はない。

【００２８】また、本発明方法及び装置において用い
る、目的とする強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物
としては、５酸化２タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）膜を形成す
るためのペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）
₅）、１酸化鉛（ＰｂＯ）膜を形成するためのテトラエ
チル鉛（Ｐｂ（Ｃ₂Ｈ₅）₄）又はビスジバイルメタノ
ール（Ｐｂ（ＤＰＭ）₂）、２酸化チタン（ＴｉＯ₂）
膜を形成するための四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）又はペ
ンタエトキシチタニウム（Ｔｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）又は
テトライソプロキシチタニウム（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ
₇）₄）又はこれらの複数の組み合わせ、酸化ジルコニ
ウム（ＺｒＯ₂）膜を形成するためのテトラブトキシジ
ルコニウム（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）₄）、酸化バリ
ウム（ＢａＯ）膜を形成するためのジエトキシバリウム
（Ｂａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂）、酸化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｏ）膜を形成するためのジエトキシストロンチウム（Ｓ
ｒ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂）、酸化ランタン（Ｌａ₂Ｏ₃）膜
を形成するためのジピバロイルメタネートランタン（Ｌ
ａ（ＤＰＭ）₂）等を例示することができる。

【００２９】また、酸化複合膜については、チタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）膜を形成するための四塩
化チタン、ペンタエトキシチタニウム、テトライソプロ
キシチタニウムよりなる群から選ばれた少なくとも一種
の化合物とジエトキシストロンチウムとの組み合わせ、
メタチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）膜を形成するた
めの四塩化チタン、ペンタエトキシチタニウム、テトラ
イソプロキシチタニウムよりなる群から選ばれた少なく
とも一種の化合物とジエトキシバリウムとの組み合わ
せ、ジルコニウム酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）_x
Ｏ₂）膜を形成するための四塩化チタン、ペンタエトキ
シチタニウム、テトライソプロキシチタニウムよりなる
群から選ばれた少なくとも一種の化合物とテトラエチル
鉛又は（及び）ビスジバイルメタノールとテトラブトキ
シジルコニウムとの組み合わせ等を例示することができ
る。

【００３０】前記の目的とする強誘電体膜の構成元素を
含む有機化合物が常温で液体の場合には、水素（Ｈ₂）
ガス、窒素（Ｎ₂）ガス又は不活性ガス（ヘリウム（Ｈ
ｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガ
ス、クリプトン（Ｋｒ）ガス等）等をキャリアガスとし
て用いてバブリングし、該化合物のガスを得ることが考
えられる。このような化合物として前記のテトラエチル
鉛、四塩化チタン、ペンタエトキシチタニウム及びテト
ライソプロキシチタニウムを挙げることができる。

【００３１】また、前記有機化合物が常温で固体の場合
には、一旦エタノール等のアルコールその他の有機溶媒
に溶解させた後、前記キャリアガスを用いてバブリング
し、該化合物のガスを得ることが考えられる。このよう
な化合物としてビスジバイルメタノール、ジエトキシバ
リウム、ジエトキシストロンチウム及びジピバロイルメ
タネートランタンを挙げることができる。

【００３２】前記の酸素元素を含む異種ガスとしては、
何れの膜を形成する場合にもＯ₂ガス、オゾン（Ｏ₃）
ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）
ガス等を用いることができる。

【００３３】

【作用】本発明の強誘電体膜形成方法及び装置による
と、成膜用原料ガスとして少なくとも目的とする強誘電
体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を
含む、該有機化合物ガスとは異なる種類のガスを用い、
該原料ガスを電力印加によりプラズマ化して基体上に強
誘電体膜を形成するに当たり、原料ガスのプラズマ化に
先立ち予め該原料ガスの熱分解により該強誘電体膜の界
面層を形成し、引き続きその上にプラズマ化した原料ガ
スにて強誘電体膜を形成する。このようにして、この界
面層がなければプラズマにより形成される膜と基体との
界面付近にプラズマダメージによる欠陥が生じ、その結
果、該膜の誘電率が低下することが、この界面層形成に
より回避される。また、界面層形成後は基体温度を高温
に保つことなく膜の大部分を形成できるため、熱ＣＶＤ
によるより、膜中の蒸気圧の高い原子が雰囲気中に脱離
するのが抑制される。

【００３４】さらに前記原料ガスのプラズマ化のために
印加する電力として１０ＭＨｚ以上の基本周波数電力に
該電力の周波数の１０分の１以下の周波数で振幅変調を
施した状態の高周波電力を用いるときには、このように
第１振幅変調を施した状態の高周波電力の印加によりプ
ラズマを生成することで、プラズマ中の膜形成に寄与す
るラジカル密度が高くなるため、成膜中に基体温度を通
常のプラズマＣＶＤ法及び装置による場合のように高温
に保つ必要がなく、従って、通常のプラズマＣＶＤによ
るより、膜中の蒸気圧の高い原子の雰囲気中への脱離が
抑制される。そして、それにより鉛等の蒸気圧の高い原
子を構成原子として含む膜の形成においても成膜原料を
節約できるとともに膜厚均一性が良くなる。また、プラ
ズマ中の膜形成に寄与するラジカル密度が高くなるた
め、膜組成比等の膜質が向上する。しかも、膜質を悪化
させるダストパーティクルの発生が抑制されるととも
に、成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上
させて成膜できる。

【００３５】前記の第１及び第２の振幅変調を施すとき
には、パーティクル発生が抑制され、膜質が向上すると
ともに、成膜速度も前記第１振幅変調のみの場合に比べ
て向上する。これは第２の振幅変調によりプラズマ中の
電子エネルギが一層上昇し、それだけガス分解が一層促
進されるからであると考えられる。

【００３６】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施に用いる熱ＣＶＤ装置を兼ねる
平行平板型プラズマＣＶＤ装置であり、図６に示すプラ
ズマＣＶＤ装置において、ヒータ７１に代えてヒータ７
２が電極７に付設されたものである。ヒータ７２は電極
７上に設置される基体Ｓ付近の成膜用原料ガスを熱分解
できる程度の温度にまで基体Ｓを加熱できるものであ
る。その他の構成は図６の装置と同様であり、同じ部品
には同じ参照符号を付してある。

【００３７】このＣＶＤ装置によると、本発明方法は次
のように実施される。すなわち、基体Ｓを電極７上に設
置してプロセス室１内を所定の成膜真空度に維持しつつ
ガス供給部２から所定量の成膜用原料ガスをプロセス室
１内に導入する。この場合、成膜用原料ガスとして、少
なくとも目的とする強誘電体膜の構成元素を含む有機化
合物のガス及び酸素元素を含む異種ガスを用いる。そし
て、このガスをヒータ７２により加熱された基体Ｓ近傍
で分解させて、基体Ｓ表面に強誘電体の界面層を形成す
る。次いで、このガスに高周波電力を印加することで該
ガスをプラズマ化し、このプラズマの下で前記界面層の
上に引き続き強誘電体膜を形成する。

【００３８】このＣＶＤ法及び装置によると、成膜用原
料ガスのプラズマ化により基体上に強誘電体膜を形成す
るに当たり、それに先立って、予め該原料ガスの熱分解
により強誘電体の界面層を形成しておくことで、プラズ
マにより形成される膜と基体との界面付近にプラズマダ
メージによる欠陥が生じることを回避でき、従ってこの
ような欠陥に起因して膜の誘電率が低下するのが回避さ
れる。

【００３９】また、従来の熱ＣＶＤ法及び装置による成
膜に比べて、成膜中に基体温度を高温に保つことなく大
部分の成膜を行うことができるため、成膜中に膜中の蒸
気圧の高い原子が脱離するのが抑制され、それだけ成膜
原料ガスが少なくて済み成膜コストが低減するとともに
膜厚均一性が向上する。図２は本発明方法の実施に用い
るＣＶＤ装置の他の例を示している。この装置は図１に
示す前記ＣＶＤ装置において、高周波電源５２に代えて
電極５にマッチングボックス５１Ａを介して高周波電力
発生装置５３が接続されたものである。その他の構成は
図１の装置と同様であり、同じ部品には同じ参照符号を
付してある。

【００４０】装置５３には、マッチングボックス５１Ａ
にＲＦパワーアンプ５４を介して接続された高周波信号
発生器５５が含まれている。高周波電力発生装置５３、
マッチングボックス５１Ａ及び高周波電極５は高周波電
力印加手段を構成している。本例によると、高周波電力
発生装置５３は、図４の（Ａ）に示す１０ＭＨｚ以上２
００ＭＨｚ以下の範囲のサイン波連続高周波電力（基本
高周波電力）に同図（Ｂ）に示すように該周波数の１０
分の１以下、１０万分の１以上の範囲の変調周波数で第
１の振幅変調を施し、予め定めたデューティサイクルで
オン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返される状態の
高周波電力を発生するように設定されている。オン時に
おけるピークツーピーク電力は一定である。

【００４１】このＣＶＤ法及び装置によると、図１の装
置の場合と同様、予め原料ガスの熱分解により前記の界
面層が形成され、引き続くプラズマＣＶＤ法による成膜
工程において、前記のとおりの振幅変調を施した状態の
高周波電力の印加により原料ガスがプラズマ化される結
果、成膜に必要なラジカルが多く生成され、パーティク
ルの原因となるラジカルの発生が抑制されるため、パー
ティクルの付着、混入が抑制されて膜質が向上するとと
もに成膜速度が向上する。

【００４２】また、気相での分解反応が促進されてプラ
ズマ中のラジカル密度が高くなり、それだけ膜組成比が
向上する。図３は本発明方法の実施に用いるプラズマＣ
ＶＤ装置の他の例を示している。この装置は図２に示す
前記装置における高周波電力発生装置５３を高周波電力
発生装置５６に代えたもので、その他の構成は図１及び
図２の装置と同じであり、同じ部品には同じ参照符号を
付してある。

【００４３】高周波電力発生装置５６は、マッチングボ
ックス５１ＢにＲＦパワーアンプ５４を介して接続され
た高周波信号発生器５７を含んでおり、図４の（Ａ）に
示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下の範囲のサイン波
連続高周波電力（基本高周波電力）に同図（Ｂ）に示す
ように該周波数の１０分の１以下、１０万分の１以上の
周波数で第１の振幅変調を施し、さらに、同図（Ｃ）に
示すように該第１変調の周波数１／（Ｔ１＋Ｔ２）より
高く、該周波数の１００倍未満の変調周波数及び所定の
デューティサイクルで第２の振幅変調を施し、第１変調
のオン時間Ｔ１部分についてオン時間Ｔ３、オフ時間Ｔ
４が順次繰り返される状態の高周波電力を発生するよう
に設定されているか、或いは同図（Ｄ）に示すように該
第１変調周波数の１００分の１より高く、該第１変調周
波数より低い周波数で第２の振幅変調を施し、そのオン
時間について前記第１変調波のオン時間Ｔ１、オフ時間
Ｔ２が順次繰り返される状態の高周波電力を発生するよ
うに設定されている。オン時におけるピークツーピーク
電力は一定である。

【００４４】このプラズマＣＶＤ装置によると、前記の
とおりの第１及び第２の振幅変調が施された状態の高周
波電力の印加により原料ガスがプラズマ化される結果、
前記第１の振幅変調のみを施す場合よりも、パーティク
ルの発生が抑制されると共に、成膜速度が向上する。次
に図１の装置、図２の装置、図３の装置のそれぞれによ
り５酸化２タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）膜、メタチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ₃）膜及びジルコニウム酸チタン酸
鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）_xＯ₂）膜を形成した実験例を
示す。併せて比較例についても説明する。実験例１図１の装置による５酸化２タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅）膜の形成界面層形成条件基体Ｓ：シリコンウエハ（直径１００ｍｍ）成膜用ガス：ペンタエトキシタンタル、バブリング温度２００℃ Ｈ₂（キャリアガス）１００ｓｃｃｍＯ₂ ２００ｓｃｃｍ成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４２０℃ 膜厚：１５０Å 本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：周波数１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）成膜用ガス：界面層形成条件と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：２８０℃ 膜厚：１８００Å 実験例２図２の装置による５酸化２タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅）膜の形成界面層形成条件実験例１と同様にして膜厚１５０Åの５酸化２タンタル
膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ振幅変調周波数６８ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：２８０℃ 膜厚：１７６０Å 実験例３図３の装置による５酸化２タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅）膜の形成界面層形成条件実験例１と同様にして膜厚１５０Åの５酸化２タンタル
膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ第１の振幅変調周波数 68ｋＨｚ、デューティ比５０％第２の振幅変調周波数１ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：２８０℃ 膜厚：１８４０Å 実験例４図１の装置によるメタチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ₃)膜の形成界面層形成条件基体Ｓ：シリコンウエハ（直径１００ｍｍ）成膜用ガス：テトライソプロキシチタニウム、バブリング温度４０℃ Ｈ₂（キャリアガス）５０ｓｃｃｍジエトキシバリウム、バブリング温度３５℃ Ｈ₂（キャリアガス）５０ｓｃｃｍＯ₂ ２００ｓｃｃｍ成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：６５０℃ 膜厚：６５Å 本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：周波数１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）成膜用ガス：界面層形成条件と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１９００Å 実験例５図２の装置によるメタチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ₃)膜の形成界面層形成条件実験例４と同様にして膜厚６５Åのメタチタン酸バリウ
ム膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ振幅変調周波数６８ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１９００Å 実験例６図３の装置によるメタチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ₃)膜の形成界面層形成条件実験例４と同様にして膜厚６５Åのメタチタン酸バリウ
ム膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ第１の振幅変調周波数 68ｋＨｚ、デューティ比５０％第２の振幅変調周波数１ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１９５０Å 実験例７図１の装置によるジルコニウム酸チタン
酸鉛（Pb(Zr,Ti) _XO₂）膜の形成界面層形成条件基体Ｓ：シリコンウエハ（直径１００ｍｍ）成膜用ガス：テトライソプロキシチタニウム、バブリング温度４０℃ Ｈ₂（キャリアガス）４０ｓｃｃｍビスジバイルメタノール、バブリング温度４０℃ Ｈ₂（キャリアガス）１００ｓｃｃｍテトラブトキシジルコニウム、バブリング温度４℃ Ｈ₂（キャリアガス）５０ｓｃｃｍＯ₂ ２００ｓｃｃｍ成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：６５０℃ 膜厚：６０Å 本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：周波数１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１５００Å 実験例８図２の装置によるジルコニウム酸チタン
酸鉛（Pb(Zr,Ti) _XO₂）膜の形成界面層形成条件実験例７と同様にして膜厚６０Åのジルコニウム酸チタ
ン酸鉛膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ振幅変調周波数６８ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１９５０Å 実験例９図３の装置によるジルコニウム酸チタン
酸鉛（Pb(Zr,Ti) _XO₂）膜の形成界面層形成条件実験例７と同様にして膜厚６０Åのジルコニウム酸チタ
ン酸鉛膜を形成した。本成膜条件高周波電極サイズ：直径２００ｍｍ高周波電力：ＣＷ換算で１００Ｗ（Ｖ_P-P ２５Ｖ）基本周波数１３．５６ＭＨｚ第１の振幅変調周波数 68ｋＨｚ、デューティ比５０％第２の振幅変調周波数１ｋＨｚ、デューティ比５０％成膜用ガス：界面層形成時と同様成膜圧力：０．６Ｔｏｒｒ基体温度：４５０℃ 膜厚：１９５５Å 比較例１図５に示す熱ＣＶＤ装置により、実験例１における界面
層形成条件と同様の条件で膜厚２０００Åの５酸化２タ
ンタル膜を形成した。比較例２図６に示すプラズマＣＶＤ装置により、実験例１におけ
る本成膜条件と同様の条件で（すなわち振幅変調高周波
電力を使用せず、連続高周波電力を採用して）膜厚２０
００Åの５酸化２タンタル膜を形成した。比較例３図５に示す熱ＣＶＤ装置により、実験例４における界面
層形成条件と同様の条件で膜厚１９５０Åのメタチタン
酸バリウム膜を形成した。比較例４図６に示すプラズマＣＶＤ装置により、実験例４におけ
る本成膜条件と同様の条件で（すなわち振幅変調高周波
電力を使用せず、連続高周波電力を採用して）膜厚２０
００Åのメタチタン酸バリウム膜を形成した。比較例５図５に示す熱ＣＶＤ装置により、実験例７における界面
層形成条件と同様の条件で膜厚１９８０Åのジルコニウ
ム酸チタン酸鉛膜を形成した。比較例６図６に示すプラズマＣＶＤ装置により、実験例７におけ
る本成膜条件と同様の条件で（すなわち振幅変調高周波
電力を使用せず、連続高周波電力を採用して）膜厚２０
００Åのジルコニウム酸チタン酸鉛膜を形成した。

【００４５】実験例１、２、３、４、５、６、７、８、
９及び比較例１、２、３、４、５、６により形成された
膜について、成膜速度、０．１μｍ以上の大きさのパー
ティクルの密度及び膜厚均一性を評価した。また、各例
について同条件で膜厚１００Åの膜サンプルを用意し、
この膜の誘電率を評価した。パーティクルの密度はレー
ザ散乱法（Ｍｉｅ散乱法）によりプラズマ中のレーザ散
乱強度を測定し、０．１μｍ以上のパーティクルの密度
に換算することで求めた。

【００４６】結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】前記実験から、以下のことが分かる。前記
の強誘電体膜を形成するに当たり、熱ＣＶＤ法により該
膜の界面層を形成した後、プラズマＣＶＤ法により本成
膜を行うことにより、プラズマＣＶＤ法だけによる成膜
と比べて、膜の界面層の欠陥が生じない分膜の誘電率が
向上し、また、熱ＣＶＤ法による成膜と比べて該膜の大
部分を低温で成膜できることから膜厚均一性が向上し
た。

【００４９】また、プラズマＣＶＤ法による成膜工程に
おいて原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の基本高周
波電力に第１の振幅変調を施した状態の高周波電力印加
により行うことで、これを施さない場合に比べてパーテ
ィクルの発生が抑制されると共に成膜速度が向上した。
また、振幅変調高周波電力印加によるガスプラズマ化に
より気相中のラジカル密度が高くなるため膜組成比が正
確に制御され、その分膜の誘電率が向上した。

【００５０】また、振幅変調高周波電力を採用しない場
合に比べて膜厚均一性が向上した。また、第２の振幅変
調も施せばパーティクルの発生が一層抑制されると共に
成膜速度が一層向上した。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、鉛
等の蒸気圧の高い原子を構成原子として含む膜の形成に
おいて成膜原料が多量に必要となるとともに膜厚均一性
の制御が困難となる高温成膜を避けることができ、しか
も通常のプラズマＣＶＤ法により強誘電体膜を形成する
際に生じる、膜の基体との界面付近のプラズマダメージ
による欠陥による該膜の誘電率低下を避けることができ
る強誘電体膜形成方法及び装置を提供することができ
る。

【００５２】また、本発明によると、前記の効果に加え
て、膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制すると
ともに成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向
上させて成膜することができ、しかも膜組成比の制御ひ
いては膜質の制御を正確に行うことができる強誘電体膜
形成方法及び装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の実施に用いるＣＶＤ装置の１例の
概略構成を示す図である。

【図２】本発明方法の実施に用いるＣＶＤ装置の他の例
の概略構成を示す図である。

【図３】本発明方法の実施に用いるＣＶＤ装置のさらに
他の例の概略構成を示す図である。

【図４】図（Ａ）は基本高周波電力波形例の概略を示す
図、図（Ｂ）は図（Ａ）の高周波電力に第１の振幅変調
を施した状態の高周波電力波形例の概略を示す図、図
（Ｃ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の一例の概略を示す図、図
（Ｄ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の他の例の概略を示す図であ
る。

【図５】従来の熱ＣＶＤ装置の１例の概略構成を示す図
である。

【図６】熱ＣＶＤ装置に代えて用いることが考えられる
プラズマＣＶＤ装置の１例の概略構成を示す図である。

【符号の説明】

１プロセス室２ガス供給部２１バブラー部２１ａ１、２１ａ２バブラー２１ｂ１、２１ｂ２、２２１ａ、２２１ｂマスフロー
コントローラ２１ｃ１、２１ｃ２、２１ｅ１、２１ｅ２、２２２ａ、
２２２ｂ弁２１ｄ１、２１ｄ２キャリアガスのガス源２１ｆ１、２１ｆ２圧力調整部２１ｇ１、２１ｇ２温度調節装置２１ｈヒータ２２異種ガス供給部３ロードロック室３１ランプヒータ４基体ホルダ４１、７１、７２高温型プレートヒータ５高周波電極５１、５１Ａ、５１Ｂマッチングボックス５２高周波電源５３、５６高周波電力発生装置５４高周波電力（ＲＦパワー）アンプ５５、５７高周波信号発生器（ファンクションジェネ
レータ）６、８排気装置６１、６３、８１、８３、８５弁６２、８２ターボモレキュラーポンプ６４、８４ロータリポンプ７基体ホルダを兼ねる接地電極Ｓ基体ａ、ｂゲート弁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜用原料ガスとして少なくとも、目的
とする強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及
び酸素元素を含む、前記有機化合物ガスとは異なる種類
のガスを用い、該成膜用原料ガスを熱分解し、この分解
物に被成膜基体を曝して該基体上に強誘電体膜の界面層
を形成した後、前記成膜用原料ガスを高周波電力印加に
よりプラズマ化し、このプラズマに前記基体を曝して前
記界面層上に引き続き強誘電体膜を形成することを特徴
とする強誘電体膜形成方法。
【請求項２】前記成膜用原料ガスのプラズマ化を、１
０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周
波数の１０分の１以下の周波数で振幅変調を施した状態
の高周波電力を印加することで行う請求項１記載の強誘
電体膜形成方法。
【請求項３】前記成膜用原料ガスのプラズマ化を、前
記基本高周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変
調周波数の１００倍未満の周波数で第２の振幅変調を施
した状態の高周波電力の印加により行う請求項２記載の
強誘電体膜形成方法。
【請求項４】前記振幅変調を電力印加のオンオフを伴
うパルス変調又はパルス状の変調で行う請求項２又は３
記載の強誘電体膜形成方法。
【請求項５】被成膜基体を設置して成膜を行うための
プロセス室と、成膜用原料ガスとして少なくとも、目的とする強誘電体
膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を含
む、前記有機化合物ガスとは異なる種類のガスを前記プ
ロセス室に供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部から前記プロセス室内へ供給される前記
原料ガスを加熱分解するための加熱手段と、前記ガス供給部から前記プロセス室内へ供給される前記
原料ガスに高周波電力を印加して該ガスをプラズマ化さ
せる高周波電力印加手段とを、備えたことを特徴とする
強誘電体膜形成装置。
【請求項６】前記高周波電力印加手段が、１０ＭＨｚ
以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の１
０分の１以下の周波数で振幅変調を施した状態の高周波
電力を印加するものである請求項５記載の強誘電体膜形
成装置。
【請求項７】前記高周波電力印加手段が、前記基本高
周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波数
の１００倍未満の周波数で第２の振幅変調を施した状態
の高周波電力を印加するものである請求項６記載の強誘
電体膜形成装置。
【請求項８】前記高周波電力印加手段が、前記振幅変
調を電力印加のオンオフを伴うパルス変調又はパルス状
の変調で行うものである請求項６又は７記載の強誘電体
膜形成装置。